DE4235914A1

DE4235914A1 - Vorrichtung zur Erzeugung von Mikrowellenplasmen

Info

Publication number: DE4235914A1
Application number: DE4235914A
Authority: DE
Inventors: Juergen Prof Dr Engemann; Frank Dipl Phys Werner
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 1992-10-23
Filing date: 1992-10-23
Publication date: 1994-04-28
Also published as: US5517085A; DE59308435D1; EP0593931A1; EP0593931B1

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zur Plasmaerzeugung nach dem Oberbegriff des Patentanspruches 1.

Chemisch reaktive Niederdruck-Plasmaprozesse sind be reits Standardverfahren bei der Beschichtung und Ätzung von Halbleiterscheiben. Neben der Bearbeitung von flachen Sub straten werden solche Prozesse auch für die Behandlung von Gegenständen mit komplexen Formen, wie z. B. von Formteilen aus Kunststoffen, Faserbündeln und bahnförmigen Materialien, verwendet. Es stehen bereits Verfahren und Anlagen zur Verfü gung, die zur Plasmabehandlung von Substraten mit solcher Formen verwendet werden.

Durch DE 31 17 257 C2 ist eine Vorrichtung zur Plasmade position von dünnen Schichten bekannt, in der die Mikrowel lenleistung aus einem rechteckigen Hohlleiter durch ein Kop pelfenster aus Dielektrikum in eine zylindrische Resonanz- und gleichzeitig Plasmakammer eingestrahlt wird. Vorrichtun gen dieser Art, auch solche die mit Luftspulen oder Verbunden aus Permanentmagneten um die Plasmakammer, zwecks Erzeugung der Elektronen-Zyklotron-Resonanz ausgestattet sind, produ zieren einen gerichteten Plasmastrahl, der zur Bearbeitung von vorzugsweise scheibenförmigen Substraten verwendet wird. Große Substrate lassen sich nur durch Bewegung in dem Plas mastrahl oder durch einen gleichzeitigen Einsatz mehrerer Plasmaquellen bearbeiten.

Es ist durch DE 40 37 091 A1 eine Vorrichtung für die Erzeugung eines regelmäßigen Mikrowellenfeldes gegeben, die die Zündung eines über eine längere Strecke homogenen Plasmas ermöglicht. Dies wird durch die Auskopplung der Mikrowellen leistung durch eine Reihe von vorzugsweise induktiven Koppel antennen aus einem rechteckigen oder zylindrischen Resonator erreicht. Vakuumseitig befinden sich die Antennen im Kontakt mit dem Plasma, infolgedessen eine Kontamination der Sub strate mit dem Antennenmaterial nicht zu vermeiden ist. Ob wohl mit der genannten Vorrichtung die Bearbeitung von groß flächigen Substraten möglich ist, wird vielmehr eine Vorrich tung gesucht, die großvolumige Substrate gleichzeitig von al len Seiten plasmabehandelt.

Durch FR-A-2 112 733 ist eine Vorrichtung für eine gleichmäßige Mikrowellenleistungseinkopplung in ein zylindri sches Volumen bekannt, in der eine stehende Welle in einer meist mäanderförmigen, in einen Zylinder eingearbeiteten Schlitzantenne erzeugt wird. Die Verbindung eines Mikrowel lengenerators mit der Antenne kann nur mit einem koaxialen Kabel realisiert werden. Dies begrenzt die Möglichkeit einer Hochskalierung für solch eine Anregungsart, weil die mit ei nem Kabel langzeitstabil transferierbare Leistung einige hun dert Watt nicht überschreiten darf.

Durch EP 0 209 469 A1 ist eine Vorrichtung zur Erzeugung eines Elektron-Zyklotron-Resonanz-Plasmas bekannt, in der die Einkopplung der Mikrowellenleistung aus mehreren Antennen er folgt, die sich an der Wand der Plasmakammer befinden. Die Plasmakammer ist von Permanentmagneten umgeben, welche in der Nähe der Antennen Elektronen-Zyklotron-Resonanz-Bereiche er zeugen. Infolge der Ionenzerstäubung stellen die direkt dem Plasma ausgesetzten Antennen eine Quelle metallischer Konta mination dar. Um dies zu vermeiden, wurden in einer durch EP 0 402 282 A2 gegebenen Vorrichtung Abschirmungsplatten zwi schen den Antennen und dem Plasma angebracht, die das zer stäubte Material auffangen sollen. Die nachteilige Wirkung der Zerstäubung des Antennenmaterials wird dadurch reduziert, aber nicht vollständig aufgehoben. Nachteil der beiden Kon struktionen ist die Art der Verteilung der Mikrowellenlei stung auf die Antennen. Die Vorrichtung zur Leistungssplit tung aus einem Hohlleiter auf die entsprechenden Verbindungs kabel garantiert keine gleichmäßige Auskopplung der Mikrowel lenleistung und dadurch auch kein zylindersymmetrisches Plasma.

