DE4326947C1 - Verfahren zur Herstellung von optischen TiO¶2¶-enthaltenden Interferenz-Schichten - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von optischen TiO¶2¶-enthaltenden Interferenz-SchichtenInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von festen, absor
bierenden, hochbrechenden, optischen TiO₂-enthaltenden Interferenz-Schich
ten auf einem Glassubstrat, auf das durch Tauchen und Schleudern eine al
koholische Lösung von Titanalkoxiden und chelatbildenden Verbindungen als
Flüssigkeitsfilm aufgebracht wird, wobei die Schichten anschließend durch
Einwirkung von Strahlung hoher Intensität mittels eines CO₂-Lasers, die
die zur Reaktion des nassen Flüssigkeitsfilmes notwendige Energie zuführt,
gebildet werden.
Es existieren bereits verschiedene chemische Verfahren zur Herstellung von
absorbierenden Schichten auf einem Substrat. Besonders intensiv untersucht
wurde die Herstellung von TiN, TiC und TiB₂-Schichten mittels Chemical Va
pour Deposition (CVD).
In den letzten Jahren werden zunehmend laserunterstützte CVD-Verfahren zur
Herstellung z. B. von TiC-Schichten beschrieben. In einem Artikel von M.
Boman und J. O. Carlsson, Surface and Coatings Technology, 49 (1991) 221-
227, Laser-assisted chemical vapor deposition of hard and refractory bina
ry compounds, wird ein laserunterstütztes CVD-Verfahren zur Herstellung
von Filmen aus TiC, TiN und Al₂O₃ beschrieben.
Ein Nachteil der CVD-Verfahren ist es, daß die optische Homogenität für
die Herstellung von dünnen Schichten für optische Komponenten nur unzurei
chend ist.
Eine Schicht optischer Qualität muß eine Schicht von gleichmäßiger Dicke,
konstantem Brechungsindex im gesamten Bereich der Schicht und von beson
derer Oberflächengüte sowie geringer Streuung sein.
Die DE 37 19 339 A1 legt ein Verfahren zur Herstellung von Gläsern mit er
höhter Bruchfestigkeit offen, wobei man
- a) auf das Grundglas eine Beschichtung aus einer Zusammensetzung auf bringt, die erhalten worden ist durch Hydrolyse und Kondensation von im Reaktionsmedium löslichen Verbindungen mindestens eines Elementes aus der Gruppe Si, Al, Ti und Zr, gegebenenfalls in Kombination mit im Reaktionsme dium löslichen Verbindungen mindestens eines Elementes aus der Gruppe der Alkalimetalle, Erdalkalimetalle und Bor, in Wasser oder in einem organischen Lösungsmittel, gegebenenfalls in Gegenwart eines Kondensationskatalysators, und
- b) die erhaltene Beschichtung thermisch verdichtet.
Aufgabe der DE 37 19 339 A1 ist es, ein Verfahren zur Herstellung von Glä
sern mit erhöhter Festigkeit, insbesondere Bruchfestigkeit, bereitzustel
len, das einfach und schnell durchführbar ist und bei dem keine Gefahr ei
ner Erweichung des Grundglases besteht.
Die DE 34 04 592 C2 beschreibt ein Verfahren zur Beschichtung einer Glas
scheibenoberfläche mit einem Titandioxidfilm zur Bildung einer wärmere
flektierenden Scheibe, bei dem eine Lösung einer thermisch zersetzbaren
organischen Titanchelatverbindung, die zwei Chelatliganden und zwei Nicht
chelatliganden aufweist, in einem organischen Lösungsmittel auf die Glas
scheibenoberfläche aufgesprüht wird, die eine Temperatur aufweist, bei der
die Titanchelatverbindung in der aufgesprühten Lösung sich unter Bildung
von Titandioxid auf der Glasscheibenoberfläche zersetzt, wobei die Chelat
liganden aus der Gruppe Acetylaceton und Ethylacetoacetat ausgewählt sind
und die Nichtchelatliganden 2-Ethyl-1,3-hexandiol sind.
Hierbei wird die Lösung auf die heiße Glasscheibenoberfläche aufgesprüht.
Diese Vorgehensweise ist aufwendig, da die gesamte Glasscheibenoberfläche
bei der Beschichtung an jeder Stelle sehr genau auf gleicher Temperatur
gehalten werden muß.
