DE4413127C1 - Verfahren zur Herstellung poröser, durchströmbarer Formkörper aus Siliciumcarbid und Formkörper - Google Patents
Verfahren zur Herstellung poröser, durchströmbarer Formkörper aus Siliciumcarbid und FormkörperInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Her
stellung poröser, durchströmbarer Formkörper aus Sili
ciumcarbid, bei dem aus Granulat einer Kornfraktion aus
dem Korngrößenbereich von 0,2-10 mm oder aus Misch
pulver, bei deren Bildung als Ausgangsstoffe außer
einem verkokbaren organischen Binder noch Silicium,
Kohlenstoff und/oder α-Siliciumcarbid eingesetzt
werden, ein Grünkörper geformt wird, der in einer
Inertgasatmosphäre oder im Vakuum durch Aufheizen auf
eine Temperatur im Bereich von 600-1000°C verkokt
wird und bei dem der nach dem Verkokungsprozeß entstan
dene Formkörper auf eine Temperatur von 1600-2000°C
aufgeheizt wird, wobei sich das Silicium mit
Kohlenstoff zu β-Siliciumcarbid umsetzt. Sie bezieht
sich ferner auf einen durchströmbaren Formkörper aus
Siliciumcarbid, elektrisch aufheizbar über elektrische
Kontakte, mit einer Porosität von 35-75%.
Damit ein keramisches Bauteil bei einer vorgegebenen
Betriebsspannung und Betriebstemperatur als Wider
standsheizelement eingesetzt werden kann, muß entweder
sein elektrischer Gesamtwiderstand seiner geometrischen
Gestalt entsprechend eingestellt werden oder diese un
ter Berücksichtigung des spezifischen elektrischen Wi
derstandes des Werkstoffes ausgelegt werden.
Handelt es sich beispielsweise um einen hochporösen
SiC-Werkstoff wie im Falle eines Durchflußheizelementes
(DFH) oder Dieselrußfilters, muß das Bauteil aufgrund
der geringen Festigkeit des Werkstoffes eine relativ
starke Wanddicke aufweisen, damit das Bauteil sowohl
bei der Handhabung als auch bei dem Einsatz mechanisch
hinreichend stabil ist. Aus der DE-OS 41 30 630 ist ein
solches Dieselrußfilter bekannt.
Derartige Bauteile erfordern, da sie einen einheitli
chen spezifischen elektrischen Widerstand aufweisen und
da die gesamte Masse des Bauteils aufgeheizt werden
muß, einen hohen Energie- und Zeitaufwand zur Errei
chung der Betriebstemperatur. Für die Anwendung eines
solchen rohrförmigen Bauelementes als Dieselrußfilter
mit periodischer Regeneration wirkt diese Tatsache be
sonders nachteilig, weil einerseits die vom Ruß belegte
äußere Oberfläche des Filters bei der Regeneration we
gen der Kühlwirkung des einströmenden Motorabgases nur
langsam die Zündtemperatur des abgeschiedenen Rußes er
reicht und zum anderen das abfiltrierte Abgas unnötig
überheizt, da die Innentemperatur des Filters weit hö
her liegt. Eine Umkehrung dieses Temperaturprofils
würde also diese Nachteile deutlich verringern.
Es ist daher Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zu
schaffen, das die Herstellung von Bauteilen der ein
gangs bezeichneten Art ermöglicht, die mehr oder weni
ger scharf begrenzte Teilbereiche, Schichten oder Zonen
aufweisen, deren Anordnung im Bauteil dessen Tempera
turprofil beim Stromdurchgang bestimmen. Die Bereiche
sollen dabei je nach Vorgabe - unabhängig von deren Po
rosität - einen niedrigeren oder höheren spezifischen
Widerstand aufweisen.
Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung durch die Ver
fahrensmaßnahmen gemäß Anspruch 1 gelöst.
