DE4402437A1

DE4402437A1 - Galvanisiervorrichtung

Info

Publication number: DE4402437A1
Application number: DE4402437A
Authority: DE
Inventors: Robert Smith; Ron E Toby; John H Germanson
Original assignee: Quad Tech Inc
Current assignee: Quad Tech Inc
Priority date: 1993-02-01
Filing date: 1994-01-27
Publication date: 1994-08-04
Anticipated expiration: 2014-01-28
Also published as: US5318683A; CH688282A5; DE4402437C2

Description

Technisches Gebiet

Diese Erfindung betrifft eine Galvanisiervorrichtung und ein Verfahren, insbesondere eine Galvanisiervorrichtung für das Plattieren von Tiefdruckzylindern.

Hintergrund der Erfindung

Galvanisieren ist ein seit langem verwendetes Verfahren für das Plattieren von Gegenständen mit einem bestimmten Materi al. Das Galvanisieren ist ein relativ einfacher Weg, um ei nen Gegenstand mit einem Material, z. B. Kupfer, zu beschich ten, wenn es schwierig ist eine dünne gleichmäßige Beschich tung durch andere Verfahren bereitzustellen.

Galvanisieren wurde für das Plattieren von Tiefdruckzylin dern verwendet, die herkömmlicherweise bei Druckverfahren verwendet werden. Ein Tiefdruckzylinder wird mit einer dün nen Schicht eines Materials, z. B. Kupfer, plattiert und an schließend wird der gewünschte Druck in die Kupferschicht geätzt. In solchen Fällen bildet ein Stahl- oder Aluminium zylinder das Substrat, welches die Galvanisierungsschicht trägt. Ist das Drucken beendet, muß der Tiefdruckzylinder überholt bzw. wiederhergestellt werden, so daß ein anderer Druck in den Zylinder geätzt werden kann. Das Überholen erfordert das zumindestens teilweise Entfernen der Galvani sierungsschicht, um das frühere Ätzen zu entfernen, so daß eine neue Galvanisierungsschicht auf dem Zylinder aufge bracht werden kann. Wie zuvor kann, sobald die neue Schicht des Galvanisierungsmaterials den Zylinder bedeckt, das ge wünschte Ätzen durchgeführt werden, für ein zukünftiges Drucken.

Eine Galvanisiervorrichtung erfordert ein Ionenflüssigkeits bad, bzw. Ionenfluidbad, welches mit dem zu plattierenden Gegenstand in Berührung kommt. Das Ionenflüssigkeitsbad ent hält Ionen des Abscheidungsmaterials. Eine Zufuhr des Galva nisierungsmaterials muß des weiteren in Berührung mit dem Ionenflüssigkeitsbad stehen, um dem Flüssigkeitsbad zusätz liche Ionen zuzuführen, wenn das Plattierungsverfahren be ginnt.

Soll z. B. ein Tiefdruckzylinder mit Kupfer plattiert werden, wird der Zylinder eingetaucht oder rotiert, während er sich in Kontakt mit einem Kupferionen-enthaltenden Flüssigkeits bad befindet. Eine Schale bzw. ein Behälter mit Kupferklum pen oder Kupferbarren würde normalerweise in das Flüssig keitsbad in der Nähe des Tiefdruckzylinders eingetaucht wer den. Anschließend würde ein elektrisches Feld über dem Ge genstand und der Zufuhr des Abscheidungsmaterials aufgebaut. Die auf den Gegenstand übertragene Ladung wäre der Ladung der Ionen in dem Flüssigkeitsbad entgegengesetzt und würde so die Ionen an den Gegenstand angezogen. Auf diese Weise werden die Ionen auf dem Gegenstand abgeschieden und bilden eine Schicht oder plattieren den Gegenstand. In der Zwi schenzeit lösen sich zusätzliche Ionen von der Abscheidungs materialzufuhr und treten in das Flüssigkeitsbad ein, um im allgemeinen die Ionen zu ersetzen, die von dem Gegenstand angezogen wurden. In dem Beispiel des Tiefdruckzylinders kann der Zylinder durch das Flüssigkeitsbad rotiert werden, während die Galvanisierung stattfindet, so daß sich eine Schicht des Abscheidungsmaterials im wesentlichen über die gesamte Oberfläche des Tiefdruckzylinders legt.

Häufig werden während der Galvanisierung Oxide und andere Verunreinigungen abgegeben, während die Galvanisierungsmate rialzufuhr ionisiert wird; d. h. wenn Ionen von der Abschei dungsmaterialzufuhr freigesetzt werden und in das Flüssig keitsbad eintreten. Dies beruht im wesentlichen auf den Ver unreinigungen, die in dem Zufuhrmaterial vorhanden sind. Da her wird die Ionenflüssigkeit, welche in dem Flüssigkeitsbad verwendet wird, häufig durch ein größeres Reservoir der Ionenflüssigkeit zykliert. Vor der Rückkehr in das Flüssig keitsbad wird die Ionenflüssigkeit gefiltert und dem Flüs sigkeitsbad wieder zugeführt. In Bergin et al., U.S. Patent Nr. 3,923,610 ist ein Verfahren beschrieben für das Kupfer plattieren eines Tiefdruckzylinders, für welches ein typi sches Plattierungssystem verwendet wird. Ein Zylinder ist rotierbar in Berührung mit einem Elektrolyt befestigt, wel cher in einem Behälter gehalten wird. Der Elektrolyt besteht im wesentlichen aus einer Lösung von Kupfersulfat und Schwe felsäure in Wasser. Der Zylinder wird teilweise in das Ionenflüssigkeitsbad eingetaucht und rotiert, während ein elektrisches Feld über dem Zylinder und einer Festkupferzu fuhr aufgebaut wird.

Ein Problem der Vorrichtung des Standes der Technik, wie z. B. der Vorrichtung von Bergin, ist, daß solche Vorrichtun gen nicht in der Lage waren, Material auf dem zu plattieren den Gegenstand in einer präzisen, gleichförmigen Weise abzu scheiden. Das führt zu Problemen beim Plattieren oder Über holen von Gegenständen, wie Tiefdruckzylindern, welche eine extrem präzise und gleichmäßige glatte Oberfläche erfordern. Um solch eine erwünschte gleichmäßige Oberfläche unter Ver wendung der Plattiervorrichtungen des Standes der Technik zu erzielen, wurde eine alte Schicht eines Abscheidungsmateri als zunächst entfernt und anschließend wurde der Gegenstand gründlich gereinigt. Nach diesem Reinigen wurde der Gegen stand normalerweise mit einer relativ dicken Schicht eines Galvanisierungsmaterials plattiert, und anschließend wurde die Schicht einem Veredelungsverfahren unterworfen, umfas send ein Rauhschleifen der Galvanisierungsschicht auf eine im wesentlichen gleichmäßige Oberflächengüte, ein Fein schleifen der raufgeschliffenen Oberfläche, und anschließend ein Polieren der Oberfläche, bis diese die gewünschten glatten und gleichförmigen Eigenschaften aufwies. Dieses Verfahren war jedoch zeitaufwendig und verbrauchte viel Galvanisierungsmaterial.

