DE4132556A1

DE4132556A1 - Vorrichtung zur erzeugung eines mikrowellenplasmas fuer die behandlung von substraten, insbesondere zur plasmapolymerisation von monomeren

Info

Publication number: DE4132556A1
Application number: DE4132556A
Authority: DE
Inventors: Michael R Prof Wertheimer
Original assignee: ECOLE POLYTECH; Ecole Polytechnique de Montreal
Current assignee: Polyplasma Inc Montreal Quebec Ca
Priority date: 1981-12-04
Filing date: 1991-09-30
Publication date: 1993-01-07
Also published as: GB2110870A; US4521717A; DE3147986A1; GB2110870B; DE4132556C2; JPH0433866B2; DE3147986C2; JPS58104633A

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zur Erzeugung eines Mikrowellenplasmas für die Behandlung von Substraten, insbesondere zur Plasmapolymerisation von Monomeren zur Be schichtung der Substrate mit den gebildeten Polymerisaten, be stehend aus einer Reaktionskammer für den Transport der Sub strate und für die Aufrechterhaltung einer Atmosphäre aus ionisierbaren Gasen und Monomeren, sowie aus einer quer zur Transportrichtung der Substrate verlaufenden langgestreckten ersten Wellenleiter-Struktur, die unter einem spitzen Winkel zur Substratoberfläche ausgerichtet und einseitig über einen ersten Hohlleiter mit einem Mikrowellensender verbunden ist.

Eine derartige Vorrichtung ist durch die US-PS 38 14 983 bekannt. Die Wellenleiter-Strukturen bestehen dabei aus je zwei geraden Holmen, zwischen denen sich eine Reihe von Sprossen erstreckt. Die Sprossen sind abwechselnd mit einem von zwei Mittelleitern leitend verbunden, die zur Einleitung der Energie vom Mikrowellensender in die Wellen leiter-Struktur dienen. Durch die gleiche Druckschrift ist es bereits bekannt, zwischen der Wellenleiter-Struktur und dem Mikrowellenplasma eine mikrowellendurchlässige Wand (Glasrohr) anzuordnen. Sofern sich in dem Glasrohr ein ionisierbares Gas und ein polymerisationsfähiges Monomeres befinden, lassen sich Polymerisate erzeugen.

Schließlich ist es durch die gleiche Druckschrift auch bereits bekannt, mit einer derartigen Vorrichtung flächige Substrate In Form von Bändern, Folien oder Platten zu beschichten, wobei auf den beiden entgegengesetzten Seiten des Substrats je eine Wellenleiter-Struktur angeordnet ist.

Bei der Behandlung bzw. Beschichtung großflächiger Substrate ist jedoch eine möglichst gleichförmige Behandlungsintensität bzw. Niederschlagsrate des Schichtmaterials über die gesamte Substratbreite unerläßlich. Dies setzt einen entsprechend homogenen Leistungseintrag in das Plasma über die Substrat breite voraus.

Bei dem Gegenstand der US-PS 38 14 983 wird zur Erreichung eines gleichmäßigen Leistungseintrags in das Plasma vorge schlagen, die Wellenleiter-Struktur um einen experimentell zu ermittelnden Winkel geneigt zur Substratoberfläche ver laufen zu lassen. Der Anstellwinkel läßt sich für vorgegebene Entladungsparameter bestimmen, so daß für diese Entladungs parameter ein konstanter Leistungseintrag über die gesamte Länge der Wellenleiter-Struktur ermöglicht wird. Sobald sich jedoch die Entladungsparameter ändern, wie beispielsweise, bei einer Änderung der Monomeren, des Drucks, der einge speisten Leistung, ändern sich diejenigen Bezugsgrößen, die den Anstellwinkel der Wellenleiter-Struktur bestimmen. Daraus ergibt sich im Hinblick auf einen unveränderten Anstellwinkel ein Leistungseintrag mit exponentiellem Verlauf, der erheb liche negative Folgen im Hinblick auf die Schichtdickengleich mäßigkeit in Richtung der Längsausdehnung der Wellenleiter- Struktur hat. Die Leistungseingänge in das Plasma können sich dadurch an beiden Enden der Struktur durchaus im Verhältnis 1:10 voneinander unterscheiden. Derartige Abweichungen sind im Hinblick auf die Substratbeschichtung im großtechnischen Maßstab untragbar.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Vor richtung der eingangs beschriebenen Gattung dahingehend zu verbessern, daß die Behandlungsintensität bzw. Niederschlags rate von Polymerisaten über die gesamte Substratbreite möglichst gleichförmig ist. Für den Fall, daß eine Vielzahl kleinerer Substrate in flächiger Anordnung dem Behandlungsvorgang aus gesetzt wird, gilt hinsichtlich der Verteilung der Be handlungsintensität bzw. der Niederschlagsrate für alle Sub strate grundsätzlich die gleiche Forderung.

