DE4210774A1 - Verfahren zum ausrichten eines halbleiterchips, der mit hilfe eines reparatursystems repariert werden soll, sowie laser-reparaturtarget zur verwendung fuer dieses verfahren - Google Patents
Verfahren zum ausrichten eines halbleiterchips, der mit hilfe eines reparatursystems repariert werden soll, sowie laser-reparaturtarget zur verwendung fuer dieses verfahrenInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Ausrichten eines
Halbleiterchips, der mit Hilfe eines Reparatursystems
repariert werden soll. Außerdem bezieht sich die Erfindung auf
ein Laser-Reparaturtarget, das für das Ausrichten verwendet
werden soll.
Zum Reparieren eines Zellenausfalls von Halbleiterchips wird
üblicherweise ein Reparatursystem verwendet. Beim Reparieren
wird zuerst ein Wafer, d. h. ein Halbleiterchip, auf das
Reparatursystem gelegt und dann einem Laser ausgesetzt, so daß
ein Ausrichten des Halbleiterchips mit dem Reparatursystem
überprüft werden kann.
Dieses Ausrichten schließt ein Fokussieren zum Justieren der
Höhe des Halbleiterchips über dem Reparatursystem ein, damit
die Höhe einer geforderten Höhe entspricht, ferner ein
Ausrichten in X-Richtung zum Kompensieren eines Versatzes für
die Bewegung des Lasers in X-Richtung, eine Ausrichtung in Y-
Richtung zum Kompensieren eines Versatzes für die Bewegung des
Lasers in Y-Richtung und ein winkeliges Ausrichten (Theta-
Ausrichten) zum Kompensieren eines Versatzes von einem
Drehzentrum des Reparatursystems und des Halbleiterchips. Das
Fokussieren, X-Ausrichten, Y-Ausrichten und Theta-Ausrichten
werden für jeden Halbleiterchip durchgeführt. Gegenwärtig
werden Reparaturtargets verwendet, die an den Ecken jedes
Halbleiterchips geformt sind, um eine richtige Gestalt zu
haben.
Falls ein präzises Ausrichten zwischen dem Reparatursystem
und dem Halbleiterchip durchgeführt ist, wird der Laser über
den Halbleiterchip abgetastet, um festzustellen, ob ein
Zellenfehler im Halbleiterchip vorliegt. Auch wenn eine Zelle
mit nur einem Bit ausgefallen ist, wird die Leitung ein
schließlich der fehlerhaften Zelle als schlecht eingestuft.
Das bedeutet, daß ein Redundanzkreis geändert wird, um die
fehlerhafte Linie durch eine übrige Zelle zu ersetzen.
Bei diesem Laser-Reparaturverfahren wurde kürzlich ein
Verfahren mit Adressenunterdrückung anstelle einer typischen
Dekodiermethode verwendet. Bei der Adressenunterdrückungs
methode ist es möglich, einen Laser-Reparaturprozeß nach dem
Passivieren durchzuführen. In diesem Fall wird eine Polster
maske vorgesehen, um das Gebiet um jedes Target zu ätzen, und
zwar beim Polsterätzen für ein Ausrichten des Targets.
Im folgenden wird ein typisches derartiges Ausrichten eines
Halbleiterchips in Verbindung mit Fig. 1 beschrieben.
Fig. 1 ist eine vergrößerte Ansicht eines Halbleiterchips 1,
der auf einem zeichnerisch nicht dargestellten Reparatursystem
zum Laser-Reparieren aufliegt. Fig. 1 zeigt, daß der Halb
leiterchip 1 an jeder Ecke ein Laser-Reparaturtarget 2 hat,
das im wesentlichen eine L-Form hat (Target=Ziel, Auffän
ger, Antikathode).
In Fig. 1 bezeichnet der Pfeil a diejenige Richtung, in der
ein Fokussieren erfolgt, der Pfeil b die Richtung des
Ausrichtens in X-Richtung, der Pfeil c die Richtung des
Ausrichtens in Y-Richtung und der Pfeil d die Richtung des
Ausrichtens in Thetarichtung (Winkelrichtung), welches dem
Ausrichten in Y-Richtung folgt.