Man fand heraus, daß die Ungleichmäßigkeit der Galvanisie rungsschicht, welche unter Verwendung der Plattierungsvor richtung des Standes der Technik erzielt wurde, hauptsäch lich durch ungleichmäßige Dispersion von Ionen bewirkt wird, wenn diese an den Gegenstand angezogen werden und durch Ver unreinigungen, welche in das Flüssigkeitsbad eintreten, und welche an dem zu plattierenden Gegenstand haften. Es wäre vorteilhaft zu verhindern, daß die Verunreinigungen in das Flüssigkeitsbad eingeführt werden, weder von der Galvanisie rungsmaterialzufuhr noch von der rezyklierten Ionenflüssig keit, welche in das Flüssigkeitsbad eingeführt wird. Zusätz lich wäre es vorteilhaft die Ionen in dem Flüssigkeitsbad gleichförmig zu dispergieren, wenn Ionen in das Flüssig keitsbad entweder aus der Galvanisierungsbadzufuhr oder aus der Ionenflüssigkeit eingeführt werden, welche in das Flüs sigkeitsbad rezykliert wird. Es trat z. B. ein Problem bei den Einrichtungen des Standes der Technik auf, daß die Ionenflüssigkeit in das Flüssigkeitsbad durch Öffnungen ein geführt wurde, welche im allgemeinen Flüssigkeitssäulen in das Flüssigkeitsbad sprühten. Man fand heraus, daß solches säulenartiges Sprühen ein ungleichmäßiges Plattieren des Zylinders bewirkt, und zu hohen Flecken bzw. Bereiches und niedrigen Flecken bzw. Bereichen in dem auf dem Zylinder ab geschiedenen Material führt, entsprechend der Anordnung der Zufuhröffnungen.

Andere Verfahren und Vorrichtungen für das Galvanisieren ei nes Materials sind z. B. in den Patenten von Datwyler, U.S. Patent Nr. 4,437,942 und Katano et al., U.S. Patent Nr. 4,405,709 beschrieben. Dieser Stand der Technik beschäftigt sich jedoch nicht mit den oben beschriebenen Problemen.

Zusammenfassung der Erfindung

Die vorliegende Erfindung stellt eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Veränderung der Oberfläche eines Gegenstandes zur Verfügung, dadurch daß eine Menge eines Abscheidungsma terials auf dem Gegenstand angeordnet bzw. aufgebracht wird. Der Gegenstand befindet sich in Flüssigkeitsverbindung mit einem Ionenflüssigkeitsbad, welches die Ionen des Abschei dungsmaterials enthält. Die Vorrichtung umfaßt einen Behäl ter zur Aufnahme des Ionenflüssigkeitsbades und ein Reser voir zur Aufnahme des Abscheidungsmaterials in Flüssigkeits verbindung mit dem Ionenflüssigkeitsbad. Eine elektrische Stromquelle wird im Betrieb mit dem Abscheidungsmaterial in dem Reservoir und mit dem Gegenstand verbunden und baut ein elektrisches Feld über dem Abscheidungsmaterial und dem Ge genstand auf. Die elektrische Stromquelle überträgt eine er ste Ladung auf den Gegenstand und eine zweite Ladung auf das Abscheidungsmaterial in dem Reservoir. Die erste und zweite Ladung weisen einander entgegengesetzte Polaritäten auf und besitzen im wesentlichen gleiche Größenordnungen. Die erste und zweite Ladung kooperieren miteinander, um das elektri sche Feld zwischen dem Gegenstand und dem Abscheidungsmate rial über das Ionenflüssigkeitsbad aufzubauen. Auf diese Weise kooperieren das Ionenflüssigkeitsbad und das Abschei dungsmaterial, ausgelöst durch das elektrische Feld, um die Abscheidung von Ionen auf dem Gegenstand zu bewirken.

Eine Barriere wird vorzugsweise zwischen dem Gegenstand und der Reservoireinrichtung angeordnet, um den Übergang der Verunreinigungen aus dem Abscheidungsmaterial zu dem Gegen stand zu behindern.

Zusätzlich wird ein Diffusionselement zwischen dem Gegen stand und dem Reservoir angeordnet, um die Diffusion der Ionen zu unterstützen, wenn sich die Ionen durch das Ionen flüssigkeitsbad während der Abscheidung der Ionen auf dem Gegenstand bewegen.

Des weiteren wird vorzugsweise ein Filter bereitgestellt, um die Flüssigkeit zu filtrieren, welche rezykliert wird oder auf andere Weise dem Ionenflüssigkeitsbad zugegeben wird. Der Filter ist so aufgebaut, daß eine gleichmäßige Vertei lung der gefilterten Flüssigkeit in das Ionenflüssigkeitsbad sichergestellt wird.

Die Erfindung stellt des weiteren ein Verfahren zur Kondi tionierung eines Gegenstandes bereit, um eine glatte, gleichmäßige Oberflächengüte auf dem Gegenstand zur Verfü gung zu stellen, welche für das Ätzen und zur Verwendung beim Tiefdruck geeignet ist. Das Verfahren der Erfindung er fordert weniger oder kürzere Bearbeitungsschritte und Endbe arbeitungsschritte, um eine gleichförmige Oberflächengüte zu erzielen.

Kurze Beschreibung der Zeichnungen

Die Erfindung wird im folgenden in bezug auf die begleiten den Zeichnungen beschrieben, wobei gleiche Bezugszeichen gleiche Elemente angeben. Es zeigt:

Fig. 1 einen schematischen Querschnitt;

Fig. 2 eine Draufsicht, welche die Details der Erfindung darstellt, wobei der zu plattierende Gegenstand entfernt ist;

Fig. 3 ein Flußdiagramm, welches das Verfahren des Stan des der Technik für das Überholen der Tiefdruck walze darstellt; und

Fig. 4 ein Flußdiagramm, welches das Verfahren des Über holens einer Tiefdruckwalze gemäß der vorliegenden Erfindung darstellt.

Detaillierte Beschreibung einer bevorzugten Ausführungsform

Im folgenden wird auf den schematischen Querschnitt aus Fig. 1 Bezug genommen, eine Galvanisiervorrichtung, im allgemei nen als 10 bezeichnet, ist dargestellt, umfassend eine Ab scheidungsmaterialzufuhr 12, ein Ionenflüssigkeitsbad 14, welches Ionen des Abscheidungsmaterials enthält, einen Ge genstand 16, auf welchen das Abscheidungsmaterial aufge bracht werden soll, oder von welchem das Abscheidungsmateri al entfernt werden soll, einen Behälter 18, zur Aufnahme des Ionenflüssigkeitsbades 14, und ein Reservoir 20, zur Aufnah me der Abscheidungsmaterialzufuhr 12 in Flüssigkeitsverbin dung mit dem Ionenflüssigkeitsbad 14. Eine elektrische Stromquelle 22 ist im Betrieb mit der Abscheidungsmaterial zufuhr 12 und mit dem Gegenstand 16 verbunden. Eine Barriere 24 ist zwischen dem Gegenstand 16 und der Abscheidungsmate rialzufuhr 12 angeordnet. Gleichermaßen ist auch ein Diffu sionselement zwischen dem Gegenstand 16 und der Abschei dungsmaterialzufuhr 12 angeordnet.

Eine Flüssigkeitszufuhr 28 befindet sich in Flüssigkeitsver bindung mit dem Flüssigkeitsbad 14, vorzugsweise über eine Rohrleitung 30. Eine Flüssigkeitspumpe 32 kann verwendet werden, um Flüssigkeit durch die Rohrleitung 30 und in das Ionenflüssigkeitsbad 14 zu pumpen. In einer bevorzugten Aus führungsform wird die Flüssigkeit durch einen Filter 34 ge pumpt, bevor sie in dem Ionenflüssigkeitsbad 14 dispergiert wird. Der Filter 34 ist vorzugsweise ein Filterrohr, das sich im wesentlichen über die ganze Länge des Reservoirs 20 erstreckt.