Eine direkte Einkopplung der Mikrowellenleistung aus ei nem rechteckigen Hohlleiter in einen ringförmigen Resonator ist durch EP 0 398 832 A1 gegeben. Die dielektrische Innen wand des Resonators erfüllt hierbei gleichzeitig die Funktion einer Plasmakammerwand, durch die die Mikrowellenleistung in das Plasma eingekoppelt wird. Die flachen Seiten des ringför migen Resonators sind als Kurzschlußschieber ausgeführt, mit denen die optimalen Resonanzbedingungen eingestellt werden. Die Ausführung der Plasmakammer aus Dielektrikum begrenzt die realistisch erreichbaren Dimensionen der zu bearbeitenden Substrate. Außerdem ist eine aufwendige Mechanik nötig, um die Abstimmung des Resonators durchzuführen.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrich tung zur Erzeugung eines insbesondere großvolumigen Nieder druckplasmas anzugeben, die eine genügend hohe Plasmadichte (bis einige 1012 cm-3) aufweist und bei Vermeidung uner wünschter Kontamination die Bearbeitung von großvolumigen Substraten gleichzeitig von allen Seiten ermöglicht.

Die Erfindung wird anhand der in den Zeichnungen darge stellten Ausführungsbeispiele näher erläutert. Es zeigen

Fig. 1a einen Schnitt in der Ebene senkrecht zur Längsachse der Plasmakammer zur Verdeutlichung des Prinzips einer Vorrichtung zur Plasmaer zeugung,

Fig. 1b die Vorrichtung gemäß Fig. 1a im Axialschnitt,

Fig. 2 das Prinzip der Leistungsauskopplung aus einem ringförmigen Hohlleiterresonator,

Fig. 3 im Schnitt ein Koppelelement an einer Prozeß kammer aus Metall und

Fig. 4 im Schnitt eine Vorrichtung zur Mikrowellen einkopplung in das Plasma nach Anspruch 18 mit drei ringförmigen Hohlleiterresonatoren.

In den Fig. 1a und 1b ist ein Ausführungsbeispiel der Vorrichtung nach Anspruch 11 zu sehen. Eine Vakuum- bzw. Plasmakammer K, bestehend aus einem Quarzzylinder 2 und zwei Abschlußflanschen 20 und 21, wird durch einen Vakuumanschluß 18 von einer Vakuumpumpe 22 auf einen Restdruck abgepumpt.

Anschließend wird in die Vakuumkammer K durch den Gaseinlaß 17 ein Arbeitsgas eingeführt. Der sich dabei stabi lisierende Druck kann in Abhängigkeit von dem eingesetzten Pumpsystem und der Abpumpzeit zwischen 10-5 und 100 mbar be tragen. Die in einer Magnetron-Vakuumröhre 9 erzeugte Mikro wellenleistung mit einer Frequenz, die typischerweise 2,45 GHz beträgt, wird in einen Hohlleiter 10 eingespeist.

Durch einen Zirkulator 8, eine als Dreistift-Tuner 7 ausgebildete Abstimmeinheit, einen rechteckigen Hohlleiter 23 und einen kapazitiven Koppler 5 wird die Mikrowellenleistung in den ringförmige Hohlleiterresonator 3 geleitet.

Der Durchmesser des ringförmigen Hohlleiters 3 mit dem Ringraum R ist so gewählt, daß sich in ihm eine stehende TE10 Mikrowelle ausbildet. Der metallene kreisringförmige Hohllei terresonator 3 weist eine äußere Kreiszylindermantelwand 37, eine innere Kreiszylindermantelwand 26 sowie die beiden Kreiszylindermantelwände 37, 26 miteinander verbindende ebene Kreisringwände 38, 39 auf. Im gezeigten Ausführungsbeispiel beträgt die auf die Mitte (Kreis 24) des ringförmigen Hohl leiters bezogene Länge fünf Hohlleiterwellenlängen 36 (s. Fig. 2), bei der Voraussetzung, daß der ringförmige Hohllei ter 3 mit Luft unter Normaldruck gefüllt ist.

