DE69003552T2

DE69003552T2 - Verfahren zur Herstellung eines Filmkondensators.

Info

Publication number: DE69003552T2
Application number: DE90102206T
Authority: DE
Inventors: Tanejiro Ikeda; Tadashi Kimura
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1989-02-07
Filing date: 1990-02-05
Publication date: 1994-02-03
Anticipated expiration: 2010-02-06
Also published as: DE69003552D1; KR900013544A; EP0382136B1; JPH0622186B2; JPH02207516A; US5069746A; EP0382136A1

Description

1. Technisches Gebiet der Erfindung

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Filmkondensators, und vor allem ein Verfahren zur Herstellung eines Filmkondensators mit einer Laminatstruktur oder einem Schichtkörper eines organischen dielektrischen Films, auf dem sich eine Elektrodenschicht befindet, wie er z.B. aus der EP-A-015897 bekannt ist.

2. Beschreibung des Stands der Technik

In letzter Zeit werden für Elektronikkomponenten allgemein eine geringere Größe, geringeres Gewicht, hohe Leistungsfähigkeit in bezug auf Kenngrößen, geringere Kosten usw. gefordert, und das gleiche gilt für Filmkondensatoren. Das bedeutet, daß intensiv an der Entwicklung von Filmkondensatoren kleinen Typs und hoherer Leistungsfähigkeit in bezug auf die Kenngrößen gearbeitet wird.
Die Erfinder haben Forschungsarbeit geleistet, um das Filmkondensatorelement, wie einen Schichtkörper oder eine Laminatstruktur herzustellen, wobei organische dielektrische Substanz am Elektrodenverbindungsteil selektiv entfernt wird. Eine Technik, die nicht veröffentlicht wurde, aber Forschungsgegenstand und Vorstufe zur vorliegenden Erfindung war, wird in bezug auf Fig.2 und 3 näher erläutert, um die vorliegende Erfindung verständlich zu machen.
Fig.3 zeigt eine Sauerstoffplasma-Behandlungsvorrichtung und eine Herstellungsstufe eines Filmkondensatorkörpers durch selektives Entfernen des organischen dielektrischen Films in dem Schichtkörper oder in der Laminatstruktur, zum Herstellen eines Elektrodenverbindungsteils. In Fig.3 umfaßt ein Filmkondensatorkörper eine Mehrschicht-Laminatstruktur in Form eines Stapels oder einer Rolle aus dielektrischen Kunststoffilmen 1a, z.B. Polyphenylensulfid (nachstehend abgekürzt als PPS)-Filme, und aus Aluminiumfilmen 1b, die auf die PPS-Filme als Elektroden aufgedampft sind, unter Bildung einer abwechselnden Schichtstruktur aus dielektrischem Film und Elektroden, in Form eines Schichtkörpers oder eines Stapelkörpers oder zu einer Rolle aufgewickelt. Der Filmkondensator 1 befindet sich auf einer wassergekühlten tischförmigen unteren Elektrode 5, die sich in einer Vakuumkammer 3 befindet. Die Vakuumkammer 3 umfaßt ferner eine obere Elektrode 4, welche für den Austritt von O&sub2;- Gas in eine Kammer auf den Filmkondensatorkörper 1 Gasaustrittsöffnungen 41 auf ihrer unteren Oberfläche aufweist. Die obere Elektrode 4 wird mit Hochfrequenzenergie von 13,56 MHz aus einer Hochfrequenzenergiequelle 2 gespeist. Der Filmkondensatorkörper 1 liegt zwischen 2 Maskenteilen 6,6, die die oberen und unteren Endflächen des Filmkondensatorkörpers 1 bedecken und sie damit von dem Niedertemperatursauerstoffplasma während des Sauerstoffplasmabehandlungsverfahrens isolieren. Die Masken bestehen z.B. aus Aluminiumblech. Die Vakuumkammer 3 ist mit einer bekannten Vakuumpumpe 7 verbunden, um die darin befindliche Luft zu evakuieren.
In der oben genannten Kammer wird das O&sub2;-Plasma-Ätzen durch Austreten von O&sub2;-Gas aus den Gasaustrittsöffnungen 41 der oberen Elektrode 4 in die Kammer und durch Zuführen von Hochfrequenzenergie von der oberen Elektrode 4 und der unteren Elektrode 5 zum O&sub2;-Gas in der Kammer 3 durchgeführt. So wird das O&sub2;-Gas angeregt und wird zu Sauerstoffplasma, so daß ein gegenüber dem organischen Film reaktionsfähiges Sauerstoffradikal im Sauerstoffplasma entsteht. Die freiliegenden Seitenflächen des Schicht- oder Stapelfilmkondensatorkörpers 1 werden selektiv geätzt und durch Kontaktieren mit den Sauerstoffradikalen entfernt, wodurch die Endteile der aufgedampften Aluminiumelektrode 1b relativ gegenüber den sauerstoff-plasma-geätzten Seitenflächen des PPS-Films 1a eine vorstehende Lage erhalten.
Dann wird eine bekannte metallische (metalicon) Schicht 8,8 auf den freigelegten vorstehenden Kanten der Aluminiumelektroden gebildet, wodurch eine Verbindung zu den Elektroden hergestellt wird.
Fig.2 ist eine graphische Darstellung von Kurven, die die Beziehung zwischen der Behandlungszeit (Minuten) und der Menge(Tiefe: um) des selektiven Ätzens des PPS-Films an der Seitenfläche, und auch in bezug auf die Temperaturanstiege für verschiedene auf die Kammer aufgebrachte Hochfrequenzenergien darstellen. Ein Beispiel für weitere Behandlungsbedingungen ist wie folgt:

Größe der Behandlungskammer:

Durchmesser 300 mm
Höhe 300 mm

Größe des PPS-beschichteten Kondensatorkörpers:

Breite 3,3 mm
Länge 3,8 mm
Höhe(Tiefe) 2,0 mm
Sauerstoffzuflußgeschwindigkeit 30 sccm
Druck in der Behandlungskammer 0,5 Torr.
Abstand zwischen der oberen Elektrode 4 und der unteren Elektrode 5 50 mm
Hochfrequenzenergie 300 W, 500 W und 700 W
Frequenz der Hochfrequenzenergie 13,56 MHz
Wie in Fig.2 dargestellt, wird beobachtet, daß
(1) mit zunehmender Hochfrequenzenergie die Ätzgeschwindigkeit (Ätztiefe: um) des PPS-Films 1a zunimmt und ein stärkerer Temperaturanstieg beobachtet wird,
(2) nach einer vorbestimmten Zeit nach Aufbringen der Hochfrequenz vorgegebener Intensität, der Temperaturanstieg konstant wird,
(3) bei Anwendung einer Hochfrequenz von 700 W oder höher für das Ätzen von je 50 um des PPS-Films von der Seitenfläche aus gerechnet, die Temperatur des Gesamtkörpers des PPS-Film-Kondensatorkörpers 1 zu weit über den akzeptablen Grenzwert ansteigt; während bei Anwendung einer Hochfrequenz von 500 W oder weniger für das gleiche Ätzen die Temperatur des PPS-Filmkondensatorkörpers 1 den akzeptablen Grenzwert nicht übersteigt und das beabsichtigte Atzen von 50 um Tiefe des PPS-Films durch 45-minütiges Behandeln erreicht werden kann, und
(4) wenn die Hochfrequenzenergie 300 W oder weniger beträgt, dann die Behandlungszeit 60 Minuten oder mehr beträgt, was zu lang ist.
Das heißt, daß in dem nicht offenbarten Vorstufenverfahren des Hochfrequenzätzens des PPS-Filmkondensatorkörpers die sichere Behandlungszeit 45 Minuten oder mehr bei einer Hochfrequenzenergie von 500 W beträgt.
Mit anderen Worten, wenn die angewendete Hochfrequenzenergie größer ist, dann steigt die Sauerstoffplasmadichte in hohem Maße, und die Erzeugung von Sauerstoffradikalen, die mit dem PPS-Film 1a reagieren, nimmt zu, und damit erhöht sich auch die Ätzgeschwindigkeit für den PPS-Film 1a. Andererseits führt die Anwendung von übermäßig hoher Hochfrequenzenergie zu einem inaktzeptablen Temperaturanstieg des PPS-Films 1a über den zulässigen Grenzwert (Schmelztemperatur) des PPS-Films 1a, wodurch der PPS-Film 1a an der Innenseite und ingesamt zum Schmelzen gebracht wird. Demgemäß muß die angewendete Hochfrequenzenergie auf einen Wert unterhalb eines sicheren Grenzwerts begrenzt werden, aber dabei ist die Ätzgeschwindigkeit nicht ausreichend.