Die Abscheidungsmaterialzufuhr 12 kann aus einer Vielzahl von Materialien bestehen, die bei Galvanisierungen verwendet werden. Das Material muß ionisiert werden können, um die Ionen zu ersetzen, die aus dem Ionenflüssigkeitsbad 14 ent fernt wurden, um den Gegenstand 16 zu plattieren. Ein gutes Beispiel eines Abscheidungsmaterials, welches leicht verwen det werden kann, ist Kupfer, und Kupfer wird als das primäre Beispiel in dieser Beschreibung verwendet, ohne eine Be schränkung auf die Art des Abscheidungsmaterials, welches verwendet werden kann, zu treffen. Im Fall von Kupfer weisen die Kupferionen eine positive Ladung auf, so daß die Strom quelle 22 auf den Gegenstand 16 eine negative Ladung und auf die Abscheidungsmaterialzufuhr 12 eine positive Ladung über tragen muß, um das Plattieren zu bewirken. Der negativ gela dene Gegenstand zieht die positiv geladenen Kupferionen an, welche dann auf der Oberfläche des Gegenstandes 16 abge schieden werden. Wenn die Kupferionen auf dem Gegenstand 16 abgeschieden werden und aus dem Ionenflüssigkeitsbad 14 ent fernt werden, werden zusätzliche Kupferionen durch das elek trische Potential eingeführt, welches zwischen dem Gegen stand 16 und der Abscheidungsmaterialzufuhr 12 vorhanden ist, um sich von der Abscheidungsmaterialzufuhr 12 abzutren nen und die Ionen zu ersetzen, die aus dem Ionenflüssig keitsbad 14 abgesondert wurden.

Das Ionenflüssigkeitsbad 14 besteht aus einer Trägerflüssig keit und Ionen, die im allgemeinen in der Flüssigkeit dis pergiert sind. In dem Kupferbeispiel würde ein Kupfersulfat typischerweise mit einer Flüssigkeit z. B. Wasser vermischt. Andere Zusätze, welche normalerweise im Stand der Technik verwendet werden, können auch hinzugefügt werden. Das Kupfersulfat zersetzt sich in Ionen des Kupfers und des Sulfats, und die Kupferionen weisen eine positive Ladung auf und die Sulfationen haben eine negative Ladung. Wird dann ein elektrisches Feld zwischen dem Gegenstand 16 und der Ab scheidungsmaterialzufuhr 12 aufgebaut, werden die Kupferio nen zu dem negativ geladenen Gegenstand 16 gezogen, während sich die Sulfationen zu dem Reservoir 20 bewegen. Die Kup ferionen scheiden sich auf der Oberfläche des Gegenstandes 16 ab, während sich die Sulfationen in die Nähe der Abschei dungsmaterialzufuhr 12 bewegen und sich mit natürlich in dem Kupfer auftretenden Oxiden verbinden, und einen Schlamm bil den, der in das Reservoir 20 fällt. Wird ein anderes Ab scheidungsmaterial verwendet, welches negative Ionen in dem Ionenflüssigkeitsbad 14 verwendet, würde die Stromquelle 22 so angeschlossen, daß der Gegenstand 16 eine positive Ladung hätte.

Der Gegenstand 16 kann ein Gegenstand mit im wesentlichen jeder Form seine solange dieser eine elektrische Ladung emp fangen kann. Nur der Bereich des Gegenstandes 16, der sich in Flüssigkeitsverbindung mit dem Ionenflüssigkeitsbad 14 befindet, wird durch das Abscheidungsmaterial plattiert. In der bevorzugten Ausführungsform ist der Gegenstand 16 eine Tiefdruckwalze, welche auf einer Welle 36 befestigt ist, mit einer Längsachse 37, und die Tiefdruckwalze wird während der Galvanisierung rotiert. Daher wird, auch wenn sich zu einem bestimmten Zeitpunkt nur ein Bereich des Gegenstandes 16 in Flüssigkeitsverbindung mit dem Ionenflüssigkeitsbad 14 be findet, der Gegenstand 16 auf der gesamten Außenfläche 38 plattiert, da alle Teile der Oberfläche 38 durch das Ionen flüssigkeitsbad 14 rotiert werden. Die Galvanisierung kann sowohl auf einem rotierenden Gegenstand, wie auch auf einem stationären Gegenstand durchgeführt werden.

Die Abscheidungsmaterialzufuhr 12 wird in dem Reservoir 20 gehalten. Das Reservoir 20 umfaßt eine Hauptschale 40, bzw. eine Hauptmulde 40, welche vorzugsweise von einem Träger 42 gehalten wird. In einer bevorzugten Ausführungsform ist der Träger 42 ein Träger vom Kolbentyp, welcher sich zwischen einer Bodenwand 44 des Behälters 18 und einer Hauptschale 40 erstreckt. Vorzugsweise wird die Hauptschale 40 aus einem Titanblech hergestellt. Eine Auskleidung 46 wird vorzugs weise zwischen der Hauptschale 40 und der Abscheidungsmate rialzufuhr 12 angeordnet. Ein leitfähiges Blech 48 wird vor zugsweise in Kontakt mit der Abscheidungsmaterialzufuhr 12 zwischen der Baseschale 40 und der Abscheidungsmaterialzu fuhr 12 angeordnet. In einer bevorzugten Ausführungsform be steht das leitfähige Blech 48 aus Blei und ist zwischen der Auskleidung 46 und dem Abscheidungsmaterial 12 angeordnet. Die Auskleidung 46 besteht vorzugsweise aus einer Kunst stoffschicht bzw. einem Kunststoffbogen.

Um die Entwässerung zu unterstützen, können sowohl die Aus kleidung 46 als auch das leitfähige Blech 48 perforiert sein, um so zu ermöglichen, daß die Flüssigkeit zu der Hauptschale 40 durchlaufen kann. Ein Entwässerungsrohr 50 erstreckt sich durch die Hauptschale 40, um einen Entwässe rungsweg für die Flüssigkeit bereitzustellen, welche durch das leitfähige Blech 48 und die Auskleidung 46 gefiltert wird. In einer bevorzugten Ausführungsform führt das Entwäs serungsrohr 50 die Entwässerungsflüssigkeit zurück zu der Flüssigkeitszufuhr 28.

Im folgenden wird auf Fig. 2 Bezug genommen. In einer bevor zugten Ausführungsform weist das Reservoir 20 einen im we sentlichen U-förmigen Aufbau auf. Ein Paar äußere Stützwände 52 erstrecken sich von der Hauptschale 40 aus nach oben und definieren ein Paar äußerer Längsseiten 53 des Reservoirs 20. Ein Paar Stirnwände 54 sind an den länglichen Enden des Reservoirs 20 angeordnet. Das Reservoir 20 kann andere For men aufweisen als die in der bevorzugten Ausführungsform dargestellten. Bei der Plattierung von Tiefdruckwalzen er streckt sich jedoch das Reservoir 20 vorzugsweise über eine größere Länge in einer im allgemeinen parallelen Richtung zu der Längsachse 37 der Tiefdruckwalze 16.

Ein Paar von inneren Stützwänden 56 erstrecken sich vorzugs weise nach oben unter einem bestimmten Abstand von den Stützwänden 52. Vorzugsweise ist die gesamte Abscheidungsma terialzufuhr zwischen den inneren Stützwänden 56 enthalten. Angeordnet zwischen jeder inneren Stützwand 56 und äußeren Stützwand 52 sind Filterrohre 34. Die Filterrohre 34 er strecken sich der Länge nach zwischen den Stützwänden 52 und 56, im allgemeinen parallel zu der Achse 37, vorzugsweise über die gesamte Länge des Reservoirs 20. Die Filterrohre 34 können eine Vielzahl von kürzeren Filterrohren enthalten, welche an einer Vielzahl von Trägern 58 befestigt sind, die sich von dem Reservoir 20 aus erstrecken, wie in Fig. 2 dar gestellt. Des weiteren ist über jedem Filterrohr 34 ein Ver schlußelement 60 angeordnet. Jedes Verschlußelement 60 um faßt eine Vielzahl von Öffnungen 62. Daher ist jedes Filter rohr 34, wenn das Galvanisieren stattfindet, zwischen einer Stützwand 52, einer inneren Stützwand 56, einem Bereich der Auskleidung 46 und dem Verschlußelement 60 eingeschlossen.