In der Innenwand 26 des ringförmigen Hohlleiterresona tors 3 befinden sich in gleichen Abständen von einer halben Hohlleiterwellenlänge 25 (s. Fig. 3; vgl. Anspruch 4), bezo gen auf den Kreis 24 in der Mitte des ringförmigen Hohllei terresonators 3, die zu der Richtung x der Wellenausbreitung senkrechten Koppelschlitze 4. Die in Richtung der Kreiszylin der-Mantellinie gemessene Länge der Koppelschlitze beträgt jeweils eine halbe Freiraumwellenlänge.

Dadurch, daß der kapazitive Koppler 5 genau in der Mitte zwischen zwei Koppelschlitzen 4 liegt, wird sich die stehende Welle in dem Ringraum R des Hohlleiterresonators 3 so ausbil den, daß an den Koppelschlitzen 4 die azimutale Komponente des hochfrequenten H-Feldes Hx ihr Maximum 27 und die z-Kom ponente des H-Feldes Hz und die radiale Komponente des E-Fel des Er deren Minimum 28 erreichen (siehe Fig. 2). Infolgedes sen wird die Auskopplung der Mikrowellenleistung durch den Durchgriff der azimutalen Komponente des H-Feldes Hx durch die Koppelschlitze 4 stattfinden. Die eingestrahlten Mikro wellen verursachen die Zündung eines sehr intensiven Nieder druckplasmas 1 in einem von der Innenwand 26 des ringförmigen Hohlleiterresonators 3 umschlossenen kreiszylindrischen Rau mes P. Nach Anspruch 3 können sich die Koppelschlitze 4 auch in gleichen Abständen von einer Hohlleiterwellenlänge 36 be finden. Um den Austritt der Mikrowellen von der Plasmakammer nach außen zu vermeiden, ist der Quarzzylinder 2 mit einer elektrisch leitenden Abschirmung 19 (s. Fig. 1b) umhüllt.

In der nach Anspruch 11 ausgeführten Vorrichtung errei chen die Ionenkonzentrationen Werte von 1011 bis 1012 cm-3 im Druckbereich von 0,1 bis 10 mbar. Es ist jedoch häufig er wünscht, ein sehr dichtes Plasma auch bei niedrigen Drücken (unter 10-3 mbar) zu erzeugen. Durch die Elektronen-Zyklo tron-Resonanz kann eine Verstärkung der Entladungsintensität hervorgerufen werden. Dies kann gemäß den Ansprüchen 13 und 14 mit Magnetspulen 12 oder gemäß Anspruch 15 mit einem Kon finement aus Permanentmagneten erreicht werden.

Die Ausführung der Erfindung nach Anspruch 11 berück sichtigt den Umstand, daß die Plasmakammer K keinen extrem großen Durchmesser (immerhin aber mehrere Dezimeter) haben kann, weil ansonsten die dielektrische Wand der Plasmakammer 2 sehr dick werden würde. Die Ausführung der Erfindung nach Anspruch 16 ermöglicht hingegen eine praktisch unbegrenzte Hochskalierung in den Dimensionen der Plasmakammer K.

Demzufolge ist in Fig. 3 ein sich wiederholendes Segment 29 für die Einkopplung der Mikrowellenleistung in der Vor richtung nach Anspruch 16 dargestellt. Die Permanentmagnete 14 sind in diesem Ausführungsbeispiel innerhalb der metalle nen Plasmakammerwand 35 so positioniert, daß die Linien des hochfrequenten elektrischen Feldes 15 sich mit den Linien des statischen Magnetfeldes 16 überkreuzen. Eine solche Anordnung sichert eine optimale Übertragung der Mikrowellenschwingungen auf die sich auf spiralförmigen Trajektorien im Plasma fort bewegenden Elektronen. Die Fenster 11 aus 99,7% Al2O3-Keramik oder Quarzglas werden mit einer Weichmetall-Dichtung 30 vaku ummäßig abgedichtet. Die Mikrowelle wird von den Koppel schlitzen 4 in der Innenwand 26 des ringförmigen Hohlleiter resonators 3 heraus bis in das Plasma durch einen kurzen rechteckigen Hornstrahler 31 geführt. Die aus den Koppel schlitzen 4, den Hornstrahlern 31 und den Koppelfenstern 11 aus Dielelektrikum, wie z. B. aus Quarzglas, gebildeten Anord nungen sind jeweils insgesamt als Schlitzkoppler 34 bezeich net.