Aufgabe und Zusammenfassung der Erfindung

Die Erfinder ziehen die oben erwähnten Eigenschaften und Bedingungen der Ätzgeschwindigkeit des Filmkondensatorkörpers und den sicheren Grenzwert für die Energie, bei welcher die Innenseite und der ganze Teil des PPS-Filmkondensatorkörpers nicht zum Schmelzen kommen, in Betracht, und fassen wie folgt zusammen:
1) erstens führt die nicht-offenbarte Vorstufenanwendung einer Hochfrequenzenergie, die unter dem Sicherheitsgrenzwert liegt, zu einer unzureichenden geringen Bildung von aktiven Sauerstoffradikalen, die mit der Seitenfläche des Filmkondensatorkörpers der dielektrischen PPS-Substanz reagieren, und zu einer unzureichend niedrigen Ätzgeschwindigkeit und somit zu einer unerwünscht langen Behandlungszeit:
(2) im allgemeinen gilt, daß je höher die Temperatur bei der Behandlung ist, umso höher ist die Ätzgeschwindigkeit der organischen Substanz, wie PPS; und
(3) wenn ein niedriger und konstanter Wert der Hochfrequenzenergie angewendet wird, dann steigt die Temperatur nur in geringem Maß und daher ist die zeitabhängige Anstiegsrate der Ätzgeschwindigkeit unzureichend niedrig, was zu einer unzulässig langen Ätzzeit in bezug auf die Seitenflächen des PPS-Filmkondensatorkörpers führt.
In Anbetracht des oben Erwähnten haben die Erfinder die vorliegende Erfindung erarbeitet, mit welcher sich die Behandlungszeit verkürzen läßt, ohne daß dabei in unerwünschter Weise die Innenseite und der ganze Teil des PPS-Filmkondensatorkörpers geschmolzen werden.
Die oben erwähnte Aufgabe der vorliegenden Erfindung wird durch ein Verfahren zur Herstellung eines Filmkondensators gelöst, das die folgenden Schritte umfaßt:
Einsetzen eines Filmkondensator-Körpers mit einer Mehrschicht- Laminatstruktur in Form eines Stapels oder einer Rolle aus Kunststoffilmen mit Elektrodenschichten in eine Plasmaätzkammer,
selektives Ätzen der Seitenflächen des genannten Filmkondensator-Körpers durch Kontaktieren derselben mit einem reaktiven Gas, das so angeregt wird, daß es gegenüber ausgewählten Teilen der besagten Kunststoffilme reaktiv ist, indem man eine Hochfrequenzenergiequelle auf eine Gasentladungselektrode der Plasmaätzkammer aufbringt, und anschließend
das Ausbilden von Verbindungsmetallteilen an den freigelegten vorstehenden Kanten der besagten Elektrodenschichten zu gegenseitigen und externen Verbindungen von mehreren freigelegten vorstehenden Kanten, um Kantenendanschlüsse zu erzielen,
wobei die besagten Hochfrequenzenergiequellen zum Anregen des reaktiven Gases und zum Erhitzen des Filmkondensator-Körpers an die Plasmaätzkammer in einem 2-Stufenverfahren angelegt werden, welches umfaßt:
eine erste Stufe zum Anlegen einer Hochfrequenzenergie höherer Intensität, wodurch eine ausreichende Menge des besagten reaktiven Gases erzeugt wird und die Temperatur des Filmkondensator-Körpers auf einen vorbestimmten Wert angehoben wird, der geringfügig unter dem Schmelzpunkt des Kunststoffilms liegt,
und
eine zweite Stufe, die auf die erste Stufe folgt, zum Anlegen einer Hochfrequenzenergie geringerer Intensität, wodurch der Filmkondensatorkörper, dessen Temperatur in der ersten Stufe erhöht worden ist, im Bereich dieser vorbestimmten Temperatur aber unterhalb des genannten Schmelzpunkts gehalten wird. Mittels des beschriebenen Verfahrens, durch Aufbringen einer höheren Hochfrequenzenergie in der ersten Stufe, wird eine große Menge der Komponente, die mit der organischen Substanz reagiert, im Sauerstoffplasma erzeugt, und dabei wird die Ätz- Abtragsgeschwindigkeit von der Seitenfläche der organischen dielektischen Substanz aus erhöht und die Behandlungszeit damit verkürzt. Daher wird die Temperatur des Laminat- oder Stapel- Filmkondensators auf die Temperatur erhöht, die angemessenerweise innerhalb einer kurzen Zeitdauer nahe an den zulässigen Grenztemperaturwert herankommt. Dann findet durch Aufbringen der niedrigeren Hochfrequenzenergie in der zweiten Verfahrensstufe der Ätzabtrag von der Seitenfläche des Filmkondensatorkörpers her bei einem sicheren Temperaturwert unterhalb der Grenztemperatur, aber nahe an diese herankommend, statt, ohne daß man einen unerwünschten Temperaturansteig über den Sicherheitsgrenzwert hinaus befürchten müßte. Durch Einsatz des genannten Zweistufenverfahrens anstelle des nicht offenbarten Vorstufenverfahrens des Aufbringens der Hochfrequenzenergie konstanter Intensität in einer einzigen Stufe, konnte die Zeitdauer drastisch verkürzt werden, ohne den Filmkondensatorkörper zu beschädigen.