Teilbereiche oder Schichten mit unterschiedlichem spe
zifischen elektrischen Widerstand können alleine da
durch gebildet werden, daß - ohne daß Dotierungsstoffe
eingesetzt werden - unterschiedliche Mischpulver oder
Granulate für die einzelnen Teilbereiche eingesetzt
werden. So erhält man beispielsweise einen Teilbereich
mit relativ hohem elektrischen Widerstand, wenn ein
Mischpulver aus wenig Binder, zu diesem in stöchiome
trischem Verhältnis Silicium und möglichst viel α-Sili
ciumcarbid eingesetzt wird. Je nach dem zu erzielenden
spezifischen elektrischen Widerstand geht man somit von
dem hierfür geeigneten Ausgangspulver oder Granulat
aus.
Eine zusätzliche Möglichkeit der Ausbildung von im Hin
blick auf die elektrischen Eigenschaften unterschiedli
chen Bereichen bzw. Schichten erhält man durch den Ein
satz der Dotierungsstoffe. Die Wirkung der Dotierungs
stoffe im Hinblick auf die gewünschten elektrischen
Eigenschaften ist dabei grundsätzlich an das Entstehen
von α-Siliciumcarbid gebunden.
Die Dotierungsstoffe werden den Ausgangsstoffen für die
Mischpulver bzw. Granulate in geeigneter Menge zuge
mischt. Als Dotierungsstoffe können sowohl Elektronen
donatoren wie Antimon Phosphor und Zinn als auch
Elektronenrezeptoren wie Aluminium, Beryllium sowie Bor
elementar oder chemisch gebunden, eingesetzt werden.
Die Teilbereiche der Formkörper aus diesen so vordo
tierten Materialien weisen nach der thermischen Behand
lung, ihrer Dotierungsart entsprechend, der Art und
Menge der Additive und - wie oben erwähnt - abhängig
von den Ausgangsstoffen, unterschiedliche spezifische
elektrische Widerstände auf.
Soll ein relativ geringer spezifischer elektrischer Wi
derstand erzielt werden, dann ist in dem für den ent
sprechenden Teilbereich vorgesehenen Mischpulver
und/oder Granulat weniger als 70% α-Siliciumcarbid
einzusetzen. In diesem Fall empfiehlt sich außerdem,
daß die Aufheizung des nach dem Verkokungsprozeß ent
standenen Vorkörpers unter Stickstoff und/oder stick
stoffhaltiger Atmosphäre erfolgt.
Wird die Silicierung unter Argon durchgeführt, so wer
den bei Materialien, die mit Beryllium, Bor und Alumi
nium dotiert wurden, hohe Widerstandswerte bei Raumtem
peratur (< 10³ Ohm×cm) erzielt, während z. B. der Wi
derstandswert von Sb-dotiertem Material unter 10
Ohm×cm liegt. Wird dagegen die Silicierung unter Stickstoff
oder stickstoffhaltigem Argon durchgeführt, findet eine
zusätzliche N-Dotierung des Materials statt, wodurch
die oben genannten Widerstandswerte bis zu einigen
10er-Potenzen herabgesetzt werden können.
Dabei ist von Vorteil, wenn zur Bildung einer Schicht
und/oder eines Bereiches mit möglichst guter elektri
scher Leitfähigkeit der Stickstoffanteil in der Sinter
atmosphäre wenigstens 20% beträgt.
Um einen Formkörper zu erhalten, der als Filter einge
setzt werden soll, empfiehlt es sich, bei der Herstel
lung des Mischpulvers oder Granulats nach einer aus der
DE-OS 41 30 630 bekannten Verfahrensweise vorzugehen.
Bei Anwendung dieser Verfahrensweise werden die Füller
körner mit dem Binder umhüllt und dabei ein sog. CM-Ma
terial (CM = Coat Mix) erhalten:
Zur Herstellung des Mischpulvers wird zunächst aus
einer Flüssigkeit, z. B. Alkohol, dem Binder, der in der
Flüssigkeit ganz oder zum Teil lösbar ist, und den wei
teren Komponenten des Mischpulvers eine Suspension ge
bildet. Diese wird sodann in eine andere Flüssigkeit,
mit der das Lösungsmittel mischbar, in der der Binder
jedoch nicht oder nur schwer löslich ist, eingegeben,
worauf sich die mit dem Binder überzogenen Körner als
schlammige Masse absetzen. Die Körner werden durch
Dekantieren von der überstehenden Flüssigkeit befreit
und anschließend getrocknet.
