DE4136297A1 - Vorrichtung zur lokalen erzeugung eines plasmas in einer behandlungskammer mittels mikrowellenanregung - Google Patents
Vorrichtung zur lokalen erzeugung eines plasmas in einer behandlungskammer mittels mikrowellenanregungInfo
- Publication number
- DE4136297A1 DE4136297A1 DE19914136297 DE4136297A DE4136297A1 DE 4136297 A1 DE4136297 A1 DE 4136297A1 DE 19914136297 DE19914136297 DE 19914136297 DE 4136297 A DE4136297 A DE 4136297A DE 4136297 A1 DE4136297 A1 DE 4136297A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- waveguide
- guide
- microwave
- inner conductor
- flange
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
- H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
- H01J37/3222—Antennas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur lokalen Erzeu
gung eines Plasmas in einer Behandlungskammer mittels Mikrowellenanre
gung, die durch einen in eine Wand einbaubaren Flansch oder die Wand
selbst in einen äußeren und einen inneren Teil unterteilt ist, wobei
am äußeren Teil eine Mikrowellen-Erzeugungseinrichtung angeordnet ist,
deren Mikrowellen über eine Mikrowellen-Einkoppeleinrichtung zum in
neren Teil hingeführt werden.
Solche Vorrichtungen sind beispielsweise aus der DE-Al-37 05 666, der
DE-Al-35 21 318 oder der EP-Al-03 76 l41 bekannt.
Die DE-Al-37 05 666 beschreibt eine Einrichtung zur Erzeugung eines
Plasmas und zur Behandlung von Substraten mit einer Kammer aus metal
lischen Wänden; in diese Kammer werden Mikrowellen eingekoppelt und an
den metallischen Wänden reflektiert. Mittels Dauermagneten, die in der
Nähe des zu beschichtenden Substrats angeordnet sind, wird innerhalb
der Kammer bei geeignetem Druck eine Elektronen-Zyklotron-Reso
nanz (EZR) erzeugt, die eine örtlich definierte Konzentration des
Plasmas gestattet. Die Mikrowellen werden von einem Mikrowellensender
außerhalb der Kammer ausgehend, über einen Mikrowellenleiter und einen
Hornstrahler über ein Mikrowellenfenster aus Quarzglas in die Kammer
eingestrahlt. Durch die Wahl eines niedrigen Gasdruckes und eines
relativ großen Mikrowellenfensters soll ein spontanes Zünden im
Fensterbereich vermieden werden. Diese Anordnung ist damit auf einen
niedrigen Druckbereich festgelegt.
Die DE-Al-35 21 318 beschreibt ein Verfahren und eine Vorrichtung zum
Behandeln, insbesondere zum Beschichten, von Substraten mittels Plas
maentladung. Um das Plasma möglichst nahe an das Substrat heranzu
führen, ist eine Elektrode für die Erzeugung eines Plasmas oberhalb
des Substrates angeordnet.
Die EP-Al-03 76 141 gibt ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Kunst
stoffbeschichtung von Stangenprofilen an. Nach dieser Vorrichtung wer
den die Stangenprofile kontinuierlich durch einen Reaktor (Kammer)
geführt, wobei ein Monomer mit Hilfe eines durch Mikrowellen erzeugten
Plasmas auf dem Stangenprofil polymerisiert wird. Die außerhalb des
Reaktors mit einem Magnetron erzeugten Mikrowellen werden über einen
Hohlleiter einem Hornstrahler zugeführt, an dessen Ende sich ein
Quarzfenster zur Einspeisung der Mikrowellen in den Reaktor befindet.
Mit Hilfe von stationären Magneten wird das Plasma gürtelförmig einge
schnürt und das Stangenprofil durch dieses Plasma hindurchgeführt.
Schließlich ist aus der US-PS 44 33 228 eine Plasmavorrichtung be
kannt, mit der ein Plasma-Ätzverfahren durchgeführt wird. Das Plasma
wird durch Mikrowellen erzeugt, die, ausgehend von einem Mikrowellenge
nerator, über einen Wellenleiter in eine Vakuum-Behandlungskammer ein
gekoppelt werden, wobei die Behandlungskammer gegen den Wellenleiter
über ein Fenster aus Aluminiumoxid oder Quarzglas abgedichtet ist.
Es hat sich gezeigt, daß das Einkoppeln von Plasma mittels Mikrowellen
über einen Hornstrahler und ein Quarzglasfenster bei höherem Druck zu
erheblichen Schwierigkeiten führt, da infolge der Zündung des Plasmas
am Fenster sich dieses auf der Innenseite der Kammer beschlägt. Das
entstehende Plasma schirmt die Mikrowelle ab und verhindert ein tiefes
Eindringen der Mikrowellen in die Kammer. Damit ist es nicht möglich,
die Mikrowellen bei höheren Drücken gezielt in Bereiche der Kammer zu
führen, in denen mit dem Plasma, beispielsweise zum Beschichten von
Gegenständen, gearbeitet werden soll.
Solche Mikrowellen-Einkoppel-Fenster haben weiterhin den Nachteil,
insbesondere in Druckbereichen von 10 mbar bis 10 (exp - 2) mbar, daß
die eingekoppelten Mikrowellen im Bereich des Fensters besonders in
tensiv sind, da die Feldstärke in diesem Bereich am größten ist. Bei
großen Rezipienten ergibt sich damit keine homogene Plasma-Verteilung.
Zusätzlich kann eine Erhitzung des Fensters und ein Absputtern der
Fensteroberfläche auftreten. Durch das Zünden von Plasmen im Fenster
bereich wird zusätzlich die Einkopplung von Mikrowellen abgeschirmt,
da sich das Plasma ab einer bestimmten Ladungsträgerdichte wie eine
leitende Wand, die für Mikrowellen undurchlässig ist, verhält.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vor
richtung zur lokalen Erzeugung eines Plasmas in einer Behandlungskam
mer mittels Mikrowellen anzugeben, bei der die Mikrowellen gezielt an
beliebigen Stellen der Behandlungskammer eingekoppelt werden können,
mit der das Plasma gegebenenfalls an gewünschten Stellen im Reaktor
erzeugt werden kann, und die ein Mikrowellen-Einkoppel-Fenster nicht
erfordert.
Gelöst wird die Aufgabe bei einer Vorrichtung der eingangs beschriebe
nen Art dadurch, daß die Mikrowellen-Einkoppeleinrichtung einen durch
den Flansch hindurchführenden äußeren Führungshohlleiter aus isolier
endem Material aufweist, in dem ein Innenleiter aus Metall verläuft,
wobei die Mikrowellen von der Mikrowellen-Erzeugungseinrichtung in den
Innenleiter eingekoppelt werden. Durch die erfindungsgemäße Anord
nung erfolgt die Einkoppelung der Mikrowellen über einen
Führungshohlleiter, bevorzugt ein Rohr aus einem dielektrischen
Material, wie Glas, in dessen Innenbereich sich ein metallischer Lei
ter befindet. Die Ausbreitung der Mikrowelle erfolgt als koaxialer
Wellentyp vorzugsweise im Zwischenraum zwischen dem Innenleiter und
dem erzeugten Plasma. Die Mikrowellen breiten sich in diesem Führungs
hohlleiter analog den Gesetzen im koaxialen Wellenleiter weiter aus,
wobei das umgebende Plasma die Funktion des Außenleiters übernimmt.
Die Konzentration des Plasmas entlang der Mantelfläche des Führungs
hohlleiters kann durch geeignete Formgebung (Taperung) des Führungs
hohlleiters, des Innenleiters und eventueller Abschirmungen beeinflußt
werden. Durch Abschirmung des Führungshohlleiters an definierten Be
reichen, kann die auf der Oberfläche des Rohres entstehende Plasmazone
auf gewünschte Bereiche konzentriert werden. In einem solchen Fall
übernimmt dann der äußere, aus Metall bestehende Mantel die Funktion
des Außenleiters und verhindert in dieser Zone das Austreten von
Mikrowelle in die evakuierten Bereiche der Behandlungskammer, wo an
sonsten ein Plasma erzeugt werden würde. Ferner kann die Mikrowel
len-Einkoppeleinrichtung so gestaltet werden, daß der metallische
Außenleiter bzw. die Abschirmungen im Innern des Führungshohlleiters
angebracht werden und der Innenleiter, gestützt oder freitragend, kon
zentrisch oder exzentrisch innerhalb des Außenleiters bzw. der Ab
schirmungen verläuft. Ein zusätzliches Einkoppelfenster in der Wand
der Kammer oder des Rezipienten, um die Mikrowellen von der Mikrowel
len-Erzeugungseinrichtung in die Behandlungskammer einzukoppeln, das
beschlagen könnte, ist nicht erforderlich.
Die gesamte Vorrichtung ist an einem Flansch montiert, vorzugsweise
ein Norm-Flansch, so daß sie in eine entsprechende Aufnahme einer Be
handlungskammer eingesetzt werden kann. Alle Bauteile, die die Mikro
wellen-Erzeugungseinrichtung betreffen, sind an der Außenseite des
Flansches und damit an der Außenseite der Behandlungskammer gut zu
gänglich angeordnet und können dort ausgetauscht oder gewartet werden.