Da die Temperatur lange auf die Beschichtungsverbindungen einwirkt, werden
sich keine Interferenzschichten mit hohen Absorptionswerten ausbilden, die
TiC und/oder freien Kohlenstoff enthalten.
Aus der DE 29 10 262 A1 ist ein Verfahren zum Beschichten einer Glasober
fläche mit einem wärmereflektierenden Metalloxidfilm, der Titanoxid als
wesentliche Komponente enthält, zu entnehmen, bei dem eine Lösung, die eine
thermisch zersetzbare Titanverbindung in einem organischen Lösungsmittel
gelöst enthält, auf eine Oberfläche eines Glaskörpers aufgebracht wird,
und die Lösung auf der Glasoberfläche erhitzt wird, um die Titanverbindung
thermisch in das Titanoxid zu zersetzen, wobei ein Titanchelat als ther
misch zersetzbare Titanverbindung verwendet wird, das wenigstens eine Al
koxygruppe, ausgewählt aus der Gruppe der Propoxy- und Butoxygruppen, und
wenigstens einen Octylenglycol-Chelatliganden aufweist.
Die DE 29 10 262 A1 lehrt, die Lösung auf der Glasoberfläche zu erhitzen,
um die Titanverbindungen thermisch zu zersetzen. Auch nach dieser Vorge
hensweise sind Schichten mit ausreichender spektraler Absorption, die TiC
und/oder freien Kohlenstoff enthalten, nicht herzustellen.
Der JP 4-295028 A in: Patents Abstracts of Japan, C-1032 March 5, 1993,
Vol. 17/ No. 108 ist ein bronze-farbenes dunkles Glas zu entnehmen, das
nur eine geringe Durchlässigkeit für sichtbares Licht aufweist, und das
aus einem Glassubstrat und einem mindestens einseitig aufgebrachten Sili
ciumdioxid-Film, der Karbide bildende organische Verbindungen enthält, be
steht. Dieses dunkle, bronzefarbene Glas wird dabei so hergestellt, daß
dem organische Verbindungen enthaltende Siliciumdioxid-Film auf der Ober
fläche des Glases aufgebracht und bei Temperaturen, die höher als die Zer
setzungstemperatur der organischen Verbindung sind, wärmebehandelt wird.
Die Färbung wird dabei ohne jede Schwächung der Festigkeitseigenschaften
des Glases erreicht.
Aus der DE 37 44 368 C1 ist ein Verfahren zur Herstellung von festen opti
schen Einfach- und Mehrfach-Interferenz-Schichten aus Metalloxiden auf ei
nem Substrat bekannt, bei dem auf das Substrat pro Schicht durch Ein- und
Auftauchen in eine Tauchlösung oder durch Aufschleudern ein Flüssigfilm,
der reaktive Verbindungen enthält, aus denen anschließend die Schichten
erzeugt werden, aufgebracht und der Flüssigfilm in die Schicht umgewandelt
wird, wobei dem Flüssigfilm durch Einwirkung von Strahlung hoher Intensi
tät, geeignet zum sehr schnellen, direkten und im wesentlichen auf die
Dicke des Flüssigfilms selbst beschränkten Aufheizen auf hohe Temperatur,
die zur Umwandlung des betreffenden Flüssigfilms in die jeweilige Schicht
notwendige Energie zugeführt wird.
Nach der Lehre der DE 37 44 368 C1 wird der Flüssigkeitsfilm selbst durch
die Strahlung hoher Intensität direkt aufgeheizt.
Bei dieser Vorgehensweise treten Probleme dadurch auf, daß die gasförmigen
Reaktionspartner, die bei der Ausbildung der festen Schicht aus dein Flüs
sigkeitsfilm entstehen, nicht so schnell entweichen wie sich die feste
Schicht ausbildet.
Dies kann zu Inhomogenitäten und ungleichmäßiger Ausbildung der Interfe
renzschichten führen.
Aus den gleichen Gründen ist wahrscheinlich die nach diesem Verfahren er
reichbare spektrale Absorption der Schichten für bestimmte Einsatzzwecke
nicht ausreichend.
Aufgabe der Erfindung ist es daher, ein Verfahren zur Verfügung zu stel
len, mit dem reproduzierbar, ohne großen Aufwand der in einem Tauch- oder
Schleuderprozeß hergestellte Flüssigkeitsfilm einfach und schnell in eine
feste TiO₂-Interferenz-Schicht mit TiC und/oder freiem Kohlenstoff von
hervorragender optischer Qualität, mit Schichtdicken im Bereich der Wel
lenlänge des sichtbaren Lichtes, umgewandelt werden kann. Dabei soll das
Verfahren auf Glassubstraten mit unterschiedlichen Dicken wirksam sein,
und zuverlässig eine ausreichende, 5-10% betragende spektrale Absorp
tion der Schichten gewährleisten.
