DE4041578A1 - Sensor - Google Patents

Sensor

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DE4041578A1 DE19904041578 DE4041578A DE4041578A1 DE 4041578 A1 DE4041578 A1 DE 4041578A1 DE 19904041578 DE19904041578 DE 19904041578 DE 4041578 A DE4041578 A DE 4041578A DE 4041578 A1 DE4041578 A1 DE 4041578A1
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    • G01F1/6845—Micromachined devices

Description

Stand der Technik
Die Erfindung geht aus von einem Sensor zur Messung der Geschwindig­ keit bzw. Durchflußmenge eines strömenden Mediums nach der Gattung des Hauptanspruchs.
In der PCT-Anmeldung WO 90/02 317 wird eine Einrichtung zur Messung einer strömenden Luftmenge beschrieben mit einem der strömenden Luft ausgesetzten, in Dickschichttechnik ausgeführten Sensorelement, das eine aus einem Heizschichtwiderstand und einem temperaturabhängigen Sensorschichtwiderstand bestehende Widerstandsanordnung aufweist, wobei der Sensorschichtwiderstand Bestandteil einer Brückenschaltung ist. Die Widerstandsanordnung ist in einer aus keramischem Werk­ stoff, insbesondere aus Glaskeramik, bestehenden Blase unterge­ bracht, die auf einem isolierenden Substrat aufgewölbt ist. Die die Blase bildende dünne Membran und der Hohlraum zwischen der Membran und dem Substrat gewährleisten eine thermische Abkopplung der Schichtwiderstände von dem Substrat.
In "Fine Grained Polysilicon and its Application to Planar Pressure Transducers", H. Guckel et al., Transducers ′87, S. 277-282 wird die Herstellung eines mikromechanischen Drucksensors, insbesondere die Herstellung einer "pillbox"-Membran aus Polysilizium in Dünn­ schichttechnik beschrieben.
In "Single-cryistal Silicon Pressure Sensors with 500×Overpressure Protection", Lee Christel et al, Sensors and Actuators, A21-A23 (1990) 84-88 wird ein Verfahren zur Herstellung eines Drucksensors mit einer Membran vorgestellt, bei dem in einen ersten Siliziumwafer eine Ausnehmung eingeätzt wird. In einem weiteren Verfahrensschritt wird gegen die strukturierte Oberfläche des ersten Wafers ein zwei­ ter Wafer gebondet, der in einem dritten Verfahrensschritt solange gedünnt wird, bis er die gewünschte Dicke der Sensormembran auf­ weist.
Vorteile der Erfindung
Der erfindungsgemäße Sensor zur Messung der Geschwindigkeit bzw. der Durchflußmenge eines strömenden Mediums mit den kennzeichnenden Merkmalen des Hauptanspruchs hat den Vorteil, daß er sich mit sehr kleiner Baugröße realisieren läßt. Dadurch können auch Messungen in sehr dünnen Rohren durchgeführt werden. Die kleine Baugröße des Sensors ermöglicht außerdem Mehrfachanordnungen, so daß durch Redun­ danz die Meßunsicherheit verringert werden kann und die Zuverlässig­ keit gesteigert werden kann. Dazu kann zum Beispiel über die Meß­ signale mehrerer Bauelemente gemittelt werden. Mit Mehrfachanordnun­ gen von Sensorelementen kann auch vorteilhaft das Bewegungsprofil eines strömenden Mediums erfaßt werden. Die sehr kleine Baugröße des Sensors, der dem strömenden Medium ausgesetzt wird, wirkt sich auch deshalb sehr vorteilhaft aus, da der Sensor die Strömung des Mediums nur geringfügig beeinflußt und das Medium praktisch nicht verwirbelt wird. Die mikromechanische Realisierung des erfindungsgemäßen Sensors ist zudem preiswert, da Silizium als Grundmaterial verwendet wird und viele Bauelemente auf einem Wafer hergestellt werden können. Die Membranherstellung in Oberflächen-Mikromechanik ist besonders kostengünstig und ermöglicht einen weitgehend spannungs­ freien Aufbau des Sensorelementes. Außerdem ist die Integration der Auswerteelektronik auf dem Sensor selbst möglich. Besonders vorteil­ haft ist, daß die Membran in Dünnschichttechnik sehr dünn herge­ stellt werden kann, typischerweise 1 bis 2 µm dick, so daß die auf der Membran realisierte Widerstandsanordnung aus Sensorwider­ stand und Heizwiderstand sehr gut thermisch von dem Siliziumträger abgekoppelt werden kann. Dieser Effekt wird noch durch die Ver­ wendung von Materialien mit geringer Wärmeleitfähigkeit, wie Poly­ silizium, Siliziumnitrid, Siliziumoxynitrid und Siliziumoxid als Membran unterstützt.