Die Versorgung, beispielsweise die Stromversorgung oder die
Steuer- und Regeleinrichtungen, kann separat untergebracht werden. Mit
dieser Anordnung wird die Möglichkeit gegeben, die Vorrichtung als
leicht auswechselbares Modul an jeder beliebigen Stelle des Rezipien
ten anzuflanschen. Weiterhin können zur Erzeugung von Plasmafeldern
mehrere solcher Vorrichtungen nebeneinander in einem Rezipienten ange
ordnet werden, um beispielsweise flächige Teile zu behandeln. Die Mon
tierung der Anordnung an einem Flansch kann entfallen, falls die An
ordnung direkt in die Wand eines Rezipienten eingebaut wird. Diese
Vorrichtung kann auch als variabl einsetzbares Modul aufgebaut sein.
Um die Anordnung ausreichend zu kühlen, kann ein Ringraum zwischen dem
Innenleiter und dem Außenleiter (Führungshohlleiter) gebildet werden,
der sich unter Atmosphärendruck befindet, in den Kühlgas oder Kühl
flüssigkeit eingeleitet wird. In diesen Ring können auch zusätzliche
Meßelemente zur Temperaturüberwachung eingesetzt werden.
Um ein gleichmäßiges Plasmafeld um den Führungshohlleiter herum zu
erhalten, wird in einer vorteilhaften Ausbildung ein im Querschnitt
kreisförmiger Führungshohlleiter eingesetzt, der dann vorzugsweise
koaxial zu dem Innenleiter angeordnet wird.
Bevorzugt wird in dem Führungshohlleiter ein Druck aufrechterhalten,
der gegenüber dem Druck in der Behandlungskammer unterschiedlich ist,
wobei in der Behandlungskammer ein Niederdruck eingestellt wird. Hier
durch ergibt sich der Vorteil, daß die Plasmaerzeugung gezielt im
Außenbereich des Führungsrohres erfolgt.
Falls es erforderlich ist, das Plasma nicht über die gesamte Länge des
Führungshohlleiters zu bilden, können bestimmte Bereiche des Führungs
hohlleiters abgeschirmt werden, so daß an diesen Stellen die Bildung
des Plasmas verhindert wird. Diese Abschirmung kann in Form von einer
oder mehreren Metallhülsen erfolgen, die wahlweise auf der Außenseite
oder Innenseite des Führungshohlleiters aufgesteckt bzw. eingeschoben
werden; es ist aber auch möglich, diese Abschirmung durch eine Me
tallisierung zu erreichen.
Eine solche Abschirmung wird bevorzugt als fester Bestandteil im Be
reich des Flansches auf der Reaktor-Innenseite angrenzend, aufge
bracht, da in diesem Bereich des Rezipienten üblicherweise die Bildung
des Plasmas verhindert werden soll. Diese Metallummantelung dient dann
in diesem Bereich als Mikrowellenführung.
Der Innenleiter kann Hohlräume aufweisen oder als Hohlrohr ausgebildet
sein. In solchen Hohlräumen können Permanent-Magnete eingesetzt wer
den, um auch bei niedrigen Drücken im Außenbereich ein Plasma über die
Elektronen-Zyklotron-Resonanz zu zünden. Die Magnetfelder führen
außerdem zu einem verbesserten Einschluß des Plasmas (Konzentrations
effekt). Besonders gut eignen sich kleine Stabmagnete, deren Pole, in
Richtung des Führungshohlleiters oder aber auch senkrecht dazu ange
ordnet werden.
Bevorzugt wird als äußeres Führungsrohr ein Glasrohr eingesetzt, das
sich beispielsweise durch seine hohe Temperaturbeständigkeit und Sput
terfestigkeit auszeichnet. Auch dielektrische Materialien wie Teflon,
Keramik, Glas und spezielle Kunststoffe, die einen geringen Mikrowel
lenverlustfaktor aufweisen, sind geeignet.
Sowohl der Durchmesser des Innenleiters als auch der Durchmesser des
Außenleiters bzw. Führungshohlleiters können in deren Längsrichtung
verändert werden, um dadurch die Plasmadichten entlang des Außenlei
ters zu beeinflussen. Durch die Wahl der Durchmesser des Innenleiters
und des Außenleiters kann festgelegt werden, ob die Ausbreitung der
Mikrowelle vorzugsweise als Leitungswelle (Außenleiterdurchmes
ser 60 mm) oder in Form höherer koaxialer Moden (Außenleiterdurch
messer < 60 mm) erfolgt. Bei geeigneter Wahl der Außenleiter-Durchmes
ser kann auf den Innenleiter auch ganz oder teilweise verzichtet wer
den. Ferner kann der Innenleiter aus dielektrischem Material bestehen
und auch nichtzylindrische Querschnitte besitzen.
Falls der Innenleiter kürzer als der Führungshohlleiter ausgebildet
wird, ergibt sich der Vorteil, daß in der äußeren Zone des Führungs
hohlleiters, der kein Innenleiter zugeordnet ist, eine diffuse, in
Richtung der Längsachse abnehmende Plasmazone erzeugt werden kann.
In einer einfachen Ausführungsform wird der äußere Führungshohlleiter
an seinem einen Ende über ein flanschartiges Führungselement in dem
einbaubaren Flansch gehalten, so daß er in einfacher Weise austausch
bar ist. An diesen Innenflansch kann gleichzeitig an der Außenseite
des Haupt-Flansches, der in den Rezipienten eingebaut wird, die Mikro
wellen-Erzeugungseinrichtung angebaut werden. Dieses als Zwischen
flansch dienende Führungselement kann vakuumdicht an dem Haupt-Flansch
angeschweißt werden, so daß keine zusätzliche Abdichtung erforderlich
ist.
Als Mikrowellen-Erzeugungseinrichtung hat sich ein Magnetron bewährt,
von dem ausgehend die Mikrowellen über einen Hohlleiter und ein
geeignetes Übertragungsteil in das koaxiale Leitungssystem eingekop
pelt werden. Bei Verwendung einer Mikrowellen-Einkoppeleinrichtung mit
koaxialem Ausgang kann dieser auch direkt koaxial an das koaxiale Lei
tungssystem angeschlossen werden, so daß die Achse des Hohlleiters mit
der Achse der Mikrowellen-Einkoppeleinrichtung zusammenfällt. Da die
Mikrowellenleistung mit der beschriebenen Anordnung nahezu vollständig
in das Plasma eingekoppelt werden kann, kann auf den Einbau zusätz
licher Bauelemente, wie z. B. einer Richtungsleitung, verzichtet werden.
In einem einfachen konstruktiven Aufbau wird als Mikrowellen-Führungs
teil ein Kegel aus Metall oder ein Kegel mit einer metallisierten Ke
gelfläche verwendet, der, je nach der Schräge der Kegelfläche, die
Mikrowellen um bis zu 90° umlenkt; in Verbindung mit einem solchen
Kegel als Mikrowellen-Führungsteil wird in einer bevorzugten Aus
führungsform der Innenleiter durch den Flansch zur Außenseite hin ver
längert hindurchgeführt und der Kegel auf den Innenleiter aufgesteckt.
Ein solcher Kegel bzw. ein solches Mikrowellen-Führungsteil kann in
dem Hohlleiter direkt untergebracht werden.
Bei Anwendung der Vorrichtung in Druckbereichen < 0,1 mbar können
durch zusätzliche äußere Magnete Plasmen unter Ausnutzen der
ECR-Effekts gezündet werden. Diese Magnete werden bevorzugt derart
angebracht, daß sie den Führungshohlleiter, vorzugsweise aus Glas,
ganz oder teilweise umschließen und einen oder mehrere über die Länge
des Führungshohlleiters verlaufende Spalt freilassen, im Bereich des
sen das Plasma gebildet wird. Die Anordnung kann auch so gewählt wer
den, daß in einem metallischen Rohr eine oder mehrere über die Länge
des Führungshohlleiters verlaufende Spalte ausgeführt sind, in deren
Bereich das Plasma gebildet wird. Um das Plasma den Bedingungen in
der Behandlungskammer anpassen zu können, kann die Breite des Spaltes
entlang des Führungshohlleiters variieren. Falls der Spalt derart
ausgebildet ist, daß er vom Flansch aus gesehen zunimmt, können
Verluste in der Stärke entlang des Führungshohlleiters ausgeglichen
werden.
Um großflächige Plasmafelder zu erzeugen, werden mehrere Führungshohl
leiter in die Behandlungskammer eingesetzt, die jeweils mit einer
Mikrowellen-Erzeugungseinrichtung in Verbindung stehen; Um die Anord
nung zu vereinfachen, werden diese Führungshohlleiter bevorzugt von
einer Mikrowellen-Erzeugungseinrichtung versorgt.
Mehrere lineare Führungshohlleiter können parallel zueinander angeord
net und durch entsprechende Magnete umgeben werden, so daß ein gleich
mäßiges Plasma hoher Dichte erhalten wird.
