DE4029681C2 - - Google Patents

Info

Publication number
DE4029681C2
DE4029681C2 DE19904029681 DE4029681A DE4029681C2 DE 4029681 C2 DE4029681 C2 DE 4029681C2 DE 19904029681 DE19904029681 DE 19904029681 DE 4029681 A DE4029681 A DE 4029681A DE 4029681 C2 DE4029681 C2 DE 4029681C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
base body
layer
ceramic
metal
melf
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE19904029681
Other languages
English (en)
Other versions
DE4029681A1 (de
Inventor
Kurt Dipl.-Ing. Deutschlandsberg At Oitzl
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE19904029681 priority Critical patent/DE4029681A1/de
Publication of DE4029681A1 publication Critical patent/DE4029681A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE4029681C2 publication Critical patent/DE4029681C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C17/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/28Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C17/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/006Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for manufacturing resistor chips

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von ober­ flächenmontierbaren keramischen Bauelementen in Melf-Technologie nach dem Patentanspruch 1 bzw. 3.
Die herkömmliche Technik der Einsteckmontage von bedrahteten Bauelementen wird zunehmend durch die Oberflächenmontage unbe­ drahteter Bauelemente auf die Leiterplatte abgelöst. Die Vor­ teile der Oberflächenmontage sind dabei um so größer, je bes­ ser SMD (Surface Mounted Devices) -Bauelemente, Leiterplatten- Layout, automatische Bestückung, Löttechnik und Prüfen aufein­ ander abgestimmt sind.
Sehr weit verbreitet sind heute die SMD-Bauformen "Chip" und "Melf" (Metall elektrode face). Keramische Bauelemente im Sinne dieser Erfindung, also beispielsweise NTC- und PTC-Thermistoren, Varistoren und Kondensatoren, die jeweils als monolithischer Block oder in Vielschicht-Technik ausgeführt sein können, werden gegenwärtig in Chip-Bauform hergestellt. Die plattenförmigen Quader aus Keramik, die Innenelektroden aufweisen können, werden an zwei gegenüberliegenden Flächen mit sperrschichtfreien Metallelektroden versehen. Es werden im übrigen aber auch noch nicht-lineare Widerstände in konventioneller, nicht oberflächenmontierbarer Scheibenform hergestellt. Die zylinderförmige Melf-Bauform andererseits wird bei passiven Bauelementen bisher nur für rohrförmige Kondensatoren und für lineare Widerstände verwendet, wobei einfach die seit langem bekannten Bauelemente an ihren Zylinderenden mit Metallkappen versehen werden und auf das Anlöten von Drähten verzichtet wird.
Die an sich erfolgreiche Chip-Bauform bringt bei der Herstellung keramischer Bauelemente mit "aktiven" Oberflächen eine Reihe spezifischer Probleme mit sich. Die empfindliche aktive Ober­ fläche muß im Hinblick auf die Stabilität der elektrischen Eigenschaften des Bauelements, vor seiner Umwelt, z. B. Fluß­ und Reinigungsmittel, Atmosphäre und Leiterbahn, geschützt werden. Die notwendige Passivierung der aktiven Oberfläche ist jedoch bei der Chip-Bauform nur unter hohem Aufwand möglich. Ein Abgleichen der von den Abmessungen des Keramikkörpers abhängigen elektrischen Werte ist bei der Chip-Bauform nur durch umständ­ liches Abtragen eines Teils der keramischen Masse möglich. Die elektrischen Werte sind aber auch maßgeblich durch die Form der Metallisierung beeinflußt, was bei der Chip-Bauform eine nicht zufriedenstellende Ablegierbeständigkeit bzw. Benetzbarkeit bewirkt. Schließlich ist auch noch auf die nicht zu unter­ schätzenden praktischen Probleme bei der von den Kunden gewünsch­ ten Kennzeichnung der Werte der Bauelemente hinzuweisen.
Versuche, die Vorteile der in mancher Hinsicht der Chip-Bauform überlegenen Melf-Technologie dadurch auszunutzen, daß konventio­ nelle scheibenförmige keramische Bauelemente in ein Glasrohr eingebracht und ihre gegenüberliegenden Stirnflächen durch zwei in die gegenüberliegenden offenen Enden des Glasrohrs einge­ steckte Metallstöpsel kontaktiert werden, haben nicht zu befrie­ digenden Ergebnissen geführt.