Kurze Beschreibung der Zeichnungen

Fig.1 ist eine graphische Darstellung, die die Beziehungen zwischen der Behandlungszeit (Minuten) und der Menge (Tiefe: um) des selektiven Ätzens des PPS-Films an der Seitenfläche sowie die Temperaturanstiege für die Hochfrequenzenergie, die auf die Kammer gemäß der bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens aufgebracht worden ist, darstellt.
Fig.2 ist eine graphische Darstellung einer nicht offenbarten technischen Vorstufe des Verfahrens, die die Beziehungen zwischen der Behandlungszeit (Minuten) und der Menge (Tiefe:um) des selektiven Ätzens des PPS-Films an der Seitenfläche, und auch die Temperaturanstiege für verschiedene, auf die Kammer aufgebrachte Hochfrequenzenergien darstellt.
Fig.3 ist eine Teilansicht, die eine Behandlungsvorrichtung vom Paralleltyp darstellt, wie sie für das nicht offenbarte Vorstufenverfahren und dessen Ausführungsform üblich ist.
Fig.3A ist eine Teilansicht, die den Filmkondensatorkörper darstellt, welcher am plasma-geätzten Seitenteil mit Metalicon- Schichten versehen ist.
Fig.4 ist eine Teilansicht, die eine Behandlungsvorrichtung vom Trommeltyp (barrel type) darstellt, wie sie für das erfindungsgemäße Verfahren einsetzbar ist.
Selbstverständlich sind einige oder alle Darstellungen schematische Darstellungen zum Zweck der näheren Erläuterung und geben nicht unbedingt die tatsächlichen Größenverhältnisse oder Anordnungen der dargestellten Elemente wieder.

