DE4029681C2 - - Google Patents
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/28—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Thermistors And Varistors (AREA)
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von ober
flächenmontierbaren keramischen Bauelementen in Melf-Technologie
nach dem Patentanspruch 1 bzw. 3.
Die herkömmliche Technik der Einsteckmontage von bedrahteten
Bauelementen wird zunehmend durch die Oberflächenmontage unbe
drahteter Bauelemente auf die Leiterplatte abgelöst. Die Vor
teile der Oberflächenmontage sind dabei um so größer, je bes
ser SMD (Surface Mounted Devices) -Bauelemente, Leiterplatten-
Layout, automatische Bestückung, Löttechnik und Prüfen aufein
ander abgestimmt sind.
Sehr weit verbreitet sind heute die SMD-Bauformen "Chip" und
"Melf" (Metall elektrode face). Keramische Bauelemente im Sinne
dieser Erfindung, also beispielsweise NTC- und PTC-Thermistoren,
Varistoren und Kondensatoren, die jeweils als monolithischer
Block oder in Vielschicht-Technik ausgeführt sein können, werden
gegenwärtig in Chip-Bauform hergestellt. Die plattenförmigen
Quader aus Keramik, die Innenelektroden aufweisen können,
werden an zwei gegenüberliegenden Flächen mit sperrschichtfreien
Metallelektroden versehen. Es werden im übrigen aber auch
noch nicht-lineare Widerstände in konventioneller, nicht oberflächenmontierbarer
Scheibenform hergestellt. Die zylinderförmige
Melf-Bauform andererseits wird bei passiven Bauelementen
bisher nur für rohrförmige Kondensatoren und für lineare Widerstände
verwendet, wobei einfach die seit langem bekannten Bauelemente
an ihren Zylinderenden mit Metallkappen versehen werden
und auf das Anlöten von Drähten verzichtet wird.
Die an sich erfolgreiche Chip-Bauform bringt bei der Herstellung
keramischer Bauelemente mit "aktiven" Oberflächen eine Reihe
spezifischer Probleme mit sich. Die empfindliche aktive Ober
fläche muß im Hinblick auf die Stabilität der elektrischen
Eigenschaften des Bauelements, vor seiner Umwelt, z. B. Fluß
und Reinigungsmittel, Atmosphäre und Leiterbahn, geschützt
werden. Die notwendige Passivierung der aktiven Oberfläche ist
jedoch bei der Chip-Bauform nur unter hohem Aufwand möglich. Ein
Abgleichen der von den Abmessungen des Keramikkörpers abhängigen
elektrischen Werte ist bei der Chip-Bauform nur durch umständ
liches Abtragen eines Teils der keramischen Masse möglich. Die
elektrischen Werte sind aber auch maßgeblich durch die Form der
Metallisierung beeinflußt, was bei der Chip-Bauform eine nicht
zufriedenstellende Ablegierbeständigkeit bzw. Benetzbarkeit
bewirkt. Schließlich ist auch noch auf die nicht zu unter
schätzenden praktischen Probleme bei der von den Kunden gewünsch
ten Kennzeichnung der Werte der Bauelemente hinzuweisen.
Versuche, die Vorteile der in mancher Hinsicht der Chip-Bauform
überlegenen Melf-Technologie dadurch auszunutzen, daß konventio
nelle scheibenförmige keramische Bauelemente in ein Glasrohr
eingebracht und ihre gegenüberliegenden Stirnflächen durch zwei
in die gegenüberliegenden offenen Enden des Glasrohrs einge
steckte Metallstöpsel kontaktiert werden, haben nicht zu befrie
digenden Ergebnissen geführt.
Aus der US-PS 40 64 475 ist ein Dickschichtvaristor auf ZnO-
Basis und ein Verfahren zu seiner Herstellung bekannt geworden,
bei dem zunächst jeweils eine leitende Kontaktschicht auf die
gegenüberliegenden ringförmigen Stirnflächen eines rohrförmigen
elektrisch isolierenden Substrats aufgetragen werden. Anschlie
ßend wird auf die Mantelfläche des Substrats eine Elektroden
paste aufgetragen, die an einem Rohrende mit der dortigen Kon
taktschicht in Verbindung steht. Nach Herstellung der ersten
Elektrode durch Erhitzen wird eine die erste Elektrode über
deckende Varistorpaste aufgetragen und darüber eine zweite
Elektrodenpaste, die mit der Kontaktschicht an der anderen, ge
genüberliegenden Stirnfläche in Verbindung steht. Beide Schich
ten werden anschließend erhitzt. An die gegenüberliegenden Kon
taktschichten werden Drähte angebracht, indem an den Drahtenden
befestigte Metallstöpsel in die Rohrenden eingelötet werden. Der
Stromfluß durch den rohrförmigen Varistorkörper erfolgt radial
von innen nach außen durch die rohrförmig aufgetragene Varistor
schicht.