Die Aufgabe wird dadurch gelöst, daß der Laser die zur Reaktion des Flüs
sigkeitsfilmes notwendige Energie dem Substrat zuführt, wobei sich feste
TiO₂-Interferenzschichten mit TiC bis zu 60 Gew.-% und/oder freiem Koh
lenstoff bis zu 20 Gew.-% ausbilden.
Das Glassubstrat kann dabei als ebene Platte oder aber auch in komplizier
ten Geometrien ausgebildet sein.
Die Beschichtungslösungen, die als Flüssigkeitsfilm auf das Substrat auf
gebracht werden, enthalten als chelatbildende Verbindungen Acetylaceton,
Acetessigsäureethylester, Diacetonalkohol und/oder deren Mischungen.
Die Lösungen enthalten dabei nach der Erfindung von 5 Gew.-% bis 20 Gew.-%
Titanalkoxide, insbesondere 14 Gew.-%, von 1 Gew.-% bis 10 Gew.-% Chelat
bildner, insbesondere 4 Gew.-%, und als Lösungsmittel bevorzugt Alkohole.
Des weiteren können die Lösungen oberflächenaktive Substanzen, wie Tenside
oder Polyalkylenglycole, in Anteilen bis 5% enthalten.
Als Lösungsmittel sind generell Mittel geeignet, in denen sich die Aus
gangsverbindungen lösen.
Bei der Beaufschlagung des Substrates mit Strahlung hoher Intensität, und
damit indirekt des Flüssigfilmes, zersetzt sich der Chelat-Metallalkoxid-
Komplex unter Bildung von TiO₂, TiC und freiem C.
Es wurde z. B. ein Verhältnis von Ti zu C bis zu 2 : 1 in den Schichten auf
gefunden. Mittels Elektron Spectroscopy for Chemical Analysis (ESCA) wur
den mehrere Kohlenstoffverbindungszustände identifiziert.
Neben atomarem Kohlenstoff wird auch karbidischer Kohlenstoff gefunden.
In bevorzugter Ausführungsform der Erfindung werden bei dem Verfahren als
Ausgangsverbindungen die Titanalkoxide Titanbutylat und -propylat verwen
det.
Weitere Titanverbindungen, die nach der Erfindung verwendet werden können
sind alle Ester des Titans.
Als vorteilhaft für das erfindungsgemäße Verfahren hat es sich herausge
stellt, wenn als Lösungsmittel ein- und/oder mehrwertige Alkohole, wie Me
thanol, Propanol, Butanol, eingesetzt werden, wobei Ethanol besonders ge
eignet ist.
Bevorzugt mit alkoholischen Lösungsmitteln lassen sich gute, gleichmäßige
Schichtausbildungen auf dem Substrat erreichen.
Der Vorteil des erfindungsmäßen Verfahrens liegt darin, daß die Strahlung
hoher Intensität durch einen CO₂-Laser erzeugt wird.
Ein weiterer Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens ist darin zu sehen,
daß das Substrat direkt den Laserstrahl absorbiert und dadurch indirekt
der Flüssigkeitsfilm aufgeheizt wird, was außerordentlich schnell (ms) ge
schieht, so daß der aufgeheizte Bereich des Substrates und des darüberlie
genden Films im allgemeinen bei etwa 10 µm liegt.
Die Absorptionskonstante der CO₂-Laserstrahlung in Glas beträgt etwa 3 ×
10³cm.
Die für oxidische Tauchschichten üblichen Ausbildungstemperaturen, z. B.
für TiO₂, liegen bei etwa 450°C. Bei einer gegebenen Bestrahlungsstärke von
16 W/cm² wird die erforderliche Temperatur in etwa 1/1000 s erreicht.
Die benötigte Energiemenge, die zur Erreichung der für die Schichtausbil
dung erforderlichen Temperaturen benötigt wird, ist daher gering.
Die Intensität der kohärenten monochromatischen Strahlung, die zur Umwand
lung des jeweiligen Flüssigkeitsfilms dem Substrat zugeführt wird, beträgt
10-25 Watt/cm².
