DE4118987A1

DE4118987A1 - Duennfilm-matrix-struktur, insbesondere fuer eine leuchtanzeige

Info

Publication number: DE4118987A1
Application number: DE4118987A
Authority: DE
Inventors: Runar Olof Ivar Toernqvist
Original assignee: Planar International Oy
Current assignee: Planar Systems Oy
Priority date: 1990-06-11
Filing date: 1991-06-08
Publication date: 1992-01-09
Also published as: FI84869B; FI902908A0; FI902908A; JPH04229595A; FI84869C; JP2842956B2; US5133036A

Description

Die Erfindung betrifft eine elektrolumineszierende Dünnfilm-Matrix-Struktur gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1, die die Leistungsaufnahme verringert und den Gebrauch von solchen Emissionsfiltermaterialien erleichtert, die sich im allgemeinen mit den während der Herstellung von lichtemittierenden Dünnfilm-Strukturen einer Anzeigeeinheit notwendigen, erhöhten Verfahrenstemperaturen nicht vertragen.

Elektrooptische Strukturen zur Emission von Licht kennzeichnen sich durch die Erzeugung von sichtbaren Emissionen. Dies wird durch Verbindung eines elektrischen Feldes über zwei Elektroden erreicht, wobei in einem zwischen den Elektroden angeordneten Phosphormaterial Licht produziert wird. Falls die Lichtemission, wie es bei elektrolumineszierenden Anzeigen und Flüssigkristallanzeigen üblich ist, durch eine der Elektroden sichtbar ist, muß zumindest eine der Elektroden transparent sein.

Herkömmliche Leuchtanzeigen sind vom Matrixtyp, bei dem Licht an den Kreuzpunkten oder auch "Pixeln" genannten Bildelementen einer transparenten Spaltenelektrode und einer metallischen Zeilenelektrode von hoher Leitfähigkeit erzeugt wird. Dabei wird emittiertes Licht durch ein Glassubstrat betrachtet, weil die transparente Elektrodenmusterschicht angebracht wird, bevor die lichtemittierende Phosphorschicht angeordnet wird. Eine typische elektrolumineszierende Dünnfilm-Struktur wird schematisch in Fig. 1 gezeigt. Eine transparente Leitschicht 2, typischerweise aus Indium-Zinnoxid (ITO) ist auf einem Glassubstrat 1 angeordnet. Die Schicht ist geeignet gemustert, beispielsweise als gerade, parallele Elektroden für eine Matrix-Anzeige. Darauf folgend werden sequentiell eine dielektrische Dünnfilm-Schicht, eine Dünnfilm-Phosphorschicht und eine dielektrische Dünnfilm-Schicht zur Ausbildung der Schichtstruktur 3, 4 und 5 angeordnet, die als Zentralkomponente der Leuchtanzeige funktioniert. Anschließend wird eine metallische Dünnfilmschicht 6 in Form einer Teilung oder eines Musters als Spaltenelektroden in einer Matrixanzeige angeordnet. Die Dicke der individuellen Dünnfilmschichten ist im allgemeinen in der Größenordnung von 200 bis 700 nm. Für Gebrauchszwecke ist die Dünnfilmstruktur vor umgebender Feuchtigkeit zu schützen. Dies wird dadurch erreicht, daß man ein schützendes Glasplättchen mit der Struktur mittels eines Epoxyharzes laminiert, oder alternativ dadurch, daß man eine mit Silikonöl oder einem inerten Gas gefüllte Glasverkapselung verwendet.

Die in der Fig. 1 gezeigte Dünnfilmstruktur wird in momentan in der Produktion befindlichen elektrolumineszierenden Matrixanzeigen eingesetzt. Dennoch zeigt diese Struktur mindestens zwei schwere Probleme.

