DE4113654A1 - Mittel zur selektiven ausbildung einer duennen oxidierenden schicht - Google Patents
Mittel zur selektiven ausbildung einer duennen oxidierenden schichtInfo
- Publication number
- DE4113654A1 DE4113654A1 DE4113654A DE4113654A DE4113654A1 DE 4113654 A1 DE4113654 A1 DE 4113654A1 DE 4113654 A DE4113654 A DE 4113654A DE 4113654 A DE4113654 A DE 4113654A DE 4113654 A1 DE4113654 A1 DE 4113654A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- copper
- solution
- permanganate
- polymers
- agent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 20
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 11
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 5
- 239000012286 potassium permanganate Substances 0.000 title claims description 9
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 title abstract description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 27
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 claims description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 31
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 10
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 9
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical compound C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 2
- 230000001464 adherent effect Effects 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 2
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 2
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229920002430 Fibre-reinforced plastic Polymers 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910021538 borax Inorganic materials 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 125000005385 peroxodisulfate group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 150000003233 pyrroles Chemical class 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L sodium persulfate Substances [Na+].[Na+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O CHQMHPLRPQMAMX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000004328 sodium tetraborate Substances 0.000 description 1
- 235000010339 sodium tetraborate Nutrition 0.000 description 1
- PANBYUAFMMOFOV-UHFFFAOYSA-N sodium;sulfuric acid Chemical compound [Na].OS(O)(=O)=O PANBYUAFMMOFOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/54—Electroplating of non-metallic surfaces
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G61/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G61/12—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G61/122—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule derived from five- or six-membered heterocyclic compounds, other than imides
- C08G61/123—Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule derived from five- or six-membered heterocyclic compounds, other than imides derived from five-membered heterocyclic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/54—Electroplating of non-metallic surfaces
- C25D5/56—Electroplating of non-metallic surfaces of plastics
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
- H05K3/423—Plated through-holes or plated via connections characterised by electroplating method
- H05K3/424—Plated through-holes or plated via connections characterised by electroplating method by direct electroplating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/032—Materials
- H05K2201/0329—Intrinsically conductive polymer [ICP]; Semiconductive polymer
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
- H05K2203/0779—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing characterised by the specific liquids involved
- H05K2203/0786—Using an aqueous solution, e.g. for cleaning or during drilling of holes
- H05K2203/0796—Oxidant in aqueous solution, e.g. permanganate
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/12—Using specific substances
- H05K2203/122—Organic non-polymeric compounds, e.g. oil, wax or thiol
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
- H05K3/425—Plated through-holes or plated via connections characterised by the sequence of steps for plating the through-holes or via connections in relation to the conductive pattern
- H05K3/427—Plated through-holes or plated via connections characterised by the sequence of steps for plating the through-holes or via connections in relation to the conductive pattern initial plating of through-holes in metal-clad substrates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Mittel
zur selektiven Ausbildung einer dünnen oxidierenden
Schicht mittels Permanganat auf Polymeren, Glasfasern
und Keramik, jedoch nicht auf Kupfer.
Bei der Herstellung von gedruckten Schaltungen bestehen
die Trägermaterialien häufig aus glasfaserverstärkten
Polymermaterialien wie zum Beispiel Epoxidharzen, oder
Keramik, welche im allgemeinen beidseitig außen mit
dünnen Kupferfolien kaschiert sind. Bei Mehrlagenschal
tungen finden sich derartige dünne Kupferfolien auch im
Inneren der Trägermaterialien.