Durch die in den Unteransprüchen aufgeführten Maßnahmen sind vor­ teilhafte Weiterbildungen des im Hauptanspruch angegebenen Sensors möglich. Besonders vorteilhaft ist es, wenn der Abstand zwischen Membran und Siliziumträger möglichst groß ist. Dies kann dadurch erreicht werden, daß eine Siliziummembran über Hilfsschichten, die später wieder entfernt werden, auf dem Siliziumträger aufgewölbt wird oder aber indem der Siliziumträger noch zusätzlich in seiner Tiefe strukturiert wird. Eine weitere vorteilhafte Maßnahme zum Vermeiden von Störeinflüssen insbesondere durch Druckeinwirkung auf den Sensor besteht darin, den Siliziumträger vollständig durchzu­ ätzen, so daß ein Druckausgleich auf beiden Seiten der Membran besteht. Eine andere Möglichkeit, eine Meßsignalverfälschung durch Druckeinflüsse zu vermeiden, besteht darin, auf dem Sensorelement eine weitere Membran anzuordnen, die mit einem temperatur­ unabhängigen Sensorwiderstand ausschließlich zur Druckerfassung ausgestattet ist.
In den Ansprüchen 13 bis 17 werden vorteilhafte Verfahren zur Her­ stellung eines erfindungsgemäßen Sensors vorgeschlagen. Die Sensor­ membran kann vorteilhaft durch Aufbringen von Polysiliziumschichten auf strukturierten Siliziumoxid-Hilfsschichten und anschließendes Entfernen der Hilfsschichten erzeugt werden. Auf die Polysilizium­ membran wird dann eine elektrisch isolierende Schicht abgeschieden, auf die die Widerstandsanordnung aufgebracht wird. Wesentlich ist, daß dieser Schichtaufbau möglichst spannungsfrei ist. Die struktu­ rierten Siliziumoxid-Hilfsschichten können vorteilhaft entweder durch thermische Oxidation der maskierten Oberfläche des Silizium­ trägers oder aber durch Abscheiden von Siliziumoxid aus einer Silan/Sauerstoffatmosphäre und anschließende Strukturierung der Siliziumoxidschicht erzeugt werden. Ein weiteres vorteilhaftes Verfahren zur Herstellung des Sensorelementes besteht darin, in die Oberfläche eines ersten Siliziumträgers eine Ausnehmung einzuätzen und auf der Oberfläche eines zweiten Siliziumträgers eine Silizium­ oxidschicht abzuscheiden, gegen die der erste Siliziumträger mit seiner strukturierten Oberfläche gebondet wird. In einem an­ schließenden Verfahrensschritt wird dann der gesamte zweite Siliziumträger bis auf eine geringe Restdicke, die der Widerstands­ dicke entspricht, weggeätzt, so daß die Siliziumoxidschicht eine Schicht der Sensormembran bildet. Anschließend wird die Widerstands­ anordnung aus der dünnen Siliziumschicht herausgebildet. Über die Membran mit der Widerstandsanordnung wird abschließend noch eine isolierende Schutzschicht abgeschieden. Bei diesem Verfahren ist es auch möglich, in die Oberfläche des zweiten Siliziumträgers zunächst eine Ausnehmung einzubringen, über dieser strukturierten Oberfläche des zweiten Siliziumträgers eine erste elektrisch isolierende Schicht abzuscheiden und auf diese Schicht im Bereich der Ausnehmung die Widerstandsanordnung, beispielsweise in Form von Polysilizium­ schichten, aufzubringen und schließlich darüber eine Siliziumoxid­ schicht abzuscheiden. Nach dem Bonden des ersten Siliziumträgers mit der strukturierten Oberfläche über die Siliziumoxidschicht gegen den zweiten Siliziumträger wird wieder der gesamte zweite Siliziumträger weggeätzt, wobei die Siliziumoxidschicht, die Widerstandsanordnung und die als Schutzschicht dienende isolierende Schicht die Membran bilden.
Zeichnung
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert.