Um die Leistungsaufnahme der Anzeige zu minimieren, sollte die Leitfähigkeit der transparenten Spaltenelektrode maximal hoch sein. Praktische Beschränkungen sorgen jedoch für Schwierigkeiten, wenn versucht wird, einen Durchgangswiderstand (sheet resistivity) zu erreichen, der kleiner als 3 Ohm/square ist. Typischerweise kann der Durchgangswiderstand sogar mehr als 5 Ohm/square betragen. Aufgrund dieses Umstandes beruht ein Hauptanteil der Leistungsaufnahme in einer elektrolumineszierenden Matrixanzeige auf den Spannungsverlusten in den transparenten Spaltenelektroden.

Im Prinzip könnte die Situation dadurch verbessert werden, daß man die transparente Elektrode, die auf dem Glassubstrat angeordnet ist, durch einen schmalen metallischen Streifen von hoher stromleitender Eigenschaft verstärkt. Solch eine Lösung jedoch wird durch praktische Schwierigkeiten behindert, weil der metallische Streifen genügend leitfähig und doch schmal genug sein muß, um nicht durch seine Breite die Lesbarkeit der Anzeige zu beeinträchtigen oder durch seine Dicke die Herstellung der nachfolgend angeordneten Schichten zu stören.

Eine weitere Schwäche der herkömmlichen elektrolumineszierenden Dünnfilmstrukturen ist mit der Ausführung von Farbanzeigen mittels Lichtfiltern und einer weißes Licht emittierenden elektrolumineszierenden Struktur verbunden. Um den Paralaxeffekt zu vermeiden, sollten in diesem Fall die Lichtfilter in eine Entfernung von nicht größer als beispielsweise 10 bis 50 µm von der lichtemittierenden Phosphorschicht angeordnet werden. Dies würde es aber notwendig machen, daß die Lichtfilter zwischen das Glassubstrat und die transparente Elektrode gesetzt werden. Folglich schließen die zur Herstellung von elektrolumineszierenden Dünnfilmstrukturen notwendigen hohen Verfahrenstemperaturen die Verwendung von Lichtfiltern aus, die auf organischen Materialien basieren.

Aufgabe der Erfindung ist es, eine neuartige elektrolumineszierende Dünnfilmstruktur bereitzustellen, die die oben beschriebenen Nachteile überwindet.

Die Erfindung basiert auf der Verwendung eines nicht notwendigerweise transparenten Substrats, auf welches zuerst eine Dünnfilmelektrodenschicht aufgebracht wird, die zumindest teilweise metallisch oder aus einer Metallegierung ist und die dann entweder in Spalten oder Zeilenelektroden geteilt bzw. gemustert wird. Verglichen damit werden die auf die elektrolumineszierende Dünnfilmschicht aufzubringenden Elektroden dadurch gefertigt, daß man von einem transparenten, leitfähigen Dünnfilmmuster ausgeht, dessen Leitfähigkeit mit Hilfe von metallischen Streifen wie in Fig. 2 gezeigt, verbessert wird. Somit wird das von der Struktur emittierte Licht von der Seite der aufgebrachten Dünnfilmschichten betrachtet, im Gegensatz zur herkömmlichen Praxis, bei der das Licht durch das Glassubstrat beobachtet wird.

In einer besonders vorteilhaften erfindungsgemäßen Ausführungsform sind die Spaltenelektroden als dem Substrat gegenüberliegende metallische Elektrodenschicht ausgebildet.

Im einzelnen wird die erfindungsgemäße elektrolumineszierende Dünnfilmstruktur durch die Angaben des kennzeichnenden Teils des Anspruchs 1 gekennzeichnet.

Die Erfindung ist von hervorragendem Nutzen. Insbesondere können die Widerstände der Spaltenelektroden auf ein Maß reduziert werden, daß die Verluste bedeutungslos verglichen mit dem Stand der Technik macht. Dies wird nicht nur durch eine Verminderung der Spannungsverluste auf ein Maß erreicht, welches die Verwendung von elektrolumineszierenden Matrixanzeigen in tragbaren Computern erleichtert, sondern es wird auch die Verwendung von höheren Anregungsfeldfrequenzen zur Steigung der Helligkeit der Anzeige ermöglicht.

