DE4326697A1 - Vorrichtung zum Einlassen wenigstens eines Gases - Google Patents
Vorrichtung zum Einlassen wenigstens eines GasesInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zum
Einlassen wenigstens eines Gases in einen Rezipienten
gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Derartige Vorrichtungen werden insbesondere für
CVD-Verfahren (chemical vapor deposition) wie PICVD oder
PECVD-Verfahren, PVD-Verfahren (physical vapor deposi
tion) oder ähnliche Verfahren benötigt, bei denen in
dem Rezipienten ein Substrat angeordnet ist, das mit
dem oder den Gasen aus der Dampfphase beschichtet wird.
Die bekannten Vorrichtungen weisen ein Gas-Führungs
system auf, das wenigstens eine in einer Einlaßöffnung
mündende Zuführleitung, aus der das Gas in den Rezi
pienten eintritt, und wenigstens eine Auslaßöffnung
aufweist, durch die Gas aus dem Rezipienten abgesaugt
wird. Die bekannten Vorrichtungen haben - wie erfin
dungsgemäß erkannt worden ist - den Nachteil, daß die
Einleitung des Gases unter Bildung von Wirbeln bzw.
Turbulenzen erfolgt, so daß die sich ergebende Be
schichtung des Substrates nicht allzu gleichmäßig ist.
Die Bildung von Wirbel bzw. Turbulenzen ist besonders
störend, wenn konkave Substrate auf ihrer konkaven
Innenseite beschichtet werden sollen: Es ist deshalb
vorgeschlagen worden, rund um die Einlaßöffnung einen
Verdrängungskörper anzuordnen, dessen Außenkontur der
Innenkontur des zu beschichtenden Substrats folgt. Mit
einem derartigen Einlaßkörper erreicht man zwar eine
bessere Gleichmäßigkeit der Beschichtung als ohne, für
bestimmte Anwendungsfälle ist die Gleichmäßigkeit je
doch immer noch nicht ausreichend. Darüberhinaus sind
für die Beschichtung unterschiedlich geformter Substra
te jeweils neue Verdrängungskörper erforderlich.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrich
tung zum Einlassen wenigstens eines Gases in einen Re
zipienten gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1
derart weiterzubilden, daß Substrate beliebiger Form
mit hoher Gleichmäßigkeit beschichtet werden können,
ohne daß der Austausch von Verdrängungskörpers etc.
erforderlich wäre.
Eine erfindungsgemäße Lösung dieser Aufgabe ist im
Anspruch 1 angegeben. Weiterbildungen der Erfindung
sind Gegenstand der Ansprüche 2 folgende.
Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß die
beim Stand der Technik vorhandenen scharfen Kanten, die
die Einlaßöffnung begrenzen, die Ursache für die Wir
belbildung ist.
Deshalb erweitern sich die Zuführleitungen vor der bzw.
den Einlaßöffnung(en), in die sie münden, im Längs
schnitt und gehen ohne Kante in die die Einlaßöffnung
umgebende Fläche über. Weiterhin werden der Druck und
der Fluß des oder der Gase so eingestellt sind, daß die
Gase laminar und venturiarm in den Rezipienten eintre
ten. Hierdurch wird die Einströmung ohne Wirbelbildung
weiter gefördert.
Gemäß Anspruch 2 sind zur Beschichtung eines großflä
chigen Substrats oder mehrerer gleichartiger Substrate
eine Reihe von Einlaßöffnungen in einer regelmäßigen
Anordnung vorgesehen, denen jeweils Auslaßöffnungen
zugeordnet sind. Insbesondere können jeder Einlaßöff
nung mehrere Auslaßöffnungen zugeordnet sein, die die
Einlaßöffnung umgeben (Anspruch 3). Diese Auslaßöffnun
gen sind bevorzugt auf einem Kreis angeordnet, dessen
Mittelpunkt die Mitte der zugeordneten Einlaßöffnung
ist (Anspruch 4).
Die erfindungsgemäße Vorrichtung kann für die Beschich
tung beliebiger Substrate und insbesondere eines oder
mehrerer gewölbter Substrate eingesetzt werden, die
einen Teil des Rezipienten bilden (Anspruch 5).
Die Erfindung wird nachstehend ohne Beschränkung des
allgemeinen Erfindungsgedankens anhand von Ausführungs
beispielen unter Bezugnahme auf die Zeichnung exempla
risch beschrieben, auf die im übrigen bezüglich der
Offenbarung aller im Text nicht näher erläuterten er
findungsgemäßen Einzelheiten ausdrücklich verwiesen
wird. Es zeigen
Fig. 1 eine bekannte Vorrichtung mit einem Verdrän
gungskörper,
Fig. 2 eine bekannte Vorrichtung ohne Verdrängungs
körper, und
Fig. 3 eine erfindungsgemäße Vorrichtung.