Aus der DE-PS 38 06 884 der Anmelderin ist ein Verfah
ren bekannt geworden zur Herstellung von durchkontak
tierten gedruckten Schaltungen, bei dem die nicht mit
einer Metallkaschierung überzogenen Bereiche des poly
meren oder keramischen Trägermaterials, insbesondere
die Bohrlochwandungen, mit einem leitfähigen Polymeren
aus Pyrrol, Furan, Thiophen oder Derivaten überzogen
werden. Um diese leitfähigen Polymerschichten erzeugen
zu können, ist eine Vorbehandlung der Flächen des Trä
gers mit einem oxidierend wirkenden Bad notwendig. Vor
zugsweise wird hierfür Permanganat eingesetzt, und zwar
im pH-Bereich zwischen 1 und 14. Ein besonderer Vorteil
des dort beschriebenen Verfahrens ist die Selektivität
der Aufbringung der leitfähigen Polymerschicht. Insbe
sondere bei Verwendung von alkalischem Permanganat ent
steht diese nämlich nur auf den nicht mit Kupfer be
schichteten Teilen des Trägermaterials. Spätere genaue
re Untersuchungen haben gezeigt, daß bei dieser Vorbe
handlung mit einem oxidierend wirkenden Bad dünne oxi
dierende Schichten ausgebildet werden, und zwar insbe
sondere auf den Polymeren, jedoch auch auf den Glasfa
sern sowie der Keramik. Hierbei sind jedoch erhebliche
graduelle Unterschiede festgestellt worden. So erhält
man auf den Polymerschichten einwandfrei wirkende dünne
oxidierende Schichten, unabhängig vom pH-Wert der ein
gesetzten Permanganatlösung, während insbesondere durch
den Bohrvorgang und die Oxidation der Polymerschicht
freigelegte Glasfaserteile sehr unterschiedlich belegt
werden. Alkalische Permanganatlösungen bilden auf sol
chen freiwerdenden Glasfaserteilchen kaum ausreichend
wirksame oxidierende Schichten aus, während saure Per
manganatlösungen sowohl die Polymerschicht als auch
alle Arten von Glasoberflächen und Keramik einwandfrei
mit einer oxidierenden Schicht belegen. Dies gilt ins
besondere für die Durchführung des Verfahrens in hori
zontalen Durchlaufanlagen. Saure Permanganatlösungen
wirken bekanntlich stärker oxidierend und führen daher
auch zu einer unerwünschten Oxidation der Kupferflä
chen. Die Verwendung von stark sauren Permanganatlösun
gen führt somit zu einer verschlechterten Selektivität,
so daß sich bei der späteren Kontaktierung mit dem po
lymerisierbaren Monomeren auch auf dem Kupfer uner
wünschte Polymerschichten ausbilden. Bei der nachträg
lichen Metallisierung, insbesondere der nachträglichen
Verkupferung, entstehen auf derartigen Kupferschichten
weniger gut haftende Metallschichten.
Die Erfindung hat sich somit die Aufgabe gestellt, ein
Mittel zur Verfügung zu stellen, welches in der Lage
ist, selektiv eine dünne oxidierende Schicht auf Poly
meren, Glasfasern und Keramik auszubilden, nicht jedoch
auf Kupfer.
Diese Aufgabe wird überraschenderweise gelöst durch ein
Mittel bestehend aus einer wäßrigen Kaliumpermanganat
lösung, die mittels Methansulfonsäure auf einen pH-Wert
von 6 bis 0, vorzugsweise 5 bis 2 eingestellt ist. Vor
zugsweise enthält diese Lösung 10 bis 100 g/l Kalium
permanganat.
Das erfindungsgemäße Mittel wirkt in zweierlei Weise
selektiv. Im höheren pH-Bereich bis etwa pH 2,5 wird
von dem erfindungsgemäßen Mittel die Kupferschicht
nicht oxidiert oder zumindest nicht so, daß sich auf
ihr eine leitfähige Polymerschicht ausbildet. Stärker
saure Methansulfonsäure-Permanganatlösungen führen zwar
zu einer gewissen Oxidation der Kupferfläche, jedoch
kann diese durch Behandlung mit verdünnter Schwefelsäu
re oder mit schwefelsaurer Natriumperoxodisulfatlösung
wieder entfernt bzw. inaktiviert werden.
Besondere Vorteile bringt das erfindungsgemäße Mittel
bei der Herstellung von Leiterplatten in einer horizon
tal arbeitenden Durchlaufanlage, wie es beispielsweise
in der DE-A-39 31 003 und der EP-A-04 17 750 beschrie
ben ist. Insbesondere bei den kürzeren Behandlungszei
ten in einer horizontal arbeitenden Durchlaufanlage
bilden sich auf den frisch freigesetzten Flächen der
Glasfasern ungenügend wirksame oxidierende Schichten
aus. Mit Hilfe der erfindungsgemäßen sauren Permanga
natlösung kann dieses Problem leicht gelöst werden. Ein
weiterer Vorteil des erfindungsgemäßen Mittels ist, daß
es bei niedrigerer Temperatur eingesetzt werden kann
als alkalische Permanganatlösung. Dies erleichtert die
Handhabung und senkt die Energiekosten.