Aus der US-PS 40 64 475 ist ein Dickschichtvaristor auf ZnO- Basis und ein Verfahren zu seiner Herstellung bekannt geworden, bei dem zunächst jeweils eine leitende Kontaktschicht auf die gegenüberliegenden ringförmigen Stirnflächen eines rohrförmigen elektrisch isolierenden Substrats aufgetragen werden. Anschlie­ ßend wird auf die Mantelfläche des Substrats eine Elektroden­ paste aufgetragen, die an einem Rohrende mit der dortigen Kon­ taktschicht in Verbindung steht. Nach Herstellung der ersten Elektrode durch Erhitzen wird eine die erste Elektrode über­ deckende Varistorpaste aufgetragen und darüber eine zweite Elektrodenpaste, die mit der Kontaktschicht an der anderen, ge­ genüberliegenden Stirnfläche in Verbindung steht. Beide Schich­ ten werden anschließend erhitzt. An die gegenüberliegenden Kon­ taktschichten werden Drähte angebracht, indem an den Drahtenden befestigte Metallstöpsel in die Rohrenden eingelötet werden. Der Stromfluß durch den rohrförmigen Varistorkörper erfolgt radial von innen nach außen durch die rohrförmig aufgetragene Varistor­ schicht.
In der US-PS 40 69 465 ist ein Varistor und ein Verfahren zu seiner Herstellung beschrieben, bei dem zunächst ein rohrförmi­ ger Varistorkörper hergestellt wird. An dessen gegenüberliegen­ den ringförmigen Stirnflächen werden, ähnlich dem zuvor geschil­ derten bekannten Verfahren, Kontaktschichten angebracht. Auf den Varistormantel wird daraufhin eine Metallbelegung aufgetragen, die an den Rohrenden mit beiden Kontaktschichten in Verbindung steht. Anschließend wird die Metallbelegung durch eine elek­ trisch trennende Aussparung in zwei, in Bezug auf die Mittel­ achse des Rohrs nebeneinander angeordnete, Metallbelegungen aufgeteilt. Der Varistor wird abschließend wieder mit Hilfe von Metallstöpseln bedrahtet. Der Varistor kann, ebenso wie der zu­ vor beschriebene bekannte Varistor, danach noch mit einer nur die Drähte freilassenden schützenden Umhüllung versehen werden.
Bei dem aus der US-PS 40 69 465 bekannten Varistor erfolgt der Stromfluß in Rohrlängsrichtung. Über den durch die Breite und Tiefe der Aussparung festlegbaren Stromweg zwischen den beiden nebeneinanderliegenden Metallbelegungen (Elektroden) läßt sich die Varistorspannung unabhängig von der Wandstärke des Rohrs einstellen. Außerdem läßt sich, bei festgelegtem Querschnitt der Aussparung, das aktive Varistorvolumen durch die Länge der Aussparung, die z. B. ring- oder spiralförmig ausgebildet sein kann, einstellen. Um genügend Spielraum bei der Einstellung der Varistoreigenschaften zu haben, wird vorgeschlagen, eine aus­ reichende Tiefe der Aussparung dadurch zu erzielen, daß diese genügend tief in den Varistorkörper hineinreicht.
Aus "Elektronik" 14 vom 12. 07. 1985, Seiten 43 bis 51 sind Widerstände für die SMD-Technik, insbesondere MELF-Widerstände bekannt geworden, bei denen auf einen Keramikkörper eine Kohle- oder Metallschicht aufgedampft wird und die beschichteten Widerstände mit zwei Kappen versehen und mit einem Laserstrahl auf den geforderten Endwert abgeglichen werden. Der abgeglichene Widerstand wird dann zwischen den Kappen lackiert und es werden die Kappen verzinnt.
Aus der DE-PS 34 45 698 ist ein Verfahren zur Herstellung von Chip-Varistoren bekannt geworden, bei dem die Oberfläche von elektrisch aktivem, keramischem Material vollständig mit einer elektrisch leitenden Schicht als Elektrode versehen und nach der Beschichtung diese äußere Elektrode durch eine die Beschichtung in zwei Teile trennende streifenförmige Unterbrechung aufgetrennt wird.
Schließlich ist aus der DE-OS 31 25 730 ein Verfahren zum Metallisieren elektrischer Bauelemente bekannt geworden, bei dem Körper aus elektrisch aktivem, keramischem Material zunächst allseitig mit Metall beschichtet und überflüssige Metallschichtteile nachträglich entfernt werden.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein ein­ faches und flexibles Verfahren der eingangs genannten Art anzu­ geben, daß die mit der Chip-Technologie verbundenen Probleme vermindert.
Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren der eingangs genannten Art erfindungsgemäß durch die Merkmale des Patentanspruches 1 bzw. 3 gelöst.
