DE4429074A1 - Verfahren und Einrichtung zur Leistungsregelung eines Mikrowellen-Sinterofens - Google Patents
Verfahren und Einrichtung zur Leistungsregelung eines Mikrowellen-SinterofensInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren und eine Einrich
tung zur Regelung der Leistung mindestens einer Mikrowellen
quelle eines Mikrowellenofens zur Sinterung keramischer Körper.
Zur Sinterung keramischer Bauteile mittels Mikrowellen werden
Mikrowellen-Kammeröfen verwendet die als Hohlraum-Resonatoren
mit elektrisch gut leitenden metallischen Wänden und einer ther
mischen Isolierung auf der Innenseite der Wände ausgebildet
sind. Die in Mikrowellenquellen erzeugte Mikrowellenenergie wird
über Mikrowellenleiter, also Hohlleiter in den Kammerofen einge
koppelt.
Die Qualität eines durch Sinterung hergestellten keramischen
Produktes ist von der Prozeßführung, insbesondere von der Tempe
ratur in der jeweiligen Prozeßphase und der Temperaturänderungs
rate abhängig. Es ist deshalb Stand der Technik, die Leistung
der Mikrowellenquellen in Abhängigkeit von der gemessenen Tempe
ratur zu regeln. Dabei ist eine möglichst genaue Prozeßkontrolle
anzustreben, weil einige keramische Werkstoffe aufgrund der Tem
peraturabhängigkeit der elektrischen Verluste einen ausgeprägten
"run-away"-Effekt zeigen; das heißt geringe Änderungen der Mi
krowellenleistung können zu einem exponentiellen Anstieg der
Temperatur des Sinterkörpers führen, bis hin zum Schmelzpunkt
der Keramik.
Zur Temperaturmessung werden IR-Pyrometer, abgeschirmte Thermo
elemente oder faseroptische Thermometer eingesetzt.
Allen bekannten Techniken zur Temperaturmessung in Mikrowellen
öfen haften allerdings bestimmte Nachteile an. So benötigen
Thermoelemente im Mikrowellenfeld eine metallische Abschirmung,
die die Feldverteilung ungünstig beeinflussen kann. Außerdem
kann es zu einer Wärmeableitung durch den Thermoelementstab kom
men.
Bei der Pyrometrie ist meistens die materialspezifische Tempera
turabhängigkeit des Emissionsfaktors unbekannt. Darüber hinaus muß
die von dem Sinterkörper emittierte Wärmestrahlung durch eine
Öffnung in der thermischen Isolierung, angepaßt an den optischen
Strahlengang des Pyrometers, gemessen werden. Dies führt insbe
sondere bei Hochtemperaturanwendungen zu unerwünschten Abstrah
lungsverlusten an den Bauteilen.
Die genaueste Temperaturmeßmethode stellt derzeit die faseropti
sche Schwarzkörper-Thermometrie dar. Das Meßsystem besteht in
der Regel aus einem Saphirstab, der an einem Ende mit Platin be
dampft ist, so daß ein kleiner Schwarzkörper entsteht. Wegen der
geringen Masse des Stabes und der sehr geringen dielektrischen
Verluste verhält sich der Sensor im Mikrowellenfeld so gut wie
inert. Von Nachteil ist, daß der Sensor zur genauen Temperatur
erfassung in Kontakt mit der Oberfläche der Bauteile gebracht
werden muß. Insbesondere bei Öfen, die kontinuierlich oder
schubweise betrieben werden, ergeben sich Schwierigkeiten bei
der Positionierung. Außerdem zeichnen sich die Saphirstäbe durch
eine geringe mechanische Belastbarkeit aus und sind daher für
ein industrielles Umfeld wenig geeignet.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren
Regelung der Leistung mindestens einer Mikrowellenquelle ei
nes Mikrowellenofens zur Sinterung keramischer Körper anzugeben,
das keine direkte Temperaturmessung erforderlich macht. Außerdem
soll eine Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens angegeben
werden.
Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren nach dem Oberbegriff des
Anspruchs 1 durch dessen kennzeichnende Merkmale gelöst.