Aus demselben Grund unterstützt eine signifikante Verbesserung der Leitfähigkeit der Spaltenelektroden die Produktion von Mehrzeilenanzeigen. Des weiteren erleichtert die Erfindung die Verwendung von solchen Lichtfiltermaterialien, die keine Temperaturen über 200°C aushalten. Beispielsweise ermöglicht die Erfindung die Verwendung von Farbfilterfilmen auf Polyimid-Basis in Verbindung mit Leuchtanzeigen.

Erfindungsgemäß wird die Anordnung einer hochleitfähigen, transparenten Dünnfilmelektrodenschicht überflüssig. Anstatt dessen ist es ausreichend, eine transparente Dünnfilmschicht wachsen zu lassen, deren Durchgangswiderstand bis zu 1 Kohm oder sogar mehr betragen kann.

Die Erfindung wird im folgenden detailliert anhand der beigefügten Zeichnungen und den beispielhaften darin geschilderten Ausführungsformen erläutert. In den Figuren zeigen:

Fig. 1 einen seitlichen Querschnitt einer Dünnfilm-Matrix-Struktur gemäß dem Stand der Technik zur Verwendung in eine Leuchtanzeige;

Fig. 2 einen seitlichen Querschnitt einer erfindungsgemäßen Dünnfilm-Matrix-Struktur, die besonders geeignet für die Verwendung in einer Leuchtanzeige ist;

Fig. 3 die Draufsicht auf die in Fig. 2 gezeigte Dünnfilm-Matrix-Struktur;

Fig. 4 einen seitlichen Querschnitt einer zweiten erfindungsgemäßen Dünnfilm-Matrix-Struktur, die besonders für die Verwendung in einer Leuchtanzeige geeignet ist;

Fig. 5 eine Draufsicht auf die in Fig. 4 gezeigte Dünnfilm-Matrix-Struktur;

Fig. 6 einen seitlichen Querschnitt einer dritten erfindungsgemäßen Dünnfilm-Matrix-Struktur, die besonders geeignet zur Verwendung in einer Leuchtanzeige ist; und

Fig. 7 eine Draufsicht auf die in Fig. 6 gezeigte Dünnfilm-Matrix-Struktur.

Beispiel 1

Fig. 2 zeigt einen seitlichen Querschnitt einer erfindungsgemäßen elektrolumineszierenden Dünnfilmstruktur. Im gezeigten Fall hat die Anzeigenmatrix eine Größe von 640×400 Pixeln. Zuerst wird auf einem Natriumcarbonatglas-Substrat eine herkömmliche Ionendiffusionssperrschicht 8 aufgebracht, wie z. B. eine Al₂O₃-Schicht, die als solche überflüssig ist, falls ein geeignetes Glassubstratmaterial wie z. B. Borosilikatglas oder Quarz verwendet wird. Im nächsten Schritt wird eine Molybdän-Dünnfilmschicht 9 "aufgesputtert", die sich durch die Fähigkeit auszeichnet, nicht mit einer der während der nächsten Vefahrensschritte aufzubringenden Schichten zu reagieren. Die Molybdän-Schicht 9 weist eine Dicke von ca. 50 bis 500 nm auf, vorzugsweise ca. 200 nm. Sie wird zu dem in Fig. 3 gezeigten Spaltenelektrodenmuster verarbeitet, indem fotolithographische Verfahren angewandt werden, die dem Fachmann in Verbindung mit der herkömmlichen Aluminiumätztechnik bekannt sind (Merck PES-83.5-5.5-5.5, H₃PO₄-CH₃COOH-HNO₃).