Bei anderen Ausführungsformen ist es im Unterschied zur Ausführungsform gemäß Fig. 3 bei Wahl einer zweckmäßigen Be festigungsart für die Magnetanordnungen 14 und einer geänder ten vakuummäßigen Abdichtung für die dielektrischen Kopp lungsfenster 11 denkbar, die metallene Wand 35 wesentlich dünner auszubilden.

Es sind zudem Anwendungen der Erfindung denkbar, bei denen nicht nur der Durchmesser sondern auch die Länge des plasmaerzeugenden Bereiches eine Rolle spielen. In einem sol chem Fall läßt sich die erfindungsgemäße Vorrichtung nach dem Anspruch 18 ausführen. Ein Ausführungsbeispiel mit drei ring förmigen Hohlleiterresonatoren 3, die an einem rechteckigen Speiseresonator 32 mit in Axialrichtung (z. B. mittels Ge winde) verstellbaren Koppelstiften 33 angeschlossen sind, ist in Fig. 4 dargestellt.

Um eine kohärente Mikrowelleneinkopplung zu erreichen, befinden sich die verstellbaren Koppelstifte 33 in einem Ab stand von einer Hohlleiterwellenlänge 36 voneinander. Durch Verstellung der Koppelstifte 33 läßt sich eine gleichmäßige Auskopplung der Mikrowellenleistung in die einzelnen ringför migen Hohlleiterresonatoren 3 bewirken. Zur optimalen Ein stellung einer stehenden Welle in dem rechteckigen Speisere sonator 32 dient ein Kurzschlußschieber 6 an einer Seite des Speiseresonators 32.

Bezugszeichenliste

1 Niederdruckplasma
2 Zylinder aus Dielektrikum
3 Ringförmiger Hohlleiterresonator
4 Koppelschlitz
5 Kapazitiver Koppler
6 Kurzschlußschieber
7 3-Stift-Tuner
8 Zirkulator
9 Magnetron
10 Hohlleiter bei 9
11 Koppelfenster aus Dielektrikum
12 Magnetspule
13 Elektronen-Zyklotron-Resonanz-Zone
14 Permanentmagnet
15 Linie des hochfrequenten elektrischen Feldes
16 Linie des statischen Magnetfeldes
17 Gaseinlaß
18 Anschluß der Vakuumpumpe
19 Abschirmungszylinder
20 Abschlußflansch mit 17
21 Abschlußflansch mit 18
22 Vakuumpumpensystem
23 Hohlleiter bei 3
24 In der Mitte von 3 verlaufender Kreis
25 Eine halbe Hohlleiterwellenlänge
26 Innenwand von 3
27 Maximum von Hx
28 Maximum von Hr und Hz
29 Segment der Mikrowelleneinkopplung mit 14
30 Weichmetalldichtung
31 Rechteckiger Hornstrahler
32 Rechteckiger Speiseresonator
33 Verstellbarer Koppelstift
34 Schlitzkoppler
35 Plasmakammerwand aus Metall
36 Eine Hohlleiterwellenlänge
37 äußere Kreiszylindermantel
38 ebene Kreisringwand
39 ebene Kreisringwand
K Plasmakammer
x Richtung der Mikrowellenausbreitung in 3
z Die Achse der Plasmakammer
Hx Azimutale Komponente des hochfrequenten H-Feldes
Hz z-Komponente des hochfrequenten H-Feldes
Er Radiale Komponente des hochfrequenten E-Feldes
R Ringraum
P Raum

Claims

1. Vorrichtung für die Erzeugung eines Niederdruck plasmas (1) mit einer Plasmakammer (K), einem Mikrowellener zeuger (9), einem kreisringförmigen Hohlleiterresonator (3) und einer Ankopplung (23, 8, 7 und 10) des Mikrowellenerzeugers (9) an den ringförmigen Hohlleiterresonator (3), gekennzeich net durch mehrere Koppelschlitze (4), die in der inneren Wand (26) des ringförmigen Hohlleiterresonators (3) derart ange ordnet sind, daß sie jeweils gleichviel Mikrowellenleistung aus dem ringförmigen Hohlleiterresonator (3) auskoppeln.

