DE4031397C2 - Herstellungsverfahren für einen Einchipmikrocomputer - Google Patents

Herstellungsverfahren für einen Einchipmikrocomputer

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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Einchipmikrocomputers, in dem ein ROM eingebaut ist.
Im allgemeinen gibt es zwei Typen von ROMs, die in einem Einchipmikrocomputer untergebracht bzw. eingebaut werden, nämlich einen Masken-ROM, bei dem abzuspeichernde Informa­ tionen beim Herstellungsprozeß durch Verwendung einer Pho­ tomaske festgelegt werden, und einen EPROM oder E2PROM, der elektrisches Schreiben von Informationen nach der Herstel­ lung erlaubt. Obwohl der Masken-ROM vorteilhaft bezüglich der Herstellungskosten bei Massenproduktion ist, wird eine lange Zeit benötigt, um ein Stück bzw. eine Probe fertigzu­ stellen, nachdem die zu speichernden Informationen festge­ legt worden sind, daß heißt, die Herstellungszeit (turna­ round time) ist lang. Darüberhinaus kostet die Photomaske bei einer geringen Herstellungsmenge zu viel. Inzwischen können Informationen in einen EPROM oder E2PROM nach dem Herstellungsprozeß eingeschrieben werden, so daß die Her­ stellungszeit bzw. Fertigstellungszeit beträchtlich verkürzt wird, was zu einer Reduzierung der Herstellungskosten bei einer kleinen Produktionsmenge beiträgt. Andererseits wird jedoch der Herstellungsprozeß eines Wafers kompliziert, wo­ durch die Herstellungskosten des EPROMs oder des E2PROMs insgesamt ansteigen und deshalb ist der EPROM oder E2PROM von Nachteil, wenn er in einer Massenproduktion hergestellt wird.
Wie oben ausgeführt haben der Masken-ROM und der EPROM oder der E2PROM jeweils ihre eigenen Vorteile und Nachteile. Deshalb sind eine Vielzahl von Chiparten mit Masken-ROM, EPROM oder E2PROM usw. in den letzten Jahren für Mikrocom­ puter entwickelt worden.
Als ROM, der in einem Einchipmikrocomputer mit Masken-ROM eingebaut bzw. integriert wird, wird z. B. ein ROM vom Ver­ armungstyp, ein ROM vom Kontakttyp, ein ROM vom OR-Typ durch Ionenimplantation oder ähnliches verwendet. Ein Zei­ lendekoder, ein Stringdekoder und ein Tastverstärker (sense amplifier), die Schaltungen und Eigenschaften entsprechend der Art des verwendeten ROMs haben, werden eingesetzt. An­ dererseits wird bei einem ROM, der in einem Einchipmikro­ computer mit EPROM oder E2PROM untergebracht ist, im allge­ meinen ein OR-Typ-ROM verwendet und der Zeilendekoder, der Stringdekoder und der Tastverstärker sind von dem Typ ent­ sprechend diesem OR-Typ-ROM. Im Übrigen benötigt der Ein­ chipmikrocomputer mit EPROM oder E2PROM insbesondere eine Schreibschaltung und eine Steuerschaltung usw.
Es ist klar, daß der Einchipmikrocomputer mit Masken-ROM und daß der Einchipmikrocomputer mit EPROM oder E2PROM von­ einander in Layout und Abmessung unterschiedlich sind, wo­ bei die Photomaske individuell für jeden Chip gefertigt werden muß, was die Probleme mit sich bringt, daß eine ziemlich lange Zeit für ihre Entwicklung und hohe Kosten erforderlich sind. Desweiteren, obwohl es notwendig ist, daß der Mikrocomputer mit Masken-ROM und der Mikrocomputer mit EPROM oder E2PROM die gleichen elektrischen Eigenschaf­ ten bezüglich der Kompatibilität haben, ist es schwierig, die elektrischen Charakteristiken bzw. Eigenschaften beider gleich zu machen, wenn das Layout und die Abmessungen des Chips nicht die gleichen sind.