In der US-PS 40 69 465 ist ein Varistor und ein Verfahren zu
seiner Herstellung beschrieben, bei dem zunächst ein rohrförmi
ger Varistorkörper hergestellt wird. An dessen gegenüberliegen
den ringförmigen Stirnflächen werden, ähnlich dem zuvor geschil
derten bekannten Verfahren, Kontaktschichten angebracht. Auf den
Varistormantel wird daraufhin eine Metallbelegung aufgetragen,
die an den Rohrenden mit beiden Kontaktschichten in Verbindung
steht. Anschließend wird die Metallbelegung durch eine elek
trisch trennende Aussparung in zwei, in Bezug auf die Mittel
achse des Rohrs nebeneinander angeordnete, Metallbelegungen
aufgeteilt. Der Varistor wird abschließend wieder mit Hilfe von
Metallstöpseln bedrahtet. Der Varistor kann, ebenso wie der zu
vor beschriebene bekannte Varistor, danach noch mit einer nur
die Drähte freilassenden schützenden Umhüllung versehen werden.
Bei dem aus der US-PS 40 69 465 bekannten Varistor erfolgt der
Stromfluß in Rohrlängsrichtung. Über den durch die Breite und
Tiefe der Aussparung festlegbaren Stromweg zwischen den beiden
nebeneinanderliegenden Metallbelegungen (Elektroden) läßt sich
die Varistorspannung unabhängig von der Wandstärke des Rohrs
einstellen. Außerdem läßt sich, bei festgelegtem Querschnitt der
Aussparung, das aktive Varistorvolumen durch die Länge der
Aussparung, die z. B. ring- oder spiralförmig ausgebildet sein
kann, einstellen. Um genügend Spielraum bei der Einstellung der
Varistoreigenschaften zu haben, wird vorgeschlagen, eine aus
reichende Tiefe der Aussparung dadurch zu erzielen, daß diese
genügend tief in den Varistorkörper hineinreicht.
Aus "Elektronik" 14 vom 12. 07. 1985, Seiten 43 bis 51 sind
Widerstände für die SMD-Technik, insbesondere MELF-Widerstände
bekannt geworden, bei denen auf einen Keramikkörper eine Kohle-
oder Metallschicht aufgedampft wird und die beschichteten Widerstände
mit zwei Kappen versehen und mit einem Laserstrahl auf
den geforderten Endwert abgeglichen werden. Der abgeglichene
Widerstand wird dann zwischen den Kappen lackiert und es werden
die Kappen verzinnt.
Aus der DE-PS 34 45 698 ist ein Verfahren zur Herstellung von
Chip-Varistoren bekannt geworden, bei dem die Oberfläche von
elektrisch aktivem, keramischem Material vollständig mit einer
elektrisch leitenden Schicht als Elektrode versehen und nach
der Beschichtung diese äußere Elektrode durch eine die Beschichtung
in zwei Teile trennende streifenförmige Unterbrechung aufgetrennt
wird.
Schließlich ist aus der DE-OS 31 25 730 ein Verfahren zum Metallisieren
elektrischer Bauelemente bekannt geworden, bei dem
Körper aus elektrisch aktivem, keramischem Material zunächst
allseitig mit Metall beschichtet und überflüssige Metallschichtteile
nachträglich entfernt werden.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein ein
faches und flexibles Verfahren der eingangs genannten Art anzu
geben, daß die mit der Chip-Technologie verbundenen Probleme
vermindert.
Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren der eingangs genannten
Art erfindungsgemäß durch die Merkmale
des Patentanspruches 1 bzw. 3 gelöst.
Die Erfindung verbindet die herstellungstechnischen Vorteile der
Melf-Technologie mit den geometrischen Vorteilen, die die Rohr
form keramischer Bauelemente dadurch mit sich bringt, daß sie
geringe Wandstärken mit großen Elektrodenflächen kombiniert.