Ausgestaltungen des Verfahrens und eine Einrichtung sind in wei
teren Ansprüchen angegeben und der nachstehenden Beschreibung zu
entnehmen.
Die erfindungsgemäße Lösung hat den Vorteil, daß keine Tempera
tursensoren in die Mikrowellenkammer eingebracht werden müssen
und daß die thermische Isolierung nicht durchbrochen werden muß.
Das erfindungsgemäße Verfahren arbeitet mit einer Regelung der
in den Ofen eingespeisten Mikrowellenleistung in Abhängigkeit
von der gemessenen reflektierten Mikrowellenleistung. Es wird
also der Effekt genutzt, daß ein Teil der in den Mikrowellenofen
eingekoppelten Mikrowellenleistung reflektiert wird und meßtech
nisch erfaßbar ist; und vor allem, daß die reflektierte Leistung
sich während des Sinterprozesses deutlich ändert in Abhängigkeit
von den sich ändernden dielektrischen Eigenschaften des Sinter
gutes. Erhöhen sich z. B. wie in Fig. 1 dargestellt die dielek
trischen Verluste durch Mikrowellenabsorption im Sintermaterial
mit zunehmender Temperatur während der Aufheizung, so nimmt da
durch - bei gegebener Mikrowelleneingangsleistung - die absor
bierte Leistung zu und die reflektierte Leistung ab. Wie in
Fig. 2 beispielhaft dargestellt ist, kann auf diese Weise die
auf die Eingangsleistung normierte reflektierte Leistung einer
bestimmten Temperatur zugeordnet werden.
Somit kann ohne eine Temperaturmessung durch Erfassung und Aus
wertung der reflektierten Mikrowellenleistung auf die Temperatur
im Sintergut geschlossen werden.
In Fig. 3 ist eine Anordnung zur Durchführung des Verfahrens
dargestellt. Dabei wird in einem Mikrowellenkammerofen 1 über
einen Hohlleiter 2 Mikrowellenenergie eingespeist. Die Mikrowel
lenenergie wird in einem Mikrowellengenerator 4 erzeugt, der
über eine Richtungsleitung 3 mit dem Hohlleiter 2 verbunden ist.
Die Steuerung der Mikrowellenleistung des Mikrowellengenerators
4 erfolgt mit Hilfe einer Steuer- und Regeleinrichtung 5, die
mit einer Meßeinrichtung 6 am Monitorausgang der Richtungslei
tung 3 und mit dem Mikrowellengenerator 4 verbunden ist. Bei der
Meßeinrichtung 6 handelt es sich z. B. um einen Kristalldetektor
oder ein Leistungsmeßgerät mit Gleichspannungsausgang.
Die Richtungsleitung - auch als Einwegleitung oder Isolator be
zeichnet - kann auch durch einen Zirkulator, Richtkoppler oder
eine Schlitzleitung mit Sonde ersetzt werden.
Als Regelgröße kann die am Übergang zwischen Einkoppel-Hohllei
ter 2 und Kammer 1 reflektierte Leistung mit Hilfe der Meßein
richtung 6 erfaßt und als absolute Leistung oder als auf die
Eingangsleistung bezogene relative Leistung verwendet werden.
Alternativ dazu kann auch die absorbierte Leistung als Differenz
zwischen Eingangsleistung und reflektierte Leistung, die Phase
des reflektierten Signals sowie die aus diesen Größen berechnete
Impedanz bzw. Admittanz herangezogen werden.
Die Rate, mit der sich bei gegebener Eingangsleistung eine der
vorgenannten, zur Regelung geeignete Größe ändert, ist ein Maß
für die Temperaturänderung im Sintergut und kann somit zur Pro
zeßführung herangezogen werden. Im folgenden wird die reflek
tierte Mikrowellenleistung als Regelgröße herangezogen.
In den Fig. 4a bis 4c ist dargestellt, wie bei einer auf einen
konstanten Wert geregelten Eingangsleistung (Fig. 4a) in einem
Zeitabschnitt von t₁ bis t₂ in einer bestimmten Prozeßphase die
reflektierte Leistung (Fig. 4b) abnimmt und entsprechend die
Temperatur im Sintergut zunimmt (Fig. 4c), weil oberhalb der
kritischen Temperatur Tc die Mikrowellenabsorption im Sintergut
stark zunimmt. Aufgrund dieser Gegebenheiten ist es möglich, die
notwendige Änderung der Eingangsleistung zu berechnen und eine
entsprechende Stellgröße zur Steuerung der Eingangsleistung
vorzugeben.