2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich net, daß im ringförmigen Hohlleiterresonator (3) eine ste hende Welle erzeugt wird und die Koppelschlitze (4) äquidi stant angeordnet sind.

3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeich net, daß die Koppelschlitze (4) parallel zur Mantellinie der kreiszylindrischen Innenwand (26) des ringförmigen Hohllei terresonators (3) verlaufen und je im Abstand einer Hohllei terwellenlänge (36) voneinander angeordnet sind.

4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeich net, daß die Koppelschlitze (4) je im Abstand einer halben Hohlleiterwellenlänge (25) voneinander angeordnet sind.

5. Vorrichtung nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekenn zeichnet, daß die Koppelschlitze (4) durch den Durchgriff der azimutalen Komponente des Magnetfeldes (Hx) die Energie aus einer im ringförmigen Hohlleiterresonator (3) stehenden TE10- Welle auskoppeln.

6. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeich net, daß die Länge der Koppelschlitze (4) je eine halbe Freiraumwellenlänge beträgt.

7. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, da durch gekennzeichnet, daß die Einspeisung der Mikrowellen energie aus der Abstimmeinheit (7) in den ringförmigen Hohl leiterresonator (3) durch einen kapazitiven Auskoppler (5) erfolgt.

8. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, da durch gekennzeichnet, daß die Einspeisung der Mikrowellen energie aus der Abstimmeinheit (7) in den ringförmigen Hohl leiterresonator (3) durch einen induktiven Auskoppler er folgt.

9. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, da durch gekennzeichnet, daß die Einspeisung der Mikrowellen energie aus der Abstimmeinheit (7) in den ringförmigen Hohl leiterresonator durch einen insbesondere in Axialrichtung verstellbaren Koppelstift (33) erfolgt.

10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, da durch gekennzeichnet, daß die Plasmakammer (K) von der Innen wand (26) des ringförmigen Hohlleiterresonators (3) durch einen Zylinder aus Dielektrikum (2) abgegrenzt ist.

11. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeich net, daß der Zylinder (2) aus Quarzglas oder aus Aluminium- Oxid-Keramik besteht.

12. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, da durch gekennzeichnet, daß die Einkopplung der Mikrowellenlei stung in eine Plasmakammer (K) aus Metall durch vakuumdichte Fenster (11) aus Dielektrikum erfolgt.

13. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 12, da durch gekennzeichnet, daß von einer Seite des ringförmigen Hohlleiterresonators (3) eine Magnetspule (12) zur Erzeugung der Elektronen-Zyklotron-Resonanz-Zonen (13) angebracht ist.

14. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 12, da durch gekennzeichnet, daß von beiden Seiten des ringförmigen Hohlleiterresonators (3) zwei Magnetspulen (12) zur Erzeugung der Elektronen-Zyklotron-Resonanz-Zonen (13) angebracht sind.

15. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 12 bis 14, da durch gekennzeichnet, daß ein Verbund aus senkrecht zu der Plasmakammerwand (35) polarisierten Permanentmagneten (14) zwischen der Innenwand (26) des ringförmigen Hohlleiterreso nators (3) und der Plasmakammerwand (35) zur Erzeugung der Elektronen-Zyklotron-Resonanz-Zonen (13) im Plasma (1) ange bracht ist.

16. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 4 bis 15 da durch gekennzeichnet, daß an jedem Koppelschlitz (4) zwei gleich polarisierte, aber bei zwei benachbarten Fenstern ein ander entgegengesetzt polarisierte Permanentmagnete (14) an gebracht sind.

17. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 16, da durch gekennzeichnet, daß mehrere Mikrowellenerzeuger (9) durch mehrere Koppelstellen an den ringförmigen Hohlleiterre sonator (3) angeschlossen sind.

18. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 17, da durch gekennzeichnet, daß mehrere ringförmige Hohlleiterreso natoren (3) vorgesehen sind, die über einen Speiseresonator (32) miteinander verbunden sind und mit jeweils dergleichen Leistung versorgt werden.

19. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 18, da durch gekennzeichnet, daß mehrere ringförmige Hohlleiterreso natoren (3) vorgesehen sind, die von kohärent betriebenen Mikrowellenerzeuger (9) gespeist werden.