Eine Barriere 24 ist zwischen der Abscheidungsmaterialzufuhr 12 und dem Gegenstand 16 angeordnet. Die Barriere 24 er streckt sich zwischen jeder inneren Wand 56, und bedeckt da her die Abscheidungsmaterialzufuhr 12, welche sonst dem Ge genstand 16 ausgesetzt wäre. Auf diese Weise müssen die von der Abscheidungsmaterialzufuhr 12 abgegebenen Ionen durch die Barriere 24 treten, bevor sie in Kontakt mit den Gegen stand 16 treten können. Die Barriere 24 verhindert jedoch, daß Oxide oder andere unerwünschte Verunreinigungen in enge Nähe zum Gegenstand 16 fließen, in welcher sie möglicherwei se den Gegenstand 16 berühren könnten und zu Oberflächende formationen des Abscheidungsmaterials führen könnten, wel ches auf dem Gegenstand 16 abgeschieden wird. Die Barriere 24 wird vorzugsweise auf einer Platte oder einer Tafel auf Polypropylen hergestellt, umfassen Durchgänge, die geeignet dimensioniert sind, um den Durchfluß der Ionenflüssigkeit zwischen der Abscheidungsmaterialzufuhr 12 und dem Gegen stand 16 zu vereinfachen, während der Durchfluß von Kupfer oxiden und anderen Verunreinigungen und Teilchen, die in der Ionenflüssigkeit vorhanden sein können, oder welche durch die Galvanisierung erzeugt werden, behindert werden.

Das Diffusionselement 26 ist auf ähnliche Weise zwischen der Abscheidungsmaterialzufuhr 12 und dem Gegenstand 16 angeord net. In einer bevorzugten Ausführungsform umfaßt das Diffu sionselement 26 ein erstes Titangitter 64 und ein zweites Titangitter 66. Beide Titangitter sind vorzugsweise an einem Gelenk 68 befestigt und können daher von der Abscheidungsma terialzufuhr 12 weggedreht werden, um die Entfernung des Ge genstandes 16 aus dem Ionenflüssigkeitsbad 14 zu vereinfa chen. Vorzugsweise ist die Barriere 24 zwischen dem ersten und den zweiten Titangittern 64, 66 angeordnet. Auf diese Weise wird die Barriere 64 sicher an dem Platz gehalten und die Ionen können diffundiert und gefiltert werden, bevor sie von der Abscheidungsmaterialzufuhr 12 in die Nähe des Gegen standes 16 gelangen. Das erste und das zweite Gitter 64, 66 umfaßt eine Vielzahl von Öffnungen 70, welche es ermögli chen, daß die Ionen durchtreten, während die Diffusion der Ionen beschleunigt wird. In einer bevorzugten Ausführungs form sind die Öffnungen 70 kreisförmig, mit weniger als 2,54 cm (2 inch) Durchmesser, und sie weisen verschiedene Größen auf. Durch das Diffundieren der Ionen, werden die Ionen gleichförmiger in dem Ionenflüssigkeitsbad 14 verteilt und werden daher in einer gleichmäßigeren Weise von dem Gegenstand 16 angezogen, was zu einer größeren Gleichmäßig keit der Plattierungsablagerung führt.

Eine gleichmäßigere Dispersion der Ionen in dem Flüssig keitsbad 14 wird auch vereinfacht, wenn die Ionenflüssigkeit durch die Filterrohre 34 geleitet wird. Das heißt, die Fil terrohre 34 filtern nicht nur Oxide und andere Verunreini gungen raus, sondern beschleunigen auch die gleichförmige Ionenflüssigkeitsverteilung über die Länge des Reservoirs 20. Die Filterrohre 34 sind vorzugsweise aus einem Polypropylenmaterial konstruiert, welches in einer bevorzug testen Ausführungsform ein 4 × 10 µm Polypropylenmaterial ist, das den Durchfluß der Ionenflüssigkeit in das Flüssig keitsbad 14 einschränkt. Flüssigkeit tritt in einen hohlen inneren Bereich 71 der Filterrohre 34 ein und fließt dann radial durch das Polypropylenmaterial nach außen und in das Flüssigkeitsbad 14 hinein. Das beschränkende Polypropylenfiltermaterial stellt sicher, daß die Filter rohre 34 wenigstens teilweise mit Ionenflüssigkeit gefüllt sind und beschleunigt eine langsame, gleichmäßige Verteilung der Ionenflüssigkeit über die Länge des Reservoirs 20, und beschleunigt somit die Ionendispersion und die gleichmäßige Haftung der Ionen an dem Gegenstand 16.

Die Ionenflüssigkeit wird den Filterrohren 34 über die Rohr leitung 30 zugeführt, welche vorzugsweise ein PVC-Rohr ist.

Das Rohr 30 ist mit der Flüssigkeitspumpe 32 verbunden und erstreckt sich durch den Flüssigkeitszuführbehälter 28. Das Rohr 30 erstreckt sich durch die Bodenwand 44, durch die Hauptschale 40 und in die Filterrohre 34, um Ionenflüssig keit in die inneren Bereiche 71 der Filterrohre 34 zuzufüh ren. Da die Filterrohre 34 den Durchfluß der Flüssigkeit beschränken, sind die Filterrohre 34 im allgemeinen mit Ionenflüssigkeit angefüllt, die durch das Rohr 30 zugeführt wird, und auf diese Weise wird die gleichmäßige Verteilung der Ionenflüssigkeit über die Länge des Reservoires 20 be schleunigt, wie oben diskutiert.

Der Flüssigkeitspegel in dem Behälter 18 wird durch über ei ne Überflußwand 42 beibehalten, welche mit Abstand von einer äußeren Wand 74 des Behälters 18 angeordnet ist. Das Ionen flüssigkeitsbad 14 wird auf einem konstanten Pegel gehalten, da jeder Überschuß der Ionenflüssigkeit über die Überfluß wand 72 und in einen Durchfluß 76 fließt, über welchen die übergelaufende Flüssigkeit in den Flüssigkeitszufuhrbehälter 28 zurückgeführt wird.

Der Betrieb der Galvanisiervorrichtung 10 wird im folgenden unter Verwendung des Beispieles des Plattierens eines Tief druckzylinders mit einer gleichförmigen Schicht von Kupfer beschrieben. Die Erfindung ist jedoch weder auf das Plattie ren von Tiefdruckzylindern beschränkt, noch auf die Verwen dung von Kupfer als Abscheidungsmaterial.

Im Betrieb wird das Reservoir 20 umfassend die Abscheidungs materialzufuhr 12 aus Kupfer, vorzugsweise in der Form von Kupferklumpen, in ein Ionenflüssigkeitsbad 14 eingetaucht. Das Ionenflüssigkeitsbad 14 besteht primär aus Wasser ge mischt mit Kupferionen und Sulfationen. Der Gegenstand 16, welcher in diesem Beispiel ein Tiefdruckzylinder ist, wird in dem Ionenflüssigkeitsbad 14 durch herkömmliche Einrich tungen (nicht dargestellt) rotiert, die auf diesem Gebiet bekannt sind, während die Stromquelle 22 auf den Tiefdruck zylinder und die Abscheidungsmaterialzufuhr 12 eine Ladung überträgt. In dieser beispielhaft angeführten bevorzugten Ausführungsform wird eine negative Ladung auf den Gegenstand 16 über eine mit der Welle 36 verbundene Verbindung 78 über tragen und eine positive Ladung wird auf die Stromschiene 80 übertragen, wobei sich die Stromschiene 80 der Länge nach, entlang des Reservoirs 20 erstreckt (im allgemeinen parallel zu der Achse 37), in Kontakt mit der Abscheidungsmaterialzu fuhr 12. Das elektrische Potential zwischen dem Gegenstand 16 und der Abscheidungsmaterialzufuhr 12 liegt vorzugsweise in einem Bereich von 10 bis 11 1/2 Volt, obwohl ein breite rer Voltbereich auch geeignet ist, um die Abscheidung des Materials auf dem Gegenstand 16 zu erzielen. Wenn die Tief druckwalze (d. h. der Gegenstand 16) rotiert, werden Ionen aus dem Ionenflüssigkeitsbad 14 von der Außenfläche 38 des Gegenstandes 16 angezogen und in einer feinen, im wesentli chen gleichförmigen Schicht abgeschieden. Während sich die Ionen auf der Außenfläche 38 abscheiden, werden zusätzliche Ionen von der Abscheidungsmaterialquelle 12 freigegeben, um das Ionenflüssigkeitsbad 14 zu ergänzen. Zusätzlich wird Flüssigkeit, typischerweise Ionenflüssigkeit, aus dem Flüs sigkeitszufuhrbehälter 28 in die Filterrohre 34 gepumpt, um den Pegel des Ionenflüssigkeitsbades 14 beizubehalten. Die Filterrohre 34 stellen sicher, daß Verunreinigungen nicht in das Ionenflüssigkeitsbad 14 eintreten und sich des weiteren die Flüssigkeit gleichmäßig in das Flüssigkeitsbad 14 dis pergiert.