Die Erfindung verbindet die herstellungstechnischen Vorteile der Melf-Technologie mit den geometrischen Vorteilen, die die Rohr­ form keramischer Bauelemente dadurch mit sich bringt, daß sie geringe Wandstärken mit großen Elektrodenflächen kombiniert. Vergleichbare scheibenförmige Bauelemente könnten nicht beliebig dünn, sondern müßten mit kleinerem Scheibendurchmesser, also hochohmiger, hergestellt werden.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteran­ sprüchen gekennzeichnet.
Die Erfindung wird nachstehend anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Die Figuren zeigen jeweils schematisch und im Schnitt ein fertiges, jeweils nach einer anderen Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens hergestelltes Bauelement.
Fig. 1 erläutert eine erfindungsgemäße Herstellungsmöglichkeit eines Bauelements. Die Herstellung geht von einem beispiels­ weise aus Keramik, Kunststoff oder Glas bestehendem zylindri­ schem Grundkörper 1 aus. Auf diesen wird als innere Elektrode 2 eine elektrisch leitende Schicht beispielsweise auf chemischem Wege oder durch Sputter- oder Dickschichtmetallisierung all­ seitig aufgebracht. Anschließend wird allseitig eine elektrisch aktive Keramikschicht 3 in einer Dicke von bis zu einigen Zehntel mm aufgebracht. Das Keramikmaterial 3 kann vorzugsweise durch Sputtern, Lackieren oder durch Tauchen aufgebracht werden. Daran anschließend wird allseitig eine äußere Elektrode 4 all­ seitig aufgebracht. Danach werden die Zylinderenden mit einer vorzugsweise verzinnten aufsteckbaren Metallkappe 5 und 6 ver­ sehen. Die anschließende Auftrennung und Unterbrechung der äuße­ ren Elektrode 4 kann beispielsweise mechanisch oder durch einen Laser vorgenommen werden.
Durch Wahl der Breite der streifenförmigen Unterbrechung 7 kann auf einfache Weise eine Änderung der aktiven Fläche und damit ein sehr präziser Abgleich des keramischen Bauelementes vorge­ nommen werden. Zur Vermeidung eines Kurzschlusses ist es not­ wendig, daß sich die Unterbrechung 7 als geschlossene Kurve um den beschichteten Zylinder herumzieht.
Fig. 2 erläutert eine andere erfindungsgemäße Herstellungsmög­ lichkeit eines Bauelements. Diese unterscheidet sich von dem anhand von Fig. 1 erläuterten Verfahren dadurch, daß vor dem Aufbringen der Metallkappen 5 und 6 sowohl die äußere Elektrode 4 als auch die darunterliegende keramische Schicht 3 an einer Stirnseite 8 des beschichteten Zylinders entfernt wird. Danach kann die der Stirnseite 8 zugehörige Metallkappe 6 ohne Schwierigkeiten so aufgebracht werden, daß eine direkte elektrische Verbindung der inneren Elektrode 2 mit der Metallkappe 6 hergestellt wird.
Anschließend kann wieder ein Abgleich mittels der Unterbrechung 7 durchgeführt werden. Es ist möglich, auf der gegenüberliegen­ den Stirnseite 9 eine Isolierung 11 zwischen der inneren Elek­ trode 2 und der Metallkappe 5 vorzusehen. Dies hat den Vorteil, daß die aktive keramische Fläche exakt durch die nach Abgleich von innerer 2 und äußerer 4 Elektrode gemeinsam überdeckte Flä­ che gegeben ist.
Das anhand Fig. 1 und 2 erläuterte Verfahren hat den Vorteil, daß es für die ersten vier Herstellungsschritte, also vor dem Aufstecken der Metallkappen 5 und 6, die Möglichkeit der Schüttgutfertigung bietet.
Fig. 3 erläutert eine weitere erfindungsgemäße Herstellungsmög­ lichkeit eines Bauelements. Bei der Herstellung wird, nachdem die ersten drei Herstellungsschritte mit den bisher beschriebenen Verfahren übereinstimmen, vor dem Aufbringen der Metallkappen 5 und 6 keine zweite, äußere Elektrode 4 aufgebracht. Die Möglich­ keit eines Abgleichs ist nicht mehr gegeben, da elektrisch wirk­ sam nur noch die beiden, zwischen der inneren Elektrode 2 und den Metallkappen 5 und 6 befindlichen Teile der Keramikschicht 3 sind, die in Serie hintereinander geschaltet sind.
Alle genannten Herstellungsmöglichkeiten können noch ergänzt werden, indem die zwischen den Metallkappen 5 und 6 freiliegen­ de Oberfläche 10 (siehe Fig. 1, 2 und 3) des beschichteten Grund­ körpers 1 anschließend an die beschriebenen Verfahrensschritte durch Aufbringen einer elektrisch isolierenden Schutzschicht passiviert wird. Eine Schutzschicht aus Lack, Kunststoff oder Glas ist durch die zylinderförmige Melf-Bauform auf einfache Weise aufbringbar. Ebenso ist zusätzlich eine einfache Aufbrin­ gung einer Kennzeichnung, beispielsweise durch einen Laser, möglich.