Beim Ausrichten wird der Laser zu einem Endtarget 2 links oben
in X-Richtung abgelenkt, um einen Versatz für die Bewegung des
Lasers in X-Richtung zu messen. Durch Kompensation des
Versatzes erfolgt das Ausrichten in X-Richtung. Anschließend
wird der Laser zum links oben angeordneten Endtarget 2 in Y-
Richtung abgelenkt, um einen Versatz für die Bewegung des
Lasers in Y-Richtung zu messen. Durch Kompensation des
Versatzes erfolgt die Ausrichtung in Y-Richtung.
Anschließend wird der Laser zu einem Endtarget 2 rechts oben
in Y-Richtung abgelenkt, um einen Versatz für die Bewegung des
Lasers in Y-Richtung zu messen.
Unter der Annahme, daß Yoffy (µm) der Versatz beim Ausrichten
in Y-Richtung in Pfeilrichtung c ist und Yofft (µm) der Versatz
beim Ausrichten in Pfeilrichtung d ist und Xgap (µm) die
Differenz in absolutem Wert zwischen den jeweiligen X-
Koordinaten in Pfeilrichtung c und d ist, so wird der Wert
Theta durch die folgende Gleichung ausgedrückt:
Theta = (Yoffy + Yofft)/Xgap [Micro Radian]
Der Wert Theta entspricht im wesentlichen dem Sinus R (die
Einheit von R ist Radian), weil der Abstand zwischen gegenüber
liegenden Targets 2 viel länger als Yofft ist. Entsprechend
kann das Thetaausrichten durch Rotieren des Systems um einen
geeigneten Winkel erfolgen, um den Versatz zu kompensieren.
Andererseits zeigt Fig. 2 das Gebiet einer Region 3, die bei
einem Polster-Ätzprozeß geätzt worden ist, wobei die jeweili
gen Längen des Targets 2 in X-Richtung und in Y-Richtung
50 µm sind. Wenn jeweilige Längen jedes Targest 2 in X-
Richtung und in Y-Richtung 50 µm betragen, so beträgt die
Fläche der Ätzregion 3 im allgemeinen 100 µm×100 µm. Diese
Fläche ist eine geeignete Fläche, um das Ausrichten von
Targets 2 genau durchzuführen, welche Fläche dem Vierfachen
der Fläche jedes Targets 2 entpricht.
Weil jedes Target beim Stand der Technik L-förmig ist, kann
aber das Ausrichten nur durch vier Verfahrensschritte
durchgeführt werden, d. h. Fokussieren, X-Ausrichten, Y-
Ausrichten und Theta-Ausrichten, und dies für jeden Halb
leiterchip. Als Ergebnis ist festzustellen, daß das Ausrichten
viel Zeit benötigt, wodurch die Produktivität fühlbar
verringert wird. Weiterhin nimmt jede Ätzregion 3 einen
wesentlichen Teil der Fläche eines Halbleiterchips ein, weil
sie etwa dem Vierfachen der Fläche jedes Targets 2 entspricht.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren
zum Ausrichten eines Halbleiterchips vorzuschlagen, der mit
Hilfe eines Reparatursystems repariert werden soll, sowie ein
Laser-Reparaturtarget zur Verwendung für dieses Verfahren,
wobei die Zeit verringert werden kann, die zum Ausrichten des
Halbleiterchips, der repariert werden soll, benötigt wird, und
wobei das Ätzgebiet verringert wird, das zum Ausrichten des
Laser-Reparaturtargets benötigt wird, wodurch die Produktivi
tät von Halbleiterchips verbessert wird und wodurch die
Gesamtfläche jedes Halbleiterchips verringert wird.
Bei einem Aspekt sieht die Erfindung ein Verfahren zum
Ausrichten eines Halbleiterchips, der mit Hilfe eines
Reparatursystems repariert werden soll, vor, wobei
erfindungsgemäß ein Grundtarget abgetastet wird, um Verschie
bungen in der X-Richtung und in der Y-Richtung zu berechnen,
und wobei das Ausrichten in X-Richtung und in Y-Richtung
gleichzeitig erfolgt.
Bei einem anderen Aspekt der Erfindung ist ein Laser-Repara
turtarget zur Laserreparatur eines Halbleiterchips vorgesehen,
dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens ein Grundtarget
vorgesehen ist, das zum Fokussieren, zum Ausrichten in X-
Richtung und zum Ausrichten in Y-Richtung geeignet ist und
das an einer ausgewählten Ecke des Halbleiterchips angeordnet
ist und daß wenigstens ein stangenförmiges Target vorgesehen
ist, das zum Ausrichten des Winkels (Theta) geeignet ist und
das an einer ausgewählten Ecke des Halbleiterchips angeordnet
ist.