Durch den Betrieb der beschriebenen Vorrichtung 10, können Tiefdruckzylinder sehr viel effizienter überholt werden, mit weniger Abfall des Abscheidungsmaterials. Das beruht im we sentlichen auf der Gleichförmigkeit, mit der eine neue Ab scheidungsschicht auf den Tiefdruckzylinder aufgebracht wer den kann.

Wie in Fig. 3 dargestellt, umfaßt ein typisches Verfahren für das Überholen eines Tiefdruckzylinders, gemäß des Stan des der Technik, zeitkonsumierende Extraschritte. Der Zylin der wurde zunächst rauhgeschliffen, um eine Kupferschicht von ungefähr 150 µm Dicke (100) zu entfernen. Auf diese Weise wurde das geätzte Bild und etwas zusätzliches Material von dem Tiefdruckzylinder entfernt. Anschließend wurden die Zylinder zu einem Reinigungsbehälter überführt, in welchem Verunreinigungen wie Verschmutzungen und Oxide entfernt wur den (110). Der Reinigungsbehälter war typischerweise ein Elektroreinigungsbehälter. Nach dem Reinigen wurde der Tief druckzylinder mit einer neuen Schicht des Abscheidungsmate rials, Kupfer, plattiert, welche ungefähr 250 µm dick war (120). Diese 250 µm-Schicht war dick genug, um die Schicht zu ersetzen, die zuvor entfernt wurde und eine zusätzliche Schicht zur Verfügung zu stellen, mit ungefähr 125 µm Dicke, die für das Bearbeiten notwendig war. Das Bearbeiten war notwendig, um den Tiefdruckzylinder mit einer ausreichend glatten und gleichmäßigen Oberfläche für das Drucken zu ver sehen. Nachdem er eine neue Kupferschicht erhalten hatte, wurde der Zylinder gekühlt, vorzugsweise auf ungefähr 72°C (13).

Nach dem Abkühlen war der plattierte Tiefdruckzylinder für die Bearbeitung bereit (140). Zunächst wurden die hohen Zylinderkanten abgefräst (150). Anschließend wurde eine Schicht von ungefähr 75 µm Dicke durch Raufschleifen ent fernt (160). Dieser Schritt wurde von einem Feinschleifen einer zusätzlichen Materialschicht von ungefähr 50 µm Dicke (170) gefolgt. Insgesamt wurde eine Schicht von ungefähr 125 µm Dicke von dem Tiefdruckzylinder entfernt. In dem letzten Schritt wurde der Zylinder mit Polierscheiben poliert. Die Oberfläche wurde typischerweise zunächst mit einer Polierscheibe mit einer Körnungsnummer von C2000 (180) poliert und das wurde von einem weiteren Polieren mit einer Polierscheibe mit einer Körnungsnummer von GC3000 (190) gefolgt.

Die ungefähre Zeit die für jeden Schritt notwendig ist, ist in Fig. 3 dargestellt, wie auch die ungefähre Gesamtzeit von 3 Stunden und 50 Minuten. Dieses Verfahren des Standes der Technik war komplex, zeitaufwendig und führte zu einem über mäßigen Abfall an Abscheidungsmaterial.

Unter Verwendung der oben beschriebenen Galvanisiervorrich tung 10 wird ein sehr viel effizienteres Verfahren für das Überholen von Tiefdruckzylindern möglich. Gemäß dieses neuen Verfahrens für das Überholen der Oberfläche der Tiefdruckzy linder wird eine alte Schicht des Abscheidungsmaterials von dem Tiefdruckzylinder entfernt. Nachdem das Abscheidungsma terial entfernt ist, wird eine Unteroberfläche freigelegt. Diese Unteroberfläche wird anschließend von übriggebliebenen Verunreinigungen wie Schmutz oder Oxiden gereinigt. Eine neue Schicht des Abscheidungsmaterials wird anschließend gleichmäßig über die Unteroberfläche aufgebracht, bis die neue Schicht ungefähr die gleiche Dicke wie die alte, zuvor entfernte, Schicht aufweist. Diese neue Schicht wird gleich mäßig mit der Galvanisiervorrichtung 10 aufgebracht, und führt zu einer glatten Oberfläche die nur minimale Bearbei tung erfordert. Der letzte Schritt dieses Verfahrens umfaßt das Polieren der neuen Schicht des Abscheidungsmaterials.

Gemäß des bevorzugtesten Verfahrens, welches in Fig. 4 dar gestellt ist, wird eine Schicht von ungefähr 60 µm Dicke von dem zu überholenden Tiefdruckzylinder rauhgeschliffen (200). Dies wird gefolgt von einem Feinschleifen einer Schicht von ungefähr 40 µm Dicke von dem Tiefdruckzylinder (210). Nach dem beide Schichten entfernt sind, zusammen ungefähr 100 µm in der Dicke, wird eine Unteroberfläche freigelegt und von Oxiden und Verunreinigungen gereinigt (220). Nach dem Reini gungsschritt wird die Unteroberfläche mit einer gleichmäßi gen Schicht des Abscheidungsmaterials, von ungefähr 100 µm Dicke galvanisiert (230). Diese neue Schicht des Abschei dungsmaterials wird anschließend auf ein erstes Glättemaß poliert und anschließend auf ein zweites Glättemaß poliert, vorzugsweise zunächst mit einer C2000-Polierscheibe (240), gefolgt von einer GC3000-Polierscheibe (250). Daher ermög licht die Galvanisiervorrichtung 10 ein leichteres Verfahren des Überholens der Tiefdruckzylinder, mit weniger Bearbei tung, weniger Abfall Galvanisiermaterials und wesentlicher Zeiteinsparung. Fig. 4 zeigt die ungefähre Zeit die für je den Schritt notwendig ist, wie auch die Gesamtzeit von unge fähr 2 Stunden und 30 Minuten.

Es wird deutlich, daß die vorgehende Beschreibung nur eine bevorzugte, als Beispiel dienende, Ausführungsform der Er findung ist, und daß die Erfindung nicht auf die spezifi schen dargestellten Formen beschränkt ist. Zum Beispiel kann die beschriebene Vorrichtung zum Galvanisieren für verschie dene Gegenstände verwendet werden, kann unterschiedlich in Größe oder Form sein, und kann eine Vielzahl von unter schiedlichen Materialien verwenden. Gleichermaßen können die Schritte des neuen Verfahrens der Überholung des Tiefdruck zylinders verändert werden, z. B. durch das Entfernen oder das Hinzufügen von Schichten des Abscheidungsmaterials mit anderen Dicken als die oben beschriebenen. Diese und andere Modifikationen können an der Konstruktion und der Anordnung der Elemente durchgeführt werden, ohne sich von dem Kern der Erfindung zu lösen, wie in den angefügten Ansprüchen ausge drückt.