Die Lösung der gestellten Aufgabe erfolgt bei der eingangs beschriebenen Vorrichtung erfindungsgemäß dadurch, daß neben der ersten Wellenleiter-Struktur auf der gleichen Seite der Substrate mindestens eine zweite langgestreckte Wellenleiter- Struktur angeordnet ist, die gleichfalls quer zur Transport richtung der Substrate verläuft, jedoch in entgegengesetzter Richtung unter einem spitzen Winkel zur Substratoberfläche ausgerichtet und über einen zweiten Hohlleiter mit einem Mikrowellensender verbunden ist.

Das Wesen der Erfindung besteht darin, daß zwei Wellen leiter-Strukturen in antiparalleler Anordnung auf der gleichen Seite des Substrats vorgesehen sind. Dadurch findet eine Überlagerung des Energieeintrags beider Strukturen statt, die bei der Anordnung zweier Strukturen auf gegenüberliegenden Seiten des Substrats nicht möglich wäre.

Bei Anwendung der erfindungsgemäßen Lehre ändert sich die jenige Größe, welche die Stärke der Ankopplung der Energie an das Plasma definiert, nicht mehr exponentiell in Richtung der Querabmessungen des Substrats, sondern nur in einem Maße, das der Überlagerung der beiden Leistungseinträge entspricht. Ändert sich der Leistungseintrag einer jeden Struktur in deren Längsrichtung bzw. In Querrichtung des Substrats gemäß einer e-Funktion, so läßt sich die Überlagerung dieser beiden in entgegengesetzter Richtung verlaufenden Kurven durch eine Kettenlinie darstellen, die in etwa einem cosinus hyperbolicus entspricht.

Beträgt beispielsweise bei Verwendung nur einer Struktur infolge Fehlanpassung das Verhältnis des Energieeintrags an der einen Längskante des Substrats zu demjenigen an der anderen Längskante "n" (z. B. n=P_max:P_min=2, 4, 6) so ergibt sich bei Verwendung zweier erfindungsgemäßer antiparalleler Strukturen bei gleicher Fehlanpassung in der Mitte des Substrats (ungünstigste Stelle) eine prozentuale Abweichung "b", die in folgender Tabelle gezeigt ist:

n
b (%)
2
5,2
4	20
6	45

Dies bedeutet, eine Anwendung der beschriebenen Bezugsgrößen, die für die einfache Struktur eine Inhomogenität der Leistungseintragung von 1:2 bewirkt, äußert sich im Fall der antiparallelen Strukturen in einer Inhomogenität von nur ca. 5%. Hierbei ist zu beachten, daß bereits ein n=2 in aller Regel unvertretbar hoch ist.

Da bei der Plasmapolymerisation die Abscheidungsrate mit dem Leistungseintrag eng korreliert ist, läßt sich auf diese Weise nicht nur eine höhere Niederschlagsrate des Schichtmaterials erzeugen, sondern vor allem eine wesentlich größere Schichtgleichförmigkeit, über die Breite des Substrats gesehen.

Die Verhältnisse lassen sich hinsichtlich der Überlagerung der beiden Energieeinträge noch weiter verbessern, wenn die Mittenebenen beider Wellenleiter-Strukturen, die senkrecht zu deren Sprossen verlaufen, unter einem solchen Winkel zu einander angestellt sind, daß sie sich in einer Geraden schneiden, die parallel zur Substratoberfläche und senkrecht zur Transportrichtung ausgerichtet ist. Hierbei werden keine getrennten plasmaerfüllten Räume mehr gebildet, sondern der gleiche plasmaerfüllte Raum ist dem Einfluß beider Wellen leiter-Strukturen gleichzeitig ausgesetzt.