Detaillierte Beschreibung der Ausführungsform

Nachstehend wird die bevorzugte Ausführungsform in bezug auf die begleitenden Zeichnungen der Fig.1 und 3 näher erläutert.
Fig.1 ist eine graphische Kurvendarstellung, die die Beziehungen zwischen der Behandlungszeit (Minuten) und der Menge (Tiefe:um) des selektiven Ätzens des PPS-Films an der Seitenfläche, und der Temperaturanstiege für verschiedene Hochfrequenzenergien, die auf die Kammer aufgebracht werden, in bezug auf die bevorzugte Ausführungsform nach vorliegender Erfindung darstellt.
Die Behandlungsvorrichtung von Fig.3 und Bedingungen, die sich von der nachstehend genannten Zweistufenanwendung der Hochfrequenzenergie unterscheiden, sind auch bei vorliegender Ausführungsform anwendbar.
Eine Sauerstoffplasmabehandlungsvorrichtung gemäß Fig.3 wird eingesetzt, indem man ein Programm für die Anwendung der Hochfrequenzenergie in einem 2-Stufen-System zusammenstellt. In Fig.3 umfaßt ein Filmkondensatorkörper 1 eine Mehrschichtlaminatstruktur in Form eines Stapels oder einer Rolle aus dielektrischen Filmen 1a, z.B. Polyphenylensulfid(nachstehend als PPS abgekürzt)-Filme, und aus Aluminiumfilmen 1b, die als Elektroden auf die PPS-Filme aufgedampft sind, unter Bildung einer wechselnden Schichtstruktur aus dielektrischem Film und den Elektroden, in Form eines Körpers mit Schichtstruktur oder eines Stapelkörpers oder zu einer Rolle gewickelt. Beim tatsächlichen Behandeln wird eine Anzahl der Filmkondensatorkörper 1 auf einer wassergekühlten, tischförmigen unteren Elektrode 5 angeordnet, die sich in einer Vakuumkammer 3 befindet. Die Vakuumkammer 3 umfaßt eine obere Elektrode 4, welche zum Auslassen von O&sub2;-Gas in eine Kammer des Filmkondensatorkörpers 1 in ihrer unteren Fläche Gasauslaßöffnungen 41 aufweist. Die obere Elektrode 4 wird mit einer Hochfrequenzenergie von der Hochfrequenzenergiequelle 2 beaufschlagt. Der Filmkondensatorkörper 1 liegt zwischen einem Paar von Maskenteilen 6,6, das die oberen und unteren Endflächen des Filmkondensatorkörpers 1 bedeckt, so daß sie während der Sauerstoffplasmabehandlung vom Sauerstoffplasma mit niedriger Temperatur isoliert sind. Die Masken bestehen z.B. aus Aluminiumblechen. Die Vakuumkammer 3 ist mit einer bekannten Vakuumpumpe 7 zum Evakuieren der darin befindlichen Luft verbunden.
In der oben genannten Kammer 3 findet das O&sub2;-Plasma-Ätzen durch den Austritt von O&sub2;-Gas aus den Öffnungen 41 der oberen Elektrode 4 in die Kammer 3 und durch Aufbringen einer Hochfrequenzenergie von der oberen Elektrode 4 und der unteren Elektrode 5 auf das O&sub2;-Gas in Kammer 3, wobei das O&sub2;-Gas angeregt wird und zu Sauerstoffplasma wird, und auf den Filmkondensatorkörper 1 statt. Die freigelegten Seitenflächen des geschichteten oder gestapelten Filmkondensatorkörpers 1 werden selektiv geätzt und durch Kontaktieren mit dem Sauerstoffplasma abgetragen, wodurch die Endteile der aufgedampften Aluminiumelektrode 1b so ausgebildet werden, daß sie relativ zu den mit Sauerstoffplasma geätzten Seitenflächen des PPS-Films 1a vorstehen. Der unterschied zwischen dem Behandlungsverfahren der bevorzugten Ausführungsform und dem genannten nicht offenbarten Vorstufenverfahren besteht in der Anwendung einer 2-Stufen-Aufbringung von Hochfrequenzenergien auf die Reaktionskammer, wobei eine erste Stufe eine höhere Hochfrequenzenergie aufweist als eine zweite Stufe.
Dann wird eine bekannte Metaliconschicht 8,8 auf den freigelegten vorstehenden Kanten der Aluminiumelektroden gebildet und damit mit den Elektroden verbunden.
Fig.2 ist eine graphische Kurvendarstellung, die die Beziehung zwischen der Behandlungszeit (Minuten) und der Menge (Tiefe :um) des selektiven Ätzens des PPS-Films an der Seitenfläche, und auch der Temperaturanstiege für verschiedene, auf die Kammer aufgebrachte Hochfrequenzenergien aufzeigt. Ein Beispiel für andere Verfahrensbedingungen ist wie folgt:

Größe der Behandlungskammer:

Durchmesser...300 mm
Höhe...300 mm

Größe der Kondensatorkörper mit PPS-Laminatstruktur

Breite...3,3 mm
Länge...3,8 mm
Höhe(Tiefe)...2,0 mm
Sauerstoffzuflußgeschwindigkeit...30 sccm
Druck in der Behandlungskammer...0,5 Torr
Abstand zwischen der oberen Elektrode 4 und der unteren Elektrode 5...50 mm
Hochfrequenzenergie...300 W, 500 W und 700 W
Frequenz der Hochfrequenzenergie 13,56 MHz.
Bei vorliegender Erfindung findet das selektive Ätzen der Seitenflächen eines Filmkondensatorkörpers 1, der eine Mehrschichtlaminatstruktur in Form eines Stapels oder einer Rolle aus Kunststoffilmen und eine Elektrodenschicht aufweist, durch Kontaktieren des Films mit einem Gas statt, wobei die Behandlung der ersten Stufe durch Aufbringen einer Hochfrequenzenergie von 700 W über einen Zeitraum von 20 Minuten und die Behandlung der zweiten Stufe durch Aufbringen einer Hochfrequenzenergie von 500 W über einen Zeitraum von 15 Minuten stattfindet.
Wie oben erwähnt, wird die Hochfrequenzenergie in 2 Stufen bei verschieden hoher Energie aufgebracht, wobei beim Aufbringen der höheren Hochfrequenzenergie von 700 W in der ersten Stufe die Komponente, die mit dem PPS-Film 1a reagiert, im Sauerstoffplasma erzeugt wird und die Ätzgeschwindigkeit des PPS- Films 1a erhöht wird, um damit die Behandlungszeit zu verkürzen, und die Temperatur des Filmkondensatorkörpers 1 erhöht sich beim Behandeln auf 270ºC und liegt damit nahe an aber unter der hitzebeständigen Grenztemperatur des Filmkondensatorkörpers 1 innerhalb der kurzen Zeit von 20 Minuten in der ersten Stufe. Beim Behandeln in der zweiten Stufe wird eine niedrigere Hochfrequenzenergie von 500 W eingesetzt, so daß die Temperatur des Filmkondensatorkörpers 285ºC, d.h. die hitzebeständige Grenztemperatur des Filmkondensatorkörpers 1, nicht überschritten werden kann; das bedeutet, daß während der Ätzbehandlung der Seitenfläche des Filmkondensatorkörpers 1 die Innen- und Oberflächentemperaturen des Filmkondensatorkörpers 1 bei ca. 270ºC gehalten werden.
Somit wird durch das Aufbringen von Energie in 2 Stufen die Behandlung wirkungsvoller und zwar in einem höheren Temperaturbereich, verglichen mit dem nicht offenbarten Vorstufenverfahren, bei welchem eine konstante Hochfrequenzenergie von 500 W eingesetzt wird. Anders ausgedrückt, durch das Erhitzen mit der höheren Hochfrequenzenergie von 700W in der ersten Stufe, wird die Seitenfläche des PPS-Filmkondensatorkörpers 1 innerhalb einer kürzeren Zeit abgeätzt, als dies bei Behandlung bei der konstanten niedrigeren Hochfrequenzenergie von 500 W in dem nicht offenbarten Vorstufenverfahren mit nur einer einzigen Behandlungsstufe möglich ist. Wie in Fig.1 dargestellt kann, da eine höhere Hochfrequenzenergie in der ersten Stufe und eine niedrigere Hochfrequenzenergie in der zweiten Stufe eingesetzt wird, das Ätzen der Seitenfläche von 50 um Tiefe des PPS-Films 1a innerhalb der Gesamtbehandlungszeit von nur 35 Minuten durchgeführt werden, wobei für die erste Stufe 20 Minuten und für die zweite Stufe 15 Minuten benötigt werden. Diese Gesamthandlungszeit von 35 Minuten ist um 10 Minuten kürzer als die 45-minütige Behandlungszeit des von den Erfindern entwickelten aber nicht offenbarten Vorstufenverfahrens, das mit der gleichen Vorrichtung für den gleichen Filmkondensatorkörper durchgeführt wird.
Das bevorzugte Verhältnis der Hochfrequenzenergien der zweiten Stufe liegt zwischen 30% und 85% der Hochfrequenzenergien der ersten Stufe. Unterhalb 30% ist die Ätzgeschwindigkeit zu gering und oberhalb 85% wird das Innere des Filmkondensatorkörpers beschädigt, so können z.B. Gaseinschlüsse oder Elektrodenkurzschlüsse auftreten.
In der oben erwähnten Ausführungsform war der dielektrische Kunststoffilm ein PPS-Film, die vorliegende Erfindung läßt sich aber auch auf Filmkondensatorkörper anwenden, bei welchen PET(Polyethylentelephthalat)-Filme oder PEN (Polyethylennaphthalat)-Filme oder PP(Polypropylen)-Filme oder PC(Polycarbonat)-Filme in ziemlich ähnlicher Weise eingesetzt werden, da diese Kunststoffilme grundsätzliche ähnliche thermische Eigenschaften aufweisen, auch wenn ihre Schmelztemperaturen unterschiedlich sind.
Ferner kann als Behandlungsvorrichtung anstelle der in Fig. 3 dargestellten Plasmaätzvorrichtung vom Parallelelektrodentyp eine Plasmaätzvorrichtung von Trommeltyp, wie in Fig.4 dargestellt, in welcher ein Elektrodenpaar 45,45 zum Aufbringen der Hochfrequenzenergie an der Außenseite einer Vakuumkammer 3 vorgesehen ist, für das Verfahren der vorliegenden Erfindung in ähnlicher Weise eingesetzt werden.
Obwohl die Erfindung in ihrer bevorzugten Form in einem gewissen Maß unter Hervorhebung der Einzelheiten beschrieben wurde, dürfte klar sein, daß die vorliegende Offenbarung der bevorzugten Ausführungsform in bezug auf die Einzelheiten der Konstruktion geändert und die Kombination und Anordnung von Teilen übernommen werden kann, ohne sich damit von der Idee und dem Bereich der nachstehend beanspruchten Erfindung zu entfernen.