Claims

1. Vorrichtung für das Verändern der Oberfläche eines Ge genstandes, dadurch daß eine Menge eines Abscheidungs materials auf diesem Gegenstand angeordnet wird, wobei dieser Gegenstand in Flüssigkeitsverbindung mit einem Ionenflüssigkeitsbad steht, umfassend Ionen dieses Ab scheidungsmaterials, die Vorrichtung umfaßt:
einen Behälter zur Aufnahme des Ionenflüssigkeitsbades;
eine Reservoireinrichtung zur Aufnahme einer Abschei dungsmaterialzufuhr in Flüssigkeitsverbindung mit die sem Ionenflüssigkeitsbad;
eine elektrische Stromquelleneinrichtung für das Auf bauen eines elektrischen Feldes, wobei die elektrische Stromquelleneinrichtung im Betrieb mit der Abschei dungsmaterialzufuhr in dieser Reservoireinrichtung und mit den Gegenstand verbunden ist, diese elektrische Stromquelleneinrichtung dem Gegenstand eine erste La dung überträgt und der Abscheidungsmaterialzufuhr in dieser Reservoireinrichtung eine zweite Ladung über trägt, die erste Ladung und die zweite Ladung einander entgegengesetzte Polaritäten aufweisen und im wesentli chen gleiche Größenordnungen besitzen; und wobei diese erste und zweite Ladung miteinander kooperieren, um dieses elektrische Feld zwischen dem Gegenstand und der Abscheidungsmaterialzufuhr über dieses Ionenflüssig keitsbad aufzubauen; und das Ionenflüssigkeitsbad und das Abscheidungsmaterial ausgelöst durch das elektri sche Feld, miteinander kooperieren, um die Abscheidung der Ionen auf den Gegenstand zu bewirken; und
eine Barriereneinrichtung, um den Durchfluß von Verun reinigungen von der Abscheidungsmaterialzufuhr zu die sem Gegenstand zu behindern, wobei diese Barrierenein richtungen zwischen dem Gegenstand und dieser Abschei dungsmaterialzufuhr angeordnet sind.

2. Vorrichtung zum Verändern der Oberfläche eines Gegen standes, dadurch daß eine Menge eines Abscheidungsmate rials auf dem Gegenstand angeordnet wird, wobei der Ge genstand in Flüssigkeitsverbindung mit einem Ionenflüs sigkeitsbad steht, umfassend Ionen des Abscheidungsma terials, die Vorrichtung umfaßt:
einen Behälter zur Aufnahme des Ionenflüssigkeitsbades;
eine Reservoireinrichtung zur Aufnahme einer Abschei dungsmaterialzufuhr in Flüssigkeitsverbindung mit dem Ionenflüssigkeitsbad;
eine elektrische Stromquelleneinrichtung für das Auf bauen eines elektrischen Feldes, wobei die elektrische Stromquelleneinrichtung im Betrieb mit der Abschei dungsmaterialzufuhr in dieser Reservoireinrichtung und mit dem Gegenstand verbunden ist, diese elektrische Stromquelleneinrichtung eine erste Ladung auf den Ge genstand überträgt und eine zweite Ladung auf die Ab scheidungsmaterialzufuhr in der Reservoireinrichtung überträgt, die erste Ladung und die zweite Ladung ein ander entgegengesetzte Polaritäten aufweisen und im we sentlichen gleiche Größenordnungen besitzen; und wobei diese erste und zweite Ladung miteinander kooperieren, um das elektrische Feld zwischen dem Gegenstand und der Abscheidungsmaterialzufuhr über dieses Ionenflüssig keitsbad aufzubauen; und das Ionenflüssigkeitsbad und das Abscheidungsmaterial ausgelöst durch das elektri sche Feld, miteinander kooperieren, um die Abscheidung der Ionen auf den Gegenstand zu bewirken;
eine Barriereneinrichtung um den Durchfluß der Verun reinigungen aus der Abscheidungsmaterialzufuhr auf den Gegenstand zu verhindern, wobei diese Barriereneinrich tungen zwischen dem Gegenstand und der Abscheidungsma terialzufuhr angeordnet sind; und
ein Diffusionselement für das Diffundieren der Ionen durch das Ionenflüssigkeitsbad während der Ablagerung dieser Ionen auf dem Gegenstand, wobei das Diffusions element zwischen dem Gegenstand und der Abscheidungsma terialzufuhr angeordnet ist.

3. Vorrichtung nach Anspruch 2, wobei das Diffusionsele ment zwischen der Barriereneinrichtung und dem Gegen stand angeordnet ist.

4. Vorrichtung nach Anspruch 2, wobei das Diffusionsele ment zwischen der Barriereneinrichtung und der Abschei dungsmaterialzufuhr angeordnet ist.

5. Vorrichtung nach Anspruch 2, wobei dieses Diffusions element ein erstes Gitter und ein zweites Gitter um faßt, und wobei diese Barriereneinrichtung zwischen diesem ersten Gitter und diesem zweiten Gitter angeord net ist.

6. Vorrichtung für das Verändern der Oberfläche eines Ge genstandes, dadurch daß eine Menge eines Abscheidungs materials auf dem Gegenstand angeordnet wird, wobei der Gegenstand in Flüssigkeitsverbindung mit einem Ionenflüssigkeitsbad steht, umfassend Ionen des Ab scheidungsmaterials, die Vorrichtung umfaßt:
einen Behälter zur Aufnahme des Ionenflüssigkeitsbades;
eine Reservoireinrichtung für das Aufnehmen einer Ab scheidungsmaterialzufuhr in Flüssigkeitsverbindung mit diesem Ionenflüssigkeitsbad;
eine elektrische Stromquelleneinrichtung für das Auf bauen eines elektrischen Feldes, wobei diese elektri sche Stromquelleneinrichtung im Betrieb mit dieser Ab scheidungsmaterialzufuhr in dieser Reservoireinrichtung und mit dem Gegenstand verbunden ist, die elektrische Stromquelleneinrichtung eine erste Ladung auf den Ge genstand überträgt und eine zweite Ladung auf die Ab scheidungsmaterialzufuhr in dieser Reservoireinrichtung überträgt, die erste Ladung und die zweite Ladung ein ander entgegengesetzte Polaritäten aufweisen und im we sentlichen die gleiche Größenordnung besitzen; und wo bei diese erste und zweite Ladung miteinander kooperie ren, um dieses elektrische Feld zwischen dem Gegenstand und der Abscheidungsmaterialzufuhr über dieses Ionen flüssigkeitsbad aufzubauen; und das Ionenflüssig keitsbad und das Abscheidungsmaterial ausgelöst durch dieses elektrische Feld, miteinander kooperieren, um die Abscheidung dieser Ionen auf den Gegenstand zu bewirken;
eine Barriereneinrichtung um den Durchfluß der Verun reinigungen von der Abscheidungsmaterialzufuhr auf den Gegenstand zu behindern, wobei diese Barriereneinrich tung zwischen dem Gegenstand und der Abscheidungsmate rialzufuhr angeordnet ist; und
einen Filter, angeordnet in diesem Flüssigkeitsbad im wesentlichen parallel zu einer Längsachse dieses Gegen standes, um eine Flüssigkeit zu filtrieren, wenn diese Flüssigkeit zu diesem Ionenflüssigkeitsbad zugegeben wird, wobei der Filter so aufgebaut ist, daß eine gleichförmige Verteilung der Flüssigkeit in dem Flüs sigkeitsbad bewirkt wird.