Bei derartigen Wellenleiter-Strukturen gibt es aber noch ein weiteres Problem, das seine Ursache in dem endlichen Abstand der Sprossen hat. Dadurch entsteht eine Mikrostruktur der elek trischen Feldstärke, die die Periode des Sprossenabstandes be sitzt. Auf der Länge, die einem Sprossenabstand entspricht, ändert sich der Energieeintrag um etwa den Faktor 2. Der Einfluß auf eine niedergeschlagene Schicht läßt sich etwa so dar stellen, daß die Schichtdickenverteilung einer Wellenlinie entspricht, deren Maxima dem Sprossenabstand entsprechen.

Zur Lösung dieses Problemes wird gemäß der weiteren Erfindung vorgeschlagen, daß die beiden Wellenleiter-Strukturen quer zur Transportrichtung des Substrats um einen halben Sprossen abstand gegeneinander verschoben sind. Auf diese Weise er folgt eine weitgehende Auslöschung der Mikrostruktur durch Überlagerung der unterschiedlichen Schichtdicken auf einem quer zu den Strukturen bewegten Substrat. Dies wäre auch dann der Fall, wenn die Strukturen in Transportrichtung des Sub strats einen merklichen Abstand voneinander aufweisen. Wie bereits gesagt, können die Verhältnisse jedoch dadurch ver bessert werden, daß die Strukturen in der Weise aufeinander zu geschwenkt werden, daß sie auf einem gemeinsamen, plasma erfüllten Raum einwirken.

Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen des Erfindungsgegen standes ergeben sich aus den übrigen Ansprüchen. Ein Aus führungsbeispiel des Erfindungsgegenstandes wird nach folgend anhand der Fig. 1 bis 4 näher erläutert.

Es zeigen:

Fig. 1 eine perspektivische Darstellung einer voll ständigen Vorrichtung mit zwei antiparallelen Wellenleiter-Strukturen,

Fig. 2 einen Querschnitt durch den Gegenstand nach Fig. 1, in Transportrichtung der Substrate gesehen, jedoch mit der Variante, daß die beiden antiparallelen Strukturen auf einen gemeinsamen plasmaerfüllten Raum einwirken,

Fig. 3 eine Kurvendarstellung der Energieeinträge einer jeden Struktur einschließlich der überlagerten Kurve und

Fig. 4 eine Aufeinanderprojektion zweier Längsschnitte durch die Mikrowellenstrukturen mit um einen halben Sprossenabstand verschobenen Sprossen.

In Fig. 1 ist eine Reaktionskammer 1 dargestellt, in der eine Vielzahl von Substraten 2 in flächiger Ausbreitung auf einem ebenen Substratträger 3 angeordnet sind. Die Substrate 2 sind dabei mittels des Substratträgers 3 in Richtung des Pfeils 4 durch die Reaktionskammer 1 transportierbar.

Der Substratträger 3 kann dabei zwischen einem nicht gezeigten Vorratsmagazin und einem gleichfalls nicht gezeigten Aufnahme magazin transportiert werden, die an beiden Enden der Reaktions kammer 1 angeordnet sind. Es können aber auch an beiden Enden der Reaktionskammer 1 Chargierschleusen vorgesehen werden.

An die Stelle der einzelnen Substrate 2 kann jedoch beispiels weise auch ein großflächiges Substrat in Form einer Folie treten, die von einer nicht gezeigten Vorratsrolle auf eine gleichfalls nicht gezeigte Aufnahmerolle umgewickelt wird. Die Folienrollen können dabei in besonderen Rollenkammern untergebracht werden; es ist aber auch möglich, die Rollen außerhalb der Reaktionskammer 1 anzuordnen und die Folie durch spaltförmige Dichtungen in Form von Druckstufenstrecken in die Reaktionskammer ein und aus dieser wieder herauszuführen.

Derartige Konstruktionsprinzipien von Reaktionskammern und Schleusen bzw. Druckstufenstrecken sind jedoch Stand der Technik, so daß sich ein weiteres Eingehen hierauf erübrigt.

Die aus Metall bestehende Reaktionskammer 1 ist dabei mit einem Fenster 5 aus einem mikrowellendurchlässigen Werkstoff wie Quarzglas oder Aluminiumoxidkeramik, Polytetrafluoräthylen versehen. Das Fenster ist in der Drauf sicht rechteckig, wobei die Länge mindestens den Breitenab messungen der Substrate 2 bzw. des Substratträgers 3 quer zur Transportrichtung (Pfeil 4) entspricht.