Weiterhin kann ein Schutzrohr vorgesehen sein, das auf der Außenseite
des Führungsrohres aufgesteckt ist. Ein solches Schutzrohr kann
beispielsweise aus Quarzglas gebildet sein, das verhindert, daß sich
Niederschläge direkt auf dem Führungshohlleiter abscheiden. Sollte
ein solches Schutzrohr stark verschmutzt sein, so daß Mikrowelle
absorbiert wird, wird es gegen ein neues Schutzrohr ausgetauscht, so
daß die Anlage wieder ihren ursprünglichen Wirkungsgrad erhält.
Weitere Einzelheiten und Merkmale der Erfindung ergeben sich aus der
nachfolgenden Beschreibung eines Ausführungsbeispiels anhand der
Zeichnung. In der Zeichnung zeigt
Fig. 1 eine Vorrichtung zur lokalen Erzeugung eines Plasmas in einer
Behandlungskammer gemäß der vorliegenden Erfindung,
Fig. 2 die Vorrichtung nach Fig. 1 mit einem zusätzlichen Schutz
rohr,
Fig. 3 die Vorrichtung nach Fig. 1 mit einem verkürzt ausgebildeten
Innenleiter, wobei außerdem gegenüber der Ausführungsform
nach Fig. 1 die Durchführung durch den Flansch vereinfacht
ist,
Fig. 4 die Vorrichtung nach Fig. 1, die auf ihrer der Einbauseite
gegenüberliegenden Seite aus der gegenüberliegenden Seiten
wand der Behandlungskammer herausgeführt ist,
Fig. 5 schematisch die Vorrichtung nach Fig. 1 mit einem konisch
zum Ende hin zulaufenden Innenleiter,
Fig. 6 schematisch die Vorrichtung nach Fig. 1 mit einem konisch
zum Ende hin zulaufenden Führungshohlleiter,
Fig. 7 schematisch die Vorrichtung nach Fig. 1, die in ihrer Mitte
zur Achse einen seitlichen Versatz aufweist,
Fig. 8 die Vorrichtung nach Fig. 1 im Bereich der Durchführung
durch die Wand der Behandlungskammer, wobei gegenüber der
Ausfürungsform nach Fig. 1 im Bereich der Durchführung eine
Innenabschirmung eingesetzt ist,
Fig. 9 einen Führungshohlleiter, bei dem auf der Außenseite teil
weise eine Abschirmung aufgesetzt ist,
Fig. 10 einen Führungshohlleiter, der in Längsrichtung teilweise von
einer Abschirmung umgeben ist, wobei in diese Abschirmung
stabförmige Magnete eingesetzt sind,
Fig. 11 die Vorrichtung nach Fig. 10, wobei die Feldlinien zwischen
den Magneten angedeutet sind,
Fig. 12 eine Behandlungskammer, in der drei Vorrichtungen zur lokalen
Erzeugung eines Plasmas übereinander eingesetzt sind, und
Fig. 13 eine Ansicht der Anordnung nach Fig. 12 aus Richtung des
Sichtpfeiles XII in Fig. 12.
Die Vorrichtung, wie sie in Fig. 1 dargestellt ist, besitzt einen
Führungshohlleiter 2 aus Quarzglas, der koaxial und mit Abstand zu
einem Innenleiter 3 aus Metall verläuft derart, daß zwischen dem
Führungshohlleiter 2 und dem Innenleiter 3 ein Ringraum 4 verbleibt.
Der Führungshohlleiter 2 wird im Bereich des Flansches 1 von einer
Metallummantelung 5 umgeben, die sich beidseitig des Flansches 1
erstreckt. Diese Metallummantelung 5 dient als Wellenleiter für die
Mikrowellen, die verhindert, daß im Bereich des Flansches 1 bereits
ein Plasma gezündet wird. Auf der Außenseite des Flansches 1 ist der
Führungshohlleiter 2 gegen die Metallummantelung 5 über eine
0-Ring-Dichtung 6 abgedichtet, die gegen einen an dem Ende des
Führungshohlleiters 2 angesetzten, über den Außenumfang vorstehenden
Kragen 7 einerseits und gegen die Stirnseite der Metallummantelung 5
andererseits anliegt. Ein flanschartiges Führungselement 8, das durch
eine Schweißnaht 9 vakuumdicht an der Außenseite des Flansches 1 be
festigt ist, dient zur Aufnahme eines Hohlleiters 10, an dessen einem
Ende sich eine Mikrowellen-Erzeugungseinrichtung 11 anschließt, die in
Fig. 1 zusammen mit einer Energieversorgung 11′ schematisch darge
stellt ist. Zwischen diesem flanschartigen Führungselement 8 und einem
weiteren kleinen Flansch 10 ist eine weitere 0-Ring-Dichtung 13 einge
setzt. Das flanschartige Führungselement 8 und der Flansch 12 des
Hohlleiters 10 werden über einen Klemmring 14 gegeneinander verspannt.
Der Hohlleiter 10, bevorzugt aus Glas, ist an dem einen Ende des
Flansches 12 über ein Einschraubstück 15 befestigt, wobei zwischen
diesem Einschraubstück 15 und dem Flansch 12 eine nicht näher darge
stellte Dichtung eingefügt ist. Durch diesen Aufbau ist ein einfacher
Wechsel des Hohlleiters 10 möglich; weiterhin kann der Führungshohl
leiter 2 aus dem Flansch 1 in einfacher Weise entnommen werden. Der
Flansch 1 seinerseits dient dazu, die gesamte Vorrichtung in die
Wand 24 einer Behandlungskammer 25 einzusetzen, wie dies in Fig. 13
anhand von drei solcher Vorrichtungen gezeigt ist. Es ist ersichtlich,
daß anstelle des Flansches 1 die jeweiligen Vorrichtungen direkt in
der Wand 24 der Behandlungskammer 25 eingesetzt werden können, wobei
dann der in der Zeichnung dargestellte Flansch 1 die Wand 24 der Be
handlungskammer 25 darstellt.
Wie weiterhin in Fig. 1 zu sehen ist, ist der Innenleiter 3 über das
Ende des Führungshohlleiters 2 hinaus verlängert und reicht durch den
Hohlleiter 10 hindurch, wobei die Achse 16 des Führungshohlleiters 2
bzw. des Innenleiters 3 unter einem Winkel von 90° Grad zu der
Achse 17 des Hohlleiters 10 verläuft. Auf das Ende des über den
Führungshohlleiter 2 vorstehenden Endes des Innenleiters 3 ist ein
kegelförmiges Teil 18 aufgesetzt derart, daß die Spitze des Kegels 18
zu dem Flansch 1 hin gerichtet ist. Das kegelförmige Teil 18 bzw. der
Kegel ist innerhalb des Hohlleiters 10 angeordnet und liegt an der
Innenseite der Wand 19 des Hohlleiters 10 an. Der Kegel 18 ist mittels
einer an der Außenseite des Hohlleiters 10 anliegenden Gegenplatte 20
über Zylinderschrauben 21 verschraubt. Der Kegel 18 weist eine Schräge
seines Kegelmantels 22 aus, die unter einem Winkel von 45° zu der
Achse 16 des Führungshohlleiters 2 bzw. des Innenleiters 3 geneigt
verläuft. Die Mikrowellen werden, von der Mikrowellen-Erzeugungsein
richtung 11 ausgehend, in dem Hohlleiter 10 geführt und durch den
schrägen Kegelmantel 22 in den Ringraum 4 zwischen dem Führungshohl
leiter 2 und dem Innenleiter 3 eingekoppelt.
Der Innenleiter 3 ist hohl ausgebildet und reicht über die Gegenplat
te 20 hinaus. Über das Innere des Innenleiters 3 kann ein Fluid zur
Kühlung zugeführt werden; weiterhin können in diesen Hohlraum Meßele
mente, beispielsweise ein Thermoelement zur Temperaturmessung, einge
steckt werden.
Falls in der Behandlungskammer 25 ein Niederdruckplasma erzeugt wird,
d. h. in der Behandlungskammer ein Druck zwischen 0,1 und 10 mbar
herrscht, wird bevorzugt innerhalb des Führungshohlleiters 2 ein dazu
unterschiedlicher Druck erzeugt, beispielsweise Atmosphärendruck,
wodurch Plasma lediglich im Außenraum des Führungsrohres brennt.
Der Führungshohlleiter 2 besteht aus einem dielektrischen Material,
bevorzugt Glas; für bestimmte Anwendungsfälle kann aber auch ein
Keramikmaterial geeignet sein. In jedem Fall muß das Material des
Führungshohlleiters 2 vakuumdicht sein.
Die Verwendung einer Mikrowellen-Erzeugungsvorrichtung 11, die Mikro
wellen im GHz-Bereich erzeugt, hat den Vorteil gegenüber elektromagne
tischen Wellen im MHz-Bereich, daß höhere Plasmadichten, die etwa um
den Faktor 10 höher liegen, erzielbar sind.
