DE4019527A1 - Entladungselektrode - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft eine Entladungselektrode nach dem
Oberbegriff des Anspruchs 1 und betrifft insbesondere eine
Entladungselektrode für einen Lader in einer elektrophotogra
phischen Bilderzeugungseinrichtung, einem elektrischen Staub
filter, einer Abwasserbehandlungseinrichtung oder einer ähn
lichen Einrichtung, und betrifft darüber hinaus einen dünnen
Draht in einem solchen Lader, der als Entladungselektrode
dient.
Im allgemeinen hat eine elektrophotographische Bilderzeu
gungseinrichtung, wie ein elektrophotographischer Kopierer,
ein photoleitfähiges Element mit einer photoleitfähigen
Schicht auf seiner Oberfläche. Das photoleitfähige Element
wird mittels eines Laders, der eine Entladungselektrode auf
weist, gleichförmig mit einer vorherbestimmten Polarität ge
laden. Die Entladungselektrode ist üblicherweise als ein
dünner Draht aus Wolfram, aus nichtrostendem Stahl oder als
ein ähnlicher Draht ausgeführt und goldanodisiert oder
-plattiert. Durch die anodische Oxidation wird eine Oxid
schicht ausgebildet, durch welche verhindert ist, daß ein
Oxidfilm im Falle einer Entladung auf der Oberfläche des
dünnen Drahtes ausgebildet wird. Mit dieser Art Entladungs
elektrode ist eine Koronaentladung möglich, wenn eine Span
nung von 4 kV bis 7 kV angelegt wird.
Bei dem dünnen Draht der vorstehend beschriebenen Entladungs
elektrode ist es wahrscheinlich, daß dessen Oberfläche in
folge einer Alterung nicht regeneriert und schlechter wird,
sowie zu gegebener Zeit in der Axialrichtung der Elektrode
keine gleichförmige Lade- oder Entladecharakteristik mehr
zustande kommt. Dies ist hauptsächlich der Tatsache zuzu
schreiben, daß der gleichförmige Oberflächenzustand des dün
nen Drahtes durch die Korrosion der Drahtoberfläche infolge
von wiederholten Entladungen und durch Risse in und durch
ein Ablösen der Oxidschicht oder der plattierten Schicht ge
stört ist. Eine weitere Hauptursache ist das Absetzen von
Oxiden und Ionisationsprodukten auf dem dünnen Draht infolge
der Ionisation von Luftbestandteilen, Feuchtigkeit, Ozon und
verschiedenen Verunreinigungen, wie Staubpartikeln zwischen
den Entladungselektroden, was im Entladungsfall durch die
Entladungsenergie bewirkt wird.
Es ist daher eine Entladungselektrode mit einem dünnen Draht
aus einer amorphen Legierung vorgeschlagen worden. Insbeson
dere kann ein Aluminiumtrioxid-(Al2O3)Film auf der Oberflä
che einer dünnen Schicht aus einer amorphen Fe-Si-B-Legie
rung in einer Dicke von 500 A durch Sputtern ausgebildet
werden, wie in der japanischen Patentanmeldung (Kokai) Nr.
1 32 966/1986 beschrieben ist. Bei einem anderen Lösungsvor
schlag ist der ganze dünne Draht aus einer amorphen Legie
rung gebildet.
Bei einer Entladungselektrode, welche, wie vorstehend aus
geführt, gänzlich aus einer amorphen Legierung hergestellt
ist, gibt es wenig Probleme bezüglich einer Regenerierung
und einer Verschlechterung an der Oberfläche; jedoch weist
eine solche Entladungselektrode einen Außendurchmesser auf,
welcher in dem amorphen Zustand nur einige 10 Mikron stark
ist; gleichbleibende Abmessungen sowohl in der Schnitt- als
auch der Längsrichtung würden, falls es nicht überhaupt un
möglich ist, äußerst schwierig einzuhalten sein und es würde
unverhältnismäßig hohe Herstellungskosten erfordern.