Fig. 1 zeigt das Layout eines herkömmlichen Einchipmikro­ computers mit EPROM und Fig. 2 zeigt das Layout eines her­ kömmlichen Einchipmikrocomputers mit Masken-ROM. Die Fig. 1 und 2 zeigen einen Speicherfeldbereich 1 bzw. 11, einen Zeilendekoderbereich 2 bzw. 12 und einen Bereich 3 bzw. 13 an, der einen Stringdekoder und einen Tastverstär­ ker bezeichnet. Aus den Fig. 1 und 2 ist es klar, daß das Layout und die Abmessungen des Einchipmikrocomputers mit Maske-ROM unterschiedlich zu jenen des Einchipmikro­ computers mit EPROM sind. Das gleiche gilt ebenso für einen Einchipmikrocomputer mit Masken-ROM und für einen Einchip­ mikrocomputer mit E2PROM.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Herstel­ lungsverfahren für einen Einchipmikrocomputer anzugeben, bei dem die Entwicklungszeit und die Entwicklungskosten je­ des Typs von Einchipmikrocomputern mit EPROM, E2PROM oder Masken-ROM, die darin untergebracht sind, beachtlich reduziert werden können. Außerdem soll ein Herstellungsver­ fahren für einen Einchipmikrocomputer angegeben werden, bei dem das Layout und die Größe bzw. die Abmessungen und eben­ falls die elektrischen Eigenschaften eines Chips bei jedem Typ von Einchipmikrocomputern mit EPROM, E2PROM oder Mas­ ken-ROM vereinheitlicht bzw. gleich gemacht werden kann. Außerdem soll ein Herstellungsverfahren für einen Einchip­ mikrocomputer angegeben werden, das die Kompatibilität zwi­ schen einem Einchipmikrocomputer mit EPROM oder E2PROM oder einem Einchipmikrocomputer mit Masken-ROM erhöht.
Diese Aufgabe wird durch das Verfahren nach Anspruch 1 ge­ löst.
Gemäß dem Herstellungsverfahren für ein Einchipmikrocompu­ ter der vorliegenden Erfindung wird eine Vielzahl von Pho­ tomasken und/oder Photomaskendaten gemeinsam bzw. zusammen verwendet, wenn der Einchipmikrocomputer mit Masken-ROM und der Einchipmikrocomputer mit EPROM oder E2PROM hergestellt werden, so daß das Layout, die Abmessungen und die elektri­ schen Eigenschaften der Chips gleich gemacht werden können.
Weitere Vorteile und vorteilhafte Weiterbildungen der vor­ liegenden Erfindung sind aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen in Verbindung mit den beiliegen­ den Zeichnungen und den Ansprüchen ersichtlich. Es zeigen:
Fig. 1 ein Layoutdiagramm eines herkömmlichen Einchipmi­ krocomputers mit EPROM;
Fig. 2 ein Layoutdiagramm eines herkömmlichen Einchipmi­ krocomputers mit Masken-ROM;
Fig. 3(a) ein Layoutdiagramm eines Einchipmikrocomputers mit EPROM, der gemäß dem Verfahren der vorliegenden Erfin­ dung hergestellt worden ist;
Fig. 3(b) ein Layoutdiagramm eines Einchipmikrocomputers mit Masken-ROM, der nach dem Verfahren der vorliegenden Er­ findung hergestellt worden ist;
Fig. 4(a) ein Schaltungsteildiagramm des Einchipmikrocom­ puters mit EPROM (oder E2PROM), der mittels des Verfahrens gemäß der vorliegenden Erfindung hergestellt worden ist;
Fig. 4(b) ein Schaltungsteildiagramm eines Einchipmikro­ computers mit Masken-ROM, der mittels des Verfahrens der vorliegenden Erfindung hergestellt worden ist;
Fig. 5 ein Flußdiagramm, daß den Herstellungsprozeß gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt;
Fig. 6 einen Kurvenverlauf, der die Eigenschaften eines Speicherzellentransistors eines OR-Typ-EPROMs und eines Speicherzellentransistors eines OR-Typ-Masken-ROMs zeigt;
Fig. 7 ein Schaltungsteildiagramm eines Tastverstärkers;
Fig. 8(a) eine schematische Aufsicht, die einen Teil eines Transistors des Tastverstärkers des Einchipmikrocomputers mit EPROM (oder E2PROM) zeigt; und
Fig. 8(b) eine schematische Aufsicht, die einen Teil eines Transistors des Tastverstärkers des Einchipmikrocomputers mit Masken-ROM zeigt.
Die Erfindung wird im folgenden detailliert in Verbindung mit den bevorzugten Ausführungsformen bezüglich der beilie­ genden Zeichnungen erläutert. Es wird darauf hingewiesen, daß, obwohl die nachfolgende Beschreibung auf einen Ein­ chipmikrocomputer mit EPROM bezogen ist, diese im wesentli­ chen auch für den Fall eines Einchipmikrocomputers mit E2PROM verwendet werden kann.