Besonders vorteilhaft sind Mikrowellensender, die Mikrowellen mit
einer Frequenz von 2,45 GHz abgeben, da solche Mikrowellensender be
reits in Haushaltsherden in großer Anzahl Einsatz finden. Der einge
setzte Mikrowellensender sollte im Bereich von 300 W bis 6 KW Leistung
arbeiten.
Um zu verhindern, daß die Außenseite des Führungshohlleiters 2 durch
Niederschläge verschmutzt wird, wird auf den Führungshohlleiter 2 ein
Schutzrohr 26 aufgesteckt, wie dies in Fig. 2 dargestellt ist, das den
gesamten Führungshohlleiter 2 von seinem Ende bis zu der Metallumman
telung 5 einhüllt. Als Material für das Schutzrohr 26 eignet sich
Glas. Sollte das (Glas-)Schutzrohr 26 zu stark durch Niederschläge
belegt sein, so daß eine gleichmäßige Plasmabildung nicht mehr gewähr
leistet ist, wird das beschlagene Schutzrohr 26 durch ein neues
Schutzrohr 26 ausgetauscht. Es wird erreicht, daß der Führungshohllei
ter 2 selbst nicht gewechselt werden muß.
Fig. 3 zeigt eine vereinfachte Durchführung und Halterung des
Führungshohlleiters 2 durch den Flansch 1. Im Gegensatz zu der Aus
führungsform nach Fig. 1 entfällt das flanschartige Führungselement 8
und die Verschweißung an der Außenseite des Flansches 1, wobei hier
dann der weitere kleine Flansch 8 mittels der 0-Ring-Dichtung 6 ge
dichtet mit dem Klemmring 14 gegen die Außenseite des Flansches 1 ver
spannt wird. Gleichzeitig wird über den Klemmring 14 der Führungshohl
leiter 2 gehalten.
Weiterhin ist in Fig. 3 eine Ausführungsform der Vorrichtung gezeigt,
bei der der Innenleiter 3 wesentlich kürzer als der Führungshohllei
ter 2 ist. Eine solche Ausbildung des Innenleiters kann dann erforder
lich sein, wenn am Ende des Führungsrohres eine diffuse Plasmazone
erzeugt werden soll.
Falls in einer Behandlungskammer 25 eine homogene Plasma-Verteilung
zwischen den Wänden 24 der Kammer erforderlich ist, wird die Vorrich
tung in der in Fig. 4 gezeigten Anordnung in die Behandlungskammer 25
eingesetzt. Hierbei führt der Führungshohlleiter 2 auf der der Einkop
pelseite gegenüberliegenden Seite durch die dortige Wand 24 oder einen
in der Wand eingesetzten Flansch gedichtet hindurch. Die für die Ab
dichtung erforderlichen Teile sind nicht näher dargestellt. Es ist
ersichtlich, daß in dieser Anordnung eine Plasmabildung entlang der
Außenseite des Führungshohlleiters 2 von Wand zu Wand der Behandlungs
kammer möglich ist.
In den Fig. 5 bis 7, in denen die Vorrichtungen nur auf der Innenseite
des Flansches 1 gezeigt sind, sind verschiedene Variationen des Innen
leiter 3 (Fig. 5), des Führungshohlleiters 2 (Fig. 6) sowie der gesam
ten Mikrowellen-Einkoppel-Vorrichtung mit dem Innenleiter 3 und dem
Führungshohlleiter 2 (Fig. 7) gezeigt.
In der Ausführungsform nach der Fig. 5 weist der Innenleiter 3 bis
etwa zur Hälfte der Länge des Führungshohlleiters 2 einen gleichblei
benden Durchmesser auf und läuft dann zum Ende des Führungshohllei
ters 2 hin konisch zu, wodurch der Ringraum 4 zwischen dem Führungs
hohlleiter 2 und dem Innenleiter 3 vergrößert wird. In dieser Ausbil
dung des Innenleiters 3 nimmt die Konzentration des sich bildenden
Plasmas zu Ende des Führungshohlleiters 2 hin ab, da die Intensität
des elektromagnetischen Feldes auf der Außenseite des Führungsrohres
abnimmt.
In Fig. 6 ist eine Ausführung gezeigt, bei der der Innenleiter 3 über
seine gesamte Länge einen gleichbleibenden Durchmesser aufweist,
während der Durchmesser des Führungshohlleiters 2 bis zur Hälte seiner
Länge einen gleichbleibenden Durchmesser besitzt und dann zum Ende hin
konisch zuläuft, so daß er im Bereich des Endes unmittelbar den Innen
leiter 3 umschließt. Der Ringraum 4 wird hierdurch in seiner Größe zum
Ende der Vorrichtung hin verkleinert. Diese Anordnung wirkt sich auf
die Plasmabildung dahingehend aus, daß bedingt durch die zum Ende des
Führungsrohres 2 hin zunehmende Feldstärke die Plasmadichte dort zu
nimmt.
Um die Plasma-Verteilung in der Behandlungskammer 25 einem komplex
geformten, beispielsweise zu beschichtenden Werkstück anzupassen, so
daß entlang des Werkstückes eine homogene Plasmazone entsteht, kann
der Führungshohlleiter 2 mit dem Innenleiter 3 beliebig in Längsrich
tung gebogen werden, wobei eine einfache Geometrie in Fig. 7 darge
stellt ist.
Die Geometrien des Innenleiters 3 und des Führungshohlleiters 2, wie
sie in den Fig. 5 bis 7 dargestellt sind, können beliebig miteinander
kombiniert werden, um homogene oder inhomogene Verteilungen des Plas
mas in der Behandlungskammer 25 zu erreichen und die Plasmafelder den
Geometrien der Werkstücke, die behandelt werden sollen, anzupassen.
In Fig. 8 ist die Durchführung der Vorrichtung durch den Flansch
gezeigt, wie sie vorstehend bereits unter Bezugnahme auf die Fig. 1
erläutert wurde. Gegenüber der Ausführung nach der Fig. 1 ist im Be
reich der Durchführung durch den Flansch 1 ein inneres Metallrohr 27
in den Führungshohlleiter 2 eingesetzt, das als Wellenleiter dient und
verhindert, daß sich in diesem Bereich ein Plasma entlang des
Führungshohlleiters 2 bildet. Ein solches in den Führungshohlleiter 2
eingesetztes Metallrohr 27 bietet den Vorteil, daß die Metallummante
lung 5, die ebenfalls als Wellenleiter in dem Bereich der Durchführung
durch den Flansch 1 dient, eine fest vorgegebene Länge besitzt und die
erforderliche Länge des Wellenleiters in diesem Bereich von Anwen
dungsfall zu Anwendungsfall durch die entsprechende Wahl der Länge des
eingesetzten Metallrohres 27 vorgenommen wird.
Aufgrund von Werkstückgeometrien kann es beispielsweise erforderlich
sein, Plasmazonen entlang des Führungshohlleiters 2 nur in voneinander
beabstandeten Abschnitten zu bilden. Dies wird dadurch erreicht, daß,
wie in Fig. 9 gezeigt ist, entlang des Führungshohlleiters 2 Rohrab
schnitte 28 aus Metall voneinander beabstandet aufgesetzt sind, die
jeweils als Wellenleiter für die Mikrowellen in diesen Bereichen die
nen, während im Bereich der Zwischenräume 29 ein Plasma gebildet wird.
Mit solchen Rohrabschnitten 28, die beispielsweise auch Längsschlitze
oder -spalte, die in Richtung der Achse 16 verlaufen, haben können,
können die sich bildenden Plasmabereiche gezielt eingegrenzt werden.
Um in der Behandlungskammer Plasmazonen in definierten Bereichen zu
bilden, können Führungshohlleiter 2 mit dem Innenleiter 3 anstelle der
aufgesetzten Rohrabschnitte 28 nach der Fig. 9 in einen Metallträ
ger 30 eingesetzt werden, der einen Spalt 31 aufweist, im Bereich des
sen sich das Plasma bildet. In den übrigen Bereichen dient der Metall
träger 30 als Wellenleiter. Wie aus den Fig. 10 und 11 ersichtlich
ist, nimmt die Breite des Spaltes 31 zum Ende des Führungshohllei
ters 2 hin zu, wodurch beispielsweise Intensitätsverluste zum Ende des
Führungshohlleiters 2 hin kompensiert werden können. Um das Plasma
zusätzlich entlang des Spaltes 31 zu verstärken und auf den Bereich
des Spaltes 31 zu konzentrieren, sind in den Metallträger 30 beidsei
tig des Spaltes 31 stabförmige Magnete 32 eingesetzt, wobei der Ver
lauf der Feldlinien 33 zusätzlich in Fig. 11 gezeigt ist.
Die Fig. 12 veranschaulicht den Einsatz von drei Vorrichtungen, wie
sie anhand der Fig. 1 bis 11 beschrieben wurden, die übeieinander in
der Wand 24 der Behandlungskammer 25 eingebaut sind, wie die Fig. 13
zeigt. Mit dem Einsatz von mehreren solcher Vorrichtungen können sehr
große, homogene Plasmafelder erreicht werden. Die einzelnen Führungs
hohlleiter 2 können hierbei über einen gemeinsamen Hohlleiter 10 mit
einander verbunden sein, an dessen einem Ende eine Mikrowellen-Erzeu
gungseinrichtung 11 angeordnet ist.