Zu empfehlen ist, die Aufschlämmung in einer Mischkam
mer mittels einer Mischdüse in die Abscheideflüssigkeit
einzuspritzen, so daß die Körner mit dem Bindemittel
gleichmäßig überzogen werden.
Der Anteil des Binders in dem verwendeten Schlamm
sollte 5 bis 30 Gew% der trockenen Einwaage betragen.
Für die Mischpulver werden Ausgangspulver mit Korn
größen im Bereich von 0,5-50 µm verwendet. Beim
Mischvorgang agglomerieren diese bis zu 200 µm.
Unterschiedlich vordotierte Mischpulver oder Granulate
können schicht- oder zonenweise zu einem Formkörper
verarbeitet werden, der nach der Silicierung Schichten
bzw. Zonen mit unterschiedlichen Widerstandswerten auf
weist. Bei Anlegen einer elektrischen Spannung können
somit gezielt Temperaturfelder innerhalb eines derarti
gen Formkörpers erzeugt werden.
Zur Bildung eines Formkörpers mit einer wenigstens
teilweise diesen bedeckenden Oberflächenschicht wird
die Oberflächenschicht durch Aufsprühen einer dafür
vorgesehenen Mischpulveraufschlämmung auf den Grünkör
per gebildet.
Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe wird somit
durch einen durchströmbaren Formkörper der eingangs be
zeichneten Art gelöst, der gekennzeichnet ist durch
Schichten und/oder Teilbereiche mit unterschiedlichem
spezifischen elektrischen Widerstand, die sich durch
Dotierungselemente, insbesondere deren Art und Menge,
unterscheiden. Diese Schichten können zudem unter
schiedliche Porositäten aufweisen.
Soll eine Schicht beispielsweise im Niederspannungsbe
reich auf eine Betriebstemperatur von 700°C erhitzt
werden, so sind - bei Anwendung des erfindungsgemäßen
Verfahrens - Geometrie (Dicke und Länge der Schicht)
und der spezifische elektrische Widerstand entsprechend
zu wählen.
Für den Fall, daß der durchströmbare Körper als Filter
element, beispielsweise als Dieselrußfilter, zum Ein
satz kommen soll und über die elektrischen Kontakte re
generiert werden soll, ist insbesondere ein durchström
barer Körper geeignet, der eine Oberflächenschicht auf
weist, die gegenüber dem von der Oberflächenschicht be
deckten Teil des Körpers eine höhere spezifische elek
trische Leitfähigkeit aufweist.
Der spezifische elektrische Widerstand der Oberflächen
schicht dieses Filterkörpers beträgt 10-2 bis zu 10
Ohm×cm.
Ist der durchströmbare Körper rohrförmig, so kann er
beispielsweise als Dieselrußfilter in der Art einge
setzt werden, daß er von außen mit dem die Rußpartikel
mitführenden Abgas eines Dieselmotors beaufschlagt
wird. Diese Partikel dringen bei entsprechend gewählter
Porosität nur etwa 0,5-2 mm in die Oberfläche des
Filterkörpers ein. Zur Regeneration des Filters, d. h.
zur Verbrennung der vom Filterkörper aufgefangenen Ruß
partikel, genügt es daher, nur eine dieser Dicke ent
sprechende Oberflächenschicht auf zuheizen. Die Dicke
der Oberflächenschicht und deren spezifischer elektri
scher Widerstand wird daher so gewählt, daß gerade der
Bereich des Filters, in den die Rußpartikel eindringen,
erhitzt werden kann. Mit anderen Worten: Die Oberflä
chenschicht hat eine Dicke von maximal 2 mm.
Die Dicke der Oberflächenschicht kann gering gehalten
werden, wenn die Oberflächenschicht zugleich feinporig
ist, so daß die Rußpartikel in ihr aufgehalten werden.
Um eine hohe Gasdurchlässigkeit des Filters zu erhal
ten, wird der Teilbereich des Filters, der von der
Oberflächenschicht bedeckt ist, grobporig gewählt.
Eine zweckmäßige Weiterausgestaltung des durchströmba
ren Formkörpers als Dieselrußfilter besteht darin, daß
die Wandung des Körpers an beiden Enden im Bereich der
zur elektrischen Aufheizbarkeit angebrachten elektri
schen Kontakte eine gegenüber wenigstens einem zwischen
den Kontakten liegenden, durchgehenden Teilbereich eine
höhere spezifische elektrische Leitfähigkeit aufweist.