7. Vorrichtung für das Verändern der Oberfläche eines Ge genstandes, dadurch daß eine Menge eines Abscheidungs materials auf dem Gegenstand angeordnet wird, wobei der Gegenstand in Flüssigkeitsverbindung mit einem Ionenflüssigkeitsbad steht, umfassend Ionen des Ab scheidungsmaterials, die Vorrichtung umfaßt:
einen Behälter zur Aufnahme des Ionenflüssigkeitsbades;
eine Reservoireinrichtung für das Aufnehmen einer Ab scheidungsmaterialzufuhr in Flüssigkeitsverbindung mit diesem Ionenflüssigkeitsbad;
eine elektrische Stromquelleneinrichtung für das Auf bauen eines elektrischen Feldes, wobei diese elektri sche Stromquelleneinrichtung im Betrieb mit dieser Ab scheidungsmaterialzufuhr in dieser Reservoireinrichtung und mit dem Gegenstand verbunden ist, die elektrische Stromquelleneinrichtung eine erste Ladung auf den Ge genstand überträgt und eine zweite Ladung auf die Ab scheidungsmaterialzufuhr in dieser Reservoireinrichtung überträgt, die erste Ladung und die zweite Ladung ein ander entgegengesetzte Polaritäten aufweisen und im we sentlichen die gleiche Größenordnung besitzen; und wo bei diese erste und zweite Ladung miteinander kooperie ren, um dieses elektrische Feld zwischen dem Gegenstand und der Abscheidungsmaterialzufuhr über dieses Ionen flüssigkeitsbad aufzubauen; und das Ionenflüssig keitsbad und das Abscheidungsmaterial ausgelöst durch dieses elektrische Feld, miteinander kooperieren, um die Abscheidung dieser Ionen auf den Gegenstand zu bewirken;
eine Barriereneinrichtung um den Durchfluß der Verun reinigungen von der Abscheidungsmaterialzufuhr auf den Gegenstand zu behindern, wobei diese Barriereneinrich tung zwischen dem Gegenstand und der Abscheidungsmate rialzufuhr angeordnet ist;
ein Diffusionselement für das Diffundieren dieser Ionen durch das Ionenflüssigkeitsbad während der Ablagerung dieser Ionen auf diesem Gegenstand, wobei das Diffusi onselement zwischen dem Gegenstand und dieser Abschei dungsmaterialzufuhr angeordnet ist; und
ein Filter, angeordnet in diesem Flüssigkeitsbad im we sentlichen parallel zu einer Längsachse dieses Gegen standes, um eine Flüssigkeit zu filtrieren, wenn diese Flüssigkeit in das Ionenflüssigkeitsbad zugegeben wird, wobei der Filter so aufgebaut ist, daß eine gleichför mige Verteilung dieser Flüssigkeit in das Flüssigkeits bad bewirkt wird.

8. Vorrichtung für das Verändern der Oberfläche eines Ge genstandes, dadurch daß eine Menge eines Abscheidungs materials auf dem Gegenstand angeordnet wird, wobei der Gegenstand in Flüssigkeitsverbindung mit einem Ionenflüssigkeitsbad steht, umfassend Ionen des Ab scheidungsmaterials, die Vorrichtung umfaßt:
einen Behälter zur Aufnahme des Ionenflüssigkeitsbades;
eine Reservoireinrichtung für das Aufnehmen einer Ab scheidungsmaterialzufuhr in Flüssigkeitsverbindung mit diesem Ionenflüssigkeitsbad;
eine elektrische Stromquelleneinrichtung für das Auf bauen eines elektrischen Feldes, wobei diese elektri sche Stromquelleneinrichtung im Betrieb mit dieser Ab scheidungsmaterialzufuhr in dieser Reservoireinrichtung und mit dem Gegenstand verbunden ist, die elektrische Stromquelleneinrichtung eine erste Ladung auf den Ge genstand überträgt und eine zweite Ladung auf die Ab scheidungsmaterialzufuhr in dieser Reservoireinrichtung überträgt, die erste Ladung und die zweite Ladung ein ander entgegengesetzte Polaritäten aufweisen und im we sentlichen die gleiche Größenordnung besitzen; und wo bei diese erste und zweite Ladung miteinander kooperie ren, um dieses elektrische Feld zwischen dem Gegenstand und der Abscheidungsmaterialzufuhr über dieses Ionen flüssigkeitsbad aufzubauen; und das Ionenflüssig keitsbad und das Abscheidungsmaterial ausgelöst durch dieses elektrische Feld, miteinander kooperieren, um die Abscheidung dieser Ionen auf den Gegenstand zu bewirken;
ein Diffusionselement für das Diffundieren dieser Ionen durch das Ionenflüssigkeitsbad während der Ablagerung dieser Ionen auf dem Gegenstand, wobei das Diffusions element zwischen dem Gegenstand und der Abscheidungsma terialzufuhr angeordnet ist.

9. Vorrichtung für das Verändern der Oberfläche eines Ge genstandes, dadurch daß eine Menge eines Abscheidungs materials auf dem Gegenstand angeordnet wird, wobei der Gegenstand in Flüssigkeitsverbindung mit einem Ionenflüssigkeitsbad steht, umfassend Ionen des Ab scheidungsmaterials, die Vorrichtung umfaßt:
einen Behälter zur Aufnahme des Ionenflüssigkeitsbades;
eine Reservoireinrichtung für das Aufnehmen einer Ab scheidungsmaterialzufuhr in Flüssigkeitsverbindung mit diesem Ionenflüssigkeitsbad;
eine elektrische Stromquelleneinrichtung für das Auf bauen eines elektrischen Feldes, wobei diese elektri sche Stromquelleneinrichtung im Betrieb mit dieser Ab scheidungsmaterialzufuhr in dieser Reservoireinrichtung und mit dem Gegenstand verbunden ist, die elektrische Stromquelleneinrichtung eine erste Ladung auf den Ge genstand überträgt und eine zweite Ladung auf die Ab scheidungsmaterialzufuhr in dieser Reservoireinrichtung überträgt, die erste Ladung und die zweite Ladung ein ander entgegengesetzte Polaritäten aufweisen und im we sentlichen die gleiche Größenordnung besitzen; und wo bei diese erste und zweite Ladung miteinander kooperie ren, um dieses elektrische Feld zwischen dem Gegenstand und der Abscheidungsmaterialzufuhr über dieses Ionen flüssigkeitsbad aufzubauen; und das Ionenflüssig keitsbad und das Abscheidungsmaterial ausgelöst durch dieses elektrische Feld, miteinander kooperieren, um die Abscheidung dieser Ionen auf den Gegenstand zu bewirken;
ein Diffusionselement für das Diffundieren dieser Ionen durch dieses Ionenflüssigkeitsbad während der Ablage rung dieser Ionen auf dem Gegenstand, wobei das Diffu sionselement zwischen dem Gegenstand und der Abschei dungsmaterialzufuhr angeordnet ist; und
ein Filter, angeordnet in diesem Flüssigkeitsbad im we sentlichen parallel zu einer Längsachse dieses Gegen standes, um eine Flüssigkeit zu filtrieren, wenn diese Flüssigkeit in das Ionenflüssigkeitsbad zugegeben wird, wobei der Filter so aufgebaut ist, daß eine gleichför mige Verteilung dieser Flüssigkeit in dem Flüssigkeits bad bewirkt wird.