In Fig. 9 sind in den Innenleiter 3 zusätzliche Stab-Magnete 34 einge
setzt, die je nach Magnetisierungsrichtung eine Plasmaerzeugung längs
des Führungsrohres 2 an den nicht durch Metallisieren abgeschirmten
Bereichen auch bei niedrigen Drücken im Bereich von 0,001 mbar durch
Ausnutzung der ECR-Bedingung bewirken.
In dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 1 beträgt der Außen-Durchmesser
des Innenleiters 3,12 mm bei einer Wandstärke von 1 mm und der
Außen-Durchmesser des Führungshohlleiters 2 beträgt 30 mm bei einer
Wandstärke von 2,5 mm. Die über den Flansch 1 vorstehende Länge des
Führungshohlleiters 2 beträgt etwa 500 mm. Der Durchmesser des Hohl
leiters 10 beträgt 50 mm.
In den verschiedenen Figuren wurden verschiedene Ausführungsvarianten
erläutert, wobei die verschiedenen Ausgestaltungsmöglichkeiten, wie
sie gezeigt und erläutert wurden, untereinander kombinierbar sind.
Weiterhin sind insbesondere die vorstehenden Erläüterungen zu Fig. 1
auf die anderen Figuren übertragbar, in denen die gleichen Bezugs
zeichen wie für Fig. 1 verwendet sind.
Claims (33)
1. Vorrichtung zur lokalen Erzeugung eines Plasmas in einer Behand
lungskammer mittels Mikrowellenanregung, die durch einen in eine
Wand einbaubaren Flansch oder die Wand selbst in einen äußeren und
einen inneren Teil unterteilt ist, wobei am äußeren Teil eine
Mikrowellen-Erzeugungseinrichtung angeordnet ist, deren Mikrowel
len über eine Mikrowellen-Einkoppeleinrichtung zum inneren Teil
hingeführt werden, dadurch gekennzeichnet, daß die Mikrowel
len-Einkoppeleinrichtung einen durch den Flansch (1) hindurch
führenden äußeren Führungshohlleiter (2) aus isolierendem Material
aufweist, in dem ein Innenleiter (3) aus Metall verläuft, wobei
die Mikrowellen von der Mikrowellen-Erzeugungseinrichtung (11) in
den Innenleiter (3) eingekoppelt werden.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der In
nenleiter (3) mit Abstand zu den Innenwänden des Führungshohllei
ters (2) einen Ringraum (4) bildend angeordnet ist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der
Führungshohlleiter (2) einen kreisförmigen Querschnitt aufweist.
4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeich
net, daß der Innenleiter (3) und der Führungshohlleiter (2) koaxi
al zueinander angeordnet sind.
5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeich
net, daß in dem Führungshohlleiter (2) ein gegen einen Nierder
druck in der Behandlungskammer (25) unterschiedlicher Druck er
zeugt wird.
6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeich
net, daß der äußere Führungshohlleiter (2) auf seiner Außenseite
zumindest teilweise eine Metallummantelung (5) aufweist.
7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß mindes
tens eine Metallummantelung (5) angrenzend an den Flansch (1) vor
gesehen ist, die eine Mikrowellenführung bildet.
8. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeich
net, daß der Innenleiter (3) einen sich über seine Länge er
streckenden Hohlraum aufweist.
9. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der In
nenleiter (3) ein Hohlrohr ist.
10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeich
net, daß der äußere Führungshohlleiter (2) durch ein dielek
trisches Rohr gebildet ist.
11. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß der
äußere Führungshohlleiter (2) durch ein Glasrohr gebildet ist.
12. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Länge des Innenleiters (3) kürzer als die Länge
des Führungshohlleiter (2) ist.
13. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekenn
zeichnet, daß der Durchmesser des Innenleiters (3) über seine
Länge variiert.
14. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekenn
zeichnet, daß der Durchmesser des Führungshohlleiters (2) über
seine Länge variiert.
15. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekenn
zeichnet, daß der äußere Führungshohlleiter (2) an seinem einen
Ende über ein flanschartiges Führungselement (8) in dem einbau
baren Flansch (1) gehalten ist.
16. Vorrichtung nach Anspruch l5, dadurch gekennzeichnet, daß das
Führungselement (8) an der Außenseite des Flansches (1) vakuum
dicht angeschweißt ist.
17. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Mikrowellen-Erzeugungseinrichtung (11) über ein
en Hohlleiter (9) angeschlossen ist.
18. Vorrichtung nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß der
Hohlleiter (9) mit seiner Achse (17) quer zur Achse (16) der
Mikrowellen-Einkoppeleinrichtung (2, 3) verläuft.
19. Vorrichtung nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß der
Hohlleiter (9) mit seiner Achse (17) in Richtung der Achse (16)
der Mikrowellen-Einkoppeleinrichtung (2, 3) verläuft.
20. Vorrichtung nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß die
Achse (17) als Hohlleiter (10) mit der Achse (16) der Mikrowel
len-Einkoppel-Vorrichtung (2, 3) einen Winkel von 90° ein
schließt .
21. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 19, dadurch gekenn
zeichnet, daß auf die Außenseite des Führungshohlleiter (2) ein
Schutzrohr (26) aus einem nichtleitenden Werkstoff aufgesetzt ist.
22. Vorrichtung nach Anspruch 2l, dadurch gekennzeichnet, daß das
Schutzrohr (26) ein Rohr aus Quarzglas ist.
23. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 22, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Mikrowellen-Erzeugungseinrichtung (11) ein
Mikrowellen-Führungsteil (2, 3) aufweist, das die Mikrowellen der
Mikrowellen-Erzeugungseinrichtung (11) in den Innenleiter (3) ein
koppelt.
24. Vorrichtung nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, daß das
Mikrowellen-Führungsteil einen kegelförmiges Teil (18) aufweist.
25. Vorrichtung nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, daß das
kegelförmige Teil (18) in seiner Achse auf den Innenleiter (3)
aufgesteckt ist, wobei der Innenleiter (3) durch den Flansch (1)
zur Außenseite hin verlängert hindurchführt.
26. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 24 oder 25, dadurch gekenn
zeichnet, daß das kegelförmige Teil (18) in dem Hohlleiter (10)
angeordnet ist.
27. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 26, dadurch gekenn
zeichnet, daß der äußere Führungshohlleiter (2) teilweise von Mag
neten (32) umgeben ist.
28. Vorrichtung nach Anspruch 27, dadurch gekennzeichnet, daß die Mag
nete (32) derart angeordnet sind, daß in Leitungsrichtung (Achs
richtung) des Führungshohlleiters (2) ein Spalt (31) verbleibt, im
Bereich dessen das Plasma erzeugt wird.
29. Vorrichtung nach Anspruch 28 dadurch gekennzeichnet, daß die
Breite des Spaltes (3l) entlang des Führungshohlleiters (2) vari
iert.
30. Vorrichtung nach Anspruch 29, dadurch gekennzeichnet, daß die
Breite des Spaltes (31) vom Flansch (1) aus gesehen zunimmt.
31. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 30, dadurch gekenn
zeichnet, daß innerhalb des Führungshohlleiters (2) Magnete einge
setzt sind.
32. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 31, dadurch gekenn
zeichnet, daß mehrere Führungshohlleiter (2) vorgesehen sind, die
jeweils mit einer Mikrowellen-Erzeugungseinrichtung (11) in Ver
bindung stehen.