Während der nächsten Stufe wird eine konventionelle lumineszierende mehrschichtige Dünnfilm-Struktur 10, 11, 12 mit zwei dielektrischen Schichten aufgebracht, wobei die Strukturen für den Beispielfall eine Al₂O₃/TiO₂-Dünnfilmschicht von ca. 300 nm Dicke aufweist, die mit Hilfe des "ALE-Verfahrens" (US-PS-40 58 430) bei 500°C gefertigt ist, kombiniert mit einer ZnS:Mn-Dünnfilmschicht 11 von ungefähr 500 nm Dicke und eine AL₂O₃/TiO₂-Dünnfimschicht 12 von ungefähr 300 nm Dicke. Darauffolgend läßt man unter Verwendung von "Sputtering-Methoden" eine Schicht, wie z. B. eine "ITO"-Dünnfilmschicht 13 aufwachsen, die eine Dicke von ungefähr 10 bis 300 nm aufweist, vorzugsweise ungefähr 80 nm. Das untere Limit der Dicke der Schicht 13 wird durch die für diese Schicht geforderte minimale Leitfähigkeit bestimmt. Mit Hilfe der herkömmlichen Fotolithographie wird die Schicht in in Fig. 3 gezeigte Zeilenelektroden eingeteilt bzw. gemustert. Die Schicht wird unter Verwendung einer 50% HCl enthaltenden Ätzmischung bei 50°C geätzt. Darauffolgend läßt man unter Verwendung von "Sputtering"-Methoden eine Chromschicht 14′ auf eine Dicke von ungefähr 10 bis 50 nm, vorzugsweise ca. 20 nm wachsen. Danach wird die Schicht in Streifen eingeteilt, die oben auf dem "ITO"-Elektrodenmuster verlaufen, so daß die Streifenbreite ca. 5 bis 30%, vorzugsweise ca. 10% der "ITO"-Elektrodenbreite beträgt, was für den vorliegenden Fall eine Streifenbreite von ca. 20 µm bedeutet. Während des Verarbeitens werden herkömmliche Verfahren der Fotolithographie verwendet und das Ätzen wird unter Verwendung einer Ammonium-Cer-Nitratlösung ausgeführt. Die Ätzzeit beträgt ca. 30 s. Als nächstes wird eine Kupfer-Dünnfilmschicht 14 von ca. 0,5 bis 3 µm Dicke, vorzugsweise 1 µm dick, "aufgesputtert". Die Schichten werden wie in Fig. 3 gezeigt geteilt, so daß der Chromleiter 14′ vom Kupfer höchstens in der Breite des Chromleiters bedeckt wird. Wiederum werden konventionelle Verfahren der Fotolithographie verwendet, zusammen mit einer 25% HNO₃-Ätze.

Die Streifenleiterschicht 14 kann ebenfalls erzeugt werden, indem man von einer Aluminiumschicht von ungefähr 0,5 bis 3 µm Dicke ausgeht.

Schließlich wird die Struktur unter einem schützenden Zusatzglas 16 verkapselt, das mit einem Epoxydharz 15 von einer gewerblich verfügbaren Qualität wie z. B. Epotek 301-2 durch Kleben festhaftet.

Wenn eine Anzeige von größerem Format benötigt wird, muß die Leitfähigkeit der Molydänelektrode und des Kupferstreifens gesteigert werden. In der Praxis erreicht man dies durch Verwendung von dickeren Schichten.

Beispiel 2

Die in diesem Beispiel verwendeten Prozeßparameter betreffen eine Anzeige mit einer Auflösung von 2,5 Linien/mm, die auf ein opakes Substrat gefertigt ist, beispielsweise ein Siliziumwafer von 6 Zoll ist. Alternativ könnte das Substrat auch eine Metallplatte oder eine metallisierte oder auf andere Weise nicht durchscheinend überzogenes transparentes Substrat sein, wobei das Leitermaterial zuerst mit einem dielektrischen Material beschichtet ist, um ein Kurzschließen der ersten Schicht von Elektroden zu vermeiden. Als weitere Alternative kommt ebenfalls ein keramisches Substrat in Frage.