10. Vorrichtung für das Verändern der Oberfläche eines Ge genstandes, dadurch daß eine Menge eines Abscheidungs materials auf dem Gegenstand angeordnet wird, wobei der Gegenstand in Flüssigkeitsverbindung mit einem Ionenflüssigkeitsbad steht, umfassend Ionen des Ab scheidungsmaterials, die Vorrichtung umfaßt:
einen Behälter zur Aufnahme des Ionenflüssigkeitsbades;
eine Reservoireinrichtung für das Aufnehmen einer Ab scheidungsmaterialzufuhr in Flüssigkeitsverbindung mit diesem Ionenflüssigkeitsbad;
eine elektrische Stromquelleneinrichtung für das Auf bauen eines elektrischen Feldes, wobei diese elektri sche Stromquelleneinrichtung im Betrieb mit dieser Ab scheidungsmaterialzufuhr in dieser Reservoireinrichtung und mit dem Gegenstand verbunden ist, die elektrische Stromquelleneinrichtung eine erste Ladung auf den Ge genstand überträgt und eine zweite Ladung auf die Ab scheidungsmaterialzufuhr in dieser Reservoireinrichtung überträgt, die erste Ladung und die zweite Ladung ein ander entgegengesetzte Polaritäten aufweisen und im we sentlichen die gleiche Größenordnung besitzen; und wo bei diese erste und zweite Ladung miteinander kooperie ren, um dieses elektrische Feld zwischen dem Gegenstand und der Abscheidungsmaterialzufuhr über dieses Ionen flüssigkeitsbad aufzubauen; und das Ionenflüssig keitsbad und das Abscheidungsmaterial ausgelöst durch dieses elektrische Feld, miteinander kooperieren, um die Abscheidung dieser Ionen auf den Gegenstand zu bewirken; und
ein Filter, angeordnet in diesem Flüssigkeitsbad, im wesentlichen parallel zu einer Längsachse dieses Gegen standes, um eine Flüssigkeit zu filtrieren, wenn diese Flüssigkeit in das Ionenflüssigkeitsbad zugegeben wird, wobei der Filter so aufgebaut ist, daß eine gleichför mige Verteilung dieser Flüssigkeit in diesem Flüssig keitsbad bewirkt wird.

11. Vorrichtung nach Anspruch 4, des weiteren umfassend ein Rohr, welches sich durch diese Reservoireinrichtung er streckt, wobei das Rohr aufgebaut ist, um diese Flüs sigkeit dem Filter zuzuführen, wenn die Flüssigkeit dem Flüssigkeitsbad zugegeben wird.

12. Vorrichtung nach Anspruch 4, wobei der Filter aufgebaut ist, um eine Ionenflüssigkeit zu filtrieren.

13. Vorrichtung nach Anspruch 9, wobei der Filter aufgebaut ist, um Ionen in die Ionenflüssigkeit zu diffundieren, wenn die Ionenflüssigkeit durch den Filter läuft.

14. Vorrichtung nach Anspruch 10, wobei dieser Filter aus einem Material umfassend Polypropylen hergestellt ist.

15. Vorrichtung nach Anspruch 11, wobei das Filtermaterial ein 4 × 10 µm Polypropylenfilter umfaßt.

16. Vorrichtung nach Anspruch 11, wobei der Filter ein Rohr mit einem hohlen inneren Bereich ist, wobei die Flüs sigkeit in den hohlen inneren Bereich eintritt und ra dial durch das Rohr in das Flüssigkeitsbad fließt.

17. Vorrichtung nach Anspruch 13, wobei der Filter eine Vielzahl von Rohren aufweist, wobei jedes Rohr einen hohlen inneren Bereich aufweist.

18. Vorrichtung nach Anspruch 4, wobei das Diffusionsele ment ein Gitter umfaßt, mit einer Vielzahl von sich durch dieses erstreckenden Öffnungen.

19. Vorrichtung nach Anspruch 15, wobei dieses Diffusions element des weiteren ein zweites Gitter umfaßt, mit ei ner Vielzahl von sich durch dieses erstreckenden Öff nungen, wobei dieses zweite Gitter im wesentlichen par allel zu diesem ersten Gitter angeordnet ist.

20. Vorrichtung nach Anspruch 16, wobei die Gitter aus Titan hergestellt sind.

21. Vorrichtung nach Anspruch 4, wobei diese Barrierenein richtung eine Tafel mit Durchgängen bzw. Öffnungen um faßt.

22. Vorrichtung nach Anspruch 18, wobei diese Barrierenein richtung ein Polypropylenmaterial umfaßt.

23. Vorrichtung nach Anspruch 19, wobei diese Durchgänge eine ausreichende Größe aufweisen, um den Durchfluß von Kupferionen und Sulfationen zu ermöglichen.

24. Vorrichtung nach Anspruch 16, wobei diese Barrierenein richtung eine Tafel mit Durchgängen umfaßt, wobei diese Tafel zwischen dem ersten Gitter und dem zweiten Gitter angeordnet ist.

25. Verfahren für das Überholen einer Oberfläche eines Tiefdruckzylinders, welcher mit einem Abscheidungsmate rial plattiert wird, umfassend folgende Schritte:
Entfernen einer alten Schicht des Abscheidungsmaterials von dem Tiefdruckzylinder, um eine Unteroberfläche freizulegen, wobei die alte Schicht eine erste Dicke aufweist;
Entfernen der verbliebenen Verunreinigungen von dieser Unteroberfläche;
Aufbringen einer neuen Schicht des Abscheidungsmateri als gleichmäßig auf dieser Unteroberfläche, und die neue Schicht eine zweite Dicke aufweist, wobei die zweite Dicke im wesentlichen der ersten Dicke ent spricht, und wobei der Schritt des Auftragens des wei teren durch Galvanisieren durchgeführt wird; und
Polieren dieser neuen Schicht aus Abscheidungsmaterial.

26. Verfahren nach Anspruch 22, wobei der Schritt des Ent fernens des weiteren die Schritte des Rauhschleifens eines Teils der alten Schicht umfaßt, gefolgt von einem
Feinschleifen eines Teils dieser alten Schicht.

27. Verfahren nach Anspruch 22, wobei die gleichmäßige Dicke dieser alten Schicht ungefähr in dem Bereich von etwa 75 Mikron bis ungefähr 125 Mikron liegt.

28. Verfahren nach Anspruch 22, wobei dieser Schritt des Polierens des weiteren die Schritte, des Polierens der neuen Schicht mit einer ersten Polierscheibe und an schließendes Polieren der neuen Schicht mit einer zwei ten Polierscheibe umfaßt, wobei die zweite Polier scheibe der neuen Oberfläche eine feinere Oberflächen güte verleiht, als die erste Polierscheibe.

29. Vorrichtung für das Verändern der Oberfläche eines Ge genstandes, dadurch daß eine Menge eines Abscheidungs materials auf dem Gegenstand angeordnet wird, wobei der Gegenstand in Flüssigkeitsverbindung mit einem Ionen flüssigkeitsbad steht, umfassend Ionen dieses Abschei dungsmaterials, die Vorrichtung umfaßt:
ein Behälter für die Aufnahme dieses Ionenflüssigkeits bades;
eine Abscheidungsmaterialzufuhr in Flüssigkeitsverbin dung mit diesem Ionenflüssigkeitsbad;
eine elektrische Stromquelleneinrichtung für das Auf bauen eines elektrischen Feldes, wobei die elektrische Stromquelleneinrichtung im Betrieb mit dieser Abschei dungsmaterialzufuhr und mit diesem Gegenstand verbunden ist, die elektrische Stromquelleneinrichtung eine erste Ladung auf den Gegenstand überträgt, und eine zweite Ladung auf die Abscheidungsmaterialzufuhr überträgt, die erste Ladung und die zweite Ladung einander entge gengesetzte Polaritäten aufweisen und im wesentlichen die gleiche Größenordnung besitzen; und wobei die erste Ladung und die zweite Ladung miteinander kooperieren, um das elektrische Feld zwischen dem Gegenstand und der Abscheidungsmaterialzufuhr über dieses Ionenflüssig keitsbad aufzubauen; und das Ionenflüssigkeitsbad und das Abscheidungsmaterial ausgelöst durch das elektri sche Feld, miteinander kooperieren, um die Abscheidung dieser Ionen auf dem Gegenstand zu bewirken; und
eine Barriereneinrichtung, um den Durchfluß der Verun reinigungen aus dem Abscheidungsmaterial auf den Gegen stand zu behindern, wobei diese Barriereneinrichtung zwischen dem Gegenstand und der Abscheidungsmaterialzu fuhr angeordnet ist.