Schließlich hat sich als besonders vorteilhaft erwie
sen, daß die erfindungsgemäßen Mittel besonders günstig
eingesetzt werden können zusammen mit dem kombinierten
Katalysator- und Fixierbad gemäß der deutschen Patent
anmeldung P . . . der Anmelderin vom gleichen Tage.
Dieses kombinierte Katalysator- und Fixierbad zur Her
stellung von leitfähigen, anschließend metallisierbaren
Polymerschichten aus Pyrrol und/oder Pyrrolderivaten
besteht aus einer sauren wäßrigen Lösung von Pyrrol
und/oder seinen Derivaten, Phosphorsäure und einem puf
fernden Zusatz, welcher den pH-Wert auf pH 1 bis 5,
vorzugsweise pH 2 bis 3 einstellt. Durch dieses Bad
können die Schritte des Eintauchens in eine Lösung von
Pyrrol und/oder seinen Derivaten und die anschließende
sauer Fixierung zu einem Reaktionsschritt zusammenge
faßt werden.
In den nachfolgenden Beispielen sind erfindungsgemäße
Mittel zur selektiven Ausbildung einer dünnen oxidie
renden Schicht mittels Permanganat sowie ihre Anwendun
gen in der Praxis näher erläutert.
Doppelseitig kupferkaschiertes Leiterplattenbasismate
rial aus glasfaserverstärktem Epoxidharz wird in der
üblichen Weise gebohrt und mechanisch gereinigt. Danach
wird das Substrat ca. 3 Minuten in einer handelsübli
chen Konditionierlösung (zum Beispiel BLASOLIT DMS 2)
bei 60°C behandelt und anschließend gespült. Nun er
folgt die Behandlung in einer erfindungsgemäßen Lösung
von 50 g/l Kaliumpermanganat, die mit Methansulfonsäure
auf pH 4,5 eingestellt wird. Unter leichter Bewegung
wird die Leiterplatte bei 80°C 3 Minuten dieser Lösung
ausgesetzt und anschließend gründlich gespült. (Wird
diese Behandlung zum Beispiel horizontal in einer Durch
laufanlage durchgeführt, reduziert sich die Behandlungs
zeit auf etwa 1 Minute.)
Im Folgeschritt wird die Leiterplatte unter leichter
Bewegung in eine wäßrige Lösung getaucht, die 8 bis 10
Gew.-% Pyrrol und 25 Gew.-% N-Methylpyrrolidon enthält.
Nach 1 Minute Verweilzeit wird das Substrat entnommen
und in eine saure Lösung (zum Beispiel 10%-ige Schwefel
säure oder Methansulfonsäure) gebracht. Nach ca. 1 Mi
nute wird die Leiterplatte gespült und in einer 10%-igen
Schwefelsäurelösung dekapiert.
Daran anschließend erfolgt die saure Verkupferung in
einem handelsüblichen Elektrolyten (zum Beispiel CUPRO-
STAR LP-1 der Anmelderin) bei 2 A/dm2 während 10 Minu
ten. Anschließend sind die Bohrungen mit einer gleich
mäßigen, geschlossenen und haftfesten Kupferschicht von
ca. 4 bis 5 µm durchkontaktiert. Die auf dem Kaschie
rungskupfer abgeschiedene Kupferschicht weist ebenfalls
eine sehr gute Haftung auf. Die Leiterplatte wird dann
gemäß der üblichen Methoden weiterbearbeitet.
Statt der doppelseitigen Schaltung wird ein Multilayer
verwendet, und die 50 g/l Kaliumpermanganat enthaltende
Lösung wird mit Methansulfonsäure auf pH 2,0 einge
stellt. Nach einer dreiminütigen Behandlung bei 60°C in
dieser Lösung wird gespült und die Platine in einer
wäßrigen Lösung von 10% Schwefelsäure + 10 g/l Natrium
peroxodisulfat nachbehandelt. Im übrigen verläuft, nach
dem die Platten nochmals gespült werden, der Arbeits
gang wie zuvor beschrieben ab. Das Ergebnis ist quali
tativ gleichwertig.