Bedeutsam nach der Erfindung ist es, daß das Substrat mit der Strahlung
hoher Intensität beaufschlagt wird.
Dadurch schreitet die Wärmefront vom Substrat ausgehend von unten nach
oben durch den Flüssigkeitsfilm parallel mit den bei der Reaktion freiwer
denden gasförmigen Zersetzungsprodukten, insbesondere denen des Alkohols,
der chelatbildenden Verbindungen und des Wassers.
Die feste Interferenz-Schicht bildet sich nach dem Verfahren nach der Er
findung vom Substrat ausgehend von unten nach oben, wobei die bei der Bil
dung der festen Schicht entstehenden gasförmigen Produkte jederzeit nach
oben durch den noch flüsssigen Film entweichen können.
Die Struktur der festen Interferenzschicht ist durch diese erfindungsge
mäße Vorgehensweise vollkommen ungestört, die Schicht homogen und gleich
mäßig.
Wenn der Flüssigkeitsfilm vor der Laserbeaufschlagung bei niedrigen Tempe
raturen, z. B. bei kleiner 200°C, angetrocket wurde, wiesen die Schichten
nach der Lasereinwirkung keine Absorption auf.
Nach der Erfindung enthalten die dann ausgebildeten, festen Interferenz
schichten zusätzlich zu TiO₂ auch TiC und/oder freien Kohlenstoff.
Dieser Effekt, daß in die TiO₂-Schichten zunehmend Kohlenstoff eingebaut
wird, zeigt sich aber nur, wenn Chelate den Beschichtungslösungen zuge
setzt werden.
Dabei wird der Sauerstoff in solchen Schichten zunehmend durch Kohlenstoff
ersetzt. Der Hauptanteil des Kohlenstoffs liegt entweder atomar oder in R-
CnHn-Verbindungen vor.
Daneben liegen ca. 16% in R-C-O, bzw. in R-Ti-C-Verbindungen vor. R bedeu
tet hier organischer Rest. Der höchste Anteil von Kohlenstoff, gebunden in
Form von TiC, wurde mit 26% in Schichten nachgewiesen, die aus mit Acetyl
aceton und Acetessigsäureethylester modifizierten TiO₂-Beschichtungslö
sungen hergestellt wurden.
Die Brechwerte der absorbierenden TiO₂-Schichten liegen zwischen 2,20 bis
2,38 bei 550 nm.
Absorption im Bereich von 5-10% wird schon dann erreicht, wenn das
Verhältnis Titan zu Chelat ca. 1 : 1 beträgt.
Es kann aber ohne weiteres auch mit Lösungen gearbeitet werden, in denen
der Chelatbildner zugleich auch das Lösungsmittel ist.
Unter einem Chelatkomplex versteht man einen Komplex, in dem ein Ligand
zwei oder mehr Koordinationsstellen besetzt, so daß das Zentralatom von
diesem Komplexliganden wie von einer "Krebsschere" erfaßt wird. Chelat
komplexe sind dann besonders stabil, wenn sich bei der Chelatbildung ein
Fünf- oder Sechser-Ring ausbilden kann.
Nach der Erfindung erfolgt die Schichtausbildung bevorzugt in einer inert
en Atmosphäre, was die Bildung von Kohlenstoff in den Schichten fördert.
Die Erfindung wird nachfolgend beispielhaft an der Herstellung einer TiO₂
erhaltenden Schicht erklärt:
Eine mit Chelaten modifizierte TiO₂-Beschichtungslösung wird aus
137,0 ml Ti[O(CH₂)₃CH₃]₄
832,0 ml Ethanol,
10,1 ml Acetylaceton und
17,4 ml Ethyl-butyrylacetet hergestellt.
137,0 ml Ti[O(CH₂)₃CH₃]₄
832,0 ml Ethanol,
10,1 ml Acetylaceton und
17,4 ml Ethyl-butyrylacetet hergestellt.
Diese Lösung wird in einem mit 26°C klimatisierten Raum mit 7-12 g/m³,
insbesondere mit 8 g/m³, Luftfeuchtigkeit auf ein Glassubstrat aufge
bracht, indem das gut gereinigte Glassubstrat in die Lösung eintaucht und
mit einer Geschwindigkeit von 0,3-0,5 cm pro Sekunden wieder herausgezo
gen wird. Sofort anschließend wird mit einem CO₂-Laser über das Substrat
eingebrannt.
Die Herstellungsparameter sind der Tabelle I zu entnehmen.