Zuerst wird unter Anwendung der dem Fachmann bekannten thermischen Oxydation (VLSI Technology, ed. S.M. Sze, Seiten 131 bis 149) auf einem Siliziumwafer 17 eine Siliziumdioxidschicht 18 von 0,1 bis 1 µm Dicke, vorzugsweise ungefähr 500 nm Dicke aufgebracht. Darauf wird eine Titan-Wolfram-Dünnfilmschicht 19 von ungefähr 100 bis 1000 nm Dicke vorzugsweise ungefähr 300 nm "aufgesputtert". Durch Anwendung herkömmlicher Fotolithographie (vgl. auch Beispiel 1) wird die Schicht in die Spaltenelektroden der Anzeigeeinheit eingeteilt bzw. gemustert. Die Schicht wird geätzt, indem man eine 15%-ige Lösung von H₂O₂ bei 50°C verwendet, wobei die Ätzzeit ca. 5 Minuten beträgt.

Während der nächsten Stufe läßt man eine herkömmliche lumineszierende mehrschichtige Dünnfilmstruktur 20, 21, 22 mit zwei dielektrischen Schichten wachsen. Die Struktur weist im vorliegenden Fall eine erste SiO_xN_y Dünnfilmschicht 20 von ungefähr 250 nm Dicke auf, die durch das "Sputtering-Verfahren" ohne Vorerhitzung des Substrats gewachsen ist. Die zweite Schicht 21 ist eine ZNS:Mn-Dünnfilmschicht 21 von ungefähr 0,5 µm Dicke, die man durch Verdampfen auf das bei ca. 210°C gehaltene Substrat aufwachsen läßt. Die dritte Schicht 22 wird auf dieselbe Art und Weise wie die erste Schicht 20 hergestellt. Danach wird die Struktur bei 250°C für ungefähr eine Stunde getempert. Darauf wird unter Verwendung von "Sputtering-Verfahren" eine Zinkoxid-Dünnfilmschicht 23 (ZnO:Al) von ungefähr 50 bis 600 nm Dicke, vorzugsweise ungefähr 200 nm Dicke aufgebracht. Die Zinkoxyschicht wird unter Verwendung herkömmlicher Fotolithographie in Zeilenelektroden der Anzeigeeinheit eingeteilt bzw. gemustert. Die Schicht wird unter Verwendung einer HCl-Ätze bei Raumtemperatur geätzt. Daraufhin läßt man unter Verwendung von "Sputtering-Methoden" eine Aluminium-Schicht 24 bis zu einer Dicke von ungefähr 1 bis 3 µm, vorzugsweise ungefähr 2 µm aufwachsen. Dann wird die Schicht in in Fig. 4 gezeigte Streifen eingeteilt, die auf den transparenten Elektrodenleitern verlaufen. Die Streifen haben eine Breite von ca. 5 bis 30%, vorzugsweise ca. 10% der Zinkoxidelektrodenbreite, was für den vorliegenden Fall eine Streifenbreite von ungefähr 25 µm bedeutet. Bei der Teilung bzw. beim Mustern werden herkömmliche Verfahren der Fotolithographie verwendet und das Ätzen wird unter Verwendung einer bekannten Ätze für Aluminium ausgeführt. Diese ist eine Mischung von HPO₃, HNO₃ und Essigsäure. Schließlich wird die Struktur unter einem Deckglas 26 verkapselt, das mit einem Epoxyd 25, wie in Beispiel 1 beschrieben, verbunden wird.

Beispiel 3

Dieses Beispiel befaßt sich mit dem Anzeigenstrukturtyp, der in Beispiel 1 abgebildet ist.