Die amorphe Legierung zum Überziehen und Beschichten der
Oberfläche des dünnen Drahtes soll 12 at% (Atomprozent)
Wolfram (W) enthalten und soll auf dem dünnen Draht in einer
Dicke von 0,5 µm aufgebracht sein. Ein Nachteil bei dieser
Art Entladungselektrode liegt darin, daß, wenn sie wiederholt
verwendet wird, ein weißes bzw. helles Produkt, dessen Be
standteil Silizium(IV)-Oxid (SiO2) ist, sich gelegentlich an
der Elektrodenoberfläche in einer nadelähnlichen Form ab
setzt. Ein solches weißes bzw. helles Produkt kann die gleich
förmige Ladestromverteilung in der Axialrichtung des dünnen
Drahts beeinflussen. Wahrscheinlich wird das Absetzen des
weißen Produktes durch Siliziumöl hervorgerufen, welches in
einer Fixiereinrichtung eines elektrophotographischen Kopie
rers zum Trennen von Toner verwendet wird und durch Wärme
verdampft wird, wodurch Silizium erzeugt wird. Diese Erschei
nung fällt insbesondere dann in die Augen, wenn ein dünner
Wolfram(W) enthaltender Draht verwendet wird. Da das vorer
wähnte Absetzen isolierend wirkt, wie aus dem Bestandteil
offensichtlich ist, schwankt der Entladestrom in der Axial
richtung des dünnen Drahts beachtlich, und folglich ist es
nicht möglich, einen gleichförmigen Lade- oder Entladezustand
über dem gesamten Entladungsbereich auszubilden.
Gemäß der Erfindung soll daher eine Entladungselektrode für
einen Lader geschaffen werden, bei welcher gleichförmige
Lade- und Entladecharakteristiken mit verhältnismäßigen nie
drigen Kosten erreicht sind. Gemäß der Erfindung ist dies
bei einer Entladungselektrode nach dem Oberbegriff des An
spruchs 1 durch die Merkmale in dessen kennzeichnenden Teil
erreicht. Vorteilhafte Weiterbildungen sind Gegenstand der
Unteransprüche. Somit ist durch die Erfindung eine insgesamt
verbesserte Entladungselektrode für einen Lader geschaffen.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand einer bevorzugten Aus
führungsform unter Bezugnahme auf die anliegenden Zeichnun
gen im einzelnen erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine vergrößerte Teilansicht einer herkömmlichen
Entladungselektrode;
Fig. 2 eine Charakteristik der in Fig. 1 dargestellten
Elektrode;
Fig. 3 eine Schnittansicht einer Entladungselektrode ge
mäß der Erfindung;
Fig. 4 eine vergrößerte Teilansicht der dargestellten Aus
führungsform, und
Fig. 5 eine Charakteristik, welche mit der dargestellten
Ausführungsform erreichbar ist.
Zum besseren Verständnis der Erfindung wird kurz auf eine
herkömmliche, in Fig. 1 dargestellte Entladungselektrode Be
zug genommen. Wie in Fig. 1 dargestellt, hat eine in ihrer
Gesamtheit mit 10 bezeichnete Elektrode einen dünnen Draht
12 und eine Schicht 14 aus einer wolfram-enthaltenden amor
phen Legierung. Wenn die Elektrode 10 über einen langen
Zeitabschnitt verwendet wird, kann sich ein weißes Produkt
16, dessen Hauptbestandteil Silizium(IV)oxid (SiO2) ist, auf
der Oberfläche der Elektrode 10 in einer nadelförmigen
Struktur absetzen, wodurch die gleichförmige Ladestromver
teilung in der Richtung, in welcher sich die Elektrode 10
erstreckt, d.h. in der Axialrichtung, gestört wird. Insbeson
dere bewirkt, wie in Fig. 2 dargestellt ist, das Produkt 16,
welches isolierend wirkt, daß der Ladestrom in der Axial
richtung der Elektrode 10 beträchtlich schwankt, was auf der
Abszisse dargestellt ist, so daß ein gleichförmiger Entlade
zustand über dem gesamten Entladebereich nicht erreichbar
ist. Die spezielle, in Fig. 2 dargestellte Ladestromvertei
lung wurde festgestellt, wenn eine Koronaentladung über 100 h
fortgesetzt wurde. Hierin liegt die Schwierigkeit bei der
herkömmlichen Entladungselektrode 10, welche die wolfram
enthaltende amorphe Legierungsschicht 14 hat.
