DE4407377C2 - Reaktionskammer eines Schnellheizsystems für die Kurzzeittemperung von Halbleiterscheiben und Verfahren zum Spülen der Reaktionskammer - Google Patents

Reaktionskammer eines Schnellheizsystems für die Kurzzeittemperung von Halbleiterscheiben und Verfahren zum Spülen der Reaktionskammer

Info

Publication number
DE4407377C2
DE4407377C2 DE4407377A DE4407377A DE4407377C2 DE 4407377 C2 DE4407377 C2 DE 4407377C2 DE 4407377 A DE4407377 A DE 4407377A DE 4407377 A DE4407377 A DE 4407377A DE 4407377 C2 DE4407377 C2 DE 4407377C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
reaction chamber
opening
door
wall
chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE4407377A
Other languages
English (en)
Other versions
DE4407377A1 (de
Inventor
Zsolt Dr Nenyei
Helmut Merkle
Andreas Tillmann
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Steag RTP Systems GmbH
Original Assignee
AST Electronik GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by AST Electronik GmbH filed Critical AST Electronik GmbH
Priority to DE4407377A priority Critical patent/DE4407377C2/de
Priority to US08/387,220 priority patent/US5580830A/en
Publication of DE4407377A1 publication Critical patent/DE4407377A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE4407377C2 publication Critical patent/DE4407377C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4408Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber by purging residual gases from the reaction chamber or gas lines
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/935Gas flow control