Die Tabelle zeigt die optischen Daten als Funktion der Laserparameter für
eine TiO₂-Schicht, hergestellt aus einer chelatmodifizierten Lösung, wobei
der Laserstrahldurchmesser 1,5 mm betrug.
Aus Titantetrabutylatlösungen, die mit Acetylaceton und Acetessigsäure
ethylester modifiziert waren, und mit einem CO₂-Laser über das Substrat
eingebrannt wurden, konnten Schichten mit einer Absorption zwischen 10-
16% im sichtbaren Bereich (400-1100 nm) hergestellt werden.
Wurden die gleichen Schichten im Ofen eingebrannt, konnte keine Absorption
beobachtet werden.
Zum Vergleich, und um die Vorteile der Erfindung zu verdeutlichen, sollen
auch die Parameter einer nicht mit Chelatbildnern modifizierten TiO₂-Be
schichtungslösung gezeigt werden. Die Lösung wird aus
137,0 ml Ti[O(CH₂)₃CH₃]₄ und
832,0 ml Ethanol
hergestellt.
137,0 ml Ti[O(CH₂)₃CH₃]₄ und
832,0 ml Ethanol
hergestellt.
Die Lösung wird danach ebenfalls auf ein gut gereinigtes Glassubstrat auf
gebracht und mit einem CO₂-Laser über das Substrat eingebrannt.
Die optischen Eigenschaften, im Vergleich zu einer mit Chelaten modifi
zierten Beschichtungslösung hergestellten TiO₂-Schicht, sind der Tabelle
II zu entnehmen.
Zur weiteren Verdeutlichung der Unterschiede der mittels Laser über das
Substrat ausgebildeten TiO₂ enthaltenden Schichten soll noch die ESCA-Elementanalyse,
nach einem Schichtabtrag von 35 nm gezeigt werden (alle ESCA-Daten in at
%):
Claims (7)
1. Verfahren zur Herstellung von festen, absorbierenden, hochbrechenden
optischen TiO₂-enthaltenden Interferenz-Schichten auf einem Glassub
strat, auf das durch Tauchen oder Schleudern eine alkoholische Lösung
von Titanalkoxiden und chelatbildenden Verbindungen als Flüssigkeits
film aufgebracht wird, wobei die Schichten anschließend durch Einwir
kung von Strahlung hoher Intensität mittels eines CO₂-Lasers, die die
zur Reaktion des nassen Flüssigkeitsfilmes notwendige Energie zu
führt, gebildet werden,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Laser die zur Reaktion des Flüssigkeitsfilmes notwendige
Energie dem Substrat zuführt, wobei sich feste TiO₂-Interferenz
schichten mit TiC bis zu 60 Gew.-% und/oder freiem Kohlenstoff bis zu
20 Gew.-% ausbilden.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß als Titanalkoxide Titanbutylat und/oder Titanpropylat verwendet
werden.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß als chelatbildende Verbindungen Acetylaceton, Acetessigsäure
ethylester, Diacetonalkohol und/oder deren Mischungen eingesetzt wer
den.
4. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß als Lösungsmittel ein- und/oder mehrwertige Alkohole eingesetzt
werden.
5. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet,
daß als Lösungsmittel die chelatbildenden Verbindungen eingesetzt
werden.
6. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Verhältnis von TiO₂ aus den Titanalkoxiden zu den chelatbil
denden Verbindungen in der Lösung so eingestellt wird, daß es minde
stens 1 zu 0,5 beträgt.
7. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Laserstrahlung mit einer Intensität von 10 bis 25 Watt/cm²
dem Substrat zugeführt wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4326947A DE4326947C1 (de) | 1993-08-11 | 1993-08-11 | Verfahren zur Herstellung von optischen TiO¶2¶-enthaltenden Interferenz-Schichten |
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DE4326947A DE4326947C1 (de) | 1993-08-11 | 1993-08-11 | Verfahren zur Herstellung von optischen TiO¶2¶-enthaltenden Interferenz-Schichten |
Publications (1)
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---|---|
DE4326947C1 true DE4326947C1 (de) | 1995-04-20 |
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ID=6494936
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DE (1) | DE4326947C1 (de) |
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- 1993-08-11 DE DE4326947A patent/DE4326947C1/de not_active Expired - Fee Related
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8100 | Publication of the examined application without publication of unexamined application | ||
D1 | Grant (no unexamined application published) patent law 81 | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: SCHOTT GLAS, 55122 MAINZ, DE |
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