In Fig. 3(a) ist das Layout eines Einchipmikrocomputers mit EPROM angegeben, der gemäß des Verfahrens der vorlie­ genden Erfindung hergestellt worden ist. Fig. 3(b) illu­ striert das Layout eines Einchipmikrocomputers mit Masken- ROM, der mittels des Verfahrens der vorliegenden Erfindung erzeugt worden ist. Die Fig. 3(a) und 3(b) zeigen einen Speicherbereich 1 bzw. 11, einen Zeilendecoderbereich 2 bzw. 12a und einen Bereich eines Stringdecoders und eines Tastverstärkers 3 bzw. 13a. Der Einchipmikrocomputer mit EPROM wird auf gleiche Art und Weise wie bei dem herkömmli­ chen Verfahren hergestellt. Andererseits stimmt der Masken- ROM, der in dem Einchipmikrocomputer mit Masken-ROM unter­ zubringen ist, in Type oder Modell mit z. B. einem OR-Typ- ROM überein, der im allgemeinen in einem Einchipmikrocompu­ ter mit EPROM eingesetzt wird. Darüberhinaus sind Layout und Abmessungen des Chips des Einchipmikrocomputers mit Masken-ROM mit jenen des Einchipmikrocomputers mit EPROM in Übereinstimmung, während die Schaltungsstrukturen beider Typen im wesentlichen gleich sind mit denen der Fig. 4(a) und 4(b). Die Photomaske für den photomechanischen Prozeß und/oder die Photomaskendaten (CAD-Daten oder ähnli­ che), die bei der Herstellung des Einchipmikrocomputers mit EPROM verwendet werden, werden gemeinsam eingesetzt, mit einigen Ausnahmen, bei der Herstellung eines Einchipmikro­ computers mit Masken-ROM.
In den Fig. 4(a) und 4(b) gibt es N-Kanal-Transistoren Q2 und Q3 zum Auswählen von Bitleitungen. Die Gates der N- Kanal-Transistoren Q2 und Q3 sind mit zugeordneten Spalten­ dekoderausgangssignalleitungen Y1 bzw. Y2 verbunden. Das Drain D des N-Kanal-Transistors Q2 ist mit einem Tastver­ stärker 4 bzw. 14 verbunden, während die Source des N-Ka­ nal-Transistors Q2 mit dem Drain D des N-Kanal-Transistors Q3 verbunden ist. Die Source S des N-Kanal-Transistors Q3 ist mit einem Speicherzellentransistor in dem Speicherfeld­ bereich 1 bzw. 11 verbunden.
Der Speicherfeldbereich 1 im Einchipmikrocomputer mit EPROM besteht, wie es in der Fig. 4(a) angegeben ist, aus EPROM- Speicherzellen-Transistoren R11-R1l in Floating-Gate-Struk­ tur. Die Speicherzellen-Transistoren R11-R1l sind mit ihren Gates jeweils mit Zeilendecoderausgangssignalleitungen X1-­ Xl verbunden und ihre Drains mit der gleichen Bitleitung, wodurch eine OR-Typ (= ODER-Typ) Verschaltung der Speicherzellentransistoren R11 bis R1l gegeben ist.
Wie in der Fig. 4(b) gezeigt wird, besteht der Speicher­ feldbereich 11 in dem Einchipmikrocomputer mit Masken-ROM aus N-Kanal-Speicherzellen-Transistoren Q11 bis Q1l, deren Gates jeweils mit einer der Zeilendekoderausgangssignallei­ tungen X1-Xl verbunden sind und deren Drains mit der glei­ chen Bitleitung verbunden sind.
Das Layout und die Größe bzw. Abmessungen der Schaltungs­ strukturen, die in den Fig. 4(a) und 4(b) gezeigt wer­ den, sind im wesentlichen die gleichen. Dementsprechend können die Photomaske und die Photomaskendaten gemeinsam bei der Herstellung des Einchipmikrocomputers mit EPROM und des Einchipmikrocomputers mit Masken-ROM verwendet werden, mit Ausnahme einiger Prozesse.
Wie es aus dem Flußdiagramm der Fig. 5 klar wird, das den Herstellungsprozeß des Einchipmikrocomputers mit EPROM und den Herstellungsprozeß des Einchipmikrocomputers mit Mas­ ken-ROM zeigt, können die Photomaske und die Photomaskenda­ ten gemeinsam verwendet werden, insbesondere beim Inselfor­ mungsprozeß (island forming process), beim Feldformungspro­ zeß (field forming process), beim Isolationsprozeß, beim Kanaldotierungsprozeß, beim Source/Drainformungsprozeß, beim Kontaktlochformungsprozeß, beim Aluminiumverdrahtungs­ prozeß und beim Glasummantelungsprozeß. Jedoch kann die Photomaske, die beim ersten Gateformungsprozeß und beim Speichergateformungsprozeß beim Einchipmikrocomputer mit EPROM eingesetzt wird, bei der Herstellung des Einchipmi­ krocomputers mit Masken-ROM nicht verwendet werden. Außer­ dem sind beim Gateumgebungsformungsprozeß unterschiedliche Photomasken individuell für den Einchipmikrocomputer mit EPROM und den Einchipmikrocomputer mit Masken-ROM notwen­ dig.