33. Vorrichtung nach Anspruch 32, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere
Führungshohlleiter (2) von einer Mikrowellen-Erzeugungseinrich
tung (11) gespeist werden.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19914136297 DE4136297A1 (de) | 1991-11-04 | 1991-11-04 | Vorrichtung zur lokalen erzeugung eines plasmas in einer behandlungskammer mittels mikrowellenanregung |
DE9117087U DE9117087U1 (de) | 1991-11-04 | 1991-11-04 | Vorrichtung zur lokalen Erzeugung eines Plasmas in einer Behandlungskammer mittels Mikrowellenanregung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19914136297 DE4136297A1 (de) | 1991-11-04 | 1991-11-04 | Vorrichtung zur lokalen erzeugung eines plasmas in einer behandlungskammer mittels mikrowellenanregung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4136297A1 true DE4136297A1 (de) | 1993-05-06 |
Family
ID=6444068
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19914136297 Withdrawn DE4136297A1 (de) | 1991-11-04 | 1991-11-04 | Vorrichtung zur lokalen erzeugung eines plasmas in einer behandlungskammer mittels mikrowellenanregung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE4136297A1 (de) |
Cited By (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19503205C1 (de) * | 1995-02-02 | 1996-07-11 | Muegge Electronic Gmbh | Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma |
FR2746249A1 (fr) * | 1996-03-13 | 1997-09-19 | Mpa Ind | Dispositif d'excitation d'un plasma par energie micro-ondes repartie, procede de fabrication, et application au depot de revetements minces |
DE19722272A1 (de) * | 1997-05-28 | 1998-12-03 | Leybold Systems Gmbh | Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma |
WO1999009583A1 (de) * | 1997-08-13 | 1999-02-25 | Walther, Helga | Verfahren und vorrichtung zum plasma-ätzen |
DE19801366A1 (de) * | 1998-01-16 | 1999-07-22 | Leybold Systems Gmbh | Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma |
DE19812558A1 (de) * | 1998-03-21 | 1999-09-30 | Roth & Rau Oberflaechentechnik | Vorrichtung zur Erzeugung linear ausgedehnter ECR-Plasmen |
DE19824077A1 (de) * | 1998-05-29 | 1999-12-02 | Leybold Systems Gmbh | Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma |
EP0963141A2 (de) * | 1998-06-05 | 1999-12-08 | Leybold Systems GmbH | Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma |
DE19848022A1 (de) * | 1998-10-17 | 2000-04-20 | Leybold Systems Gmbh | Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma |
DE19928876A1 (de) * | 1999-06-24 | 2000-12-28 | Leybold Systems Gmbh | Vorrichtung zur lokalen Erzeugung eines Plasmas in einer Behandlungskammer durch Mikrowellenanregung |
DE19955671A1 (de) * | 1999-11-19 | 2001-05-31 | Muegge Electronic Gmbh | Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma |
DE19532435C2 (de) * | 1995-09-02 | 2001-07-19 | Ver Foerderung Inst Kunststoff | Vorrichtung und Verfahren zum Erzeugen eines Plasmas |
FR2826542A1 (fr) * | 2001-06-22 | 2002-12-27 | Pantechnik | Dispositif pour la production d'ions de charges positives variables et a resonnance cyclotronique |
DE10138693A1 (de) * | 2001-08-07 | 2003-07-10 | Schott Glas | Vorrichtung zum Beschichten von Gegenständen |
DE19839612C2 (de) * | 1998-01-29 | 2003-12-11 | Mitsubishi Electric Corp | Plasmaerzeugungsvorrichtung |
WO2006018139A2 (de) * | 2004-08-14 | 2006-02-23 | R3T Gmbh Rapid Reactive Radicals Technology | Vorrichtung zur erzeugung angeregter und/oder ionisierter teilchen in einem plasma |
US7047903B2 (en) | 2001-01-22 | 2006-05-23 | Ishikawajima-Harima Heavy Industries Co., Ltd. | Method and device for plasma CVD |
US7159536B1 (en) | 1999-09-14 | 2007-01-09 | Robert Bosch Gmbh | Device and method for generating a local by micro-structure electrode dis-charges with microwaves |
EP1758149A1 (de) * | 2005-08-24 | 2007-02-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Mikrowellenvorrichtung zur Erzeugung eines Plasmas |
EP1780303A2 (de) * | 2005-11-01 | 2007-05-02 | Applied Films Corporation | Vorrichtung und Verfahren zum Hochfahren der Leistung von mikrowellen linearen Entladungsquellen |
WO2007104404A1 (de) * | 2006-03-16 | 2007-09-20 | Maschinenfabrik Reinhausen Gmbh | Vorrichtung zur erzeugung eines plasma-jets |
DE102006022970B3 (de) * | 2006-05-11 | 2007-11-22 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | UV-Lichtquelle |
DE102006048816A1 (de) * | 2006-10-16 | 2008-04-17 | Iplas Innovative Plasma Systems Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur lokalen Erzeugung von Mikrowellenplasmen |
DE102006048814A1 (de) * | 2006-10-16 | 2008-04-17 | Iplas Innovative Plasma Systems Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung von Mikrowellenplasmen hoher Plasmadichte |
DE102006048815A1 (de) * | 2006-10-16 | 2008-04-17 | Iplas Innovative Plasma Systems Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung von Mikrowellenplasmen hoher Leistung |
EP1959484A1 (de) * | 2005-11-25 | 2008-08-20 | Tokyo Electron Limited | Mikrowellen-einführungseinrichtung |
DE19628949B4 (de) * | 1995-02-02 | 2008-12-04 | Muegge Electronic Gmbh | Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma |
WO2009127294A1 (de) * | 2008-04-14 | 2009-10-22 | Iplas Innovative Plasma Systems Gmbh | Vorrichtung und verfahren zur inneren oberflächenbehandlung von hohlkörpern |
US20090286011A1 (en) * | 2006-07-20 | 2009-11-19 | National University Corporation Nagoya University | Plasma Processing Device, Plasma Processing Method, and Plasma Surface Processing Method |
WO2010015385A1 (de) * | 2008-08-07 | 2010-02-11 | Gschwandtner, Alexander | Vorrichtung und verfahren zur erzeugung dielektrischer schichten im mikrowellenplasma |
DE102010015495A1 (de) | 2010-04-16 | 2011-10-20 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Vorrichtung zum Erzeugen von UV-Licht |
DE102010027619B3 (de) * | 2010-07-20 | 2011-11-17 | Roth & Rau Ag | Mikrowellenplasmaquelle mit einer Vorrichtung zur Zuführung von Mikrowellenenergie |
WO2013055241A1 (en) * | 2011-10-13 | 2013-04-18 | Instytut Optyki Stosowanej | Electrode cooling system in a multi-electrode microwave plasma excitation source |
CN103269559A (zh) * | 2013-05-03 | 2013-08-28 | 大连海事大学 | 一种增强型微波液相放电等离子体发生装置 |
DE102012103425A1 (de) | 2012-04-19 | 2013-10-24 | Roth & Rau Ag | Mikrowellenplasmaerzeugungsvorrichtung und Verfahren zu deren Betrieb |
WO2014041280A1 (fr) | 2012-09-11 | 2014-03-20 | H.E.F. | Dispositif pour generer un plasma presentant une etendue importante le long d'un axe par resonnance cyclotronique electronique rce a partir d'un milieu gazeux. |
WO2015007653A1 (de) | 2013-07-18 | 2015-01-22 | W & L Coating Systems Gmbh | Plasmachemische beschichtungsvorrichtung |
DE102004021016B4 (de) * | 2004-04-29 | 2015-04-23 | Neue Materialien Bayreuth Gmbh | Vorrichtung zur Einspeisung von Mikrowellenstrahlung in heiße Prozessräume |
US9165748B2 (en) | 2000-05-17 | 2015-10-20 | Ihi Corporation | Plasma CVD method |
DE102017215471A1 (de) | 2017-09-04 | 2019-03-07 | Audi Ag | Verwendung eines Plasmas als Ionenleiter einer Brennstoffzelle |
DE102022000797A1 (de) | 2021-03-10 | 2022-09-15 | Mathias Herrmann | Zündkonzept und Verbrennungskonzept für Triebwerke und Raketen; möglichst effektive, bzw. gerichtete Anregung und Zündung mittels angepasster elektromagnetischer Strahlung bzw. elektromagnetischer Wellen (z. B. Radiowellen, Mikrowellen, Magnetwellen) und katalytischer Absorber zur Erhöhung des energetischen Wirkungsgrades und Schubes |
WO2023172141A1 (en) | 2022-03-11 | 2023-09-14 | Leydenjar Technologies B.V. | Apparatus and method for plasma enhanced chemical vapour deposition |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3011686A1 (de) * | 1979-03-30 | 1980-10-02 | Tokyo Shibaura Electric Co | Vorrichtung zur plasma-oberflaechenbehandlung von werkstoffen |
DE3043693A1 (de) * | 1979-11-22 | 1981-06-04 | Tokyo Shibaura Denki K.K., Kawasaki, Kanagawa | Vorrichtung zur oberflaechenbehandlung mit mikrowellenplasma |
DD252916A1 (de) * | 1986-09-23 | 1987-12-30 | Karl Marx Stadt Tech Hochschul | Mikrowellen-plasmaionenquelle |