Eine unerwünschte Erhitzung der Enden des Körpers wäh
rend der Regenerationsphase (beim Stromfluß) wird da
durch vermieden. Vielmehr wird lediglich die dünne
Oberflächenschicht auf die zur Verbrennung der Rußpar
tikel erforderliche Temperatur erhitzt.
In der Zeichnung sind Formkörper dargestellt, die im
Zusammenhang mit den nachstehend beschriebenen Ausfüh
rungsbeispielen näher erläutert werden. Es sind ferner
Versuchsdiagramme wiedergegeben, die ebenfalls nachste
hend erläutert werden.
Es zeigen:
Fig. 1 Formkörper mit einem zwischen zwei nicht
vordotierten Bereichen liegenden do
tierten Bereich;
Fig. 2 Formkörper mit planarer Anordnung der
Teilbereiche;
Fig. 3 Längs schnitt durch ein rohrförmiges Fil
terelement;
Fig. 4 Diagramm: spezifischer ohmscher Wider
stand von Formkörpern bzw. Formkörper
teilbereichen in Abhängigkeit von unter
schiedlichen Dotierungen;
Fig. 5 Diagramm: spezifischer ohmscher Wider
stand von Formkörpern bzw. Formkörper
teilbereichen in Abhängigkeit vom Stick
stoffgehalt der Sinteratmosphäre.
Herstellung eines Formkörpers mit einem zwischen zwei
nichtdotierten Bereichen liegenden dotierten Teilbe
reich gemäß Fig. 1.
Zur Herstellung des nur mit Stickstoff zu dotierenden
Granulates wurden 200 g Novolak-Harz in 1 l Ethanol ge
löst und durch Zugabe von 397 g Si und 70 g Elektrogra
phit (Partikeldurchmesser der eingesetzten Füllermate
rialien zwischen 0,5 mm und 50 µm) eine Aufschlämmung
hergestellt, die gemäß dem oben genannten Coat-Mix-
Verfahren (DE-OS 41 30 630) mit Wasser verdüst wurde,
wobei sich das im Wasser unlösliche Binderharz auf den
Füllerpartikeln abschied. Durch Filtration wurde das so
beschichtete Pulver von der Flüssigkeit abgetrennt, mit
einem Taumelmischer agglomeriert und getrocknet.
Die Fraktion der Agglomerate mit einem Korndurchmesser
von 0,5-1 mm wurde durch Sieben abgetrennt.
Ein weiteres Granulat wurde wie oben beschrieben herge
stellt, jedoch wurden dem Füllergemisch zusätzlich
10,7 g Aluminiumoxid als Vordotierungsmittel zugesetzt.
Zur Grünkörperherstellung wurde in einer Matrize einer
Grundfläche von 15×70 mm ein etwa 12 mm breiter Be
reich durch Folie abgetrennt. Außen wurde Material ohne
Vordotierungen und innen das Aluminiumoxid-haltige Gra
nulat eingefüllt. Fig. 1 verdeutlicht dies anhand
einer Skizze.
Nach Entfernen der Folien wurde durch Gesenkpressen bei
130°C ein Grünkörper hergestellt.
Dieser Grünling wurde durch Erhitzen unter Argon auf
850°C verkokt, wobei unter Gewichtsverlust und Dimen
sionsänderungen die Binderharzphase in Kohlenstoff
überführt wurde.
Anschließend wurde der Körper unter Stickstoff gemäß
DE-OS 41 30 630 in einem widerstandsbeheizten Ofen auf
1900°C aufgeheizt wobei die Anteile an freiem Kohlen
stoff und freiem Silicium zu Siliciumcarbid umgesetzt
wurden, ohne daß der Körper weitere Dimensionsänderun
gen erfuhr.
Der elektrische Widerstand der einzelnen Zonen des Kör
pers konnte nach der Vierpunktmethode bestimmt werden.
An beiden Enden betrug er 0,007 Ωcm; die mit Al vordo
tierte Phase in der Körpermitte wies einen spezifischen
elektrischen Widerstand von 0,014 Ωcm auf.