Weitere Ziele und Merkmale der Erfindung gehen aus der
folgenden Beispielsbeschreibung hervor. Es zeigen:
Fig. 1 vergrößert eine Ansicht zur Erläuterung eines
üblichen Verfahrens zum Ausrichten eines
Halbleiterchips, der mit einem Reparatursystem
repariert werden soll;
Fig. 2 eine teilweise vergrößerte Ansicht zur
Erläuterung von Ätzregionen des Halbleiterchips
nach Fig. 1;
Fig. 3A-3D und Fig. 4A-4D Ansichten zur Darstel
lung verschiedener praktischer Anwendungen von
Laser-Reparaturtargets nach der Erfindung,
wobei die Fig. 3A-3D X-Abtast-Grundtargets
zeigen und die Fig. 4A-4D Y-Abtast-Grundtar
gets;
Fig. 5A und 5B sind Ansichten zur Erläuterung anderer
praktischer Verwendungen eines Laser-Reparatur
targets nach der Erfindung, wobei Fig. 5A ein
Target vom Stangentyp zum Berechnen eines
Versatzes beim Ausrichten in X-Richtung zeigt,
während 5B ein Target vom Stangentyp zum
Berechnen eines Versatzes beim Ausrichten in
Y-Richtung zeigt;
Fig. 6 ist eine Ansicht eines Halbleiterchips nach der
Erfindung;
Fig. 7 sind Ansichten zur Erläuterung des Verfahrens
zum Ausrichten eines Halbleiterchips, der mit
einem Reparatursystem repariert werden soll,
und zwar in Übereinstimmung mit einer Aus
führungsform nach der Erfindung;
Fig. 8 ist eine Ansicht zur Erläuterung eines
Verfahrens zum Ausrichten eines Halbleiter
chips, der mit einem Reparatursystem repariert
werden soll, und zwar bei einer anderen
Ausführungsform nach der Erfindung.
In Fig. 3A-3D sind Grundtargets 10, 20 in Dreiecksform
gezeigt, die einen vorbestimmten Gradienten haben, um
gleichzeitig in X-Richtung und in Y-Richtung ausrichten zu
können, und zwar in Übereinstimmung mit der vorliegenden
Erfindung. Es wird bevorzugt, wenn die Grundtargets 10, 20
rechtwinklige Dreiecke sind. Abermals bevorzugt wird es, wenn
sie die Form von rechtwinkligen, gleichseitigen Dreiecken
haben.
Das bedeutet, daß das Grundtarget 10 zum Abtasten in X-
Richtung vier Grundtargetteile 11-14 hat, die als recht
eckige, gleichseitige Dreiecke geformt sind und die in
verschiedene Richtungen weisen, wie dies die Fig. 3A und 3D
zeigen. Das Grundtarget 10 zum Abtasten in X-Richtung weist
auch vier Ätzregionen 51-54 auf, die insgesamt als Pos. 50
bezeichnet sind, von denen jede ein erstes Teil aufweist, das
eine Breite (beispielsweise 40 µm) hat, die identisch mit der
Basislänge (beispielsweise 40 µm) des Grundtargets 10 ist,
weiterhin einen zweiten Teil mit einer Breite (beispielsweise
20 µm), die der Hälfte der Basislänge des Basistargets 10
entspricht, und einen dritten und vierten Teil, die jeweils
eine Breite (beispielsweise 5 µm) haben entsprechend einem
Achtel der Basislänge des Basistargets 10. Der erste Teil und
der zweite Teil sind an der linken bzw. rechten Seite des
Basistargets vorgesehen oder auch umgekehrt. Der zweite Teil
und der vierte Teil sind an der oberen bzw. unteren Seite des
Basistargets vorgesehen bzw. umgekehrt.