In den Figuren sind übereinstimmend folgende Teile mit
folgenden Bezugszeichen versehen:
1 Zuführleitung
2 Einlaßöffnung
3 umgebende Fläche
4 Substrat
5 Auslaßöffnungen
6 Verdrängungskörper
7 Gasströme im Rezipienten
2 Einlaßöffnung
3 umgebende Fläche
4 Substrat
5 Auslaßöffnungen
6 Verdrängungskörper
7 Gasströme im Rezipienten
Die Fig. 1 und 2 zeigen, daß aufgrund der scharfen
Kante, mit der die Zuführleitung 1 im Bereich der Ein
laßöffnung 2 in die umgebende Fläche 3 bzw. den Ver
drängungskörper 6 mündet, die Gasströme 7 Wirbel bil
den, die auch auf der Oberfläche des Substrats auftre
ten. Damit ergibt sich eine ungleichmäßige Beschichtung
des Substrats 4.
Fig. 3 zeigt eine erfindungsgemäße Gaseinlaßvorrich
tung, bei der sich die Zuführleitung 1 vor der Einlaß
öffnung 2 im Längsschnitt erweitert und ohne Kante in
die die Einlaßöffnung 2 umgebende Fläche 3 übergeht.
Zusätzlich sind der Druck und der Fluß des oder der
Gase so eingestellt sind, daß die Gase laminar und
venturiarm in den Rezipienten eintreten. Damit wird
bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung Wirbelbildung
vermieden, so daß eine gleichmäßige Beschichtung des
Substrats 4 sichergestellt ist.
Claims (6)
1. Vorrichtung zum Einlassen wenigstens eines Gases in
einen Rezipienten, in dem ein Substrat angeordnet ist,
das mit dem oder den Gasen aus der Dampfphase beschich
tet wird,
mit einem Gas-Führungssystem, das wenigstens eine Zu führleitung mit einer Einlaßöffnung, aus der das Gas in den Rezipienten eintritt, und wenigstens eine Auslaß öffnung aufweist, durch die Gas aus dem Rezipienten abgesaugt wird,
dadurch gekennzeichnet, daß die Zuführleitungen sich vor der bzw. den Einlaßöffnung(en) im Längsschnitt erweitern und ohne Kante in die die Einlaßöffnung umge bende Fläche übergehen, und
daß der Druck und der Fluß des oder der Gase so einge stellt sind, daß die Gase laminar und venturiarm in den Rezipienten eintreten.
mit einem Gas-Führungssystem, das wenigstens eine Zu führleitung mit einer Einlaßöffnung, aus der das Gas in den Rezipienten eintritt, und wenigstens eine Auslaß öffnung aufweist, durch die Gas aus dem Rezipienten abgesaugt wird,
dadurch gekennzeichnet, daß die Zuführleitungen sich vor der bzw. den Einlaßöffnung(en) im Längsschnitt erweitern und ohne Kante in die die Einlaßöffnung umge bende Fläche übergehen, und
daß der Druck und der Fluß des oder der Gase so einge stellt sind, daß die Gase laminar und venturiarm in den Rezipienten eintreten.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß zur Beschichtung eines
großflächigen Substrats oder mehrerer gleichartiger
Substrate eine Reihe von Einlaßöffnungen in einer re
gelmäßigen Anordnung vorgesehen sind, denen jeweils
Auslaßöffnungen zugeordnet sind.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß jeder Einlaßöffnung
mehrere Auslaßöffnungen zugeordnet sind, die die
Einlaßöffnung umgeben.
4. Vorrichtung nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet, daß die Auslaßöffnungen auf
einem Kreis angeordnet sind, dessen Mittelpunkt die
Mitte der zugeordneten Einlaßöffnung ist.
5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet, daß bei der Beschichtung eines
oder mehrerer gewölbter Substrate, die einen Teil des
Rezipienten bilden.
6. Verwendung einer Vorrichtung nach einem der Ansprü
che 1 bis 5 für CVD-Verfahren, wie PICVD oder PECVD-Verfahren,
PVD- oder ähnliche Verfahren.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19934326697 DE4326697C2 (de) | 1993-08-09 | 1993-08-09 | Vorrichtung zum Einlassen wenigstens eines Gases und deren Verwendung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19934326697 DE4326697C2 (de) | 1993-08-09 | 1993-08-09 | Vorrichtung zum Einlassen wenigstens eines Gases und deren Verwendung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4326697A1 true DE4326697A1 (de) | 1995-03-09 |
DE4326697C2 DE4326697C2 (de) | 2002-12-05 |
Family
ID=6494773
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19934326697 Expired - Lifetime DE4326697C2 (de) | 1993-08-09 | 1993-08-09 | Vorrichtung zum Einlassen wenigstens eines Gases und deren Verwendung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE4326697C2 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6964876B2 (en) | 2001-05-17 | 2005-11-15 | Aixtron Ag | Method and device for depositing layers |
US7981472B2 (en) | 2006-04-05 | 2011-07-19 | Aixtron, Inc. | Methods of providing uniform gas delivery to a reactor |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5062386A (en) * | 1987-07-27 | 1991-11-05 | Epitaxy Systems, Inc. | Induction heated pancake epitaxial reactor |
-
1993
- 1993-08-09 DE DE19934326697 patent/DE4326697C2/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6964876B2 (en) | 2001-05-17 | 2005-11-15 | Aixtron Ag | Method and device for depositing layers |
US7981472B2 (en) | 2006-04-05 | 2011-07-19 | Aixtron, Inc. | Methods of providing uniform gas delivery to a reactor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE4326697C2 (de) | 2002-12-05 |
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