Zu Beginn wird auf einem Natriumcarbonatglas 27 ein Ionendiffusionssperrfilm 28 aufgebracht, der im vorliegenden Fall eine 300 nm dicke Aluminiumschicht 28 ist. Anschließend wird eine Wolfram-Dünnfilm-Schicht 29 "aufgesputtert", die im beispielhaften Fall einer Halbseiten-Anzeigeeinheit eine Dicke von ungefähr 400 bis 1000 nm, vorzugsweise ca. 600 nm aufweist. Die Schicht wird in die Zeilenelektroden der Anzeigeeinheit, die in Fig. 7 gezeigt wird unter Verwendung konventioneller fotolithographischer Methoden eingeteilt und geätzt, indem eine H₂O-Ätze bei ca. 40°C verwendet wird, wobei die Ätzzeit ca. 15 Minuten beträgt. Dann läßt man eine konventionelle lumineszierende mehrschichtige Dünnfilmstruktur 30, 31, 32 aufwachsen mit zwei dielektrischen Schichten, wie in Beispiel 1 beschrieben. Während der nächsten Stufe läßt man durch "Sputtern" eine "ITO"-Dünnfilmschicht 33 (vgl. Beispiel 1) mit einer Dicke von ungefähr 20 bis 200 nm, vorzugsweise ungefähr 50 nm wachsen. Danach wird die Schicht zur Erzeugung des in Fig. 6 gezeigten Spaltenelektrodenmusters behandelt, indem konventionelle fotolithographische Methoden und die in Beispiel 1 beschriebene Ätze verwendet wird. Darauf wird unter Verwendung von "Sputtering-Methoden" eine Aluminium-Dünnfilmschicht 33 (vgl. Beispiel 2) bis zu einer Dicke von ungefähr 200 bis 800 nm, vorzugsweise ungefähr 500 nm aufgebracht, und die Schicht wird zu einer Streifenbreite von ungefähr 5 bis 30%, vorzugsweise 10% der "ITO"-Zeilenelektrodenbreite gemustert, was für den vorliegenden Fall eine Streifenbreite von ungefähr 25 µm bedeutet. Letztlich wird die Struktur unter einem Deckglas 26 verkapselt und der Luftraum wird mit Silikonöl 35 gefüllt, nachdem die Struktur für ungefähr 1 Std. bei 120°C im Vakuum (weniger als 1 mbar Druck) behandelt wurde. Erfindungsgemäß kann die erste Elektrodenstruktur, welches die tiefere Elektrodenstruktur 9 ist, aus einem Metall von geeignet geringer Reaktivität, wie z. B. Molybdän (Mo), Wolfram (W), Tantal (Ta) Nickel (Ni), Kobalt (Co), einem ähnlichen Metall oder aus Legierungen daraus gefertigt sein. Alternativ dazu kann das Material der tieferen Elektrodenstruktur auch ein Metall von hoher elektrischer Leitfähigkeit sein, das falls notwendig, durch ein anderes Metall, wie z. B. Chrom oder Molybdän geschützt ist. In diesem Fall besteht die tiefere Elektrodenstruktur hauptsächlich aus Gold (Au), Silber (Ag), Aluminium (Al) oder Kupfer (Cu) oder einer Legierung daraus. Ein notwendiges Erfordernis ist die Verwendung eines metallischen Elektrodenmaterials von hinreichender Stabilität.

Die zweite, transparente, obere Elektrodenstruktur 13 kann alternativ gefertigt sein, indem man von einem sehr dünnen Metallfilm ausgeht, der eine Dicke von beispielsweise weniger als 50 nm aufweist, wobei der Film beispielsweise aus Aluminium (Al), Silber (Ag), Chrom (Cr), Nickel (Ni), Gold (Au) oder einem ähnlichen Metall ist.

Alternativ dazu kann die zweite transparente Elektrodenstruktur 13 aus einer chemischen Verbindung wie z. B. Indium-Zinnoxid (ITO), Zinnoxid (SnO₂), Zinkoxid (ZnO) oder einer ähnlichen Verbindung gefertigt sein, die falls notwendig weiterhin geeignet "gedoped" sein kann.