Andererseits weist das Basistarget 20 zum Abtasten in Y-
Richtung, das ein Fluchten entsprechend dem Abtasten in
Längsrichtung durchführt, vier Basistargetteile 21-24 auf,
die als rechteckige, gleichseitige Dreiecke geformt sind und
die in verschiedene Richtungen weisen, wie in den Fig. 4A-
4D gezeigt ist. Das Y-Abtast-Basistarget 20 hat ebenfalls vier
Ätzregionen 61 bis 64, die insgesamt als Pos. 60 bezeichnet
sind, und die jeweils einen ersten Teil mit einer Breite
(beispielsweise 40 µm) identisch der Basislänge (beispiels
weise 40 µm) des Basistargets 20 hat, einen zweiten Teil mit
einer Breite (beispielsweise 20 µm) entsprechend der Hälfte
der Basislänge des Basistargets 20 und einen dritten und
einen vierten Teil, die jeweils eine Breite (beispielsweise
5 µm) entsprechend einem Achtel der Basislänge des Basistar
gets 20 haben. Der erste Teil und der zweite Teil sind an der
oberen bzw. unteren Seite des Basistargets oder rechts oder
umgekehrt angeordnet. Der zweite Teil und der vierte Teil sind
links und rechts des Basistargets angeordnet oder umgekehrt.
Zum Theta-Ausrichten sind Targets 30, 40 vom Stangentyp
vorgesehen. Fig. 5A zeigt, daß das Target 30 vom Stangentyp
zum X-Ausrichten länglich geformt ist. Das heißt, es ist eine
vertikale Stange vorgesehen mit einer vorbestimmten Höhe
(beispielsweise 40 µm) und mit einer vorbestimmten Breite
(beispielsweise 10 µm). Ringsum das Target 30 ist eine
Ätzregion 70 geformt, die ein Paar erste Teile mit einer
vorbestimmten Breite hat (beispielsweise 45 µm) und die sich
links und rechts des Targets 30 erstrecken, und ein Paar
zweite Teile mit vorbestimmter Breite (beispielsweise 5 µm),
angeordnet oben und unten neben dem Target 30.
Fig. 5B zeigt, daß das Target 40 zum Ausrichten in Y-Richtung
als quer angeordnete Stange ausgebildet ist mit vorbestimmter
Höhe (beispielsweise 10 µm) und mit vorbestimmter Breite
(beispielsweise 40 µm). Ringsum das Target 40 ist eine
Ätzregion 80 ausgebildet, die ein Paar erster Teile mit
vorbestimmter Breite (beispielsweise 5 µm) hat, die sich links
und rechts des Targets 40 erstrecken, und ein Paar zweiter
Teile mit vorbestimmter Breite (beispielsweise 45 µm), die
sich oben und unten des Targets 40 befinden.
Die jeweiligen Abmessungen der Basistargets 11, 12, 13, 14,
21, 22, 23, 24 und der Stangentargets 30, 40 sowie der
Ätzgebiete 50 (51, 52, 53 und 54), 60 (61, 62, 63 und 64), 70
und 80 sind praktische Werte, wie sie üblicherweise beim
Laserreparieren verwendet werden. Diese Abmessungen können bei
Wunsch geändert werden.
Fig. 6 zeigt einen Halbleiterchip 90 mit Laser-Reparatur
targets nach der Erfindung. Fig. 6 zeigt, daß der Halbleiter
chip 60 eine Konstruktion hat, wobei Grundtargets 10, 20 und
Stangentargets 30, 40 nach Fig. 3-5 selektiv an den vier
Ecken A-D geformt sind. Der Halbleiterchip 90 sollte
wenigstens ein Grundtarget 10 oder 20 haben und wenigstens
ein Stangentarget 30, 40.
Wenn ein Grundtarget 10 zum Abtasten in X-Richtung vorgesehen
ist, d. h. eines der Targetteile 11-14, und zwar an einer
Ecke, dann wird es bevorzugt, wenn beim Halbleiterchip 90 an
der anderen Ecke des Chips das Stangentarget 30 nach Fig. 5A
vorgesehen ist. Hat andererseits das Halbleiterchip 90 ein
Grundtarget 20 zum Y-Abtasten (d. h. eines der Targeteile 21-
24) an einer Ecke, so wird es bevorzugt, wenn an der anderen
Ecke des Chips das Stangentarget 40 nach 5B vorgesehen ist.
In beiden Fällen kann der Halbleiterchip 90 an den verbleiben
den beiden Ecken beliebige Targettypen haben, die unter den
Targets 10, 20, 30, 40 ausgewählt sind.