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft eine Reaktionskammer eines Schnellheizsystems für die Kurzzeittemperung von Halbleiterscheiben nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Eine derartige Reaktionskammer ist bspw. aus der JP 61-129834 A bekannt. Außerdem betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Spülen der Reaktionskammer.
Die Kurzzeittemperung (engl. Rapid Thermal Processing - RTP) ist eine vielseitige optische Heizmethode. Sie ist sowohl für Halbleiterprozesse, als auch die thermische Behandlung verschiedener Materialien, die die Form einer dünnen Scheibe besitzen, geeignet. Voraussetzung dabei ist eine gewisse Absorption im sichtbaren oder nahe Infrarotbereich. RTP-Anlagen erlauben schnelle Änderungen der Prozeßtemperatur und Gasatmosphäre für unterschiedliche Materialbehandlungen. RTP erlaubt eine Reduzierung des thermischen Budgets (Temperatur · Zeit), sowie das Einfrieren metastabiler Strukturen aufgrund der Möglichkeit großer Abkühlraten.
Die Schnellheizsysteme sind relativ neue Anlagen, deren Entwicklung vor 10 bis 15 Jahren begann. Sie waren anfangs nur in Forschung und Entwicklung eingesetzt. Die Anforderung des hohen Durchsatzes stand dabei nicht im Vordergrund. Der Schwerpunkt der Anlagenentwicklung war die Art der Heizung, die möglichst hohe thermische Homogenität und die Reduktion des "thermischen Budgets" bei verschiedenen Prozessen.
In den letzten Jahren sind die industriellen Anwendungen der verschiedenen Schnellheizmethoden stark gewachsen. Anlagen mit immer größerem Durchsatz sind mehr und mehr gefragt. Um die Kapazität solcher Anlagen zu erhöhen, werden eine erhöhte Heizleistung, schnelleres Scheibenhandling und effektivere Kühlung eingesetzt.
Die Prozeßzeit einer Industrieanlage beträgt 90-180 s pro Scheibe. Dabei wird die notwendige thermische Behandlung vom Schaltkreisentwickler und vom Prozeßtechnologen fest vorgeschrieben.
Ein notwendiger Prozeßschritt bei den meisten Prozessen nach dem Einfahren einer Scheibe und nach dem Schließen der Tür stellt die Vorspülung des Reaktors dar. Die effektive Ausspülung der Luftverunreinigung nach jeder Öffnung der Reaktortür ist dabei sehr wichtig. Als Beispiel stehen die Titan- und Kobaltsilizidprozesse. Zur Spülung vor dem Heizprozeß wird Stickstoff oder anderes Prozeßgas verwendet. Die kürzeste Vorspülzeit in den besten kommerziellen Reaktoren ist für die Silizidprozesse min. 30 s. Sie wird mit guter Gasverteilung in der Kammer und mit relativ starker Spülung erreicht.
Die meisten Anlagen haben einen schmalen, rechteckigen Quarzreaktor. Vakuumkammern sind flach und oval geformt. Die Öffnung des Reaktors wird mit einer Klapp- oder Hebetür beim Scheibenhandling pneumatisch geöffnet und geschlossen. Die Tür wird aus Edelmetall hergestellt und ist manchmal mit einer Quarzplatte an der Innenseite des Reaktors bedeckt.
Bei allen Reaktoren, die auf diesem Prinzip basieren, ist die schmale Reaktoröffnung während des Scheibenhandlings im gesamten Querschnitt offen. Das Spülgas wird von hinten eingelassen und an der Türseite in die Vent-Leitung abgeleitet. Diese Konstruktion hat sich deshalb etabliert, weil in der Heizkammer nicht nur die Scheiben, sondern auch die wesentlich größeren Scheibenträger und zusätzliche Anordnungen, wie ein Siliziumring und Gasverteilerplatten eingesetzt werden. Diese Teile müssen schnell und leicht austauschbar sein. Die Geometrie der Kammeröffnung ist dementsprechend ausgelegt.
Wir haben erkannt, daß bei jeder Öffnung der bereits auf eine bestimmte Temperatur erwärmten Kammer eine horizontale "Schornsteinwirkung" zustande kommt. Der Austritt des warmen Spülgases konzentriert sich am oberen Teil der horizontalen Öffnung. Die Austrittsgeschwindigkeit ist hier größer und entsprechend dem Bernoulli Gesetz strömt unten kalte Luft in die Kammer. Diese Luftverunreinigung der Kammer ist die Ursache für das bisher nicht zu unterschreitende Minimum der Vorspülzeit. Ein konventionaler Quarzreaktor und die qualitative Gasströmung wird in Fig. 1 dargestellt.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Reaktionskammer eines Schnellheizsytems und ein Spülverfahren anzugeben, mit denen eine Erhöhung des Durchsatzes gegenüber den bekannten Reaktionskammern möglich ist.
Bezüglich der Reaktionskammer wird die Aufgabe gemäß dem Patentanspruch 1 dadurch gelöst, daß bei einer gattungsgemäßen Reaktionskammer die Öffnung einen wesentlich kleineren Querschnitt hat, als der Querschnitt der zweiten Wand ist. Verfahrensmäßig wird die Aufgabe gemäß dem Patentanspruch 5 dadurch gelöst, daß nach dem Einsetzen der Halbleiterscheibe in die Reaktionskammer die Reaktionskammer vor der Heizung erst für eine vorgegebene Zeit mit laminarer Prozeßgasströmung gespült wird und die Spülung dann für eine zweite vorgegebene Zeit mit turbulenter Strömung fortgesetzt wird.