US4745337A (en) * | 1985-06-07 | 1988-05-17 | Centre National D'etudes Des Telecommunications | Method and device for exciting a plasma using microwaves at the electronic cyclotronic resonance |
DD263648A1 (de) * | 1987-08-31 | 1989-01-04 | Hochvakuum Dresden Veb | Verfahren und einrichtung zur erzeugung von mikrowellenplasmen mit grosser ausdehnung und homogenitaet |
EP0334184A2 (de) * | 1988-03-16 | 1989-09-27 | Hitachi, Ltd. | Mikrowellenionenquelle |
DD285700A7 (de) * | 1988-08-16 | 1991-01-03 | Technische Universitaet,Dd | Mikrowellen-einkoppelanordnung |
EP0448077A2 (de) * | 1990-03-20 | 1991-09-25 | ROTH & RAUH OBERFLÄCHENTECHNIK GmbH | Mikrowellen-Plasmatron |
-
1991
- 1991-11-04 DE DE19914136297 patent/DE4136297A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3011686A1 (de) * | 1979-03-30 | 1980-10-02 | Tokyo Shibaura Electric Co | Vorrichtung zur plasma-oberflaechenbehandlung von werkstoffen |
DE3043693A1 (de) * | 1979-11-22 | 1981-06-04 | Tokyo Shibaura Denki K.K., Kawasaki, Kanagawa | Vorrichtung zur oberflaechenbehandlung mit mikrowellenplasma |
US4745337A (en) * | 1985-06-07 | 1988-05-17 | Centre National D'etudes Des Telecommunications | Method and device for exciting a plasma using microwaves at the electronic cyclotronic resonance |
DD252916A1 (de) * | 1986-09-23 | 1987-12-30 | Karl Marx Stadt Tech Hochschul | Mikrowellen-plasmaionenquelle |
DD263648A1 (de) * | 1987-08-31 | 1989-01-04 | Hochvakuum Dresden Veb | Verfahren und einrichtung zur erzeugung von mikrowellenplasmen mit grosser ausdehnung und homogenitaet |
EP0334184A2 (de) * | 1988-03-16 | 1989-09-27 | Hitachi, Ltd. | Mikrowellenionenquelle |
DD285700A7 (de) * | 1988-08-16 | 1991-01-03 | Technische Universitaet,Dd | Mikrowellen-einkoppelanordnung |
EP0448077A2 (de) * | 1990-03-20 | 1991-09-25 | ROTH & RAUH OBERFLÄCHENTECHNIK GmbH | Mikrowellen-Plasmatron |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Om P. Gandhi "Microwave-Engineering and Applications" Pergamon Press, New York(1981) S. 176-177 * |
Cited By (81)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19628952C5 (de) * | 1995-02-02 | 2010-11-25 | Muegge Electronic Gmbh | Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma |
DE19503205C1 (de) * | 1995-02-02 | 1996-07-11 | Muegge Electronic Gmbh | Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma |
DE19628952B4 (de) * | 1995-02-02 | 2008-06-05 | Muegge Electronic Gmbh | Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma |
DE19628949B4 (de) * | 1995-02-02 | 2008-12-04 | Muegge Electronic Gmbh | Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma |
DE19628954B4 (de) * | 1995-02-02 | 2009-07-02 | Muegge Electronic Gmbh | Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma |
DE19532435C2 (de) * | 1995-09-02 | 2001-07-19 | Ver Foerderung Inst Kunststoff | Vorrichtung und Verfahren zum Erzeugen eines Plasmas |
FR2746249A1 (fr) * | 1996-03-13 | 1997-09-19 | Mpa Ind | Dispositif d'excitation d'un plasma par energie micro-ondes repartie, procede de fabrication, et application au depot de revetements minces |
DE19722272A1 (de) * | 1997-05-28 | 1998-12-03 | Leybold Systems Gmbh | Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma |
WO1998054748A1 (de) * | 1997-05-28 | 1998-12-03 | Leybold Systems Gmbh | Vorrichtung zur erzeugung von plasma |
US6194835B1 (en) | 1997-05-28 | 2001-02-27 | Leybold Systems Gmbh | Device for producing plasma |
WO1999009583A1 (de) * | 1997-08-13 | 1999-02-25 | Walther, Helga | Verfahren und vorrichtung zum plasma-ätzen |
US6161501A (en) * | 1998-01-16 | 2000-12-19 | Leybold Systems Gmbh | Device for plasma generation |
DE19801366B4 (de) * | 1998-01-16 | 2008-07-03 | Applied Materials Gmbh & Co. Kg | Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma |
DE19801366A1 (de) * | 1998-01-16 | 1999-07-22 | Leybold Systems Gmbh | Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma |
DE19839612C2 (de) * | 1998-01-29 | 2003-12-11 | Mitsubishi Electric Corp | Plasmaerzeugungsvorrichtung |
DE19812558B4 (de) * | 1998-03-21 | 2010-09-23 | Roth & Rau Ag | Vorrichtung zur Erzeugung linear ausgedehnter ECR-Plasmen |
DE19812558A1 (de) * | 1998-03-21 | 1999-09-30 | Roth & Rau Oberflaechentechnik | Vorrichtung zur Erzeugung linear ausgedehnter ECR-Plasmen |
US6191532B1 (en) | 1998-05-29 | 2001-02-20 | Leybold Systems Gmbh | Arrangement for producing plasma |
DE19824077A1 (de) * | 1998-05-29 | 1999-12-02 | Leybold Systems Gmbh | Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma |
US6175183B1 (en) | 1998-06-05 | 2001-01-16 | Leybold Systems Gmbh | Device for producing plasma |
EP0963141A3 (de) * | 1998-06-05 | 2003-11-05 | Leybold Systems GmbH | Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma |
DE19825125A1 (de) * | 1998-06-05 | 1999-12-09 | Leybold Systems Gmbh | Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma |
EP0963141A2 (de) * | 1998-06-05 | 1999-12-08 | Leybold Systems GmbH | Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma |
DE19848022A1 (de) * | 1998-10-17 | 2000-04-20 | Leybold Systems Gmbh | Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma |
DE19928876A1 (de) * | 1999-06-24 | 2000-12-28 | Leybold Systems Gmbh | Vorrichtung zur lokalen Erzeugung eines Plasmas in einer Behandlungskammer durch Mikrowellenanregung |
US7159536B1 (en) | 1999-09-14 | 2007-01-09 | Robert Bosch Gmbh | Device and method for generating a local by micro-structure electrode dis-charges with microwaves |
DE19955671A1 (de) * | 1999-11-19 | 2001-05-31 | Muegge Electronic Gmbh | Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma |
DE19955671B4 (de) * | 1999-11-19 | 2004-07-22 | Muegge Electronic Gmbh | Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma |
US9165748B2 (en) | 2000-05-17 | 2015-10-20 | Ihi Corporation | Plasma CVD method |
US7047903B2 (en) | 2001-01-22 | 2006-05-23 | Ishikawajima-Harima Heavy Industries Co., Ltd. | Method and device for plasma CVD |
EP1272015A1 (de) * | 2001-06-22 | 2003-01-02 | Pantechnik | Zyklotronresonanzvorrichtung zur Erzeugung von Ionen mit variabler positiver Ladung |
FR2826542A1 (fr) * | 2001-06-22 | 2002-12-27 | Pantechnik | Dispositif pour la production d'ions de charges positives variables et a resonnance cyclotronique |
DE10138693A1 (de) * | 2001-08-07 | 2003-07-10 | Schott Glas | Vorrichtung zum Beschichten von Gegenständen |
US7434537B2 (en) | 2001-08-07 | 2008-10-14 | Schott Ag | Device for the coating of objects |
DE102004021016B4 (de) * | 2004-04-29 | 2015-04-23 | Neue Materialien Bayreuth Gmbh | Vorrichtung zur Einspeisung von Mikrowellenstrahlung in heiße Prozessräume |
WO2006018139A2 (de) * | 2004-08-14 | 2006-02-23 | R3T Gmbh Rapid Reactive Radicals Technology | Vorrichtung zur erzeugung angeregter und/oder ionisierter teilchen in einem plasma |
WO2006018139A3 (de) * | 2004-08-14 | 2008-12-24 | R3T Gmbh Rapid Reactive Radica | Vorrichtung zur erzeugung angeregter und/oder ionisierter teilchen in einem plasma |
EP1758149A1 (de) * | 2005-08-24 | 2007-02-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Mikrowellenvorrichtung zur Erzeugung eines Plasmas |
US8039772B2 (en) | 2005-08-24 | 2011-10-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Microwave resonance plasma generating apparatus and plasma processing system having the same |
EP1780303A3 (de) * | 2005-11-01 | 2010-07-07 | Applied Materials, Inc. | Vorrichtung und Verfahren zum Hochfahren der Leistung von mikrowellen linearen Entladungsquellen |
EP1780303A2 (de) * | 2005-11-01 | 2007-05-02 | Applied Films Corporation | Vorrichtung und Verfahren zum Hochfahren der Leistung von mikrowellen linearen Entladungsquellen |
EP1959484A4 (de) * | 2005-11-25 | 2010-05-19 | Tokyo Electron Ltd | Mikrowellen-einführungseinrichtung |
EP1959484A1 (de) * | 2005-11-25 | 2008-08-20 | Tokyo Electron Limited | Mikrowellen-einführungseinrichtung |
WO2007104404A1 (de) * | 2006-03-16 | 2007-09-20 | Maschinenfabrik Reinhausen Gmbh | Vorrichtung zur erzeugung eines plasma-jets |
