DE19801366A1

DE19801366A1 - Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma

Info

Publication number: DE19801366A1
Application number: DE19801366A
Authority: DE
Inventors: Michael Dr Liehr
Original assignee: Leybold Systems GmbH
Current assignee: Applied Materials GmbH and Co KG
Priority date: 1998-01-16
Filing date: 1998-01-16
Publication date: 1999-07-22
Anticipated expiration: 2018-01-17
Also published as: US6161501A; JP4092027B2; JPH11260593A; DE19801366B4

Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Erzeu gung von Plasma in einer Vakuumkammer mit Hilfe von elektromagnetischen Wechselfeldern, wobei ein stabförmiger Leiter innerhalb eines Rohres aus isolierendem Werkstoff sich in die Vakuumkammer erstreckt und der Innendurchmesser des Isolierroh res größer als der Durchmesser des Leiters ist, wobei das Isolierrohr zumindest an einem Ende in der Wand der Vakuumkammer gehalten und gegenüber deren Außenfläche abgedichtet ist und der Leiter zumindest an einem Ende jeweils an eine Quelle zur Erzeugung der elektromagnetischen Wechselfelder angeschlossen ist.

Eine bekannte Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma (DE 195 03 205) ermöglicht es, in einem begrenzten Betriebsbereich (Prozeßbereich, Gasdruck, Mikro wellenleistung) Plasmen für Oberflächenbehandlun gen und Beschichtungstechnik zu erzeugen. Die be kannte Vorrichtung besteht im wesentlichen aus ei nem in einer Vakuumprozeßkammer installierten zy lindrischen Glasrohr und einem darin befindlichen metallisch leitenden Rohr, wobei im Innenraum des Glasrohrs Atmosphärendruck herrscht. Mikrowellen leistung wird beidseitig durch zwei Einspeisungen und zwei metallische Koaxialleitungen, bestehend aus Innenleiter und Außenleiter, durch die Wände der Vakuumprozeßkammer eingeleitet. Der fehlende Außenleiter der Koaxialleitung innerhalb der Vaku umprozeßkammer wird durch eine Plasmaentladung er setzt, die bei hinreichenden Zündbedingungen (Gasdruck) durch die Mikrowellenleistung gezündet und aufrechterhalten wird, wobei die Mikrowellen leistung aus den beiden metallischen Koaxiallei tungen und durch das Glasrohr in die Vakuumprozeß kammer austreten kann. Das Plasma umschließt das zylinderförmige Glasrohr von außen und bildet zu sammen mit dem Innenleiter eine Koaxialleitung mit sehr hohem Dämpfungsbelag. Bei feststehender, beidseitig eingespeister Mikrowellenleistung kann der Gasdruck der Vakuumprozeßkammer so eingestellt werden, daß das Plasma augenscheinlich gleichmäßig entlang der Vorrichtung dort brennt, wo innerhalb der Vakuumprozeßkammer der Außenleiter der Koa xialleitung fehlt.

Bekannt ist weiterhin eine Vorrichtung zur lokalen Erzeugung eines Plasmas in einer Behandlungskammer mittels Mikrowellenanregung (DE 41 36 297), die durch einen in eine Wand einbaubaren Flansch oder die Wand selbst in einen äußeren und einen inneren Teil unterteilt ist, wobei am äußeren Teil eine Mikrowellen-Erzeugungseinrichtung angeordnet ist, deren Mikrowellen über eine Mikrowellen-Ein koppeleinrichtung zum inneren Teil hingeführt werden, wobei die Mikrowellen-Einkoppeleinrichtung einen durch den Flansch hindurchführenden äußeren Führungshohlleiter aus isolierendem Material auf weist, in dem ein Innenleiter aus Metall verläuft, wobei die Mikrowellen von der Mikrowellen-Er zeugungseinrichtung in den Innenleiter eingekop pelt werden.