Oberhalb des Fensters 5 sind eine erste Wellenleiter-Struktur 6 und eine zweite Wellenleiter-Struktur 7 angeordnet. Beide Wellenleiter-Strukturen bestehen gemäß Fig. 2 aus zwei geraden Holmen 8 bzw. 9, die paarweise parallel zueinander verlaufen, und zwischen denen sich gleich lange Sprossen 10 bzw. 11 erstrecken, die mit den Holmen in metallischer Ver bindung stehen.

Die Sprossen 10 bzw. 11 sind abwechselnd mit einem von zwei Mittelleitern 12/13 bzw. 14/15 elektrisch leitend verbunden, wie dies nur in Fig. 2 dargestellt ist. Diese Mittelleiter sind in Fig. 1 der Übersichtlichkeit halber fortgelassen. Ausbildung und Anordnung solcher Wellenleiter-Strukturen sind in der US-PS 38 14 983, insbesondere in den Fig. 4 bis 8 ausführlich dargestellt.

Gemäß Fig. 1 steht die erste Wellenleiter-Struktur 6 über einen Hohlleiter 16 mit einem Mikrowellensender 17 in Ver bindung, wobei die Verbindung durch eine gestrichelte Linie nur symbolisch angedeutet ist. Wesentlicher Teil des Mikro wellensenders 17 ist ein Magnetron. Die Ankopplung der Wellenleiter-Struktur 6 an den Hohlleiter 16 ist gleichfalls Stand der Technik und beispielhaft in der US-PS 38 14 983, Fig. 4 und 5, dargestellt. Das jenseitige Ende der ersten Wellenleiter-Struktur 6 ist über einen weiteren Hohlleiter 18 mit einer sogenannten Blindlast 19 verbunden, die einen Mikrowellen-Kurzschluß erzeugt. Die Wellenleiter-Struktur 6 verläuft unter einem spitzen Winkel zum Fenster 5 und zum Substratträger 3, wobei der größte Abstand an demjenigen Ende vorhanden ist, an dem sich der Hohlleiter 16 be findet. Der Anstellwinkel kann durch Verschiebung des Hohl leiters 16 in Richtung des links daneben dargestellten Doppelpfeils verändert werden. Der Anstellwinkel wird da bei so gewählt, daß über die Länge der Wellenleiter-Struktur ein gleichmäßiger Energieeintrag in das Plasma erfolgt, konstante Entladungsparameter vorausgesetzt.

Das Plasma wird innerhalb der Reaktionskammer 1 gebildet, in der sich außer einem ionisationsfähigen Gas wie beispiels weise Argon, auch eine monomere Komponente befindet, die sich unter dem Einfluß des Plasmas polymerisieren läßt. Die Ein stellung geeigneter Betriebsparameter ist gleichfalls Stand der Technik und beispielhaft in der US-PS 38 14 983 be schrieben.

Die zweite Wellenleiter-Struktur 7 ist - gleichfalls quer zur Transportrichtung der Substrate ausgerichtet - neben der ersten Wellenleiter-Struktur 6 angeordnet; sie verläuft jedoch in entgegengesetzter Richtung und hat den gleichen spitzen Winkel zur Substratoberfläche. Das am weitestens von der Substratoberfläche entfernte Ende der zweiten Wellenleiter-Struktur 7 ist gleichfalls über einen Hohl leiter 20 in völlig analoger Weise mit dem gleichen Mikro wellensender 17 verbunden. Das jenseitige Ende der Wellen leiterstruktur 7 ist, gleichfalls in analoger Weise, über einen weiteren Hohlleiter 21 mit einer weiteren Blindlast 22 verbunden. Sämtliche Hohlleiter 16, 18, 20 und 21 sind zum Zwecke einer exakten Ausrichtung der Wellenleiter- Strukturen 6 und 7 relativ zur Substratoberfläche in Richtung der Doppelpfeile längsverschiebbar angeordnet. Eine Feineinstellung der Schichtdickenverteilung kann zusätz lich durch Abstimmung der Leistungsverteilung auf die beiden Strukturen erzielt werden.