Herstellung eines Formkörpers mit planarer Anordnung
der Teilbereiche gemäß Fig. 2.
Gemäß Ausführungsbeispiel 1 wurden zwei Granulate her
gestellt, wobei dem einen Ausgangs-Füllergemisch als
Vordotierungsmittel 6,6 g Antimon und dem anderen 7,2 g
Borcarbid zugesetzt wurden.
Weiterverwendet wurden die Granulatfraktionen
0,2-0,4 mm im Falle des Sb-vordotierten Materials,
beim Bor-vordotierten Material wurde die Fraktion
1,0-1,6 mm eingesetzt.
Aus diesen Granulaten wurde mit Hilfe einer Formmatrize
gemäß DE 39 25 844 C2 ein Körper hergestellt
(Grundfläche der Matrize 15×70 mm²), der aus einer
2 mm dicken Schicht des mit Antimon vordotierten Granu
lats und einer etwa 8 mm starken Schicht des Materials
mit Bor-Vordotierung bestand. Der Testkörper wurde wie
in Ausführungsbeispiel 1 beschrieben verkokt und bei
1900°C unter N₂ siliciert. Eine Skizze dieses Körpers
ist in Fig. 2 wiedergegeben.
Die Länge des silicierten Körpers betrug nach Abnahme
eines schmalen Streifens 65,3 mm, die Breite 12,9 mm
und die Höhe 9,7 mm. Die Höhe der Sb-dotierten Schicht
betrug 2 mm. Der Gesamtwiderstand des Körpers wurde mit
R = 0,182 Q bestimmt.
Zur Ermittlung des Widerstandes der einzelnen Schichten
wurde vom schmalen Streifen der Sb-dotierte Teil abge
trennt. Der spezifische Widerstand des mit Bor dotier
ten Materials konnte nach der Vierpunktmethode mit
ϕ= 0,209 Ωcm bestimmt werden. Auf den Gesamtkörper be
zogen ergibt sich daraus ein Widerstand von 1,378 Ω.
Somit konnte der spezifische Widerstand der Sb-vordo
tierten Schicht rechnerisch mit 0,0083 Ωcm bestimmt
werden.
Herstellung eines Formkörpers mit planarer Anordnung
der Teilbereiche gemäß Fig. 2.
Gemäß Ausführungsbeispiel 1 wurde nach dem Coat-Mix-
Verfahren aus 200 g Novolak-Harz, 234 g Silicium und
232 g Siliciumcarbid unter Zugabe von 7,2 g Borcarbid
als Vordotierungsmittel ein Ausgangspulver hergestellt,
das ebenfalls granuliert wurde. Aus der Granulatfrak
tion 1,0-1,6 mm dieses Materials wurde zusammen mit
dem im Ausführungsbeispiel 2 verwendeten Sb-vordotier
tem Granulat eine planare Materialkombination gemäß
Ausführungsbeispiel 2 hergestellt, verkokt und unter
N₂-Atmosphäre siliciert.
Die spezifischen elektrischen Widerstände wurden für
die mit Bor vordotierte Schicht mit 0,0083 Ωcm be
stimmt.
Herstellung eines Filterelementes gemäß Fig. 3.
Die im Ausführungsbeispiel 3 verwendeten Granulate wur
den zu einem rohrförmigen Dieselrußfilter verarbeitet,
verkokt und unter Stickstoff-Atmosphäre siliciert.
Die 1 mm starke "Glüh- und Filterschicht" sowie die
Rohrenden aus Sb-vordotiertem Material wiesen einen
spezifischen elektrischen Widerstand von 0,0083 Ωcm,
die 5 mm starke Bor-vordotierte, α-SiC-haltige
"Stützschicht" einen solchen von 0,520 Ωcm auf.
In dem hier wiedergegebenen Diagramm ist der spezifi
sche ohmsche Widerstand unterschiedlich dotierter, fer
tiggestellter Formkörper bzw. Formkörperteile bei un
terschiedlichen Betriebstemperaturen wiedergegeben.
Es handelt sich um Formkörper, die nach ihrer Herstel
lung nicht mehr als 30% α-Siliciumcarbid enthielten.