Es zeigen die Fig. 1a bis 1e verschiedene Verfahrensschritte beim Aufbau eines erfindungsgemäßen Sensorelementes, Fig. 2 den Schnitt durch ein Sensorelement, die Fig. 3a bis 3c Verfahrensschritte zum Aufbau eines erfindungsgemäßen Sensorelements nach einem zweiten Verfahren, die Fig. 4a und 4b verschiedene Verfahrensschritte entsprechend einem dritten Verfahren und Fig. 5 den Schnitt durch ein druckausgeglichenes Sensorelement.
Beschreibung der Ausführungsbeispiele
In Fig. 1a ist mit 1 ein Siliziumträger bezeichnet, auf den eine strukturierte Siliziumoxidschicht 5 aufgebracht ist. Die struktu­ rierte Siliziumoxidschicht 5 kann entweder durch entsprechende Maskierung der Oberfläche des Siliziumträgers 1 und anschließende thermische Oxidation der von der Maskierung nicht bedeckten Stellen der Oberfläche des Siliziumträgers 1 erfolgen oder durch eine ganz­ flächige Oxidation und anschließende fotolithografische Strukturie­ rung des Oxids. Bei der thermischen Oxidation entsteht die Silizium­ oxidschicht 5 aus dem Silizium des Siliziumträgers 1 und Sauerstoff der Atmosphäre. Diese Siliziumoxidschicht reicht teilweise in die Oberfläche des Siliziumträgers 1 hinein. Eine weitere Möglichkeit zum Erzeugen einer strukturierten Siliziumoxidschicht besteht darin, auf der Oberfläche des Siliziumträgers 1 eine Siliziumoxidschicht aus einer Silan/Sauerstoffatmosphäre abzuscheiden und anschließend in einem Fotomaskierprozeß zu strukturieren.
Fig. 1b zeigt den Siliziumträger 1 mit der strukturierten Silizium­ oxidschicht 5, die als Hilfsschicht dient und über die eine Poly­ siliziumschicht 10 abgeschieden ist. In die Polysiliziumschicht 10 werden Ätzkanäle 6 im Bereich der Hilfsschicht 5 eingebracht, was in Fig. 1c dargestellt ist. Fig. 1d zeigt die Struktur nachdem die Siliziumoxid-Hilfsschicht 5 durch die Ätzkanäle 6 unter der Poly­ siliziumschicht 10 herausgeätzt ist, so daß ein Hohlraum 15 zwischen der Polysiliziumschicht 10 und dem Siliziumträger 1 entstanden ist. Über diese Struktur ist eine Isolierschicht 11, vorzugsweise aus Siliziumnitrid, abgeschieden, die auch die Ätzkanäle 6 verschließt.
In Fig. 1e ist die endgültige Struktur des Sensorelementes darge­ stellt. Auf der Isolierschicht 11 sind im Bereich des Hohlraums 15 ein Heizwiderstand 21 und ein temperaturabhängiger Sensorwiderstand 22 angeordnet. Die Widerstände 21 und 22 können vorteilhaft in Form von dotierten Polysiliziumschichten realisiert sein. Zum Schutz gegen äußere Einflüsse und gegen Verschmutzung ist über die gesamte Anordnung eine Passivierschicht 12 abgeschieden. Als Passivier­ schichten 12 eignen sich besonders Siliziumnitrid- oder Oxinitrid­ schichten.
Je nach Art der strukturierten Siliziumoxidschicht, d. h. je nach dem, ob es sich um ein thermisches Oxid oder um eine aus einer Silan/Sauerstoff-Atmosphäre abgeschiedene Oxidschicht handelt, entstehen bei dem in den Fig. 1a bis d dargestellten Verfahren Membranen 20 entsprechend Fig. 1e oder Fig. 2. Der Siliziumträger 1 in Fig. 1e ist nicht strukturiert; der Hohlraum 15 zwischen Membran 20 und Siliziumträger 1 entsteht, da die Membran 20 blasen­ artig auf dem Siliziumträger 1 aufgewölbt ist, wie sie bei Verwen­ dung einer aus einer Silan-Sauerstoff-Atmosphäre abgeschiedenen Oxidschicht entsteht. Der Siliziumträger 1 in Fig. 2 weist eine Ausnehmung auf, über die die Membran 20 gespannt ist, so daß der Hohlraum 15 durch Abschließen der Ausnehmung in dem Siliziumträger 1 entsteht. Diese Struktur kann bei Verwendung von thermischem Oxid erzeugt werden. Vorteilhaft bei dem Sensoraufbau entsprechend Fig. 2 ist, daß die Sensoroberfläche relativ eben ist.
In Fig. 3a ist mit 1 ein erster Siliziumträger bezeichnet, in dessen Oberfläche eine Ausnehmung 16 eingebracht ist. Auf der Ober­ fläche eines zweiten Siliziumträgers 2 ist eine Siliziumoxidschicht 18 abgeschieden. Durch den Pfeil ist angedeutet, daß der zweite Siliziumträger 2 auf die strukturierte Oberfläche des ersten Siliziumträgers 1 gebondet wird. Dies erfolgt über die Siliziumoxid­ schicht 18. Nach dem Bonden wird der gesamte Siliziumträger 2 in einem Ätzprozeß bis auf eine dünne Siliziumschicht 30 entfernt. In diese werden dann ein Heizwiderstand 21 und ein temperaturabhängiger Sensorwiderstand 22 durch Dotierung eingebracht, wie in Fig. 3b dargestellt. Die Siliziumschicht 30 wird dann bis auf die Wider­ stände 21 und 22 weggeätzt. Alternativ dazu können die Widerstände 21 und 22 auch vor dem Bonden in den Siliziumträger 2 eingebracht werden. Fig. 3c zeigt den Aufbau des dabei entstehenden Sensorele­ mentes. Die Ausnehmung im ersten Siliziumträger 1 ist durch die Siliziumoxidschicht 18, die von dem zweiten Siliziumträger 2 stammt, verschlossen, so daß ein Hohlraum 15 entstanden ist. Auf der Siliziumoxidschicht 18 sind die Widerstände 21 und 22, die bei dem Ätzprozeß nicht entfernt wurden, angeordnet. Die gesamte Sensorober­ fläche ist von einer Passivierschicht 12 bedeckt, die als Schutz­ schicht gegen äußere Einflüsse, insbesondere Verschmutzungen oder den Angriff von aggressiven Medien, dient. Bei diesem Aufbau wird die Membran 20 im wesentlichen von der Siliziumoxidschicht 18 gebildet. Die Widerstände 21 und 22 bestehen hier aus dotiertem mono­ kristallinen Silizium.
In den Fig. 4a und b wird ein Verfahren beschrieben, was dem in den Fig. 3a bis 3c dargestellten Verfahren zum Aufbau des Sensor­ elementes ähnelt. Wieder wird in einen ersten Siliziumträger 1 eine Ausnehmung 16 eingebracht. Auf die Oberfläche eines zweiten Sili­ ziumträgers 2 wird Passivierschicht 12, vorzugsweise eine Silizium­ nitrid-, Siliziumoxid- oder auch eine Oxinitridschicht, abgeschie­ den. Anschließend werden auf dem zweiten Siliziumträger 2 Wider­ stände 22 und 21 in Form von dotierten Polysiliziumschichten abge­ schieden. Schließlich wird auf die präparierte Oberfläche des zweiten Siliziumträgers 2 eine Siliziumoxidschicht 18 aufgebracht. Nun wird genau wie in dem vorher beschriebenen Verfahren der zweiten Siliziumträger 2 gegen den ersten Siliziumträger 1 gebondet, so daß die Ausnehmung 16 in dem ersten Siliziumträger 1 zu einem Hohlraum 15 abgeschlossen wird. In einem anschließenden Ätzschritt wird der gesamte Siliziumträger 2 weggeätzt. Bei diesem Verfahren ist es nicht mehr notwendig, eine weitere Passivierschicht auf die Sensor­ elementsoberfläche aufzubringen, da die Passivierschicht 12 die Funktion einer Schutzschicht übernimmt. Darüber hinaus besitzt dieser Sensor eine nicht strukturierte Oberfläche, was die Ablagerung von Partikeln und Verwirbelungen des Mediums reduziert.
Da die in den Fig. 1 bis 4 dargestellten Sensorelemente auch als Drucksensoren wirken, ist es sinnvoll, neben dem eigentlichen Sensorelement ein weiteres Sensorelement anzuordnen, das in derselben Weise aufgebaut ist wie das eigentliche Sensorelement, aber nur mindestens einen temperaturunabhängigen Sensorwiderstand aufweist, so daß es nur den Druck aber keine Temperatureffekte erfaßt. Diese Korrekturgröße für den Druck kann von dem Signal des eigentlichen Sensorelementes, dessen Widerstände temperaturabhängig sind, abgezogen werden.
In Fig. 5 ist der Aufbau eines Sensorelementes dargestellt, dessen Membran 20 nicht an einen abgeschlossenen Hohlraum grenzt. Der Siliziumträger 1 weist eine Rückseitenätzung 17 auf, die den Sili­ ziumträger 1 vollständig durchdringt, so daß ein Druckausgleich zwischen den beiden Seiten des Sensorelementes besteht. Durch diesen Aufbau werden Störeinflüsse durch Druckdifferenzen unterbunden.

Claims (17)

1. Sensor zur Messung der Geschwindigkeit bzw. Durchflußmenge eines strömenden Mediums, insbesondere eines Gases, mit einem dem strömenden Medium ausgesetzten Sensorelement mit einer Membran, die eine Widerstandsanordnung aufweist, mit mindestens einem Heizwiderstand und mindestens einem temperaturabhängigen Sensorwiderstand, wobei der mindestens eine Sensorwiderstand Bestandteil einer Auswerteschaltung ist, dadurch gekennzeichnet,
  • - daß das Sensorelement einen Siliziumträger (1) aufweist,
  • - daß auf den Siliziumträger (1) eine Folge von dünnen Schichten (10, 11, 12; 18, 12) aufgebracht ist, in denen die Membran (20) ausgebildet ist,
  • - und daß zwischen der Membran (20) und dem Siliziumträger (1) ein Hohlraum (15) besteht.
2. Sensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
  • - daß der mindestens eine Heizwiderstand (21) und der mindestens eine Sensorwiderstand (22) auf einer Schicht (11; 18) nebeneinander angeordnet sind
  • - und daß diese Schicht (11; 18) aus elektrisch isolierendem Material besteht.
3. Sensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
  • - daß der mindestens eine Heizwiderstand und der mindestens eine Sensorwiderstand auf zwei unterschiedlichen Schichten übereinander angeordnet sind
  • - und daß zwischen dem mindestens einen Heizwiderstand und dem mindestens einen Sensorwiderstand mindestens eine Schicht aus elektrisch isolierendem Material liegt.
4. Sensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Heizwiderstand und Sensorwiderstand identisch sind.
5. Sensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
  • - daß auf die Schichten (11; 18), auf denen der mindestens eine Heizwiderstand (21) und/oder der mindestens eine Sensorwiderstand (22) angeordnet sind, mindestens eine Schicht (12) aus elektrisch isolierendem Material aufgebracht ist, die die Widerstände (21, 22) vollständig bedeckt.
6. Sensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
  • - daß die Widerstände (21, 22) aus dotiertem monokristallinen Silizium oder aus dotiertem Polysilizium bestehen.
7. Sensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
  • - daß die Schichten aus elektrisch isolierendem Material vorzugsweise aus Siliziumnitrid, Siliziumoxynitrid oder Siliziumoxid bestehen und diese Schichten spannungsarm abgeschieden sind.
8. Sensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
  • - daß auf dem Siliziumträger (1) eine Polysiliziumschicht (10) blasenförmig aufgewölbt ist,
  • - daß eine erste elektrisch isolierende Schicht (11) auf die Polysiliziumschicht (10) aufgebracht ist
  • - und daß die Widerstandsanordnung auf die erste elektrisch isolierende Schicht (11) aufgebracht ist.
9. Sensor nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet,
  • - daß der Siliziumträger (1) eine Ausnehmung (16) aufweist,
  • - daß auf dem Siliziumträger (1) eine Polysiliziumschicht (10) aufgebracht ist, die die Ausnehmung (16) abschließt,
  • - daß eine erste elektrisch isolierende Schicht (11) auf die Siliziumschicht (10) aufgebracht ist
  • - und daß die Widerstandsanordnung auf die erste elektrisch isolierende Schicht (11) aufgebracht ist.
10. Sensor nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet,
  • - daß der Siliziumträger (1) eine Ausnehmung (16) aufweist,
  • - daß auf den Siliziumträger (1) eine erste elektrisch isolierende Schicht (18), vorzugsweise eine Siliziumoxidschicht, aufgebracht ist, die die Ausnehmung (16) abschließt,
  • - und daß die Widerstandsanordnung auf die erste elektrisch isolierende Schicht (18) aufgebracht ist.
11. Sensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
  • - daß der Siliziumträger (1) eine Rückseitenöffnung (17) aufweist, so daß der Siliziumträger (1) im Bereich der Membran (20) vollständig durchbrochen ist.
12. Sensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
  • - daß ein weiteres Sensorelement mit einer Membran vorhanden ist, das dem strömenden Medium ausgesetzt ist, wobei die Membran des weiteren Sensorelementes mindestens einen temperaturunabhängigen Sensorwiderstand zur Druckerfassung aufweist.
13. Verfahren zur Herstellung eines Sensors nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet,
  • - daß in eine Oberfläche und/oder auf eine Oberfläche des Siliziumträgers (1) eine sockelartig strukturierte SiO2-Schicht (5) eingebracht und/oder aufgebracht wird,
  • - daß auf die Oberfläche des Siliziumträgers (1) über die sockelartig strukturierte SiO2-Schicht (5) eine Polysiliziumschicht (10) abgeschieden wird,
  • - daß in die Polysiliziumschicht (10) im Bereich der sockelartig strukturierten SiO2-Schicht (5) Ätzkanäle (6) eingebracht werden,
  • - daß durch die Ätzkanäle (6) die Polysiliziumschicht (10) unterätzt wird, indem die sockelartig ausgebildete SiO2-Schicht (5) weggeätzt wird,
  • - daß auf die Polysiliziumschicht (10) eine erste elektrisch isolierende Schicht (11) abgeschieden wird,
  • - daß die Widerstandsanordnung auf die erste elektrisch isolierende Schicht (11) aufgebracht wird
  • - und daß auf die erste elektrisch isolierende Schicht (11) mindestens eine elektrisch isolierende Passivierschicht (12) aufgebracht wird, die die Widerstandsanordnung vollständig bedeckt.
14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet,
  • - daß die strukturierte SiO2-Schicht (5) durch Abscheiden von SiO2 in einer Silan/Sauerstoffatmosphäre erzeugt wird.
15. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet,
  • - daß die strukturierte SiO2-Schicht (5) durch thermische Oxidation der maskierten Oberfläche des Siliziumträgers (1) erzeugt wird.
16. Verfahren zur Herstellung eines Sensors nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet,
  • - daß in mindestens eine Oberfläche eines ersten Siliziumträgers (1) eine Ausnehmung (16, 17) vorzugsweise eingeätzt wird,
  • - daß auf einer Oberfläche eines zweiten Siliziumträgers (2) eine isolierende Schicht (18), vorzugsweise eine SiO2-Schicht abgeschieden wird,
  • - daß der erste Siliziumträger (1) über die isolierende Schicht (18) gegen den zweiten Siliziumträger (2) gebondet wird,
  • - daß anschließend der gesamte zweite Siliziumträger (2) mit Ausnahme einer dünnen Siliziumschicht (30) weggeätzt wird,
  • - daß mindestens ein Heizwiderstand (21) und mindestens ein Sensorwiderstand (22) durch Dotierung in die dünne Siliziumschicht (30) eingebracht wird,
  • - daß die dünne Siliziumschicht (30) bis auf den mindestens einen Heizwiderstand (21) und den mindestens einen Sensorwiderstand (22) weggeätzt wird
  • - und daß auf die SiO2-Schicht (18) mindestens eine elektrisch isolierende Passivierschicht (12) aufgebracht wird, die die Widerstände (21, 22) vollständig bedeckt.
17. Verfahren zur Herstellung eines Sensors nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet,
  • - daß in mindestens eine Oberfläche eines ersten Siliziumträgers (1) eine Ausnehmung (16, 17) vorzugsweise eingeätzt wird,
  • - daß auf einer Oberfläche eines zweiten Siliziumträgers (2) eine erste elektrisch isolierende Schicht (12) abgeschieden wird,
  • - daß auf die erste elektrisch isolierende Schicht (12) eine Widerstandsanordnung, vorzugsweise aus Polysilizium, aufgebracht wird,
  • - daß auf die erste elektrisch isolierende Schicht (12) und über die Widerstandsanordnung eine weitere elektrisch isolierende Schicht (18), vorzugsweise eine SiO2-Schicht, abgeschieden wird,
  • - daß der erste Siliziumträger (1) mit einer strukturierten Oberfläche über die SiO2-Schicht (18) gegen den zweiten Siliziumträger (2) gebondet wird
  • - und daß anschließend der gesamte zweite Siliziumträger (2) weggeätzt wird.
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