Bei der Anordnung gemäß Fig. 1 sind die Mittenebenen der beiden Wellenleiter-Strukturen 6 und 7, die senkrecht zu den Sprossen verlaufen, parallel zueinander und senkrecht zur Substratoberfläche ausgerichtet. Auf diese Weise werden unterhalb des Fensters 5 zwei langgestreckte plasmaerfüllte Räume ausgebildet, die von den Substraten nacheinander durchlaufen werden. Es versteht sich, daß die Wellenleiter strukturen 6 und 7 zusammen mit den am Ende angeordneten Hohlleitern in ihrer Projektion auf das Fenster 5 in dessen lichtem Querschnitt liegen. Diejenigen Hohlleiter 16 bzw. 20, über die der Leistungseintrag in das Plasma erfolgt, liegen an entgegengesetzten Enden des Substratträgers 3, quer zur Transportrichtung gesehen (Pfeil 4).

Die beiden Wellenleiter-Strukturen 6 und 7 sind von einer ge meinsamen, mikrowellendichten Abschirmung 23 umgeben, von der nur ein Teil dargestellt ist.

Fig. 2 zeigt eine Variante des Gegenstandes nach Fig. 1. Die beiden Hellenleiter-Strukturen 6 und 7 sind zwar identisch ausgebildet, jedoch sind die beiden Mittenebenen M₁ und M₂, die senkrecht zu den Sprossen 10 bzw. 11 verlaufen, unter einem solchen Winkel δ zueinander angestellt, daß sie sich in einer Geraden schneiden, die parallel zur Substratober fläche und senkrecht zur Transportrichtung (Pfeil 4) ausge richtet ist. Die Grenzen der beiden plasmaerfüllten Räume sind angenähert durch gestrichelte Linien dargestellt. Die beiden plasmaerfüllten Räume überschneiden sich in einem schraffierten Bereich, wobei jedoch keine vollständige Über deckung vorliegt. Dies liegt daran, daß die Schnittlinie der Mittenebenen M₁ und M₂ unmittelbar in der Oberfläche des Substrats 2 liegt. Die Überschneidung bzw. Überdeckung der plasmaerfüllten Räume läßt sich jedoch noch weiter verbessern, wenn die beiden Wellenleiter-Strukturen 6 und 7 - bei gleichem Anstellwinkel der Mittenebenen - einander angenähert werden. Hierbei entfernt sich die Schnittlinie der beiden Mittenebenen von der Substratoberfläche, bis schließlich ein gemeinsamer, plasmaerfüllter Raum ent steht, der als Idealfall anzusehen ist. Analoge Verhältnisse lassen sich erreichen, wenn die Mittenebenen M₁ und M₂ unter Vergrößerung des Winkels δ aufeinander zugeschwenkt werden.

Anhand von Fig. 3 sind die Energieeinträge E beider Wellen leiter-Strukturen 6 und 7 für den Fall dargestellt, daß die Anstellwinkel nicht genau den Entladungsparametern ent sprechen. Auf der Abszisse sind die Substratabmessungen quer zur Transportrichtung dargestellt. Die Punkte mit einem Leistungseintrag von 100% sind besonders hervorgehoben; die Lage dieser Punkte entspricht den seitlichen Begrenzungs kanten des Substrats, in Transportrichtung gesehen. Die einer e-Funktion entsprechende Linie 24 repräsentiert dabei den Energieeintrag der Hellenleiter-Struktur 6, während die Linie 25 den entgegengesetzten Energieeintrag der Wellen leiter-Struktur 7 repräsentiert. Es ist erkennbar, daß die Energieeinträge in Richtung auf die jeweils gegenüberliegende Kante des Substrats bis auf einen Bruchteil des maximal möglichen Energieeintrags von 100% abnimmt. Die Überlagerung der beiden Kurven führt jedoch zur Kurve 26, die eine Art Kettenlinie dar stellt. Es ist zu erkennen, daß die Abnahme des Leistungs eintrags in der Mitte des Substrats wesentlich verringert wird, so daß eine wesentlich bessere Behandlungsintensität bzw. Niederschlagsrate erzielt wird. Hierbei ist zu berück sichtigen, daß die Verhältnisse in Fig. 3 übertrieben dar gestellt sind, um die Anschaulichkeit zu verbessern. Je besser die Anstellwinkel der Wellenleiter-Strukturen auf die Entladungsparameter abgestimmt sind, um so günstiger ge staltet sich der Kurvenverlauf. In jedem Falle aber liegen im Bereich der beiden Außenkanten des Substrats keinerlei Abweichungen vor, und die Abweichungen in Substratmitte betragen nur einen Bruchteil derjenigen Abweichungen, die sich ohne eine Überlagerung einstellen würden.