Im Diagramm ist an der jeweiligen Kurve das Dotierungs
element angegeben. Die Dotierung betrug jeweils 1 Gew%.
Aus dem Diagramm ist zu ersehen, daß eine Dotierung mit
Bor oder Aluminium zu einem höheren Widerstand führt,
als sie ein nichtdotierter Formkörper aufweist.
Eine Dotierung mit Antimon führt zu einem geringeren
spezifischen elektrischen Widerstand.
Eine weitere Erniedrigung des spezifischen elektrischen
Widerstandes wurde bei Formkörpern erzielt, die in
stickstoffhaltiger Atmosphäre gesintert worden waren.
Die Dotierung mit oben genannten Elementen gibt dabei
die Möglichkeit, unterschiedliche spezifische elektri
sche Widerstände einzustellen. Der niedrigste spezifi
sche elektrische Widerstand wurde bei einem Formkörper
erzielt, dessen Ausgangsstoff mit Antimon dotiert war
und der in Stickstoffatmosphäre gesintert worden war.
Aus dem Diagramm geht hervor, daß ein Stickstoffgehalt
von ca. 20% in der Sinteratmosphäre genügt, um einen
möglichst niedrigen spezifischen ohmschen Widerstand zu
erhalten. Geringere Gehalte von Stickstoff in der Sin
teratmosphäre ergeben die Möglichkeit, höhere spezifi
sche ohmsche Widerstände einzustellen.
Die bei der Untersuchung eingesetzten Formkörper hatten
nach ihrer Herstellung einen α-Siliciumcarbid-Gehalt
von nicht mehr als 30%.
Claims (15)
1. Verfahren zur Herstellung poröser, durchströmba
rer Formkörper aus Siliciumcarbid, bei dem aus
Granulat einer Kornfraktion aus dem Korngrößenbe
reich von 0,2-10 mm oder aus Mischpulver, bei
deren Bildung als Ausgangsstoffe außer einem ver
kokbaren organischen Binder noch Silicium,
Kohlenstoff und/oder α-Siliciumcarbid eingesetzt
werden, ein Grünkörper geformt wird, der in einer
Inertgasatmosphäre oder im Vakuum durch Aufheizen
auf eine Temperatur im Bereich von 600-1000°C
verkokt wird und bei dem der nach dem
Verkokungsprozeß entstandene Formkörper auf eine
Temperatur von 1600-2000°C aufgeheizt wird,
wobei sich das Silicium mit Kohlenstoff zu
α-Siliciumcarbid umsetzt,
dadurch gekennzeichnet,
daß zur Erzielung eines aus Schichten und/oder
Teilbereichen unterschiedlicher spezifischer
elektrischer Leitfähigkeit bestehenden
Formkörpers bei der Formung des Grünkörpers für
entsprechende Schichten und/oder Bereiche
Mischpulver und/oder Granulate verwendet werden,
die aus dem verkokbaren organischen Binder und
zusätzlich wahlweise aus Silicium oder Silicium
und Kohlenstoff oder Silicium und Kohlenstoff und
α-Siliciumcarbid oder nur α-Siliciumcarbid zur
Erzielung der angestrebten elektrischen Leit
fähigkeit gebildet worden sind.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die verwendeten Mischpulver und/oder Granu
late zusätzlich mit Dotierungsstoffen zur Erzie
lung der angestrebten elektrischen Leitfähigkeit
gebildet worden sind.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß als Dotierungsstoffe Elektronendonatoren, wie
Antimon, Phosphor und Zinn, eingesetzt werden.
4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß als Dotierungsstoffe Elektronenrezeptoren,
wie Aluminium, Beryllium und Bor, eingesetzt wer
den.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden
Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
daß im Mischpulver oder Granulat weniger als 70%
α-Siliciumcarbid eingesetzt wird.
6. Verfahren nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Aufheizung des nach dem Verkokungsprozeß
entstandenen Vorkörpers unter Stickstoff oder
stickstoffhaltiger Atmosphäre erfolgt.
7. Verfahren nach Anspruch 6,
gekennzeichnet ,
daß zur Bildung einer Schicht und/oder eines Be
reiches mit möglichst guter elektrischer Leitfä
higkeit der Stickstoffanteil in der Sinterat
mosphäre wenigstens 20% beträgt.