Anhand von Fig. 3 bis 5 wird eine Entladungselektrode für
einen Lader gemäß der Erfindung beschrieben. In Fig. 3 ist
im Schnitt eine Entladungselektrode 20 gemäß der Erfindung
dargestellt, welche einen Kern in Form eines dünnen Drahtes
22 hat. Ein charakteristisches Merkmal der Elektrode 20 ist
ein dünner Überzug bzw. eine dünne Schicht 24 einer wolfram
enthaltenden amorphen Legierung. Der Überzug bzw. die
Schicht 24 ist auf der Oberfläche des dünnen Drahtes 22 aus
gebildet, indem eine derartige Legierung in einer Dicke von
0,05 µm bis 10 µm durch Sputtern aufgebracht wird. Der Kern
oder Draht 24 ist aus elektropoliertem Wolfram oder rost
freiem Stahl hergestellt. In der amorphen Elektrode, welche
den Überzug oder die Schicht 24 bildet, wird der Gehalt an
Tantal 10at% gewählt. Durch Sputtern einer derartigen amor
phen Legierung in einer Dicke von 0,05 µm bis 10 µm auf der
Oberfläche des Drahtes 22 ist mit Erfolg die Fixierergiebig
keit mit Hilfe des Drahtes 22, d.h. die Haftfestigkeit im
Vergleich zu einer durch Metallisieren bzw. Plattieren her
gestellten dünnen Schicht verbessert. Erforderlichenfalls
kann das Sputtern durch ein CVD- (chemisches Gasabschei
dungs-)Verfahren ersetzt werden.
Ein elektrophotographischer Kopierer wird beispielsweise oft
in einer ozonhaltigen Atmosphäre und darüber hinaus in einer
Umgebung verwendet, in welcher Luftbestandteile, Feuchtig
keit, Ozon und verschiedene Verunreinigungen, wie Staubpar
tikel, durch Entladungsenergie ionisiert werden, wodurch die
Oberfläche des dünnen Drahtes korrodiert und anodisiert wird
und solche Bestandteile sich auf dem Draht absetzen. Eine
Reihe von Versuchen hat gezeigt, daß ein Auswählen des Ge
haltes der Hauptkomponente der amorphen Legierung, wie vor
stehend erwähnt, optimal ist, um eine mechanische Wider
standsfähigkeit und Korrosionsbeständigkeit sicherzustellen.
Ebenso wurde experimentell überprüft, daß die Verwendung von
Tantal als einer Hauptkomponente das Absetzen von SiO2 redu
ziert, was der Verdampfung von Siliziumöl zuzuschreiben ist,
das zum Trennen eines Toners verwendet ist, wie früher be
reits ausgeführt ist.
Die Entladungskennlinien des dünnen Drahts 22 der dargestell
ten Ausführungsform wurden auf folgende Weise durch Versuche
bestimmt. Bei einem ersten Versuch wurde ein dünner Draht 22
aus elektrolytisch poliertem Wolfram mit einem Durchmesser
von 60 µm verwendet. Eine amorphe Legierung, welche 42at% Tan
tal als deren Hauptbestandteil enthält (Ta -Fe-Ni-Cr) wurde
auf den Draht 22 durch Sputtern in einer auf 2×10-4 Torr
evakuierten Atmosphäre aufgebracht, während Argon-(Ar-)Gas
mit einer Geschwindigkeit von 5 ml/min strömte und eine Aus
gangsleistung von einigen hundert Watt angelegt wurde. Dies
wurde fortgesetzt, bis eine 1 µm-dicke amorphe Schicht 24 auf
dem Draht 22 ausgebildet war. Der Draht 22 mit der amorphen
Schicht 24 wurde als eine positive Koronaentladungselektrode
eines elektrophotographischen Kopierers verwendet und einer
fortwährenden Entladung unterzogen. Das Ergebnis des ersten
Versuchs war bezüglich der Anfangskennwerte, insbesondere
bezüglich der Schwankung im Strom vorteilhaft, wodurch eine
vorherbestimmte (entladene) Ladung pro Flächeneinheit gebil
det wurde. Sogar nach 100 h negativer Koronaentladung wurden
keine merklichen Änderungen auf der Oberfläche des amorphen
Legierungsüberzugs 24 beobachtet, wie in Fig. 4 dargestellt
ist. Ferner setzten sich Oxide und Ionisationsprodukte nur
in geringem Maße auf dem Überzug 24 ab.