Vorteilhafte Ausgestaltungen der Reaktionskammer sind Gegenstand der Ansprüche 2 bis 4, eine vorteilhafte Weiterbildung des Verfahrens ist im Anspruch 6 angegeben.
Im Sinne der Erfindung verringern wir an der Tür den Querschnitt der Öffnung der Reaktorkammer mit einem Einsatz. Der Ausschnitt ist soweit reduziert, wie es das zuverlässige Handling der Halbleiterscheiben erlaubt. Diese Öffnung muß jeweils an die ausgewählte Scheibengröße und die Abmessungen der Schaufel eines Roboters angepaßt werden.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden anhand der Zeichnungen beschrieben. Es zeigen
Fig. 1 einen konventionellen Quarzreaktor und qualitativ die Gasströmung,
Fig. 2 einen Türeinsatz für einen Schnellheizreaktor mit enger Öffnung, und
Fig. 3 einen Quarzreaktor mit dem Türeinsatz nach Fig. 2 und Austritt der warmen Spülgase.
Als Beispiel wird ein Einsatz für das Handling von 150 mm Scheiben in Fig. 2 gezeigt. Die Anordnung wird in Fig. 3 dargestellt. Eine weitere mögliche Realisierung ist eine Verbindung der Verengung in diesem Sinne mit der Reaktorkammer. Dann müssen Träger und andere zusätzliche Teile von hinten eingesetzt werden können. Die Handhabung eines austauschbaren Einsatzes ist aber einfacher.
Die kleine vertikale Abmessung der Öffnung im Einsatz verringert stark den erwähnten horizontalen "Schornstein Effekt" und reduziert die Lufteinströmung in den Reaktor bei jeder Türöffnung. Wenn zusätzlich die Spülung des Reaktors bei jeder Öffnung der Tür kontinuierlich aufrecht erhalten wird, erreicht man wegen des reduzierten Ausgangsquerschnitts eine leichte Erhöhung des Druckes im Reaktor. Die Rückströmung der Luft wird so weitgehend ausgeschlossen. Dazu ist sogar eine gewöhnliche Spülrate von 5-15 slm ausreichend.
Angenommen, daß ohne Türeinsatz nach dem Schließen der Tür die Gasspülung sprunghaft auf etwa 10-20 slm eingestellt ist, wird die Luftverunreinigung, die anfangs in der Nähe der Tür starker konzentriert ist, im ganzen Volumen der Reaktorkammer homogener verteilt. Die Ursache bei dieser Spülrate ist die Turbulenz der Strömung und ein gewisses Rückprallen der Gasmasse von der Tür. Bei einer turbulenten Strömung wird die Konzentration der Luftverunreinigung nur durch Verdünnung verringert.
Bei einer Spülrate von 2-5 slm kann man die Gasströmung bei entsprechender Gasverteilung noch laminar halten. Man braucht aber mehr Zeit für die effektive Spülung, da das auszuspülende Volumen relativ groß zur Spülrate ist. Eine laminare Strömung in einem konventionellen schmalen Reaktor ergibt, auf das nötige Spülgasvolumen bezogen, wesentlich effektivere Spülung als die turbulente Methode durch Verdünnung.
Ein Optimum in Zeit und Spülgasverbrauch wird dadurch erreicht, daß der Türeinsatz mit dynamischem Gasfluß kombiniert wird. Man beginnt dementsprechend die Vorspülung mit laminarer Strömung. Die größte Luftkonzentration an der Tür wird erst durch laminare Strömung ausgedrängt. Dann wird die Spülrate kontinuierlich erhöht bis sich die Strömung in die turbulente Phase umwandelt. Von hier an kann man eine große Spülrate für eine kurze Zeit einsetzen.
Beispiel 1
  • a) Kammervolumen: 2-2,5 l, Querschnitt: z. B. 300 × 25 mm².
  • b) An der Öffnung der Kammer wird der Querschnitt mit Hilfe eines Einsatzes auf etwa 25% reduziert.
  • c) Vorspülschritt 1: 3-4 slm Stickstofffluß für 5 s
    Vorspülschritt 2: Spülrate in weiteren 5 s auf 15 slm linear erhöht
    Vorspülschritt 3: 20 slm Stickstoff Spülung für 5 s
  • d) Bei für Handling geöffneter Tür wird eine Spülrate von 15 slm immer aktiviert.
Durch diese Spülmethode können die höchsten Anforderungen erfüllt werden.
Beispiel 2
Für Titansilizid Prozesse ist es genügend, wenn unter den sonst in Beispiel 1 beschriebenen Bedingungen nur der Spülschritt 1 für 5-10 s verwendet wird.
Der Vorteil der verbesserten Spülmethoden ist der größere Durchsatz und der kleinere Gasverbrauch. Der Türeinsatz wird vorteilhaft aus Quarz, aus Polysilizium oder aus Siliziumkarbid hergestellt.
Die Analyse der Gasströmungen in der Schnellheizkammer ist eine komplexe Aufgabe. Das Ergebnis wird durch die geometrischen Abmessungen der Kammer und der Scheibe stark beeinflußt. Dazu kommt noch die schnelle Änderung der Scheibentemperatur und die inhomogene Umgebungstemperatur.
Die wassergekühlte kalte Tür hat eine asymmetrische Wirkung auf die Homogenität der Scheibentemperatur. Sie absorbiert lokal mehr Wärmestrahlung von der Scheibe als die Umgebung von anderen Richtungen. Andererseits kühlt das Prozeßgas während der Heizung an der Tür stärker ab. Bei kleinen Prozeßgasspülraten, die gerade bei höherer Scheibentemperatur programmiert werden, erzeugt die kalte Tür eine innere Gaszirkulation zwischen der Tür und der heißen Scheibe. In der Nähe der Tür wird also die Scheibe zusätzlich mehr gekühlt.
Die Verwendung eines Türeinsatzes reduziert diese Effekte und hilft auch bei der Optimierung der Temperaturhomogenität der Scheibe während der Schnellheizprozesse.