Vergleichbare scheibenförmige Bauelemente könnten nicht beliebig
dünn, sondern müßten mit kleinerem Scheibendurchmesser, also
hochohmiger, hergestellt werden.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteran
sprüchen gekennzeichnet.
Die Erfindung wird nachstehend anhand von Ausführungsbeispielen
näher erläutert. Die Figuren zeigen jeweils schematisch und im
Schnitt ein fertiges, jeweils nach einer anderen Ausführungsform
des erfindungsgemäßen Verfahrens hergestelltes Bauelement.
Fig. 1 erläutert eine erfindungsgemäße Herstellungsmöglichkeit
eines Bauelements. Die Herstellung geht von einem beispiels
weise aus Keramik, Kunststoff oder Glas bestehendem zylindri
schem Grundkörper 1 aus. Auf diesen wird als innere Elektrode 2
eine elektrisch leitende Schicht beispielsweise auf chemischem
Wege oder durch Sputter- oder Dickschichtmetallisierung all
seitig aufgebracht. Anschließend wird allseitig eine elektrisch
aktive Keramikschicht 3 in einer Dicke von bis zu einigen
Zehntel mm aufgebracht. Das Keramikmaterial 3 kann vorzugsweise
durch Sputtern, Lackieren oder durch Tauchen aufgebracht werden.
Daran anschließend wird allseitig eine äußere Elektrode 4 all
seitig aufgebracht. Danach werden die Zylinderenden mit einer
vorzugsweise verzinnten aufsteckbaren Metallkappe 5 und 6 ver
sehen. Die anschließende Auftrennung und Unterbrechung der äuße
ren Elektrode 4 kann beispielsweise mechanisch oder durch einen
Laser vorgenommen werden.
Durch Wahl der Breite der streifenförmigen Unterbrechung 7 kann
auf einfache Weise eine Änderung der aktiven Fläche und damit
ein sehr präziser Abgleich des keramischen Bauelementes vorge
nommen werden. Zur Vermeidung eines Kurzschlusses ist es not
wendig, daß sich die Unterbrechung 7 als geschlossene Kurve um
den beschichteten Zylinder herumzieht.
Fig. 2 erläutert eine andere erfindungsgemäße Herstellungsmög
lichkeit eines Bauelements. Diese unterscheidet sich von dem
anhand von Fig. 1 erläuterten Verfahren dadurch, daß vor dem
Aufbringen der Metallkappen 5 und 6 sowohl die äußere Elektrode 4 als auch
die darunterliegende keramische Schicht 3 an einer Stirnseite 8
des beschichteten Zylinders entfernt wird. Danach kann die der
Stirnseite 8 zugehörige Metallkappe 6 ohne Schwierigkeiten so
aufgebracht werden, daß eine direkte elektrische Verbindung
der inneren Elektrode 2 mit der Metallkappe 6 hergestellt wird.
Anschließend kann wieder ein Abgleich mittels der Unterbrechung
7 durchgeführt werden. Es ist möglich, auf der gegenüberliegen
den Stirnseite 9 eine Isolierung 11 zwischen der inneren Elek
trode 2 und der Metallkappe 5 vorzusehen. Dies hat den Vorteil,
daß die aktive keramische Fläche exakt durch die nach Abgleich
von innerer 2 und äußerer 4 Elektrode gemeinsam überdeckte Flä
che gegeben ist.
Das anhand Fig. 1 und 2 erläuterte Verfahren hat den Vorteil,
daß es für die ersten vier Herstellungsschritte, also vor dem
Aufstecken der Metallkappen 5 und 6, die Möglichkeit der
Schüttgutfertigung bietet.
Fig. 3 erläutert eine weitere erfindungsgemäße Herstellungsmög
lichkeit eines Bauelements. Bei der Herstellung wird, nachdem
die ersten drei Herstellungsschritte mit den bisher beschriebenen
Verfahren übereinstimmen, vor dem Aufbringen der Metallkappen 5
und 6 keine zweite, äußere Elektrode 4 aufgebracht. Die Möglich
keit eines Abgleichs ist nicht mehr gegeben, da elektrisch wirk
sam nur noch die beiden, zwischen der inneren Elektrode 2 und
den Metallkappen 5 und 6 befindlichen Teile der Keramikschicht
3 sind, die in Serie hintereinander geschaltet sind.