In Fig. 5 ist die Stromschwankung dargestellt, welche in der
axialen Richtung der Entladungselektrode 20 gemessen wurde,
wobei die Abszisse die Axialrichtung darstellt. Nach 100 h
ununterbrochener Entladung wurde die Schwankung bei der dar
gestellten Ausführungsform mit weniger als ein Drittel der
Schwankung der herkömmlichen Elektrode 10 in Fig. 1 gemessen,
wie durch δ in Fig. 5 angezeigt ist. Mit der darge
stellten Ausführungsform wurde eine Bildqualität erhalten,
welche höher als die bei der herkömmlichen Elektrode war,
selbst wenn eine Gitterelektrode für eine negative Korona
entladung nicht verwendet wurde. Aus einem Vergleich von
Fig. 5 mit Fig. 2 ist zu ersehen, daß die dargestellte Ausfüh
rungsform eine merkliche Verbesserung gegenüber dem Stand
der Technik darstellt. Es ist zu beachten, daß der Vergleich
bezüglich einer normalen Stromschwankung vorgenommen wurde,
da die Schwankung manchmal stark von der Umgebung, der At
mosphäre usw. abhängt. Natürlich sind die Gehaltwerte und
die Sputter-Bedingungen bei dem vorstehend beschriebenen,
amorphen Metall nicht begrenzt, solange das Metall auf Tantal
basiert. Beispielsweise kann eine gewünschter Gehalt an Tan
tal in dem Bereich von 10at% bis 70at% gewählt werden.
Bei einem zweiten Versuch wird ähnlich wie bei dem ersten
Versuch ein dünner Draht 22 mit elektrolytisch- bzw. ano
disch-poliertem Wolfram verwendet. Eine amorphe Legierung,
welche 20at% Tantal enthält, wurde auf die Oberfläche des
Drahtes 22 gesputtert, um einen Überzug bzw. eine Schicht 24
auszubilden. Der Draht mit dem Überzug 24 wurde für ein
elektrophotographisches Verfahren einer wiederholten, posi
tiven Koronaentladung ausgesetzt. Eine derartige Elektrode
zeigte ausgesprochen wünschenswerte Anfangseigenschaften und
selbst nach 80 h Koronaentladung ließ sie es kaum zu, daß
sich irgendwelche Oxide oder Ionisationsprodukte auf ihr ab
setzten. Wiederum wurde die Stromschwankung in der Axialrich
tung der Anode 20 mit weniger als einem Drittel der Schwan
kung bei herkömmlichen Elektroden 10 (Fig. 1) selbst nach 80 h
positiver Koronaentladung gemessen. Obwohl eine positive Ko
ronaentladung im allgemeinen weit gleichförmiger als eine
negative Koronaentladung angesehen wird, ist das Ergebnis
des zweiten Versuchs sogar noch besser als das, was bei
einer solchen vergleichsweise erwünschten Voraussetzung er
reicht werden würde.
Obwohl bei der dargestellten Ausführungsform Tantal als die
Hauptkomponente einer amorphen Legierung verwendet wird,
kann Tantal durch irgend ein anderes geeignetes Element er
setzt werden, solange es in dem periodischen System zu der
selben Gruppe wie Tantal gehört, wie beispielsweise Niob
(Nb), Zirkonium (Zr) oder Titan (Ti).
Gemäß der Erfindung wird somit ein dünner Draht oder ein
Kern einer Entladungselektrode durch Sputtern mit einer tan
tal-enthaltenden amorphen Legierung beschichtet. Trotz einer
solchen verhältnismäßig einfachen Struktur erreicht die Elek
trode eine höhere mechanische Festigkeit und Korrosionsbe
ständigkeit als herkömmliche Elektroden und daher ist die
Oberfläche des Drahtes frei von einer Verschlechterung und
Regenerierung, obwohl das Produktabsetzen ausgeschlossen
ist. Durch Auswählen des Gehalts an Tantal in dem Bereich
von 10at% bis 70at% kann verhindert werden, daß sich Produk
te, wie Silizium(IV)-oxid auf der Oberfläche des Überzugs
oder der Schicht absetzt. Folglich wird der Oberflächenzu
stand der Elektrode und somit die Stromverteilung entlang
der Achse der Elektrode gleichförmig erhalten. Die Elektrode
ist somit verhältnismäßig preiswert und noch dazu hinsicht
lich ihrer Lade- und Entladeeigenschaften gleichbleibend
konstant.
Claims (7)
1. Entladungselektrode für eine Koronaentladung, ge
kennzeichnet durch
einen dünnen Draht (22), welcher einen Kern der Entladungs elektrode darstellt, und
eine Schicht (24), welche auf der Oberfläche des dünnen Drahts (22) ausgebildet ist, indem die Oberfläche mit einer amorphen Legierung beschichtet wird, welche ein vorherbe stimmtes Metallelement enthält.
einen dünnen Draht (22), welcher einen Kern der Entladungs elektrode darstellt, und
eine Schicht (24), welche auf der Oberfläche des dünnen Drahts (22) ausgebildet ist, indem die Oberfläche mit einer amorphen Legierung beschichtet wird, welche ein vorherbe stimmtes Metallelement enthält.