Es wird darauf hingewiesen, daß das oben stehende Herstel­ lungsverfahren nur beispielhaft diskutiert worden ist und dementsprechend die Photomaske und Photomaskendaten, die gemeinsam verwendet werden können, verschieden sein können, wenn eine andere Art von Herstellungsprozeß eingesetzt wird. Als Folge des soeben beschriebenen Herstellungspro­ zesses werden Schaltungen, die für den Einchipmikrocomputer mit EPROM gedacht sind, z. B. die Schreibschaltung, die Steuerschaltung usw. ebenfalls beim Einchipmikrocomputer mit Masken-ROM ausgebildet. Diese Schaltungen werden jedoch beim Einchipmikrocomputer mit Masken-ROM niemals einge­ setzt, wobei das Vorhandensein dieser Schaltungen die ande­ ren Schaltungen des Einchipmikrocomputers mit Masken-ROM nicht stört. Deshalb ist es nicht von Nachteil, daß der Einchipmikrocomputer mit Masken-ROM mit diesen Schaltungen, die eigentlich nur für den Einchipmikrocomputer mit EPROM gedacht sind, versehen ist.
Fig. 6 zeigt die Stromspannungseigenschaften bzw. Charak­ teristiken des Speicherzellentransistors des OR-Typ-EPROMs und die Charakteristiken des OR-Typ-Masken-ROMs, wobei die Abszisse eine Drainspannung und die Ordinate einen Strom angeben. Der Speicherzellentransistor vom OR-Typ-EPROM ist mit einem Floating-Gate (schwebendes Gate) in der Doppel­ schichtstruktur aus Polysilizium ausgestattet. Deshalb, wie aus der Kurve gemäß Fig. 6 ersichtlich ist, wenn die Ka­ nallänge und die Kanalbreite des Speicherzellentransistors des EPROMs vom OR-Typ mit der Länge und Breite bzw. Weite des Speicherzellentransistors des Masken-ROMs vom OR-Typ gleich sind, wird der Stromwert des ersteren kleiner als der Stromwert des letzteren.
Hierbei muß, um eine äquivalente elektrische Charakteristik für einen ROM zu erhalten, wenn er in einem Einchipmikro­ computer untergebracht ist, die Charakteristik bzw. Eigen­ schaft des Tastverstärkers geändert werden. Genauer gesagt wird die Charakteristik des Tastverstärkers nur durch Ein­ stellen der Form der Transistorgeometrie geändert, z. B. durch Einstellen der Fläche eines Gates des Transistors, der zur Detektion des Speicherzellenstroms dient, des Tast­ verstärkers.
Fig. 7 gibt ein Schaltungsteildiagramm des Tastverstärkers 4 bzw. 14 an. Das Gate des Transistors Q5, das verwendet wird, um zu detektieren, ob der Strom größer oder kleiner ist, wird geändert, wie es in Fig. 8 angegeben ist. Der Strom ändert sich in Übereinstimmung mit dem Vorhandensein oder dem Nichtvorhandensein einer Speicherung elektrischer Ladung am Floating-Gate des Speicherzellentransistors Q6 in der Floating-Gate-Struktur. Fig. 8(a) zeigt einen Teil des Transistors Q5, der verwendet wird, um den Strom in dem Tastverstärker des Einchipmikrocomputers mit EPROM zu de­ tektieren, wohingegen Fig. 8(b) einen Teil eines Transi­ stors Q5 angibt, ähnlich zu dem Transistor der Fig. 8(a), in dem Tastverstärker 14 des Einchipmikrocomputers mit Mas­ ken-ROM. Die Fläche des Gates, das mit einer P+ Schicht überlappt, die den Drainbereich und den Sourcebereich aus­ bildet, ist unterschiedlich zwischen den Fig. 8(a) und 8(b), insbesondere ist die Fläche des Gates G1 des Ein­ chipmikrocomputers mit EPROM groß, wie es in Fig. 8(a) ge­ zeigt wird, wohingegen die Fläche des Gates G2 des Einchip­ mikrocomputers mit Masken-ROM reduziert ist bzw. kleiner ist, wie es in der Fig. 8(b) angegeben ist. Als Ergebnis davon verschwindet die Differenz in der Charakteristik des Speicherzellentransistors, die in Fig. 6 angegeben wird.