In Fig. 4 sind die Sprossen 10 der Hellenleiter-Struktur 6 ausgezogen dargestellt, während die Sprossen 11 der Wellen leiter-Struktur 7 gestrichelt gezeigt sind. Es handelt sich jeweils um Schnitte entlang der Mittenebenen M₁ bzw. M₂, wobei die Schnitte jedoch aufeinander projiziert sind. Es ist er kennbar, daß die Sprossen der beiden Wellenleiter-Strukturen 6 und 7 um einen halben Sprossenabstand gegeneinander ver schoben sind, wobei der Sprossenabstand mit Z₀ bezeichnet ist. Der Intensitätsverlauf der Hellenleiter-Struktur 6 mit den Sprossen 10 besitzt aufgrund des endlichen Sprossenab standes eine Mikrostruktur, die durch den ausgezogenen Kurven zug 27 dargestellt ist. Der Energieverlauf der Wellenleiter struktur 7 mit den Sprossen 11 ist analog durch den ge strichelten Kurvenzug 28 angedeutet. Die durch die Überlagerung erzielte effektive Energieverteilung entspricht dabei der gemeinsamen Hüllkurve der beiden Kurvenzüge 27 und 28. Daraus ergibt sich, daß die Mikrostruktur der Entladungsintensität durch den Versatz der Sprossen weitgehend ausgelöscht wird.

Claims

1. Vorrichtung zur Erzeugung eines Mikrowellenplasmas für die Behandlung von Substraten, insbesondere zur Plasma polymerisation von Monomeren zur Beschichtung der Sub strate mit den gebildeten Polymerisaten, bestehend aus einer Reaktionskammer für den Transport der Substrate und für die Aufrechterhaltung einer Atmosphäre aus Ionisierbaren Gasen und Monomeren, sowie aus einer quer zur Transportrichtung der Substrate verlaufenden langge streckten ersten Hellenleiter-Struktur, die unter einem spitzen Winkel zur Substratoberfläche ausgerichtet und einseitig über einen ersten Hohlleiter mit einem Mikro wellensender verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß neben der ersten Hellenleiter-Struktur (6) auf der gleichen Seite der Substrate mindestens eine zweite langgestreckte Wellenleiter-Struktur (7) angeordnet ist, die gleich falls quer zur Transportrichtung der Substrate (2) ver läuft, jedoch in entgegengesetzter Richtung unter einem spitzen Winkel zur Substratoberfläche ausgerichtet und über einen zweiten Hohlleiter (20) mit einem Mikrowellen sender (11) verbunden ist.

2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Wellenleiter-Strukturen aus je zwei geraden Holmen (8, 9) bestehen, zwischen denen sich eine Reihe von Sprossen (10, 11) erstreckt, die abwechselnd mit einem von zwei Mittel leitern (12/13; 14/15) leitend verbunden sind, und daß diejenigen Mittenebenen beider Wellenleiter-Strukturen (6, 7), die senkrecht zu den Sprossen verlaufen, parallel zuein ander und senkrecht zur Substratoberfläche ausgerichtet sind.

3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Wellenleiter-Strukturen (6, 7) aus je zwei geraden Holmen (8, 9) bestehen, zwischen denen sich eine Reihe von Sprossen (10, 11) erstreckt, die abwechselnd mit einem von zwei Mittelleitern (12/13 bzw. 14/15) leitend, verbunden sind, und daß diejenigen Mittenebenen (M₁ bzw. M₂) beider Wellenleiter-Strukturen (6, 7), die senkrecht zu den Sprossen (10, 11) verlaufen, unter einem solchen Winkel (δ) zueinander angestellt sind, daß sie sich in einer Geraden schneiden, die parallel zur Substratober fläche und senkrecht zur Transportrichtung ausgerichtet ist.

4. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Reaktionskammer (1) mit einem mikrowellendurchlässigen Fenster (5) versehen ist, das parallel zur Substratober fläche verläuft, und daß die beiden Wellenleiter-Struk turen (6, 7) außerhalb der Reaktionskammer und ober halb bzw. vor dem Fenster (5) angeordnet sind.

5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die mindestens zwei Wellenleiter-Strukturen (6, 7) von einer gemeinsamen Abschirmung (23) umgeben sind.

6. Vorrichtung nach den Ansprüchen 2 und 3, dadurch gekenn zeichnet, daß die beiden Wellenleiter-Strukturen (6, 7) quer zur Transportrichtung des Substrats (2) um einen halben Sprossenabstand gegeneinander verschoben sind.