Claims (4)

1. Verfahren zum Herstellen von oberflächenmontierbaren keramischen Bauelementen in Melf-Technologie
  • - bei dem auf die Oberfläche eines elektrisch isolierenden zylindrischen Grundkörpers (1),
  • - auf die gesamte Oberfläche eine elektrisch leitende Schicht als erste, innere Elektrode (2),
  • - anschließend mindestens auf einen Teil der Oberfläche eine elektrisch aktive Schicht (3) aus keramischem Material,
  • - und daraufhin auf die gesamte Oberfläche der Schicht (3) eine zweite elektrisch leitende Schicht als äußere Elektrode (4) aufgetragen wird,
  • - woraufhin auf die gegenüberliegenden Stirnseiten (8, 9) des beschichteten zylindrischen Grundkörpers (1) Metallkappen (5, 6) in an sich bekannter Weise aufgebracht werden,
  • - und bei dem danach die äußere Elektrode (4) durch eine um den Zylinderumfang des beschichteten Grundkörpers (1) herumrei­ chende streifenförmige Unterbrechung (7) aufgetrennt wird.
2. Verfahren zum Herstellen von oberflächenmontierbaren keramischen Bauelementen in Melf-Technologie nach Anspruch 1, bei dem vor dem Aufbringen der Metallkappen (5, 6) sowohl die äußere Elektrode (4) als auch die darunterliegende keramische Schicht (3) an einer Stirnseite (8) entfernt und eine direkte elektrische Verbindung der inneren Elektrode (2) mit der danach auf die betreffende Stirnseite (8) aufgebrachten Metallkappe (6) hergestellt wird.
3. Verfahren zum Herstellen von oberflächenmontierbaren keramischen Bauelementen in Melf-Technologie
  • - bei dem auf die gesamte Oberfläche eines elektrisch isolierenden zylindrischen Grundkörpers (1),
  • - eine elektrisch leitende Schicht als erste, innere Elektrode (2),
  • - und anschließend mindestens auf einen Teil der Oberfläche eine elektrisch aktive Schicht (3) aus keramischem Material aufgetragen wird,
  • - woraufhin auf die gegenüberliegenden Stirnseiten (8, 9) des beschichteten zylindrischen Grundkörpers (1) Metallkappen (5, 6) in an sich bekannter Weise aufgebracht werden.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 3, bei dem die zwischen den Metallkappen (5, 6) freiliegende Ober­ fläche (10) des beschichteten Grundkörpers (1) nach den genann­ ten Verfahrensschritten durch Aufbringen einer elektrisch iso­ lierenden Schutzschicht passiviert wird.
DE19904029681 1990-09-19 1990-09-19 Verfahren zum herstellen von oberflaechenmontierbaren keramischen bauelementen in melf-technologie Granted DE4029681A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19904029681 DE4029681A1 (de) 1990-09-19 1990-09-19 Verfahren zum herstellen von oberflaechenmontierbaren keramischen bauelementen in melf-technologie