Claims

1. Dünnfilm-Matrix-Struktur, insbesondere für Leuchtanzeigen mit

a) einem Substrat (7) als Träger für zu fertigende Dünnfilm-Strukturen,
b) einer ersten auf das Substrat (1) gebildeten Elektrodenstruktur (9), die sich aus längs verlaufenden parallelen Elektrodenleitern zusammensetzt,
c) einer lumineszierenden mehrschichtigen Dünnfilm-Struktur (10, 11, 12), die auf der ersten Elektrodenstruktur (9) gebildet ist,
d) einer zweiten, auf der lumineszierenden mehrschichtigen Dünnfilm-Struktur (10, 11, 12) gebildeten, transparenten Elektrodenstruktur (13, 14), die längs verlaufende parallele Elektrodenleiter aufweist, die im wesentlichen orthogonal zu den Elektrodenleitern der ersten Elektrodenstruktur (9) ausgerichtet sind,

dadurch gekennzeichnet, daß

e) die erste Elektrodenstruktur (9) eine zumindest teilweise metallische Verbindung oder eine Metall-Legierung aufweist und
f) jeder der transparenten Elektrodenleiter (13) der zweiten Elektrodenstruktur (13, 14) mit einem schmalen Streifen (14) von hoher elektrischer Leitfähigkeit versehen ist, wobei der Streifen selbst nicht transparent sein muß.

2. Dünnfilm-Matrix-Struktur gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Streifen (14) zumindest teilweise aus Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Silber (Ag) oder Gold (Au) gefertigt ist.

3. Dünnfilm-Matrix-Struktur gemäß Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Streifen (14) als eine Chrommasseschicht von ungefähr 20 nm Dicke ausgebildet ist, auf welcher Masseschicht eine Kupfer- oder Aluminiumschicht von ungefähr 1 µm Dicke aufgebracht ist.

4. Dünnfilm-Matrix-Struktur gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Elektrodenstruktur (9) vorwiegend aus einem Metall von geeignet niedriger Reaktivität, wie Molybdän (Mo), Wolfram (W), Tantal (Ta), Nickel (Ni), Titan (Ti), Kobalt (Co) oder einem ähnlichen Metall oder einer Legierung daraus, geformt ist.

5. Dünnfilm-Matrix-Struktur gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Elektrodenstruktur (9) vorwiegend aus einem Metall von hoher elektrischer Leitfähigkeit, wie z. B. Gold (Au), Silber (Ag), Aluminium (Al) oder Kupfer (Cu) oder einer Legierung, daraus gebildet ist.

6. Dünnfilm-Matrix-Struktur gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Elektrodenstruktur eine Passivierungs- und Schutzschicht über einer metallischen Schicht von hoher stromleitender Eigenschaft aufweist.

7. Dünnfilm-Matrix-Struktur gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Elektrodenstruktur (13) aus einem metallischen Film von extrem geringer Dicke, beispielsweise weniger als 50 nm, geformt ist.

8. Dünnfilm-Matrix-Struktur gemäß Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Elektrodenstruktur (13-16) entweder aus Aluminium (Al), Chrom (Cr), Gold (Au) oder Nickel (Ni) oder aus einem ähnlichen Metall oder einer Legierung daraus gebildet ist.

9. Dünnfilm-Matrix-Struktur gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Elektrodenstruktur (13) aus Indium-Zinnoxid (ITO), Zinnoxid (SnO₂) oder Zinkoxid (ZnO) geformt ist.

10. Elektrodenstruktur nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest eine der Dünnfilmstrukturen unter Verwendung der ALE-Technik gefertigt ist.

11. Matrix-Dünnfilm-Struktur nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Elektrodenstruktur (9) so ausgeführt ist, daß sie als Spaltenelektrodenstruktur funktioniert, während die zweite Elektrodenstruktur (13), entsprechend, als Zeilenelektrodenstruktur funktioniert.