Alle genannten Herstellungsmöglichkeiten können noch ergänzt
werden, indem die zwischen den Metallkappen 5 und 6 freiliegen
de Oberfläche 10 (siehe Fig. 1, 2 und 3) des beschichteten Grund
körpers 1 anschließend an die beschriebenen Verfahrensschritte
durch Aufbringen einer elektrisch isolierenden Schutzschicht
passiviert wird. Eine Schutzschicht aus Lack, Kunststoff oder
Glas ist durch die zylinderförmige Melf-Bauform auf einfache
Weise aufbringbar. Ebenso ist zusätzlich eine einfache Aufbrin
gung einer Kennzeichnung, beispielsweise durch einen Laser,
möglich.
Claims (4)
1. Verfahren zum Herstellen von oberflächenmontierbaren
keramischen Bauelementen in Melf-Technologie
- - bei dem auf die Oberfläche eines elektrisch isolierenden zylindrischen Grundkörpers (1),
- - auf die gesamte Oberfläche eine elektrisch leitende Schicht als erste, innere Elektrode (2),
- - anschließend mindestens auf einen Teil der Oberfläche eine elektrisch aktive Schicht (3) aus keramischem Material,
- - und daraufhin auf die gesamte Oberfläche der Schicht (3) eine zweite elektrisch leitende Schicht als äußere Elektrode (4) aufgetragen wird,
- - woraufhin auf die gegenüberliegenden Stirnseiten (8, 9) des beschichteten zylindrischen Grundkörpers (1) Metallkappen (5, 6) in an sich bekannter Weise aufgebracht werden,
- - und bei dem danach die äußere Elektrode (4) durch eine um den Zylinderumfang des beschichteten Grundkörpers (1) herumrei chende streifenförmige Unterbrechung (7) aufgetrennt wird.
2. Verfahren zum Herstellen von oberflächenmontierbaren
keramischen Bauelementen in Melf-Technologie nach Anspruch 1,
bei dem vor dem Aufbringen der Metallkappen (5, 6) sowohl die
äußere Elektrode (4) als auch die darunterliegende keramische
Schicht (3) an einer Stirnseite (8) entfernt und eine direkte
elektrische Verbindung der inneren Elektrode (2) mit der danach
auf die betreffende Stirnseite (8) aufgebrachten Metallkappe
(6) hergestellt wird.
3. Verfahren zum Herstellen von oberflächenmontierbaren
keramischen Bauelementen in Melf-Technologie
- - bei dem auf die gesamte Oberfläche eines elektrisch isolierenden zylindrischen Grundkörpers (1),
- - eine elektrisch leitende Schicht als erste, innere Elektrode (2),
- - und anschließend mindestens auf einen Teil der Oberfläche eine elektrisch aktive Schicht (3) aus keramischem Material aufgetragen wird,
- - woraufhin auf die gegenüberliegenden Stirnseiten (8, 9) des beschichteten zylindrischen Grundkörpers (1) Metallkappen (5, 6) in an sich bekannter Weise aufgebracht werden.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 3,
bei dem die zwischen den Metallkappen (5, 6) freiliegende Ober
fläche (10) des beschichteten Grundkörpers (1) nach den genann
ten Verfahrensschritten durch Aufbringen einer elektrisch iso
lierenden Schutzschicht passiviert wird.
Priority Applications (1)
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DE19904029681 DE4029681A1 (de) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | Verfahren zum herstellen von oberflaechenmontierbaren keramischen bauelementen in melf-technologie |
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JP3060966B2 (ja) * | 1996-10-09 | 2000-07-10 | 株式会社村田製作所 | チップ型サーミスタおよびその製造方法 |
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US4064475A (en) * | 1976-07-12 | 1977-12-20 | Allen-Bradley Company | Thick film varistor and method of making the same |
DE3125730A1 (de) * | 1981-06-30 | 1983-01-13 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum metallisieren elektrischer bauelemente |
DE3445698A1 (de) * | 1984-12-14 | 1986-06-26 | C. Conradty Nürnberg GmbH & Co KG, 8505 Röthenbach | Chip-varistor und verfahren zu seiner herstellung |
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1990
- 1990-09-19 DE DE19904029681 patent/DE4029681A1/de active Granted
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