Claims (6)

1. Reaktionskammer eines Schnellheizsystems für die Kurzzeittemperung von Halbleiterscheiben, bei der die Kammer eine Mehrzahl von Wänden hat, bei der wenigstens eine Wand transparent für Licht ist, bei der wenigstens eine zweite Wand eine durch eine Tür verschließbare Öffnung für die Handhabung der Scheiben hat und bei der Zu- und Ableitungen für Gase vorhanden sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Öffnung einen wesentlich kleineren Querschnitt hat, als der Querschnitt der zweiten Wand ist.
2. Reaktionskammer nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die reduzierte Öffnung nur die Handhabung der Halbleiterscheiben erlaubt.
3. Reaktionskammer nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Öffnung in einem austauschbaren Einsatz angeordnet ist.
4. Reaktionskammer nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Öffnung mit der Kammer fest verbunden ist.
5. Verfahren zum Spülen der Reaktionskammer eines Schnellheizsystems für die Kurzzeittemperung von Halbleiterscheiben, bei der die Kammer eine Mehrzahl von Wänden hat, bei der wenigstens eine Wand transparent für Licht ist, bei der wenigstens eine zweite Wand eine durch eine Tür verschließbare Öffnung für die Handhabung der Scheiben hat und bei der Zu- und Ableitungen für Gase vorhanden sind, dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Einsetzen der Halbleiterscheibe in die Reaktionskammer die Reaktionskammer vor der Heizung erst für eine vorgegebene Zeit mit laminarer Prozeßgasströmung gespült wird und die Spülung dann für eine zweite vorgegebene Zeit mit turbulenter Strömung fortgesetzt wird.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Öffnung einen wesentlich kleineren Querschnitt hat, als der Querschnitt der zweiten Wand ist.
DE4407377A 1994-03-05 1994-03-05 Reaktionskammer eines Schnellheizsystems für die Kurzzeittemperung von Halbleiterscheiben und Verfahren zum Spülen der Reaktionskammer Expired - Fee Related DE4407377C2 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4407377A DE4407377C2 (de) 1994-03-05 1994-03-05 Reaktionskammer eines Schnellheizsystems für die Kurzzeittemperung von Halbleiterscheiben und Verfahren zum Spülen der Reaktionskammer
US08/387,220 US5580830A (en) 1994-03-05 1995-02-13 Modified reaction chamber and improved gas flushing method in rapid thermal processing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4407377A DE4407377C2 (de) 1994-03-05 1994-03-05 Reaktionskammer eines Schnellheizsystems für die Kurzzeittemperung von Halbleiterscheiben und Verfahren zum Spülen der Reaktionskammer

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE4407377A1 DE4407377A1 (de) 1995-09-07
DE4407377C2 true DE4407377C2 (de) 1996-09-26

Family

ID=6511960

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE4407377A Expired - Fee Related DE4407377C2 (de) 1994-03-05 1994-03-05 Reaktionskammer eines Schnellheizsystems für die Kurzzeittemperung von Halbleiterscheiben und Verfahren zum Spülen der Reaktionskammer

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5580830A (de)
DE (1) DE4407377C2 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19909564A1 (de) * 1999-03-04 2001-01-04 Siemens Ag Verfahren zur Verbesserung thermischer Prozeßschritte

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5958349A (en) * 1997-02-28 1999-09-28 Cepheid Reaction vessel for heat-exchanging chemical processes
US5960158A (en) 1997-07-11 1999-09-28 Ag Associates Apparatus and method for filtering light in a thermal processing chamber
US6202591B1 (en) * 1998-11-12 2001-03-20 Flex Products, Inc. Linear aperture deposition apparatus and coating process
KR100697468B1 (ko) * 1999-02-04 2007-03-20 스티그 알티피 시스템즈 게엠베하 급속 열 처리 시스템용 냉각 샤워헤드
CN1271678C (zh) * 2001-05-18 2006-08-23 马特森热力产品有限责任公司 搬运装置
US20030173346A1 (en) * 2002-03-18 2003-09-18 Renken Wayne Glenn System and method for heating and cooling wafer at accelerated rates
US20030209326A1 (en) * 2002-05-07 2003-11-13 Mattson Technology, Inc. Process and system for heating semiconductor substrates in a processing chamber containing a susceptor
DE102004039443B4 (de) 2004-08-13 2023-05-25 Beijing E-Town Semiconductor Technology, Co., Ltd. Verfahren zum thermischen Behandeln von scheibenförmigen Substraten
DE102005024118B4 (de) * 2005-05-25 2009-05-07 Mattson Thermal Products Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Reduktion von Partikeln bei der thermischen Behandlung rotierender Substrate
DE102005035199A1 (de) * 2005-07-27 2007-02-08 Mattson Thermal Products Gmbh Verfahren zum Ermitteln der Ist-Lage einer Drehachse eines Transportmechanismus
DE102006036585B4 (de) * 2006-08-04 2008-04-17 Mattson Thermal Products Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Ermitteln von Messwerten
DE102007042779B4 (de) 2007-09-07 2009-07-09 Mattson Thermal Products Gmbh Kalibrationssubstrat und -verfahren
DE102007058002B4 (de) 2007-12-03 2016-03-17 Mattson Thermal Products Gmbh Vorrichtung zum thermischen Behandeln von scheibenförmigen Halbleitersubstraten
DE102012216070B4 (de) 2012-09-11 2018-09-20 Siltronic Ag Epitaxiereaktor für die Abscheidung einer epitaktischen Schicht auf einem Substrat