Nachstehend wird beispielhaft eine mögliche Prozeßführung zur
Sinterung eines keramischen Produktes beschrieben, wobei mehrere
Prozeßphasen unterschieden werden.
In einer Binder-Ausbrandphase wird die reflektierte Mikrowellen
leistung als zeitabhängige Sollwertfunktion vorgegeben. Eine
solche Funktion kann z. B. ein rampenförmiger Übergang von einem
kleinen Anfangswert auf einen höheren Sollwert sein. Der jewei
lige Istwert der reflektierten Mikrowellenleistung wird erfaßt
und durch Bildung der Differenz zwischen Soll- und Istwert die
Regelabweichung gewonnen, die dem Regler zugeführt wird, der die
Stellgröße für die Mikrowellenquelle ausgibt. Mit der Vorgabe
einer empirisch ermittelten Sollwertfunktion wird sicherge
stellt, daß in der Binder-Ausbrandphase nicht zu schnell aufge
heizt und der Dampfdruck in der Keramik ausreichend begrenzt
wird.
In einem letzten Teil der Binder-Ausbrandphase wird der Sollwert
der reflektierten Mikrowellenleistung konstant gehalten, wodurch
aus einer Beobachtung der sich ändernden Eingangsleistung auf
das Ende der Binder-Ausbrandphase geschlossen werden kann. Die
geregelte Eingangsleistung ändert sich aufgrund einer charakte
ristischen Änderung der Mikrowellenabsorption.
In der anschließenden Sinterphase wird eine neue Sollwertfunk
tion für die reflektierte Mikrowellenleistung vorgegeben, womit
eine weitere Aufheizphase durchgeführt wird. Die Sollwertfunk
tion geht zur Bildung einer Temperaturhaltephase in einen Teil
mit konstanter reflektierte Mikrowellenleistung über, wodurch
für eine bestimmte Materialklasse - ähnlich wie bei der Bin
der-Ausbrandphase - durch Beobachtung der Stellgröße für die
Eingangsleistung das Ende der Sinterphase erkannt werden kann.
Im anderen Fall wird die reflektierte Leistung für ein vorgege
benes Zeitintervall konstant gehalten.
Schließlich wird für eine Abkühlphase eine erneute Sollwertfunk
tion vorgegeben, mit der sichergestellt wird, daß sich das Sin
tergut kontrolliert auf eine Temperatur abkühlt, mit der es aus
dem Ofen entnommen werden kann.
Es versteht sich, daß eine Reihe von Abwandlungen in der Prozeß
führung möglich sind. Beispielsweise können einzelne Phasen des
Prozesses auch durch Zeitdauern definiert werden, wenn keine an
deren verwertbaren Kriterien zur Verfügung stehen.
Es kann auch mit einer unterlagerten Begrenzung der Eingangslei
stung gearbeitet werden, die einsetzt, wenn die reflektierte
Leistung einen vorgebbaren unteren Grenzwert unterschreitet.
Eine andere Sicherung gegen unzulässige Sintertemperaturen kann
auch durch eine Kombination des erfindungsgemäßen Verfahrens mit
einer Temperaturüberwachung oder -regelung auf der Grundlage ei
ner Temperaturmessung erzielt werden.
Das Verfahren kann nicht nur zur Regelung der Leistung einer
oder mehrerer Mikrowellenquellen eines einfachen Kammerofens für
diskontinuierlichen Betrieb verwendet werden, sondern ist auch
anpaßbar an Ofeneinrichtungen für Durchlaufbetrieb oder an Öfen
mit beweglichen Vorrichtungen zur Feldvergleichmäßigung, wobei
die Messung der reflektierten Leistung und die Steuerung der Mi
krowellenquelle synchronisiert mit der Bewegung der Vorrichtun
gen bzw. des Sintergutes erfolgen kann.