Im folgenden wird das Ausrichten bei einer Ausführungsform der
Erfindung beschrieben, und zwar in Verbindung mit einem Fall,
wobei das Grundtarget 10 zum X-Abtasten nach Fig. 3A und das
Stangentarget 30 nach Fig. 5A ausgewählt werden.
In diesem Fall ist die Breite des Grundtargets
10=2×(Xrig-Xlef)/4, wobei vorausgesetzt wird, daß in der Y-
Koordinate Y 0 und in der X-Koordinate X 0 den Mittelpunkten
des Grundtargets 10 entsprechen und das gilt: (Ylef+Ybot)/2 und
Xlef+(Xrig+Xlef)/4.
Ein Versatz Xoffset in X-Richtung, der als X-Abtastung ausgeführt
wird in einer Richtung entsprechend dem Pfeil d unter dieser
Bedingung entspricht der Differenz zwischen Xlef (=Xbot) und
einer Targetkante Xedge beim praktischen Scannen. Der Versatz
Xoffset kann durch |Xlef-Xedge | ausgedrückt werden.
Andererseits entspricht ein Versatz Yoffset in Y-Richtung der
Differenz zwischen der Targetbreite und der Breite beim
praktischen Scannen. Dementsprechend ist es möglich, gleich
zeitig in X- und in Y-Richtung auszurichten.
Nach dem Ausrichten in X- und in Y-Richtung erfolgt das Theta-
Ausrichten, und zwar mit Hilfe des Grundtargets 10 und des
Stangentargets 30. Dieses Theta-Ausrichten erfolgt auf
herkömmliche Art und Weise.
Das bedeutet, daß das Theta-Ausrichten dadurch erfolgt, daß
der Wert von Theta dadurch berechnet wird, daß der Versatz Xofft
in X-Richtung verwendet wird, der vom X-Ausrichten des
Stangentargets 30 erhalten wird, ferner der Versatz in X-
Richtung Xoffy, der vom X-Ausrichten des Grundtargets 10
erhalten wird, sowie die Differenz Ygap (absoluter Wert)
zwischen dem Basistarget 10 und dem Stangentarget 30, und zwar
wie folgt:
Theta = (Xofft + Xoffy)/Ygap [Mikro Radian].
Andererseits wird im folgenden ein Ausrichten in bezug auf
einen optischen Winkel R des Grundtargets 10 in Verbindung mit
Fig. 8 beschrieben.
Fig. 8 zeigt das Verfahren zum Berechnen des Versatzes Xoffset
in X-Richtung, wobei der Winkel R ein optionaler Winkel
abweichend von 45° ist. Dies ist derselbe Winkel wie bei der
vorstehend erläuterten Ausführungsform der Erfindung.
Andererseits kann der Versatz Yoffset in Y-Richtung wie folgt
berechnet werden:
Unter der Annahme, daß die Pfeilrichtung e in Fig. 8 eine
ideale X-Abtastrichtung ist und die Pfeilrichtung f in Fig.
8 eine aktuelle X-Abtastrichtung ist, gilt die folgende
Gleichung:
tan R = (Xrig - Xlef)/(Ylef - Ybot) = Breite (h)offset/Yoffset .
Durch diese Gleichung kann also der Versatz Yoffset berechnet
werden, wobei Yoffset=Breite (h)offset/tan R ist. Dadurch kann
also das Ausrichten in Y-Richtung erfolgen.
Wie vorstehend erläutert kann ein gleichzeitiges Ausrichten
in X-Richtung und in Y-Richtung dadurch erfolgen, daß das X-
Abtasten oder das Y-Abtasten verwendet wird, welches durch
Verwendung dreieckiger Targets und Stangentargets in Überein
stimmung mit der Erfindung durchgeführt wird. Zum Ausrichten
in X-Richtung und zum Ausrichten in Y-Richtung erfordert der
Stand der Technik ein Abtasten sowohl in X- wie auch in Y-
Richtung, wobei Ätzregionen ringsum Targets zum X-Abtasten und
zum Y-Abtasten notwendig sind, und zwar beim X-Abtasten und
beim Y-Abtasten. Beim Stand der Technik werden im wesent
lichen vier Ätzregionen benötigt, die links oben, rechts oben,
links unten und rechts unten an den vier Ecken jedes Targets
vorgesehen sind. Bei der Erfindung aber verringert sich die
Fläche der Ätzregion um 50%, verglichen mit dem Stand der
Technik, und zwar bei Verwendung von Grundtargets, weil das
X-Ausrichten und das Y-Ausrichten gleichzeitig erfolgen, wozu
lediglich ein X-Abtasten oder ein Y-Abtasten notwendig sind.
Bei der Verwendung von Stangentargets zum Theta-Ausrichten
kann die Ätzregion etwa auf 55% verringert werden.
Aus der vorstehenden Beschreibung geht hervor, daß erfin
dungsgemäß ein Verfahren zum Ausrichten eines Halbleiterchips
vorgeschlagen wird, wobei Grundtargets verwendet werden, die
als rechtwinklige Dreiecke geformt sind, sowie Stangentargets,
wodurch das X-Ausrichten und das Y-Ausrichten gleichzeitig
erfolgen. Dadurch ist es möglich, die für das Ausrichten des
zum reparierenden Halbleiterchips notwendige Zeit zu ver
ringern, wodurch die Produktivität von Halbleiterchips erhöht
wird und wodurch das Gesamtgebiet jedes Halbleiterchips
verringert wird. Weil das Ätzgebiet auf 50% bei Grundtargets
und auf 55% bei Stangentargets verringert werden kann, ist
es möglich, kompaktere Halbleiterchips vorzusehen.
Vorstehend wurden bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung
erläutert. Der Fachmann weiß aber, daß man davon in zahl
reicher Art und Weise abweichen kann, und zwar durch Abän
derungen, Zufügungen und Substitutionen, ohne daß man dabei
vom Erfindungsgedanken abweicht.
Claims (9)
1. Verfahren zum Ausrichten eines Halbleiterchips, der mit
Hilfe eines Reparatursystems repariert werden soll,
dadurch gekennzeichnet,
daß ein Grundtarget abgetastet wird, um Verschiebungen
in der X-Richtung und in der Y-Richtung zu berechnen, und
daß das Ausrichten in X-Richtung und in Y-Richtung
gleichzeitig erfolgt.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß beim Abtasten des Grundtargets in X-Richtung
abgetastet wird, um das Grundtarget in Querrichtung
abzutasten.
3. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß beim Abtasten des Grundtargets in X-Richtung
abgetastet wird, um das Grundtarget in Längsrichtung
abzutasten.
4. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Versätze in X-Richtung und in Y-Richtung auf der
Basis jeweiliger Unterschiede in den X- und Y-Koordinaten
zwischen dem Mittelpunkt X- und Y-Koordinaten und den X-
und Y-Koordinaten beim momentanen Abtasten berechnet
werden.
5. Laser-Reparaturtarget zur Laserreparatur eines Halb
leiterchips,
dadurch gekennzeichnet,
daß wenigstens ein Grundtarget vorgesehen ist, das zum
Fokussieren, zum Ausrichten in X-Richtung und zum
Ausrichten in Y-Richtung geeignet ist und das an einer
ausgewählten Ecke des Halbleiterchips angeordnet ist,
und daß wenigstens ein stangenförmiges Target vorgesehen
ist, das zum Ausrichten des Winkels (Theta) geeignet ist
und das an einer ausgewählten Ecke des Halbleiterchips
angeordnet ist.
6. Laser-Reparaturtarget nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Grundtarget ein X-Abtast-Grundtarget zum Abtasten
des Halbleiterchips in Querrichtung aufweist oder ein Y-
Abtast-Grundtarget zum Abtasten des Halbleiterchips in
Längsrichtung.
7. Laser-Reparaturtarget nach Anspruch 6,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Grundtargets als rechtwinklige, gleichseitige
Dreiecke geformt sind.
8. Laser-Reparaturtarget nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß das stangenförmige Target ein X-Abtast-Stangentarget
zum Abtasten des Halbleiterchips in Querrichtung aufweist
oder ein Y-Abtast-Stangentyp-Target zum Abtasten des
Halbleiterchips in Längsrichtung.
9. Laser-Reparaturtarget nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Laser-Reparaturtarget wenigstens ein X-Abtast-
Grundtarget oder ein Y-Abtast-Grundtarget sowie
wenigstens ein X-Abtast-Stangentarget oder ein Y-Abtast-
Stangentarget aufweist.
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