Claims

1. Eine Methode zur Herstellung eines Filmkondensators, umfassend die folgenden Schritte:

Einsetzen eines Filmkondensator-Körpers mit einer Mehrschicht- Laminatstruktur in Form eines Stapels oder einer Rolle aus Kunststoffilmen mit Elektrodenschichten in eine Plasmaätzkammer,

selektives Ätzen der Seitenflächen des genannten Filmkondensator-Körpers durch Kontaktieren derselben mit einem reaktiven Gas, das so angeregt wird, daß es gegenüber ausgewählten Teilen der besagten Kunststoffilme reaktiv ist, indem man eine Hochfrequenzenergiequelle auf eine Gasentladungselektrode der Plasmaätzkammer aufbringt, und anschließend

das Ausbilden von Verbindungsmetallteilen an den freigelegten vorstehenden Kanten der besagten Elektrodenschichten zu gegenseitigen und externen Verbindungen von mehreren freigelegten vorstehenden Kanten, um Kantenendanschlüsse zu erzielen,

wobei die besagten Hochfrequenzenergiequellen zum Anregen des reaktiven Gases und zum Erhitzen des Filmkondensator-Körpers an die Plasmaätzkammer in einem 2-Stufenverfahren angelegt werden, welches umfaßt:

eine erste Stufe zum Anlegen einer Hochfrequenzenergie höherer Intensität, wodurch eine ausreichende Menge des besagten reaktiven Gases erzeugt wird und die Temperatur des Filmkondensator-Körpers auf einen vorbestimmten Wert angehoben wird, der geringfügig unter dem Schmelzpunkt des Kunststoffilms liegt,

und

eine zweite Stufe, die auf die erste Stufe folgt, zum Anlegen einer Hochfrequenzenergie geringerer Intensität, wodurch der Filmkondensatorkörper, dessen Temperatur in der ersten Stufe erhöht worden ist, im Bereich dieser vorbestimmten Temperatur aber unterhalb des genannten Schmelzpunkts gehalten wird.

2. Eine Methode zum Herstellen eines Filmkondensators nach Anspruch 1, in welcher die Plasmaätzkammer parallel angeordnete Elektroden aufweist.

3. Eine Methode zum Herstellen eines Filmkondensators nach Anspruch 1, bei welcher die Plasmaätzkammer Elektroden in Art einer Trommel (barrel type) aufweist.

4. Eine Methode zum Herstellen eines Filmkondensators nach Anspruch 1, bei welcher die Hochfrequenzenergie in der zweiten Stufe ca. 30 bis 85% derjenigen der ersten Stufe beträgt.