Es wird wiederum eine Multilayer-Leiterplatte aus glas
faserverstärktem Epoxidmaterial verwendet. Der Arbeits
ablauf entspricht Beispiel 1 mit der Ausnahme, daß eine
Kaliumpermanganatlösung von 50 g/l und 30 g/l Borsäure
mit Methansulfonsäure auf pH 3,5 eingestellt wird. Die
Behandlung erfolgt bei 70°C während 3 Minuten. Anschlie
ßend wird kurz in einer 5%-igen Schwefelsäurelösung
dekapiert und gespült. Danach erfolgt die Behandlung in
einer sauren Lösung von 2% Pyrrol, 2% Phosphorsäure und
20 g/l Borax bei Raumtemperatur. Nach 2 Minuten wird
die Platte gespült, in Schwefelsäure (5%) dekapiert,
gespült und getrocknet. Anschließend wird im Sieb- oder
Photodruck das Leiterbild Lay-Out erstellt. Danach wird
die Leiterplatte zwecks Durchkontaktierung und Leiter
bildaufbau in einem Durchgang weiterverarbeitet.
Das Substrat wird dazu zunächst 5 Minuten in einer han
delsüblichen sauren Reinigerlösung bei 25°C behandelt.
Nach einem Spülprozeß werden die Kupferflächen in einer
Lösung von 50 ml/l Wasserstoffperoxid (35%-ig) und 100
ml/l Schwefelsäure während 30 Sekunden bei 30°C akti
viert. Dann wird gespült und in einer 5%-igen Schwefel
säurelösung dekapiert, darauf folgend in einem handels
üblichen Kupferbad, zum Beispiel CUPROSTAR LP-1, galva
nisch auf die gewünschte Kupferschichtstärke (zum Bei
spiel 25 µm) aufgekupfert. Man erhält eine haftfeste,
geschlossene Kupferhülse in der Bohrung, die allen üb
lichen Anforderungen ausgezeichnet genügt. Die Haftung
von Kupfer auf Kupfer (Kaschierung und Innenlagen bei
Multilayern) ist sehr gut.
Die Weiterbehandlung bzw. -verarbeitung der Leiterplat
te erfolgt in der üblichen, jedem Fachmann bekannten
Art und Weise.
Doppelseitige kupferkaschierte Leiterplatten aus glas
faserverstärktem Epoxidharz werden in der üblichen Wei
se gebohrt und mechanisch gereinigt. Der Durchkontak
tierungsprozeß wird anschließend in einer horizontalen
Durchlaufanlage mit einem Vorschub von 1,7 m/min durch
geführt. Die Platten wurden dabei zunächst in der Anla
ge gebürstet, mit Ultraschall zur Reinigung des Bohr
loches vom Bohrmehl behandelt und einer Natriumperoxo
disulfat-Schwefelsäurelösung angeätzt. Anschließend
wurden die Substrate für 15 Sekunden in einer handels
üblichen Konditionierlösung behandelt, gespült und dann
durch eine 50 g/l KMnO4 enthaltende Lösung, die mit
Methansulfonsäure auf einen pH-Wert von 3,0 eingestellt
worden war, geführt. Die Verweilzeit betrug 52 Sekunden
bei einer Temperatur von 70°C. Daran anschließend wurde
gespült und durch eine 5%-ige Schwefelsäurelösung gefah
ren. Nach einer weiteren Spülkaskade wurden die Platten
nun durch eine Katalysatorlösung mit 10% Pyrrol und 30%
N-Methylpyrrolidon während 40 Sekunden bei Raumtempera
tur geleitet. Direkt daran schließt sich eine saure
Behandlungsstufe mit 5%-iger Schwefelsäure während 30
Sekunden an. Nach erneutem Spülvorgang und einer weite
ren Schwefelsäure (5%)-Dekapierung durchliefen die Lei
terplatten Module zur horizontalen galvanischen Verkup
ferung. Während einer Durchlaufzeit von 4 Minuten, 40
Sekunden bei einer mittleren Stromdichte von ca. 4,8
A/dm2 wurden die Leiterplatten in einem handelsüblichen
Elektrolyten (CUPROSTAR LP-1) aufgekupfert. Anschlie
ßend wurde gespült und getrocknet. Bei Durchführung des
sogenannten Durchlichttests wurde eine vollkommene Be
deckung der Bohrlochwandung festgestellt. Danach waren
Harz und Glas gleichmäßig, vollständig und haftfest,
also fehlerfrei, belegt.