2. Entladungselektrode nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Schicht (24) durch Sputtern
der amorphen Legierung ausgebildet wird.
3. Entladungselektrode nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Schicht durch ein CVD-(che
misches Gasabscheidungs-)Verfahren der amorphen Legierung
ausgebildet wird.
4. Entladungselektrode nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, daß das vorherbestimmte Metallele
ment zumindest Tantal, Niob, Zirkonium oder Titan aufweist.
5. Entladungselektrode nach Anspruch 4, dadurch ge
kennzeichnet, daß das in der amorphen Legierung
enthaltene Tantal einen Gehalt von 10at% bis 70at% hat.
6. Entladungselektrode nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, daß der dünne Draht aus elektroly
tisch- bzw. anodisch-poliertem Wolfram hergestellt ist.
7. Entladungselektrode nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, daß der dünne Draht (22) aus rost
freiem Stahl hergestellt ist.
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DE (1) | DE4019527A1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE9206100U1 (de) * | 1992-05-06 | 1992-07-16 | Keesmann, Till, 6900 Heidelberg | Vorrichtung zum Verändern des statischen elektrischen Potentials einer aus Isoliermaterial gebildeten Oberfläche |
DE102006031888A1 (de) * | 2006-07-07 | 2008-01-10 | Ilt Industrie-Luftfiltertechnik Gmbh | Ionisationselement und elektrostatischer Filter |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3004938B2 (ja) * | 1997-03-07 | 2000-01-31 | 株式会社オーデン | 電気集塵装置及びその製造方法 |
JP5282098B2 (ja) * | 2007-11-21 | 2013-09-04 | タンタリン・アクチーセルスカブ | 延性かつ耐食性の表面層を有する物体 |
CN113351372B (zh) * | 2021-06-07 | 2022-09-13 | 珠海格力电器股份有限公司 | 一种Zr基非晶涂层及其制备工艺和其在电净化中的应用 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0300452A1 (de) * | 1987-07-23 | 1989-01-25 | Asahi Glass Company Ltd. | Felderzeugungsvorrichtung |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3604970A (en) * | 1968-10-14 | 1971-09-14 | Varian Associates | Nonelectron emissive electrode structure utilizing ion-plated nonemissive coatings |
US3813549A (en) * | 1972-12-26 | 1974-05-28 | Ibm | Self-healing electrode for uniform negative corona |
HU179748B (en) * | 1974-01-15 | 1982-12-28 | Ferenc Puskas | Cathode of a metal ceramic sintered body produced by dust metalurgy for closing discharge tube of sodium vapour lamp and process for the production thereof |
US4574219A (en) * | 1984-05-25 | 1986-03-04 | General Electric Company | Lighting unit |
JPS61132966A (ja) * | 1984-12-01 | 1986-06-20 | Kobe Steel Ltd | 電子写真用アルミナ被覆コロナワイヤ |
-
1990
- 1990-06-19 US US07/540,123 patent/US5087856A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-06-19 DE DE4019527A patent/DE4019527A1/de active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0300452A1 (de) * | 1987-07-23 | 1989-01-25 | Asahi Glass Company Ltd. | Felderzeugungsvorrichtung |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Patent Abstracts of Japan Nr. 62-116778 A * |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE9206100U1 (de) * | 1992-05-06 | 1992-07-16 | Keesmann, Till, 6900 Heidelberg | Vorrichtung zum Verändern des statischen elektrischen Potentials einer aus Isoliermaterial gebildeten Oberfläche |
DE102006031888A1 (de) * | 2006-07-07 | 2008-01-10 | Ilt Industrie-Luftfiltertechnik Gmbh | Ionisationselement und elektrostatischer Filter |
DE102006031888A8 (de) * | 2006-07-07 | 2008-05-21 | Ilt Industrie-Luftfiltertechnik Gmbh | Ionisationselement und elektrostatischer Filter |
DE102006031888B4 (de) * | 2006-07-07 | 2009-01-29 | Ilt Industrie-Luftfiltertechnik Gmbh | Ionisationselement und elektrostatischer Filter |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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US5087856A (en) | 1992-02-11 |
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