Die Charakteristik in der soeben beschriebenen Art zu än­ dern, ist nur ein Beispiel. Die Stromcharakterisktik des Tastverstärkers jedes der Einchipmikrocomputer oder der Transistor und die Anzahl derselben, die in Übereinstimmung mit dem Herstellungsprozeß geändert werden müssen, kann na­ türlich in geeigneter Weise festgelegt werden.

Claims (6)

1. Verfahren zur Herstellung eines Einchip-Microcomputers, der wahlweise mit EPROM oder Masken-ROM ausgestattet ist, wobei für eine Vielzahl von Herstellungsschritten des Einchip-Microcomputers mit EPROM bzw. mit Masken-ROM jeweils eine gemeinsame Photomaske und/oder Photomaskendaten eingesetzt wird/werden, davon ausgenommen der erste-Gateformungsprozeß und der Speichergateformungsprozeß der EPROM sowie der Gateumgebungsformungsprozeß von EPROM und Masken-ROM, und wobei die elektrischen Eigenschaften eines Tastverstärkers der EPROM und eines Tastverstärkers der Masken-ROM in den jeweiligen Einchip-Microcomputern so angepaßt sind, daß die jeweiligen Tastverstärker gleichwertige elektrische Eigenschaften bezüglich zumindest des Auslesens von gespeicherter Information haben.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß EPROM und Masken-ROM vom OR-Typ sind.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrischen Eigenschaften der unterschiedlichen Tastverstärker durch unterschiedliche Flächen der Gates von zumindest einem der Transistoren in den jeweiligen Tastverstärkern festgelegt werden.
4. Verfahren zur Herstellung eines Einchip-Microcomputers, der wahlweise mit EEPROM oder Masken-ROM ausgestattet ist, wobei für eine Vielzahl von Herstellungsschritten des Einchip-Microcomputers mit EEPROM bzw. mit Masken-ROM jeweils eine gemeinsame Photomaske und/oder Photomaskendaten eingesetzt wird/werden, davon ausgenommen der erste-Gateformungsprozeß und der Speichergateformungsprozeß der EEPROM sowie der Gateumgebungsformungsprozeß von EEPROM und Masken-ROM, und wobei die elektrischen Eigenschaften eines Tastverstärkers der EEPROM und eines Tastverstärkers der Masken-ROM in den jeweiligen Einchip-Microcomputern so angepaßt sind, daß die jeweiligen Tastverstärker gleichwertige elektrische Eigenschaften bezüglich zumindest des Auslesens von gespeicherter Information haben.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß EEPROM und Masken-ROM vom OR-Typ sind.
6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrischen Eigenschaften der unterschiedlichen Tastverstärker durch unterschiedliche Flächen der Gates von zumindest einem der Transistoren in den jeweiligen Tastverstärkern festgelegt werden.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0151476A2 (de) * 1984-02-03 1985-08-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Ein Festwertspeicher und ein Verfahren zum Herstellen desselben
US4935791A (en) * 1988-01-12 1990-06-19 Oki Electric Industry Co., Ltd. Nonvolatile semiconductor memory device of shared contact scheme not having inclined wiring
EP0436475A2 (de) * 1989-12-22 1991-07-10 STMicroelectronics S.r.l. EPROM-Anordnung mit metallenen Source-Anschlüssen und ihre Herstellung

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0151476A2 (de) * 1984-02-03 1985-08-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Ein Festwertspeicher und ein Verfahren zum Herstellen desselben
US4935791A (en) * 1988-01-12 1990-06-19 Oki Electric Industry Co., Ltd. Nonvolatile semiconductor memory device of shared contact scheme not having inclined wiring
EP0436475A2 (de) * 1989-12-22 1991-07-10 STMicroelectronics S.r.l. EPROM-Anordnung mit metallenen Source-Anschlüssen und ihre Herstellung

Non-Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
D.F. Barbe, Very Large Scale Integration, Springer-Verlag Berlin Heidelberg New York, 1982, S. 269/270 *
Electronic Design, 14. Mai 1987, S. 55,56 u. 58 *
Elektronik Journal 17/89, S. 32-34 u. 36 *
TIMM, V.: Mikrocontroller für Prozeßsteuerungen in DE-Z.: Elektronik 11/27.5.1988, S. 117-122 *
TIMM, V.: Mit einem EEPROM and Bord in DE-Z.: Elektronik 22/28.10.1988, S. 204-208 *

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