Wird der gesamte Vorgang, wie in Beispiel 4 beschrieben,
wiederholt mit der Ausnahme, daß eine Kaliumpermanganat
lösung mit 60 g/l KMnO4 und 50 g/l NaOH bei 90°C anstatt
der sauren Permanganatlösung verwendet wird, so erhält
man ebenfalls eine gleichmäßige, haftfeste Verkupferung.
Im Durchlichttest können allerdings kleine, wenn auch
nicht gravierende Fehlstellen bei der Glasbelegung fest
gestellt werden.
Wird der gesamte Vorgang wie in Vergleichsbeispiel 1
wiederholt, aber bei einer Temperatur des alkalischen
Kaliumpermanganats von 70°C, so sind nach der galva
nischen Vorverkupferung deutliche Fehlstellen erkenn
bar, die bevorzugt die Glasfasern betreffen.
Aus den Vergleichsbeispielen 1 und 2 geht hervor, daß
erfindungsgemäß bei niedrigerer Temperatur mit methan
sulfonsaurer Permanganatlösung eine einwandfreie dünne
oxidierende Beschichtung auch auf den frisch freigeleg
ten Glasfaseroberflächen erzeugt wird, gleichzeitig
jedoch die Selektivität gegenüber den Kupferflächen
voll erhalten bleibt.
Claims (2)
1. Mittel zur selektiven Ausbildung einer dünnen oxidie
renden Schicht mittels Permanganat auf Polymeren, Glas
fasern und Keramik, jedoch nicht auf Kupfer, bestehend
aus einer wäßrigen Kaliumpermanganatlösung, die mittels
Methansulfonsäure auf einen pH-Wert von 6 bis 0, vor
zugsweise 5 bis 2 eingestellt ist.
2. Mittel gemäß Anspruch 1, enthaltend 10 bis 100 g/l Ka
liumpermanganat.
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4113654A DE4113654A1 (de) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | Mittel zur selektiven ausbildung einer duennen oxidierenden schicht |
EP92909035A EP0581823B1 (de) | 1991-04-26 | 1992-04-17 | Mittel zur selektiven ausbildung einer dünnen oxidierenden schicht |
AT92909035T ATE141037T1 (de) | 1991-04-26 | 1992-04-17 | Mittel zur selektiven ausbildung einer dünnen oxidierenden schicht |
AU19805/92A AU1980592A (en) | 1991-04-26 | 1992-04-17 | Means for the selective formation of a thin oxidising layer |
PCT/EP1992/000864 WO1992020204A1 (de) | 1991-04-26 | 1992-04-17 | Mittel zur selektiven ausbildung einer dünnen oxidierenden schicht |
JP04508478A JP3117216B2 (ja) | 1991-04-26 | 1992-04-17 | 酸化薄層の選択的形成手段 |
DE59206858T DE59206858D1 (de) | 1991-04-26 | 1992-04-17 | Mittel zur selektiven ausbildung einer dünnen oxidierenden schicht |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4113654A DE4113654A1 (de) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | Mittel zur selektiven ausbildung einer duennen oxidierenden schicht |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4113654A1 true DE4113654A1 (de) | 1992-10-29 |
Family
ID=6430407
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4113654A Withdrawn DE4113654A1 (de) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | Mittel zur selektiven ausbildung einer duennen oxidierenden schicht |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE4113654A1 (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0607014A2 (de) * | 1993-01-13 | 1994-07-20 | General Electric Company | Verfahren zum Ausstatten von haftenden Metallbeschichtungen auf Oberflächen von Cyanatesterpolymer |
EP2447296A1 (de) | 2010-10-29 | 2012-05-02 | Enthone, Inc. | Zusammensetzung und Verfahren zur Ablagerung von leitfähigen Polymeren auf dielektrischen Substraten |
EP2566311A1 (de) * | 2011-09-02 | 2013-03-06 | Atotech Deutschland GmbH | Direktplattierungsverfahren |
-
1991
- 1991-04-26 DE DE4113654A patent/DE4113654A1/de not_active Withdrawn