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5577145A (en) * 1978-12-05 1980-06-10 Ushio Inc Annealing furnace
US4573431A (en) * 1983-11-16 1986-03-04 Btu Engineering Corporation Modular V-CVD diffusion furnace
JPS61129834A (ja) * 1984-11-28 1986-06-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 光照射型熱処理装置
JPS61150224A (ja) * 1984-12-24 1986-07-08 Toshiba Corp 半導体ウエハのアニ−ル装置
EP0306967B1 (de) * 1987-09-11 1997-04-16 Hitachi, Ltd. Vorrichtung zur Durchführung einer Wärmebehandlung an Halbleiterplättchen
US5259883A (en) * 1988-02-16 1993-11-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of thermally processing semiconductor wafers and an apparatus therefor
JPH01321638A (ja) * 1988-06-22 1989-12-27 Mitsubishi Electric Corp 熱処理管
US5228206A (en) * 1992-01-15 1993-07-20 Submicron Systems, Inc. Cluster tool dry cleaning system
US5433368A (en) * 1992-11-10 1995-07-18 Spigarelli; Donald J. Soldering system
US5434090A (en) * 1993-12-27 1995-07-18 Chiou; Herng-Der Processing chamber for processing semiconductor substrates

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19909564A1 (de) * 1999-03-04 2001-01-04 Siemens Ag Verfahren zur Verbesserung thermischer Prozeßschritte

Also Published As

Publication number Publication date
US5580830A (en) 1996-12-03
DE4407377A1 (de) 1995-09-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE4407377C2 (de) Reaktionskammer eines Schnellheizsystems für die Kurzzeittemperung von Halbleiterscheiben und Verfahren zum Spülen der Reaktionskammer
DE3626876C2 (de)
DE69120193T2 (de) Batchverfahren und Vorrichtung zur Behandlung von Halbleiterscheiben
DE69024077T2 (de) Einrichtung und Verfahren zur Behandlung von Halbleiterscheiben
DE68909817T2 (de) Epitaxiereaktor mit einer gegen Beschlag geschützten Wand.
DE69833018T2 (de) Schnelle wärmebehandlungsanlage mit umlaufendem substrat
DE1596586C3 (de) Verfahren zur Herstellung von Floatglas und Vorrichtung zu seiner Durchführung
DE1446199A1 (de) Verfahren zum UEberziehen von Scheiben in einer evakuierten Vakuumkammer
DE102009037299A1 (de) Vorrichtung und Behandlungskammer zur thermischen Behandlung von Substraten
DE3905626A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur zuechtung von siliziumkristallen
DE102008022784A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Tempern von Gegenständen in einer Behandlungskammer
DE2639553A1 (de) Aufdampfreaktor
DE69803783T2 (de) Aufblasbare elastomere dichtung für eine vorrichtung für schnelle thermische behandlungen (rtp)
DE19916345A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen von Substraten
DE10010871B4 (de) System zum Bearbeiten von Halbleiterwafern, das einen nach unten gerichteten laminaren Strom von Reinstluft an der Vorderseite von Trocknereinheiten erzeugt
DE69116205T2 (de) Lampentempervorrichtung und Verfahren
DE4223133C2 (de)
DE10143925A1 (de) Gargerät, Gargerätetür sowie Verfahren zur Herstellung einer Türscheibe für die Gargerätetür
DE3400067C2 (de)
DE102004039443B4 (de) Verfahren zum thermischen Behandeln von scheibenförmigen Substraten
DE4437361A1 (de) Verfahren und Vorrichtung für Transiente Schnellheizprozesse
DE10236896B4 (de) Vorrichtung und Verfahren zum thermischen Behandeln von Halbleiterwafern
EP2870624B1 (de) Vorrichtung und verfahren zum wärmebehandeln eines gegenstands
DE2523594B2 (de) Vorrichtung zur Herstellung von Glas in einer Glasformungskammer
DE202015105434U1 (de) Ofen mit Scheibenlüftung

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: STEAG AST ELEKTRONIK GMBH, 85551 KIRCHHEIM, DE

8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: STEAG RTP SYSTEMS GMBH, 89160 DORNSTADT, DE

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee

Effective date: 20121002