DE418225C - Verfahren zur Herstellung von Kristalldetektoren - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von KristalldetektorenInfo
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Description
- Verfahren zur Herstellung von Kristalldetektoren. Es ist bekannt, die Kristalle in ihrem Halter, welcher die FoTm einer Pfanne oder eines Näpfchens hat, durch Einbetten in eine 1,eichtfl"ige Metallmasse zu befestigen. Die vorliegende Erfindung besteht in der Neuerung, die Herstellung der Pfanne und die Einbettung des Kristalles in der Pfanne durch Spritzguß üi einem Arbeitsgang zu bewirken.
- Die Pfanne oder das Näpfchen kann mit Bef estigungsvoxxichtungen irgendwelcher Art versehen sein, dieebenfalls durch diesen einen Axbeitsvoxgang hergestellt werden.
- In der Abb. i und 2 ist beispielsweise eine Pfanne b dargestellt, welch#eden Kristall a umschließt. An dein Stiele befindet sich ein Gewinde c, mit welchem die Pfanne auf -einem Träger durch Verschraubung befestigt wird.
- Da die Kristalle eine nicht ebene Oberfläche besitzen, so sind Mittel vorzusehen, welche verhindern, -daß das Metall die Oberfläche des Kristalls teilweise verdeckt.
- Solche Nktel bestehen z. B. daxin, daß man, den Kristall mit einer Art Kittmasse be. deckt oder daß man den Kristall an eine nachgiebige Unterlage, wie z. B. ein Asbestkissen, andrilekt. Die Wirkung kann noch gesteigert werden, we#nn man das Kissen mit einer verdampfbaren Flüssigkeit, wie z. B. Wasser oder Spiritus, tränkt, weil beim Einspritzen des Metalls der sich bildende Dampfdruck das. Eindringen des Metalls auch in feine Zwischeniäume wirksam verhindert.
Claims (2)
- PATEN9#-ANSPP,ÜCIIE: i. Verfahren zur Herstellung von Kristalldetektoren, für drahtlose, Telephonie, dadurch gekennzeichnet, daß sowohl die Herstellung der Pfanne als auch die Einbettung des Kristalles in der Pfanne durch Spritzguß in einem Arbeitsgang erfolgt.
- 2. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche des KristaRes während der Spritzdauer mit einer Kittmasse bedeckt ist. 3. Verfahren nach Ansprach i und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche des Kristalles während der Spritzdauex Men ein nachgiebiges Kissen gedrückt wird. 4. Verfahren nach Anspruch 3, da-durch gekennzeichnet, daß das Kissen mit einer verldampfbaren Flüssigkeit getränkt ist.
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| DEI25451D DE418225C (de) | Verfahren zur Herstellung von Kristalldetektoren |
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| DE418225C true DE418225C (de) | 1925-09-04 |
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| DEI25451D Expired DE418225C (de) | Verfahren zur Herstellung von Kristalldetektoren |
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