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0607014A2 (de) * | 1993-01-13 | 1994-07-20 | General Electric Company | Verfahren zum Ausstatten von haftenden Metallbeschichtungen auf Oberflächen von Cyanatesterpolymer |
EP0607014A3 (en) * | 1993-01-13 | 1995-11-29 | Gen Electric | Method for providing adherent metal coatings on cyanate ester polymer surfaces. |
EP2447296A1 (de) | 2010-10-29 | 2012-05-02 | Enthone, Inc. | Zusammensetzung und Verfahren zur Ablagerung von leitfähigen Polymeren auf dielektrischen Substraten |
WO2012058681A2 (en) | 2010-10-29 | 2012-05-03 | Enthone Inc. | Composition and method for the deposition of conductive polymers on dielectric substrates |
EP3502159A1 (de) | 2010-10-29 | 2019-06-26 | MacDermid Enthone Inc. | Zusammensetzung und verfahren zur ablagerung von leitfähigen polymeren auf dielektrischen substraten |
EP2566311A1 (de) * | 2011-09-02 | 2013-03-06 | Atotech Deutschland GmbH | Direktplattierungsverfahren |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3928832C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von durchkontaktierten Leiterplatten und Leiterplatten-Halbzeug | |
DE69426732T2 (de) | Sich selbstbeschleunigendes und sich selbst auffrischendes Verfahren zur Tauchbeschichtung ohne Formaldehyd | |
DE68918085T2 (de) | Gedruckte schaltplatte mit metallisierten löchern und deren herstellung. | |
DE68908488T2 (de) | Verfahren zur Vorbereitung von Polymeroberflächen für eine nachfolgende Plattierung, und daraus hergestellte metallplattierte Kunststoffartikel. | |
DE3889155T2 (de) | Elektroplattierverfahren und hergestellter Gegenstand. | |
EP0060805B1 (de) | Herstellverfahren für und nach diesem Verfahren hergestellte Leiterplatten | |
EP1088121B1 (de) | Verfahren zur metallischen beschichtung von substraten | |
DE69414324T2 (de) | Elektrobeschichtungsverfahren | |
DE2847070A1 (de) | Verfahren zur behandlung eines mit additiv aufplattierten gedruckten leiterzuegen versehenen substrates | |
DE3806884C1 (en) | Through-plated contact printed circuit and method for fabricating it | |
DE3708214A1 (de) | Verfahren zur haftfesten metallisierung von kunststoffen | |
DE3008434C2 (de) | ||
DE3800682A1 (de) | Verfahren zur herstellung von elektrischen leiterplatten | |
EP0417750B1 (de) | Verfahren zur direkten Metallisierung von Leiterplatten | |
EP0581823B1 (de) | Mittel zur selektiven ausbildung einer dünnen oxidierenden schicht | |
DE4113654A1 (de) | Mittel zur selektiven ausbildung einer duennen oxidierenden schicht | |
DE19527056C1 (de) | Verfahren zur Herstellung von durchkontaktierten Leiterplatten oder Mehrlagenleiterplatten (Multilayer) | |
DE3931003A1 (de) | Verfahren zur direkten metallisierung von leiterplatten | |
EP0156987A2 (de) | Verfahren zur Herstellung von gedruckten Schaltungen | |
DE69302104T2 (de) | Verfahren zur Verbesserung der Adhäsion zwischen verschiedenen Schichten in der Herstellung laminierter Leiterplatten und Zusammensetzungen zur Durchführung des Verfahrens | |
DE3347194C2 (de) | Verfahren zur mehrstufigen, stromlosen Verkupferung von Leiterplatten | |
WO1992019091A1 (de) | Verfahren zur metallisierung von nichtleitern, insbesondere leiterplatten, und die verwendung von stickstoffhaltigen quartärsalzen in dem verfahren | |
DE3006117A1 (de) | Verfahren zum herstellen von leiterplatten mit mindestens zwei leiterzugebenen | |
EP1630252A1 (de) | Verfahren zur beschichtung von Substraten enthaltend Antimonverbindungen mit Zinn und Zinnlegierungen | |
DE4211152C1 (de) | Verfahren zur Metallisierung von Nichtleitern und Anwendung des Verfahrens |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8141 | Disposal/no request for examination |