DE102006022970B3 (de) * | 2006-05-11 | 2007-11-22 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | UV-Lichtquelle |
US8752503B2 (en) * | 2006-07-20 | 2014-06-17 | National University Corporation Nagoya University | Plasma processing device, plasma processing method, and plasma surface processing method |
US20090286011A1 (en) * | 2006-07-20 | 2009-11-19 | National University Corporation Nagoya University | Plasma Processing Device, Plasma Processing Method, and Plasma Surface Processing Method |
DE102006048815B4 (de) * | 2006-10-16 | 2016-03-17 | Iplas Innovative Plasma Systems Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung von Mikrowellenplasmen hoher Leistung |
WO2008046553A1 (de) * | 2006-10-16 | 2008-04-24 | Iplas Innovative Plasma Systems Gmbh | Vorrichtung und verfahren zur lokalen erzeugung von mikrowellenplasmen |
DE102006048814B4 (de) * | 2006-10-16 | 2014-01-16 | Iplas Innovative Plasma Systems Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung von Mikrowellenplasmen hoher Plasmadichte |
DE102006048815A1 (de) * | 2006-10-16 | 2008-04-17 | Iplas Innovative Plasma Systems Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung von Mikrowellenplasmen hoher Leistung |
DE102006048814A1 (de) * | 2006-10-16 | 2008-04-17 | Iplas Innovative Plasma Systems Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung von Mikrowellenplasmen hoher Plasmadichte |
DE102006048816A1 (de) * | 2006-10-16 | 2008-04-17 | Iplas Innovative Plasma Systems Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur lokalen Erzeugung von Mikrowellenplasmen |
WO2009127294A1 (de) * | 2008-04-14 | 2009-10-22 | Iplas Innovative Plasma Systems Gmbh | Vorrichtung und verfahren zur inneren oberflächenbehandlung von hohlkörpern |
WO2010015385A1 (de) * | 2008-08-07 | 2010-02-11 | Gschwandtner, Alexander | Vorrichtung und verfahren zur erzeugung dielektrischer schichten im mikrowellenplasma |
US8716153B2 (en) | 2008-08-07 | 2014-05-06 | Hq-Dielectrics Gmbh | Device and method for producing dielectric layers in microwave plasma |
DE102010015495A1 (de) | 2010-04-16 | 2011-10-20 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Vorrichtung zum Erzeugen von UV-Licht |
DE102010015495B4 (de) * | 2010-04-16 | 2012-04-26 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Vorrichtung zum Erzeugen von UV-Licht |
WO2011128443A2 (de) | 2010-04-16 | 2011-10-20 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e. V. | Vorrichtung zum erzeugen von uv-licht |
DE102010027619B3 (de) * | 2010-07-20 | 2011-11-17 | Roth & Rau Ag | Mikrowellenplasmaquelle mit einer Vorrichtung zur Zuführung von Mikrowellenenergie |
CN102378463B (zh) * | 2010-07-20 | 2015-12-02 | 德国罗特·劳股份有限公司 | 具有微波能输送装置的微波等离子体源 |
CN102378463A (zh) * | 2010-07-20 | 2012-03-14 | 德国罗特·劳股份有限公司 | 具有微波能输送装置的微波等离子体源 |
WO2013055241A1 (en) * | 2011-10-13 | 2013-04-18 | Instytut Optyki Stosowanej | Electrode cooling system in a multi-electrode microwave plasma excitation source |
CN103891418A (zh) * | 2011-10-13 | 2014-06-25 | 应用光学研究所 | 在多电极微波等离子体激发源中的电极冷却系统 |
US8829770B2 (en) | 2011-10-13 | 2014-09-09 | Instytut Optyki Stosowanej | Electrode cooling system in a multi-electrode microwave plasma excitation source |
CN103891418B (zh) * | 2011-10-13 | 2015-12-09 | 应用光学研究所 | 在多电极微波等离子体激发源中的电极冷却系统 |
CN104380429A (zh) * | 2012-04-19 | 2015-02-25 | 德国罗特·劳股份有限公司 | 微波电浆发生装置及其操作方法 |
CN104380429B (zh) * | 2012-04-19 | 2017-09-29 | 梅耶博格(德国)股份公司 | 微波电浆发生装置及其操作方法 |
US9431217B2 (en) | 2012-04-19 | 2016-08-30 | Meyer Burger (Germany) Ag | Microwave plasma generating device and method for operating same |
WO2013156924A1 (de) | 2012-04-19 | 2013-10-24 | Roth & Rau Ag | Mikrowellenplasmaerzeugungsvorrichtung und verfahren zu deren betrieb |
DE102012103425A1 (de) | 2012-04-19 | 2013-10-24 | Roth & Rau Ag | Mikrowellenplasmaerzeugungsvorrichtung und Verfahren zu deren Betrieb |
WO2014041280A1 (fr) | 2012-09-11 | 2014-03-20 | H.E.F. | Dispositif pour generer un plasma presentant une etendue importante le long d'un axe par resonnance cyclotronique electronique rce a partir d'un milieu gazeux. |
US9490102B2 (en) | 2012-09-11 | 2016-11-08 | H.E.F. | Device for generating plasma having a high range along an axis by electron cyclotron resonance (ECR) from a gaseous medium |
CN103269559A (zh) * | 2013-05-03 | 2013-08-28 | 大连海事大学 | 一种增强型微波液相放电等离子体发生装置 |
CN103269559B (zh) * | 2013-05-03 | 2016-04-20 | 大连海事大学 | 一种增强型微波液相放电等离子体发生装置 |
WO2015007653A1 (de) | 2013-07-18 | 2015-01-22 | W & L Coating Systems Gmbh | Plasmachemische beschichtungsvorrichtung |
DE102013107659A1 (de) | 2013-07-18 | 2015-01-22 | W & L Coating Systems Gmbh | Plasmachemische Beschichtungsvorrichtung |
DE102017215471A1 (de) | 2017-09-04 | 2019-03-07 | Audi Ag | Verwendung eines Plasmas als Ionenleiter einer Brennstoffzelle |
DE102022000797A1 (de) | 2021-03-10 | 2022-09-15 | Mathias Herrmann | Zündkonzept und Verbrennungskonzept für Triebwerke und Raketen; möglichst effektive, bzw. gerichtete Anregung und Zündung mittels angepasster elektromagnetischer Strahlung bzw. elektromagnetischer Wellen (z. B. Radiowellen, Mikrowellen, Magnetwellen) und katalytischer Absorber zur Erhöhung des energetischen Wirkungsgrades und Schubes |
WO2023172141A1 (en) | 2022-03-11 | 2023-09-14 | Leydenjar Technologies B.V. | Apparatus and method for plasma enhanced chemical vapour deposition |
NL2031258B1 (en) | 2022-03-11 | 2023-09-19 | Leydenjar Tech B V | Apparatus and method for plasma enhanced chemical vapour deposition |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE4136297A1 (de) | Vorrichtung zur lokalen erzeugung eines plasmas in einer behandlungskammer mittels mikrowellenanregung | |
DE19628952B4 (de) | Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma | |
DE19856307C1 (de) | Vorrichtung zur Erzeugung eines freien kalten Plasmastrahles | |
DE3915477C2 (de) | Vorrichtung zur Erzeugung eines Plasmas mit Mikrowellen | |
DE4340224C2 (de) | Einrichtung zum Erzeugen von Plasma mittels Mikrowellenstrahlung | |
EP2839500B1 (de) | Mikrowellenplasmaerzeugungsvorrichtung und verfahren zu deren betrieb | |
DE4037091C2 (de) | Vorrichtung für die Erzeugung eines homogenen Mikrowellenfeldes | |
DE102006048816A1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur lokalen Erzeugung von Mikrowellenplasmen | |
WO1999042778A2 (de) | Verfahren und vorrichtung zum mikrowellensintern von kernbrennstoff | |
WO1999052332A1 (de) | Plasmabrenner mit einem mikrowellensender | |
EP1415321A1 (de) | Vorrichtung zum beschichten von gegenständen | |
WO1998054748A1 (de) | Vorrichtung zur erzeugung von plasma | |
EP1183709B1 (de) | Linear ausgedehnte anordnung zur grossflächigen mikrowellenbehandlung und zur grossflächigen plasmaerzeugung | |
DE10112494C2 (de) | Verfahren zum Plasmaschweißen | |
DE19652454C2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Außenbeschichtung von Lampen | |
DE102021111188A1 (de) | Hohlleiter-Einkoppeleinheit | |
DE2441767A1 (de) | Plasmaquelle grossen querschnittes und ionenbeschleuniger | |
DE10341239B4 (de) | ECR-Plasmaquelle mit linearer Plasmaaustrittsöffnung | |
EP0568049B1 (de) | Verfahren und Einrichtung zur PECVD-Innenbeschichtung eines Hohlkörpers mittels eines Mikrowellenplasmas | |
DE69206543T2 (de) | Elektronzyklotronresonanz-Ionenquelle mit koaxialer Zuführung elektromagnetischer Wellen. | |
EP1252647B1 (de) | Einkoppelanordnung für mikrowellenenergie mit impedanzanpassung | |
DE9117087U1 (de) | Vorrichtung zur lokalen Erzeugung eines Plasmas in einer Behandlungskammer mittels Mikrowellenanregung | |
EP0501466A1 (de) | Niederdruck-Plasmagenerator | |
DE102017115438A1 (de) | Vorrichtung zum erzeugen eines plasmastrahls im mhz- und ghzbereich mit tem- und hohlleitermoden | |
EP1819208A2 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung angeregter und/oder ionisierter Teilchen in einem Plasma |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: BUCK WERKE GMBH & CO, 73337 BAD UEBERKINGEN, DE |
|
8130 | Withdrawal |