Claims (10)
1. Verfahren zur Regelung der Leistung mindestens einer Mi
krowellenquelle eines Mikrowellenofens zur Sinterung keramischer
Körper, dadurch gekennzeichnet, daß anstelle - oder ergänzend zu
- einer Temperaturmessung eine kontinuierlich gemessene reflek
tierte Mikrowellenleistung herangezogen wird zur Bildung eines
Eingangssignals für einen Regler, der die Eingangs-Mikrowellen
leistung regelt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
als Regelgröße die auf die Eingangsleistung bezogene relative
reflektierte Leistung genutzt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
als Regelgröße die Phase zwischen reflektiertem und eingespei
stem Mikrowellensignal genutzt wird.
4. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß außerdem die Änderungsgeschwindigkeit der
genutzten Größe zur Bildung eines Stellsignals für die Mikrowel
lenquelle genutzt wird.
5. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß bei dessen Anwendung für einen Mikrowellen
ofen, der eine bewegliche Vorrichtung zur Feldvergleichmäßigung
enthält, insbesondere Modenrührer, bzw. wenigstens eine bewegte
Wand oder bewegte Reflektoren, die Messung der reflektierten Mi
krowellenleistung jeweils bei der gleichen Phasenlage und/oder
Position der beweglichen Vorrichtung durchgeführt wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch ge
kennzeichnet, daß bei dessen Verwendung für einen Mikrowellen
ofen, insbesondere Durchlaufofen, in dem Sintergüter kontinuier
lich oder schubweise während des Sinterprozesses bewegt werden,
die Messung der reflektierten Mikrowellenleistung synchronisiert
mit der Sintergutbewegung durchgeführt wird.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß
die Leistungsregelung außerdem in Abhängigkeit von der Vorschub
geschwindigkeit und/oder Taktzeiten für die Sintergüter erfolgt.
8. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß bei einer Einrichtung, die mehrere Mikrowel
lenquellen aufweist, die Leistung der Mikrowellenquellen peri
odisch mit einem niederfrequenten Signal moduliert wird, die
Messung der reflektierten Leistung mit dem Modulationssignal
synchronisiert erfolgt und die Leistung jeder Mikrowellenquelle
einzeln geregelt wird.
9. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß die einem Regler zugeführte Regelabweichung
gebildet wird durch Differenzbildung zwischen der jeweils ver
wendeten Regelgröße und einem von der Prozeßdauer abhängigen
Sollwert.
10. Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem
der Ansprüche 1 bis 9, wobei in wenigstens einem Mikrowellenge
nerator (4) Mikrowellenenergie erzeugt und über eine Richtungs
leitung (3) und einen Hohlleiter (2) in einen Mikrowellenofen
(1) eingespeist wird und wobei eine Steuer- und Regeleinrichtung
(5) angeordnet ist zur Steuerung des Mikrowellengenerators (4),
dadurch gekennzeichnet, daß an der Richtungsleitung (3) oder an
einer anderen geeigneten Stelle eine Meßeinrichtung (6) zur Er
fassung der reflektierten Mikrowellenleistung angeordnet ist und
daß die Steuer- und Regeleinrichtung (5) dafür eingerichtet ist,
aus der erfaßten reflektierten Mikrowellenleistung und deren Än
derungsgeschwindigkeit sowie durch Bezugnahme auf die Temperatur
des Sinterkörpers zu schließen und die eingespeiste Mikrowellen
leistung nach vorgegebenen Kriterien zu regeln.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19944429074 DE4429074A1 (de) | 1994-08-17 | 1994-08-17 | Verfahren und Einrichtung zur Leistungsregelung eines Mikrowellen-Sinterofens |
Applications Claiming Priority (1)
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DE19944429074 DE4429074A1 (de) | 1994-08-17 | 1994-08-17 | Verfahren und Einrichtung zur Leistungsregelung eines Mikrowellen-Sinterofens |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4429074A1 true DE4429074A1 (de) | 1996-02-22 |
Family
ID=6525851
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19944429074 Withdrawn DE4429074A1 (de) | 1994-08-17 | 1994-08-17 | Verfahren und Einrichtung zur Leistungsregelung eines Mikrowellen-Sinterofens |
Country Status (1)
Country | Link |
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