8. Verfahren nach einem der vorhergehenden
Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet,
daß zur Bildung eines Formkörpers mit einer we
nigstens teilweise diesen bedeckenden Oberflä
chenschicht die Oberflächenschicht durch Aufsprü
hen einer dafür vorgesehenen Mischpulver- oder
Granulat-Aufschlämmung auf den Grünkörper gebil
det wird.
9. Durchströmbarer Körper aus Siliciumcarbid, elek
trisch aufheizbar und regenierbar über elektri
sche Kontakte, mit einer Porosität von 35-75%,
gekennzeichnet durch
Schichten und/oder Teilbereiche mit unterschied
lichem spezifischen elektrischen Widerstand, die
sich durch Dotierungselemente, insbesondere deren
Art und Menge, unterscheiden.
10. Durchströmbarer Körper nach Anspruch 9,
dadurch gekennzeichnet,
daß Schichten und/oder Teilbereiche unterschied
liche Porosität aufweisen.
11. Durchströmbarer Körper nach Anspruch 9 oder 10,
gekennzeichnet durch
eine Oberflächenschicht, die gegenüber dem von
der Oberflächenschicht bedeckten Teil des Körpers
eine höhere spezifische elektrische Leitfähigkeit
aufweist.
12. Durchströmbarer Körper nach Anspruch 11,
dadurch gekennzeichnet,
daß der spezifische elektrische Widerstand der
Oberflächenschicht 10-2 bis zu 10 Ohm×cm be
trägt.
13. Durchströmbarer Körper nach Anspruch 11
oder 12,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Oberflächenschicht feinporig, der darun
terliegende Teilbereich des Formkörpers grobporig
ist.
14. Durchströmbarer Körper nach einem der Ansprüche
9 bis 12,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Körper rohrförmig ist.
15. Durchströmbarer Körper nach einem der Ansprüche
11 bis 14,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Wandung des Körpers an beiden Enden im
Bereich der zur elektrischen Aufheizbarkeit ange
brachten elektrischen Kontakte eine gegenüber we
nigstens einem zwischen den Kontakten liegenden,
durchgehenden Teilbereich eine höhere spezifische
elektrische Leitfähigkeit aufweist.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4413127A DE4413127C1 (de) | 1994-04-19 | 1994-04-19 | Verfahren zur Herstellung poröser, durchströmbarer Formkörper aus Siliciumcarbid und Formkörper |
PCT/DE1995/000540 WO1995028365A1 (de) | 1994-04-19 | 1995-04-15 | Verfahren zur herstellung poröser, durchströmbarer formkörper aus siliciumcarbid und formkörper |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4413127A DE4413127C1 (de) | 1994-04-19 | 1994-04-19 | Verfahren zur Herstellung poröser, durchströmbarer Formkörper aus Siliciumcarbid und Formkörper |
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Publication Number | Publication Date |
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DE4413127C1 true DE4413127C1 (de) | 1995-10-05 |
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0796830A1 (de) * | 1996-03-23 | 1997-09-24 | Thomas Josef Heimbach GmbH & Co. | Poröser durchströmbarer Formkörper sowie Verfahren zu seiner Herstellung |
EP0943593A1 (de) * | 1998-03-09 | 1999-09-22 | Thomas Josef Heimbach Gesellschaft mit beschränkter Haftung & Co. | Formkörper aus einer elektrisch leitfähigen Keramik sowie Verfahren zur Herstellung von Kontaktbereichen an solchen Formkörpern |
FR2870233A1 (fr) * | 2004-05-14 | 2005-11-18 | Sicat Sarl | PROCEDE DE FABRICATION DE PIECES DE FORME A BASE DE BETA-SiC POUR UTILISATION DANS DES MILIEUX AGRESSIFS |
US7759276B2 (en) | 2004-07-23 | 2010-07-20 | Helsa-Automotive Gmbh & Co. Kg | Adsorptive formed body having an inorganic amorphous supporting structure, and process for the production thereof |
US7867313B2 (en) | 2005-07-05 | 2011-01-11 | Helsa-Automotive Gmbh & Co. Kg | Porous β-SiC-containing ceramic molded article comprising an aluminum oxide coating, and method for the production thereof |
