DE4025158C2 - - Google Patents

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DE4025158C2
DE4025158C2 DE19904025158 DE4025158A DE4025158C2 DE 4025158 C2 DE4025158 C2 DE 4025158C2 DE 19904025158 DE19904025158 DE 19904025158 DE 4025158 A DE4025158 A DE 4025158A DE 4025158 C2 DE4025158 C2 DE 4025158C2
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DE
Germany
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row
memory
memory cell
replacement
test
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DE19904025158
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Toshihiro Koyama
Noboru Mori
Kenji Kohda
Yasuhiro Kouro
Hiroyasu Itami Hyogo Jp Makihara
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/70—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
    • G11C29/78—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices
    • G11C29/781—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices combined in a redundant decoder
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C29/18—Address generation devices; Devices for accessing memories, e.g. details of addressing circuits
    • G11C29/24—Accessing extra cells, e.g. dummy cells or redundant cells

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  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
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