Die vorliegende Erfindung geht von der Erzeugung großflächiger, technischer, mit hochfrequenten elektromagnetischen Wellen (insbesondere Mikrowel len) geheizter Plasmen für die Beschichtung oder Behandlung von Oberflächen aus.

Prinzipiell können Plasmaprozeßsysteme, deren Plasmen mit hochfrequenten elektromagnetischen Wellen erzeugt und unterhalten werden und für die gilt, daß die Wellenlängen der Wellen in etwa so groß sind wie die linearen Abmessungen der Plas maentladungsgefäße, in zwei Klassen eingeteilt werden: resonante und nicht resonante Systeme, die beide im allgemeinen inhärente, komplementäre Vor teile und Nachteile besitzen.

1. Resonante Systeme Vorteil

Durch die Bildung stehender Wellen erfährt das elektrische Wechselfeld eine Amplitudenerhöhung bis hin zum doppelten Wert einer fortlaufenden Welle gleicher Leistung. Dies führt i. a. zur oft gewünschten Erhöhung der Plasmadichte und der Elektronentemperatur in Plasmen und der damit verbundenen Ge schwindigkeitserhöhung von Plasmaprozessen. Das bedeutet im Idealfall eine Verdoppelung der Leistungsfähigkeit eines resonanten Sy stems gegenüber einem nicht resonanten bei gleicher eingespeister elektromagnetischer Leistung.

Nachteil

Mit der Ausbildung stehender Wellen sind i. a. unerwünschte, zeitlich stabile, periodische Schwankungen (mit halber Wellen länge) der örtlichen Plasmaprozeßgleichmäßig keit verbunden. Insbesondere wenn die Grund resonanz oder eine der ersten Oberschwingun gen benutzt werden sollen, kann die Abstim mung des Senders auf die Struktur nicht uner heblichen technischen Aufwand erfordern.

2. Nicht resonante Systeme Vorteil

Die Verwendung von Systemen mit fortlaufenden Wellen zeigt keine periodische Schwankungen in der Plasmaprozeßgleichmäßig keit, da es im Idealfall nicht zur Ausbildung von Stehwellenfeldern kommt. Technischer Auf wand für eine resonante Abstimmung entfällt.

Nachteil

Die für die Effizienz von Plasma prozessen wichtige Feldstärke der elektri schen Wechselfelder kann i. a. nicht über den voreingestellten Wert hinaus gesteigert wer den. Es muß durch optimale Leistungsabsorpti on sichergestellt werden, daß keine Stehwel lenfelder entstehen können.

Es besteht generell der Wunsch, die Vorteile von beiden Funktionsprinzipien in einer technischen Lösung unter Vermeidung der damit verbundenen Nachteile zu vereinigen.

Es liegt in der komplementären Natur des Gegen standes, daß dieses Problem generell nicht, in ei nigen Spezialfällen jedoch lösbar ist. Für das grundlegende Funktionieren von Plasmaquellen, die mit hochfrequenten elektromagnetischen Wechselfel dern betrieben werden, ist die angestrebte Lösung i. a. nicht entscheidend, denn derzeitige Plas maquellen dieser Art basieren auf jeweils einem der beiden Prinzipien. Die angestrebte ideale Kom bination beider Prinzipien führt nicht zu einer neuartigen technischen Lösung, sondern verbessert in bestimmten Fällen die Ausnutzung der von Hoch frequenzsendern an die Plasmaquelle abgegebenen Leistung und wird zusätzlich zu einer merkbaren Erhöhung von Plasmadichten und -temperaturen bei großflächigen Anwendungen führen.

Die vorliegende Erfindung betrifft Plasmaquellen, deren Hochfrequenzleitungs- und deren Leistungs übertragungsstruktur an die Plasmen dem Prinzip der Leitungswellen zugeordnet werden können. Diese Wellen haben i. a. vernachlässigbar geringe elek trische oder magnetische Komponenten in Wellenaus breitungsrichtung, sind also näherungsweise trans versale elektromagnetische Wellen (TEM). (Die Er findung betrifft jedoch keine Wellenleitungsstruk turen, die auf dem Prinzip der transversal elek trischen oder transversal magnetischen Hohlleiter wellen (TE oder TM) basieren).

Planare Plasmaquellen, deren Funktionsweise auf dem Patent DE 195 03 205 und/oder der Offenle gungsschrift DE 41 36 297 beruhen, haben sich be reits im Einsatz sehr gut bewährt und zeigen im Betrieb Eigenschaften, die sie sehr für die Ver wendung in Produktionsanlagen empfehlen. Die maß gebliche Wellenleitungsstruktur zur Übertragung von Hochfrequenzleistung auf die Plasmaentladung besteht in diesen Plasmaquellen aus einer Anzahl parallel angeordneter Koaxialleitungen, deren In nenleiter aus elektrisch leitfähigen Material (Metall) und deren Außenleiter aus zylindrisch ge formtem Plasma besteht.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zu grunde, einen besonders leistungsfähige Vorrich tung der in frage stehenden Art unter Zugrundele gung der beiden oben erwähnten Funktionsprinzipien zu schaffen.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß der stabförmige Leiter in Richtung auf sein freies Ende zu von einem Außenleiter umschlossen ist, der sich vom Generator bis zur Innenwandflä che erstreckt, wobei im Bereich der Wanddurchfüh rung der mit dem Generator verbundene stabförmige Leiter und der diesen umschließende Außenleiter mit einem eine Umwegleitung bildenden Abzweig ver sehen sind, wobei mit dieser Umwegleitung ein zweiter, von einem zweiten Isolierrohr umschlosse ner, zum ersten Isolierrohr paralleler, sich in die Vakuumkammer erstreckender stabförmiger Leiter verbunden ist, wobei die Länge der Umwegleitung λ/2 beträgt.

Bei einer bevorzugten Ausführungsform, bei der das Isolierrohr an beiden Enden in der Wand der Vaku umkammer gehalten und gegenüber dieser an seiner Außenfläche abgedichtet ist und der stabförmige Leiter mit beiden Enden an Generatoren zur Erzeu gung der elektromagnetischen Wechselfelder ange schlossen ist, wobei jeweils beide Enden des stabförmigen Leiters von Außenleitern umschlossen sind und sich jeweils vom Generator bis zur jewei ligen Innenwandfläche erstrecken, sind im Bereich der Wanddurchführungen des mit den Generatoren verbundenen stabförmigen Leiters und die diesen umschließenden Außenleiter jeweils mit einem eine Umwegleitung bildenden Abzweig versehen, wobei mit diesen Umwegleitungen ein zweiter, von einem zwei ten Isolierrohr umschlossener, zum ersten Isolier rohr paralleler, sich durch die Vakuumkammer er streckender stabförmiger Leiter verbunden ist, wo bei die Länge der Umwegleitungen jeweils λ/2 be trägt.

Weitere Einzelheiten und Merkmale ergeben sich aus den Patentansprüchen.

Die Erfindung läßt die verschiedensten Ausfüh rungsmöglichkeiten zu; einige davon sind in den anhängenden Zeichnungen rein schematisch darge stellt, und zwar zeigen:

Fig. 1 die elektrischen Felder von zwei Anord nungen von stabförmigen, von Isolierroh ren umschlossenen Leiterpaaren, und zwar bei gleichphasigem und bei gegenphasigem Betrieb,

Fig. 2 eine Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma in einer Vakuumkammer mit einem Genera tor, einem Abzweig und zwei in die Vaku umkammer hineinragenden stabförmigen Lei tern mit diese umschließenden Quarzröh ren,

Fig. 3 eine Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma mit zwei Generatoren, zwei Abzweigungen und zwei sich von Wand zu Wand erstrecken den Leitern mit diesen umschließenden Quarzröhren und

Fig. 4 eine Verzweigungseinheit für die Span nungserhöhung zwischen jeweils zwei Dop pelvorrichtungen.

Die Erfindung ermöglicht die Anordnung von minde stens zwei Vorrichtungen in näherungsweise paral leler Ausrichtung, die mit Hochfrequenzleistung gleicher Frequenz gespeist werden, die in zeitlich fester Phasenbeziehung zueinander stehen. Dies kann auf zwei Arten erreicht werden, indem jede Vorrichtung mit individuellen, aber phasengekop pelten Hochfrequenzsendern gleicher Frequenz be trieben wird, oder die Vorrichtungen werden von einem einzigen Hochfrequenzsender gespeist, dessen Gesamtleistung über eine Anzahl von Leistungstei lern auf die Vorrichtungen phasengleich verteilt werden, wobei letztere Möglichkeit besonders ko stengünstig ist. Soweit Vorrichtungen nach der DE 195 03 205 betroffen sind, bezieht sich die Forderung der phasenfesten Einspeisung von Hoch frequenzwellen nur jeweils auf eine Seite von min destens zwei Vorrichtungen (parallel), nicht je doch auf zweiseitig eingespeiste, entgegenlaufende Wellen (antiparallel).

Werden zwei parallel angeordnete Vorrichtungen mit phasenfester Hochfrequenzleistung gleicher Fre quenz betrieben und ist der Phasenwinkel 2.n.π (wobei n = 0, 1, 2, . . .), also "gleichphasig", so ergibt sich, wie Fig. 1 zeigt, eine Verteilung des elek trischen Feldes der Wellen zu einem festen Zeit punkt im Querschnitt. Der größte elektrische Span nungswert ist V, im Bezug zu irgendeinen Punkt in nerhalb oder außerhalb der Vorrichtungen. Wird die Doppelvorrichtung jedoch mit phasenfester Hochfre quenzleistung gleicher Frequenz betrieben und ist der Phasenwinkel (2.n + 1).π (wobei n = 0, 1, 2, . . .), also "gegenphasig", so ergibt sich eine Verteilung des elektrischen Feldes der Wellen zu einem festen Zeitpunkt im Querschnitt wie Fig. 1b zeigt. Der größte elektrische Spannungswert ist 2.V zwischen den beiden Leitern, also doppelt so hoch im ersten Fall. Dieser Sachverhalt gilt unabhängig davon, ob die Vorrichtungen mit fort laufenden oder stehenden Wellen betrieben werden.

Für die Erzeugung, Aufrechterhaltung und Intensi tät der Plasmaentladung ist die Erhöhung der elek trischen Spannung von großer Bedeutung. Zum einen kann durch die Spannungserhöhung der Betriebsgas druckbereich der Plasmaquelle erweitert werden, zum anderen kann die notwendige Hochfrequenzlei stung bei vorgegebenen Betriebsbedingungen in Plasmaquellen reduziert werden.

In einer besonders interessanten Ausführung der Plasmaquelle, die sich aus mehreren, parallel in einer gemeinsamen Ebene angeordneten Vorrichtungen zusammensetzt, kann die Spannungserhöhung in einer Art erreicht werden, wie sie in Fig. 2 angedeutet ist. Die rein schematisch dargestellte Vorrichtung besteht in dieser Ausführungsform aus den beiden in die Vakuumkammer 3 hineinragenden, druckdicht an der Kammerwand 6 befestigten Isolierrohren 5, 14 mit den sich koaxial zu ihnen erstreckenden stabförmigen Leitern 4, 15, dem den stabförmigen Leiter 4 umschließenden, zwischen Generator 8 und der Innenwand 6 vorgesehenen Außenleiter 12 in Ge stalt eines Metallrohres oder Metallschlauches und dem Abzweig bzw. der Umwegleitung 13, dessen einer Ast die Länge λ/2 aufweist. Die Grundlage für die Spannungserhöhung bildet ein sogenannter BALUN Transformator in koaxialer Bauform. Ein BALUN (engl. BALanced-UNbalanced) ist ein Bauteil, das eine unsymmetrische Leitung in eine symmetrische umsetzt. (Zinke, O., Brunswig, H.: Lehrbuch der Hochfrequenztechnik, Band 1, Springer Verlag, 1973, Seite 100-111 und Johnson, Richard C.: An tenna Engineering Handbook, 3^rd Edition, McGraw-Hill Verlag, 1993, Seite 43-23 bis 43-27).

Die Leistung, mit den Spitzenwerten I für Strom und V für Spannung gekennzeichnet, wird für je ei ne Doppelvorrichtung über die unsymmetrische Lei tung, eine Koaxialleitung bestehend aus einem In nenleiter und einem auf Erdpotential befindlichen Außenleiter, zugeführt und an einer T-Verzweigung am Punkt P₁ im Verhältnis 1 : 1 geteilt. Die maximale Spannung in der unsymmetrischen Leitung ist gleich V und die Ströme haben auf den Innenleitern der Doppelvorrichtung jeweils die Werte I/2.

Das wesentliche Merkmal der Erfindung in der vor liegenden Ausführung ist der λ/2 Phasenschieber, in der speziellen Ausführung also das koaxiale Leitungsstück zwischen den Punkten P₁ und P₂, das die Wellen des einen Verzweigungsastes gegenüber dem anderen zusätzlich zurücklegen müssen und das nahezu oder gleich der halben Wellenlänge bei der Designfrequenz sein soll. Da die Phasenfronten beider Verzweigungsäste jeweils gleichzeitig am Punkt P₁ starten, ergibt sich bei Wegfall der Au ßenleiter der koaxialen Leiter der Verzwei gungsäste, also bei direkter Wechselwirkung der beiden Innenleiter miteinander, z. B. an den Stel len P₃-P₄ (Verbindungslinie senkrecht zur Längsach se der Vorrichtung), eine Phasenverschiebung der Wellen gegeneinander um eine halbe Wellenlänge (umgekehrte Fließrichtung der Ströme relativ zu einander), so daß die Spannung zwischen den beiden Leitern (+V bis -V, s. Fig. 1 rechts) 2.V beträgt. Würden die Wellen des einen Verzweigungsastes kei ne "Verzögerung" erfahren, wären die Wellen beider Verzweigungsäste in Phase (+V bis +V, s. Fig. 1 links) und eine Spannungserhöhung würde nicht er reicht.

Die notwendige Phasenverschiebung zwischen den beiden Verzweigungsästen kann auch durch eine die lektrisch belastete Leitung in einem der Verzwei gungsäste oder andere geeignete Maßnahmen erreicht werden.

Die in Fig. 3 dargestellte Ausführungsform unter scheidet sich von derjenigen nach Fig. 2 dadurch, daß die beiden stabförmigen Leiter 7, 26 vollstän dig durch die Vakuumkammer 9 hindurchgeführt sind, wobei die die Leiter 7, 26 umschließenden Isolier rohre 16, 25 jeweils mit beiden Enden druckfest mit den einander gegenüberliegenden Innenwände 22, 22a verbunden sind. Der stabförmige Leiter 7 ist mit beiden enden mit Generatoren 18, 19 verbunden, wo bei jeweils in den Leitungsabschnitten zwischen Generator 18 bzw. 19 und der Innenwand 22 bzw. 22a der Vakuumkammer 9 Abzweige vorgesehen sind, die die notwendigen Umwegleitungen 23, 26 zum zweiten stabförmigen Leiter 26 bilden. Diese Abzweige sind entsprechend der in Fig. 2 dargestellten Ausge staltung mit Außenleitern 20, 21 versehen, die sich jeweils von den Generatoren 18 bzw. 19 bis zur je weiligen Kammerinnenwand 22 bzw. 22a erstrecken.

Fig. 4 zeigt eine Ausführung, bei der die Span nungserhöhung zwischen je zwei Doppelvorrichtungen bei einem Betrieb mit 4 Vorrichtungen mit einem Hochfrequenzsender erreichbar ist.

Werden die Vorrichtungen so betrieben, daß sich Stehwellen entlang der Vorrichtungen ausbilden können (insbesondere wenn die Wellenlängen erheb lich kleiner sind als die Abmessungen des Plas maentladungsgefäßes, z. B. Mikrowellen), so kann die elektrische Spannung auf den vierfachen Wert gegenüber einer mit gleichphasigen Wellen angereg ten Mehrfachvorrichtung erhöht werden.

Bezugszeichenliste

3

Vakuumkammer

4

stabförmiger Leiter

5

Rohr, Isolierrohr

6

Kammerwand

6

a Innenwandfläche

7

stabförmiger Leiter

8

Quelle, Generator

9

Vakuumkammer

10

Wanddurchführung

11

freies Ende

12

Außenleiter

13

Umwegleitung

14

Isolierrohr

15

stabförmiger Leiter

16

Isolierrohr

17

Kammerwand

17

a Kammerwand

18

Quelle, Generator

19

Quelle, Generator

20

Außenleiter

21

Außenleiter

22

Innenwandfläche

22

a Innenwandfläche

23

Umwegleitung

24

Umwegleitung

25

Isolierrohr

Claims

1. Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma in einer Vakuumkammer (3) mit Hilfe von elektromagne tischen Wechselfeldern, wobei ein stabförmi ger Leiter (4) innerhalb eines Rohres (5) aus isolierendem Werkstoff sich in die Vakuumkam mer (3) erstreckt und der Innendurchmesser des Isolierrohres (5) größer als der Durch messer des stabförmigen Leiters (4) ist, wo bei das Isolierrohr (5) an einem Ende in der Wand (6) der Vakuumkammer (3) gehalten und gegenüber dieser an seiner Außenfläche abge dichtet ist und der stabförmige Leiter (4) mit seinem der Vakuumkammer (3) abgewandten Ende an eine Quelle (8) zur Erzeugung der elektromagnetischen Wechselfelder angeschlos sen ist, wobei der stabförmige Leiter (4) in Richtung auf sein freies Ende (11) zu von ei nem Außenleiter (12) umschlossen ist, der sich zumindest von der Quelle (8) bis zur In nenwandfläche (6a) der Vakuumkammer (3) er streckt, wobei im Bereich zwischen der Wand durchführung (10) und der Quelle (8) der mit der Quelle (8) verbundene, stabförmige Leiter (4) und der diesen umschließende Außenleiter mit einem eine Umwegleitung (13) bildenden Abzweig versehen sind, wobei mit dieser Um wegleitung (13) ein zweiter, von einem zwei ten Isolierrohr (14) umschlossener, zum er sten Isolierrohr (5) paralleler, sich in die Vakuumkammer (3) erstreckender stabförmiger Leiter (15) verbunden ist, wobei die Länge der Umwegleitung λ/2 beträgt.

2. Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma in einer Vakuumkammer (9) mit Hilfe von elektromagne tischen Wechselfeldern, wobei ein stabförmi ger Leiter (7) innerhalb eines Rohres (16) aus isolierendem Werkstoff sich durch die Va kuumkammer (9) erstreckt und der Innendurch messer des Isolierrohres (16) größer als der Durchmesser des stabförmigen Leiters (7) ist, wobei das Isolierrohr (16) mit seinen Enden in den einander gegenüberliegend angeordneten Wänden (6; 17, 17a) der Vakuumkammer (9) gehal ten und gegenüber diesen an seiner Außenflä che abgedichtet ist, wobei beide Enden des stabförmigen Leiters (7) jeweils mit einer Quelle (18, 19) zur Erzeugung der elektroma gnetischen Wechselfelder verbunden sind, wo bei jeweils beide Enden des stabförmigen Lei ters (7) von Außenleitern (20, 21) umschlossen sind, die sich jeweils von der Quelle (18, 19) bis zur jeweiligen Innenwandfläche (22, 22a) der Vakuumkammer (9) erstrecken, wobei im Be reich der Wanddurchführungen der mit den Quellen (18, 19) verbundene, stabförmige Lei ter (7) und die diesen umschließenden beiden Außenleiter (20, 21) jeweils mit einem eine Umwegleitung (23, 24) bildenden Abzweig verse hen sind, wobei mit diesen Umwegleitungen (23, 24) jeweils ein zweiter, von einem zwei ten Isolierrohr (25) umschlossener, zum er sten Isolierrohr (16) paralleler, sich durch die Vakuumkammer (9) erstreckender stabförmi ger Leiter (26) verbunden ist, wobei die Län ge jeder Umwegleitung λ/2 beträgt.

3. Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma in einer Vakuumkammer mit Hilfe von elektromagneti schen Wechselfeldern, wobei ein stabförmiger Leiter innerhalb eines Rohres aus isolieren dem Werkstoff sich in die Vakuumkammer er streckt und der Innendurchmesser des Isolier rohres größer als der Durchmesser des stabförmigen Leiters ist, wobei das Isolier rohr an einem Ende in der Wand der Vakuumkam mer gehalten und gegenüber dieser an seiner Außenfläche abgedichtet ist und der stabför mige Leiter mit seinem der Vakuumkammer abge wandten Ende an eine Quelle zur Erzeugung der elektromagnetischen Wechselfelder angeschlos sen ist, wobei der stabförmige Leiter in Richtung auf sein freies Ende zu von einem Außenleiter umschlossen ist, der sich zumin dest von der Quelle bis zur Innenwandfläche der Vakuumkammer erstreckt, wobei im Bereich zwischen der Wanddurchführung und der Quelle der mit der Quelle verbundene, stabförmige Leiter und der diesen umschließende Außenlei ter mit Umwegleitungen bildenden Abzweigen versehen sind, wobei mit diesen Umwegleitun gen weitere, von jeweils einem weiteren Iso lierrohr umschlossene, zum ersten Isolierrohr parallele, sich in die Vakuumkammer erstreckende stabförmige Leiter verbunden sind, wo bei die Länge jeder Umwegleitung λ/2 beträgt.

4. Vorrichtung zur Erzeugung von Plasma in einer Vakuumkammer mit Hilfe von elektromagneti schen Wechselfeldern, wobei ein stabförmiger Leiter innerhalb eines Rohres aus isolieren dem Werkstoff sich durch die Vakuumkammer er streckt und der Innendurchmesser des Isolier rohres größer als der Durchmesser des stabförmigen Leiters ist, wobei das Isolier rohr mit seinen Enden in den einander gegen überliegend angeordneten Wänden der Vakuum kammer gehalten und gegenüber diesen an sei ner Außenfläche abgedichtet ist, wobei beide Enden des stabförmigen Leiters jeweils mit einer Quelle zur Erzeugung der elektromagne tischen Wechselfelder verbunden sind, wobei jeweils beide Enden des stabförmigen Leiters von Außenleitern umschlossen sind, die sich jeweils zumindest von der Quelle bis zur je weiligen Innenwandfläche der Vakuumkammer er strecken, wobei im Bereich der Wanddurchfüh rungen der mit den Quellen verbundene, stabförmige Leiter und die diesen umschlie ßenden beiden Außenleiter jeweils mit Um wegleitungen bildenden Abzweigen versehen sind, wobei mit diesen Umwegleitungen jeweils weitere, von weiteren Isolierrohren umschlos sene, zum ersten Isolierrohr parallele, sich durch die Vakuumkammer erstreckende, stabför mige Leiter verbunden ist, wobei die Länge jeder Umwegleitung λ/2 beträgt.