EP3405002A3 (de) * | 2017-05-10 | 2019-01-02 | LG Electronics Inc. | Kohlenstoffverbundstoffzusammensetzung und unter verwendung davon hergestellter kohlenstoffheizer |
US11096249B2 (en) | 2017-05-26 | 2021-08-17 | Lg Electronics Inc. | Carbon heating element and method for manufacturing a carbon heating element |
DE102013014030B4 (de) | 2013-08-26 | 2023-06-29 | QSIL Ingenieurkeramik GmbH | Keramisches Heizelement und Umformwerkzeug sowie Verfahren zur Herstellung eines keramischen Heizelements |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4130630A1 (de) * | 1991-09-14 | 1993-03-18 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | Verfahren zur herstellung poroeser, durchstroembarer formkoerper aus siliciumcarbid und dieselruss-filterelement |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL6906223A (de) * | 1969-04-23 | 1970-10-27 |
-
1994
- 1994-04-19 DE DE4413127A patent/DE4413127C1/de not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-04-15 WO PCT/DE1995/000540 patent/WO1995028365A1/de active Application Filing
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4130630A1 (de) * | 1991-09-14 | 1993-03-18 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | Verfahren zur herstellung poroeser, durchstroembarer formkoerper aus siliciumcarbid und dieselruss-filterelement |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0796830A1 (de) * | 1996-03-23 | 1997-09-24 | Thomas Josef Heimbach GmbH & Co. | Poröser durchströmbarer Formkörper sowie Verfahren zu seiner Herstellung |
EP0943593A1 (de) * | 1998-03-09 | 1999-09-22 | Thomas Josef Heimbach Gesellschaft mit beschränkter Haftung & Co. | Formkörper aus einer elektrisch leitfähigen Keramik sowie Verfahren zur Herstellung von Kontaktbereichen an solchen Formkörpern |
FR2870233A1 (fr) * | 2004-05-14 | 2005-11-18 | Sicat Sarl | PROCEDE DE FABRICATION DE PIECES DE FORME A BASE DE BETA-SiC POUR UTILISATION DANS DES MILIEUX AGRESSIFS |
WO2005121044A2 (fr) * | 2004-05-14 | 2005-12-22 | Sicat | PROCEDE DE FABRICATION DE PIECES DE FORME A BASE DE β-SIC POUR UTILISATION DANS DES MILIEUX AGRESSIFS |
WO2005121044A3 (fr) * | 2004-05-14 | 2006-06-08 | Sicat | PROCEDE DE FABRICATION DE PIECES DE FORME A BASE DE β-SIC POUR UTILISATION DANS DES MILIEUX AGRESSIFS |
CN100579934C (zh) * | 2004-05-14 | 2010-01-13 | Sicat公司 | 在侵蚀性介质中使用的基于β-SiC的模制件的生产方法 |
US7759276B2 (en) | 2004-07-23 | 2010-07-20 | Helsa-Automotive Gmbh & Co. Kg | Adsorptive formed body having an inorganic amorphous supporting structure, and process for the production thereof |
US7867313B2 (en) | 2005-07-05 | 2011-01-11 | Helsa-Automotive Gmbh & Co. Kg | Porous β-SiC-containing ceramic molded article comprising an aluminum oxide coating, and method for the production thereof |
DE102013014030B4 (de) | 2013-08-26 | 2023-06-29 | QSIL Ingenieurkeramik GmbH | Keramisches Heizelement und Umformwerkzeug sowie Verfahren zur Herstellung eines keramischen Heizelements |
EP3405002A3 (de) * | 2017-05-10 | 2019-01-02 | LG Electronics Inc. | Kohlenstoffverbundstoffzusammensetzung und unter verwendung davon hergestellter kohlenstoffheizer |
US11097985B2 (en) | 2017-05-10 | 2021-08-24 | Lg Electronics Inc. | Carbon composite composition and carbon heater manufactured using the same |
US11096249B2 (en) | 2017-05-26 | 2021-08-17 | Lg Electronics Inc. | Carbon heating element and method for manufacturing a carbon heating element |
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WO1995028365A1 (de) | 1995-10-26 |
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