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19904029681 DE4029681A1 (de) 1990-09-19 1990-09-19 Verfahren zum herstellen von oberflaechenmontierbaren keramischen bauelementen in melf-technologie

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE4029681A1 DE4029681A1 (de) 1992-04-02
DE4029681C2 true DE4029681C2 (de) 1993-02-11

Family

ID=6414548

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19904029681 Granted DE4029681A1 (de) 1990-09-19 1990-09-19 Verfahren zum herstellen von oberflaechenmontierbaren keramischen bauelementen in melf-technologie

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE4029681A1 (de)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5739743A (en) * 1996-02-05 1998-04-14 Emc Technology, Inc. Asymmetric resistor terminal
JP3058097B2 (ja) * 1996-10-09 2000-07-04 株式会社村田製作所 サーミスタチップ及びその製造方法
JP3060966B2 (ja) * 1996-10-09 2000-07-10 株式会社村田製作所 チップ型サーミスタおよびその製造方法
DE10062293A1 (de) * 2000-12-14 2002-07-04 Epcos Ag Elektrisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102006017796A1 (de) 2006-04-18 2007-10-25 Epcos Ag Elektrisches Kaltleiter-Bauelement

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4069465A (en) * 1976-07-12 1978-01-17 Allen-Bradley Company Cylindrical varistor and method of making the same
US4064475A (en) * 1976-07-12 1977-12-20 Allen-Bradley Company Thick film varistor and method of making the same
DE3125730A1 (de) * 1981-06-30 1983-01-13 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum metallisieren elektrischer bauelemente
DE3445698A1 (de) * 1984-12-14 1986-06-26 C. Conradty Nürnberg GmbH & Co KG, 8505 Röthenbach Chip-varistor und verfahren zu seiner herstellung

Also Published As

Publication number Publication date
DE4029681A1 (de) 1992-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE4310288B4 (de) Oberflächenmontierbarer Widerstand
DE102012013036B4 (de) Widerstand, insbesondere niederohmiger Strommesswiderstand, sowie Beschichtungsverfahren hierzu
DE3727014A1 (de) Hochspannungskondensator
DE3107943C2 (de)
DE1521256B2 (de) Elektrische verbindung zwischen der metallbelegung eines elektrischen kondensators und ihrer drahtfoermigen stromzufuehrung
DE68924431T2 (de) Schicht-Typ Widerstand.
DE2650466C2 (de) Elektrischer Widerstand
EP0436529B1 (de) Gasentladungs-überspannungsableiter
DE3638286A1 (de) Elektrisches bauelement aus keramik mit mehrlagenmetallisierung und verfahren zu seiner herstellung
EP0249277A2 (de) Passives elektrisches Bauelement
EP3189527A1 (de) Elektrisches bauelement, bauelementanordnung und verfahren zur herstellung eines elektrischen bauelements sowie einer bauelementanordnung
DE3148778C2 (de)
DE4029681C2 (de)
DE3638342A1 (de) Elektrisches bauelement aus keramik mit mehrlagenmetallisierung und verfahren zu seiner herstellung
EP1774543B1 (de) Elektrisches bauelement und verfahren zur herstellung eines elektrischen bauelements
EP0017979A1 (de) Elektrisches Netzwerk und Herstellungsverfahren
DE9015206U1 (de) Widerstandsanordnung in SMD-Bauweise
DE3703925C2 (de) Verfahren zur Herstellung der elektrischen und mechanischen Verbindung von plattenförmigen Körpern
DE102019122611A1 (de) SMD-lötbares Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines SMD-lötbaren Bauelements
DE4030479C2 (de) Elektrischer Widerstand in Chip-Bauform
DE2513859A1 (de) Verfahren zur elektrischen kontaktierung von duennschichtkondensatoren aus tantal, insbesondere von aus duennschichtkondensatoren und mit duennschichtwiderstaenden gebildeten netzwerken
EP0193854B1 (de) Elektrischer Widerstand mit negativem Temperaturkoeffizienten des Widerstandswertes und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2723363A1 (de) Kondensator mit einem zylinderfoermigen traegerkoerper
DE3818191A1 (de) Sensor
DE2513509A1 (de) Duennschicht-chipkondensator

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee