DE4009614A1

DE4009614A1 - Schaltung mit automatischer verstaerkungsregelung

Info

Publication number: DE4009614A1
Application number: DE4009614A
Authority: DE
Inventors: Scott N Fritz
Original assignee: Silicon Systems Inc
Current assignee: Silicon Systems Inc
Priority date: 1989-03-30
Filing date: 1990-03-26
Publication date: 1990-10-04
Also published as: GB2230153B; GB2230153A; KR900015442A; US5030924A; GB9004500D0; JPH03201609A

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine automatische Verstärkungs regelungsschaltung (AGC-Schaltung) und insbesondere eine sol che mit einer Temperaturkompensation.

Automatische Verstärkungsregelungsschaltungen dienen zur Auf rechterhaltung einer konstanten Amplitude eines Ausgangssi gnals unabhängig vom Pegel des Eingangssignals. Mit anderen Worten, die Amplitude eines Eingangssignalpegels kann sich ändern, während das Ausgangssignal der AGC-Schaltung eine konstante Amplitude beibehält. Während ein typischer elektro nischer Verstärker ein einlaufendes elektronisches Signal aufnimmt und dieses Signal um eine feste Größe verstärkt, liefert eine AGC-Schaltung eine gerade so große Verstärkung, daß ein gewünschter Amplitudenpegel erreicht wird.

Ein Anwendungsfall für AGC-Schaltungen liegt in den Lesekanä len für beispielsweise ein Platten- oder Diskettenlaufwerk oder ähnliche Anwendungen. Von dem magnetischen Aufzeichnungs medium abgenommene Signale haben eine schwankende Amplitude und werden vom Hauptverstärker verstärkt und danach an die AGC-Schaltung angelegt. Es ist erwünscht, daß das Eingangssi gnal auf einen festen Pegel für die nachfolgende Verarbeitung und Decodierung verstärkt wird. Daher verstärkt die automati sche Verstärkungsregelungsschaltung (AGC-Schaltung) die Ein gangssignale auf einen festen Ausgangspegel.

Im Betrieb ändert sich die Verstärkung einer AGC-Schaltungs verstärkerstufe umgekehrt zur Amplitude eines Eingangssignal pegels. Wenn die Amplitude des Eingangssignals zunimmt, redu ziert sich der Verstärkungsfaktor. Die AGC wird bei einem vorgegebenen Bezugspegel ausgelöst, den die AGC aufrechtzuer halten sucht. Wenn das Amplitudensignal unter diesen vorgege benen Schwellwertpegel abfällt, tastet die AGC-Schaltung den Amplitudenabfall am Ausgang des Verstärkers ab. Die AGC-Schal tung erhöht dann die Verstärkung der Verstärkungsstufe soweit, bis die Amplitude des Ausgangssignals auf den Bezugspegel zunimmt. Wenn die Amplitude des Eingangssignals oberhalb des Sollbezugspegels liegt, stellt die AGC-Schaltung die Zunahme der Amplitude am Ausgang der Verstärkerstufe fest und senkt die Verstärkung der Verstärkerstufe soweit ab, bis die Ampli tude des Ausgangssignals auf den Bezugspegel abgesunken ist.

Einen typische AGC-Schaltung weist eine Eingangsstufe zur Auf nahme eines Eingangssignals auf. Das Eingangssignal wird an eine Verstärkerstufe angelegt, wo es mit einem Verstärkungs faktor multipliziert wird, um die Amplitude des Eingangssi gnals zu vergrößern. Diese Verstärkungsstufe erzeugt ein Aus gangssignal der Schaltung. Eine Detektorstufe bestimmt die Amplitude des Ausgangssignals und vergleicht sie mit einem Bezugspegel oder einem Bezugsbereich. Wenn die Amplitude des Eingangssignals nicht auf dem gewünschten Pegel ist, wird ein Fehlersignal an eine Korrekturstufe angelegt, welche die Ver stärkung der Verstärkerstufe derart einstellt, daß die Ampli tude des Ausgangssignals innerhalb des gewünschten Bereichs liegt. In einigen bekannten Implementierungen wird eine ge schaltete Kondensatoranordnung zur Erzeugung der veränderli chen Verstärkung verwendet, und eine derartige Implementierung ist aus der US-PS 46 91 172 bekannt.

Die Verstärkung über der Eingangssteuerspannung ist bei einem typischen AGC-Verstärker gewöhnlich eine Exponentialfunktion, die in den Charakteristiken der Rückkopplungsschleife notwen dig ist, um eine kurze Verstärkungsaufbauzeit zu erzielen. Im Stande der Technik wird die Exponentialfunktion unter Verwen dung eines emittergekoppelten Transistorpaars in einer Konfi guration implementiert, wie diejenige eines Gilbert-Multipli zierers. Ein Nachteil einer solchen Implementierung besteht darin, daß die Exponentialfunktion stark temperaturabhängig ist. Wenn ein Benutzer diese Spannung mit einem Digital/Ana log-Wandler (DAC) zu treiben wünscht, so müßte der DAC zu Kompensationszwecken die gleiche Temperaturabhängigkeit haben. Wenn eine Spannung unkompensiert ist, so führt die Temperatur abhängigkeit zu der Notwendigkeit, daß der Benutzer verschie dene Spannungen zur Erzielung einer speziellen Verstärkung über einen bestimmten Temperaturbereich zuführen muß. Dies erhöht die Komplexität der Schaltung und der zugehörigen Soft ware.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine automati sche Verstärkungsregelungsschaltung zur Verfügung zu stellen, welche die Eingangssteuerspannung temperaturunabhängig ver stärkt und die mit geringem baulichen Aufwand und niedrigen Softwareerfordernissen realisierbar ist.

Zur Lösung dieser Aufgabe sieht die Erfindung die Merkmale des Anspruchs 1 bzw. 8 vor.

Die Erfindung benutzt emittergekoppelte Transistorpaare zum Implementieren einer exponentiellen Verstärkungssteuerungs funktion. Dabei wird eine zusätzliche Schaltung dazu verwen det, die Basen der Transistorpaare zu treiben. Die zusätzliche Schaltung ist im Steuerpfad angeordnet und weist eine Verstär kungsstufe, in der der Vorspannungsstrom proportional zur Temperatur ist, und eine zweite Verstärkungsstufe mit einem über die Temperatur konstanten Vorspannungsstrom auf. Diese Verstärkungsstufen haben in Kombination mit den Transistorpaa ren keine Temperaturabhängigkeit und halten die exponentielle Verstärkungsfunktion aufrecht. Diese erfindungsgemäße Schal tung ermöglicht es einem Benutzer, die Verstärkung des Ver stärkers mit Hilfe einer externen Spannungsquelle temperatur unabhängig einzustellen.

Ein wesentlicher Vorteil der Erfindung liegt darin, daß die Temperaturabhängigkeit ohne die Verwendung von temperaturemp findlichen Komponenten beseitigt wird. Außerdem kann die be schriebene Schaltung in irgendeinem Bipolarprozeß benutzt werden. Ein weiterer Vorteil der Erfindung besteht darin, daß durch sorgfältige Auswahl der Widerstände eine Verstärkungs klammer derart implementiert werden kann, daß der Verstärker außerhalb des parasitären nicht-exponentiellen Bereichs des Gilbert-Multiplizierers gehalten werden kann.

Im folgenden wird die Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert. In der Zeichnung zeigen:

Fig. 1 ein Schaltbild einer bekannten AGC-Verstärker schaltung; und

Fig. 2 ein Schaltbild einer Verstärkerstufe nach der vorliegenden Erfindung.

Die Erfindung befaßt sich mit einer Anordnung zur Erzeugung einer temperaturkompensierten exponentiellen Verstärkungsre gelspannung für einen AGC-Verstärker. In der folgenden Be schreibung sind zahlreiche spezielle Einzelheiten, wie Span nung, Leitungstyp usw. angegeben, um die Erfindung leichter verständlich zu machen. Es ist jedoch für den Fachmann klar, daß die Erfindung auch ohne diese speziellen Einzelheiten realisiert werden kann. In anderen Fällen sind bekannte Merk male nicht im einzelnen beschrieben, um die Erfindung nicht mit überflüssigen Einzelheiten zu belasten.

Die Erfindung stellt eine Schaltung zur Verfügung, welche es dem Benutzer ermöglicht, die Verstärkung eines AGC-Verstärkers über einen Digital/Analog-Wandler (DAC) oder eine andere Span nungsquelle extern einzustellen. Dabei benötigt die Erfindung keine speziellen temperaturempfindlichen Komponenten für die Spannungsregelschaltung.

Die Verstärkung der bekannten AGC-Schaltung ist durch eine Exponentialfunktion gegeben, bei der der Exponent aus einem Verhältniswert besteht. Der Nenner des Verhältnisses ist tem peraturabhängig, was dazu führt, daß auch die Verstärkung temperaturabhängig ist. Die Erfindung gibt eine Spannungsrege lungsschaltung an, die einen Zähler des Exponentialverhältnis ses ergibt, der ebenfalls temperaturabhängig ist. Als Folge davon heben sich Spannungsschwankungen aufgrund von Tempera turänderungen gegenseitig auf, und die Verstärkung wird tempe raturunabhängig.

Im Stande der Technik wird die Exponentialfunktion durch Ver wendungn von emittergekoppelten Transistorpaaren, beispielswei se einen Gilbert-Multiplizierer erzeugt. Dieser wirkt als Differenzverstärker mit den Eingängen IN+, IN- und den Ausgän gen OUT+ und OUT-. Die Verstärkungsregelungsspannung wird an das Transistorpaar an einem Eingang angelegt, der für die Zwecke der vorliegenden Anmeldung als BYP bezeichnet wird. Solange die bekannte Schaltung in einer geschlossenen Regel schleife arbeitet, kompensiert die Schleife bei jeder Tempera tur induziert Verstärkungsschwankungen. Wenn der Benutzer jedoch wünscht, die Schaltung mit einer externen Steuerspan nung, z.B. derjenigen aus einem DAC oder einer anderen gesteu erten Spannungsquelle zu treiben, führen Differenzen in der Temperaturänderung der Steuerspannung und der Verstärkungsstu fe zu einer Temperaturabhängigkeit des Verstärkungsfaktors. Die Erfindung fügt eine zusätzliche Schaltung zum Treiben der Basiselektroden der Gilbert-Verstärkungssteuerungs-Transistor paare hinzu. Die neue Schaltung addiert eine Verstärkungsstu fe, wobei der Vorspannungsstrom proportional zur Temperatur ist, und eine Stufe mit einem Vorspannungsstrom, der über die Temperatur konstant ist. Dies ermöglicht es der Schaltung, die Exponentialverstärkungsfunktion aufrechtzuerhalten und dabei temperaturunabhängig zu sein.

Stand der Technik

In Fig. 1 ist ein Schaltbild eines Verstärkers mit automati scher Verstärkungsregelung (AGC) dargestellt. Die bekannte AGC-Schaltung besteht aus ersten und zweiten Verstärkungsstu fen mit jeweils ersten und zweiten Paaren von emittergekoppel ten Transistoren. Wie in Fig. 1 gezeigt, bilden die emitterge koppelten Transistoren Q 7 und Q 8 eine erste emittergekoppelte Verstärkungsstufe und die emittergekoppelten Transistoren Q 9 und Q 10 eine zweite Verstärkungsstufe. Die Betriebsspannung V _CC liegt über einen Widerstand R 9 am Kollektor eines Tran sistors Q 11 sowie am invertierenden Eingang eines Verstärkers 10. V _CC ist ferner über einen Widerstand R 10 an den Kollek tor eines Transistors Q 12 und an den nicht-invertierenden Eingang des Verstärkers 10 angelegt. Der Emitter des Transi stors Q 11 ist mit dem Kollektor des Transistors Q 7 gekoppelt. Der Transistor Q 7 ist mit dem Transistor Q 8 emittergekoppelt, und der Kollektor des Transistors Q 8 liegt an der Betriebs spannung V _CC.

Der Emitter des Transistors Q 12 ist mit dem Transistors Q 9 gekoppelt. Transistor Q 9 ist mit dem Transistor Q 10 emitterge koppelt. Der Kollektor Q 10 ist mit der Betriebsspannung V _CC gekoppelt. Die Emitter der Transistoren Q 7 und Q 8 sind mit dem Kollektor eines Transistors Q 5 gekoppelt. Die Emitter des Transistorspaar Q 9 und Q 10 sind mit dem Kollektor eines Tran sistors Q 6 gekoppelt. Transistor Q 5 ist mit der IN+-Signallei tung 11 basisgekoppelt, und Transistor Q 6 ist mit der IN--Si gnalleitung 12 gekoppelt. Die Emitter der Transistoren Q 5 und Q 6 sind über Widerstände R 7 bzw. R 8 mit einem Knotenpunkt 13 des Generatorstroms I₂ gekoppelt.

Eine Bezugsspannung V _R liegt über einen Widerstand R 5 an einem Knotenpunkt 14 zu den Basiselektroden der Transistoren Q 11 und Q 12, und der Knotenpunkt 14 ist über Widerstand R 6 und eine Diode D 1 mit den an den Knotenpunkt 15 angeschlossenen Basiselektroden der Transistoren Q 7 und Q 9 gekoppelt. Der Strom I _R wird am Knotenpunkt 15 abgenommen.

Die Bezugsspannung V _R liegt über einen Widerstand R 4 an der Basis des Transistors Q 4 und am Kollektor eines Transistors Q 3. Der Emitter des Transistors Q 4 ist mit dem Knotenpunkt 16 und von dort mit den Basen von Q 8 und Q 10 gekoppelt. 16 liegt über einen Widerstand 17 an Erde.

Die Basis des Transistors Q 3 ist mit dem Knotenpunkt 15 gekop pelt. V _R ist mit dem Kollektor eines Transistors Q 2 gekop pelt. Die Emitter der Transistoren Q 2 und Q 3 sind über Wider stände R 2 und R 3 mit einem Knotenpunkt 18 gekoppelt und lie fern den Stromausgang I₁. Der BYP-Eingang ist mit der Basis des Transistors Q 1 gekoppelt. Der Emitter des Transistors Q 1 ist mit der Basis des Transistors Q 2 und über einen Widerstand R 1 mit dem Emitter des Transistors Q 2 gekoppelt.

Im Betrieb leiten die emittergekoppelten Transistorpaare Q 7, Q 8, Q 9 und Q 10 das Signal von den Lastwiderständen R 9 und R 10 ab. Der Verstärkungsfaktor ist jedoch temperaturabhängig und bedingt eine temperaturvariable Spannungsfunktion, um eine spezielle Verstärkung zu erreichen, wenn eine externe Span nungsquelle Verwendung findet. Wenn die Transistoren Q 7 . . . Q 10 nicht in die Schaltung gemäß Fig. 1 eingebunden wären, so würde sich die Verstärkung aus dem Verhältnis der Widerstände R 9 und R 7 wie folgt ergeben:

Der Widerstandsverhältniswert ist hier nur für die Zwecke der vorliegenden Anmeldung angegeben. Andere Widerstandsverhält nisse können ebenso gut verwendet werden.

Der Effekt der Transistoren Q 7 . . . Q 10 liegt in der Verringe rung der Verstärkung der ersten Verstärkerstufe. Das Stromver hältnis durch Q 7 oder Q 9 zum verfügbaren Strom in den Transi storen Q 5 und Q 6, multipliziert mit der Maximalverstärkung (R 9/R 7) ist die Verstärkung der ersten Stufe. Daher gilt:

Um die Temperaturabhängigkeit der externen Spannung BYP zu zeigen:

Finde I _{CQ 7}/T _{CQ 5} als Funktion von V _BYP (im folgenden V _byp).

Anfänglich gilt:

V _byp-2V _be-I_{cQ 2} · R₂=V _R-I₁ · (R₅+R₆)-2V _be-I_{cQ 3} R₃.

Für praktische Anwendung ist b _e sehr klein und kann aus der Gleichung fortgelassen werden. Daher gilt bei kleiner Änderung von V _be:

V _byp-I_{cQ 2} · R₂=V _R-I₁ · (R₅+R₆)-I _{cQ 3} R₃

I _{cQ 2}+I _{cQ 3}=I₁⇒I _{cQ 2}=I₁-I _{cQ 3}

Man findet über I _{cQ 3}:

V _byp-(I₁-I _{cQ 3})R₂=V _R-I₁(R₅+R₆)-I _{cQ 3} R₃

V _byp-I₁R₂+I _{cQ 3} R₂=V _R-I₁R₅-I₁R₆-I _{cQ 3} R₃

I _{cQ 3} (R₂+R₃)=V _R-V _byp+I₁(R₂-R₅-R₆)

Jetzt findet man das Verhältnis von I _{cQ 7}/I _{cO 5} als Funktion der Basisspannungen.

Als nächstes findet man die Basisspannungen der Transistoren als Funktion der externen Spannung wie folgt:

V _bQ₇=V _R-I₁(R₅+R₆)-V _be

V _bQ₈=V _R-I_{cQ 3} R₄-V _be

V _bQ₇-V _bQ₈=I _{cQ 3} R₄-I₁(R₅+R₆)

Zum Zwecke dieses Beispiels werden die folgenden Nennwerte benutzt: R₂=1400; R₃=1400; R₄=500; R₅=200; R₆=200 und I₁=1 mA.

Die Verstärkung ist angenähert gleich 400*I _{CQ 7}/I _{CQ 5}. Die Änderung von V _t ist bei verschiedenen Temperaturen in der nachfolgenden Tabelle gezeigt. Die Verstärkungswerte für V _byp bei unterschiedlichen Temperaturen sind gezeigt.
Für V _R=5,4.

Wie zu sehen ist, ergeben sich wilde Verstärkungsänderungen über die Temperatur, und zwar um einen Faktor von 3 bei höhe ren Spannungen von V _byp.

Um die Verstärkung von der Temperatur unabhängig zu machen, muß die Größe von VBQ 7 minus VBQ 8 ebenfalls temperaturabhängig sein, um die Temperaturabhängigkeit von Vt und des Nenners der Verstärkungsgleichung zu beseitigen und dadurch die Verstär kung temperaturunabhängig zu machen. Wenn beispielsweise:

V _{bQ 7}-V _{bQ 8}=K₁T[(V _R-V_byp)+C]

Dann:

Wenn K₁ und C konstant sind, ergibt sich:

Dieser Ausdruck ist temperaturunabhängig, und es ergibt sich für die Verstärkung:

Die Verstärkung ist daher ebenfalls temperaturunabhängig.

Die Erfindung

Die Erfindung gibt eine neue Schaltung im Steuerpfad zum An steuern der Basiselektroden der Transistoren Q 7 und Q 8 an. Die erfindungsgemäße Schaltung bindet zusätzliche Verstärkungsstu fen in die AGC-Schaltung ein. Eine dieser Verstärkungsstufen ist temperaturunabhängig, während die zweite Verstärkungsstufe temperaturabhängig ist. Diese temperaturabhängige Verstär kungsstufe beeinflußt den Zähler der Exponentialfunktion der AGC-Schaltung, so daß die temperaturabhängigen Ausdrücke im Zähler und Nenner einander aufheben und der Gesamtkreis tempe raturunabhängig wird. Die zusätzliche Schaltung nach der vor liegenden Erfindung ist in Fig. 2 dargestellt. Die Bezugsspan nung V _R ist über den Widerstand R 4 und die Diode D 4 am Kno tenpunkt 19 mit der Basis des Transistors Q 7 gekoppelt. Die Bezugsspannung V _R ist außerdem über den Widerstand R 3 am Knotenpunkt 20 mit der Basis des Transistors Q 3 gekoppelt. Der Emitter des Transistors Q 3 ist mit der Basis von Q 8 am Knoten punkt 21 gekoppelt.

Knotenpunkt 20 ist auch mit dem Kollektor von Transistor Q 4 gekoppelt. Bezugsspannung V _R ist mit dem Kollektor von Tran sistor Q 3 gekoppelt, und Transistor Q 3 ist mit Transistor Q 4 am Knotenpunkt 22 emittergekoppelt. Der Strom I₂ wird von den Knotenpunkten 22, 21 und 19 abgenommen und ist an jedem Knotenpunkt äquivalent.

Die Bezugsspannung ist über eine Diode D 2 mit der Basis des Transistors Q 3 am Knotenpunkt 23 gekoppelt. V _R ist auch über eine Diode D 1 am Knotenpunkt 24 mit der Basis des Transistors Q 4 gekoppelt. Knotenpunkte 24 und 23 sind mit den Kollektoren der Transistoren Q 1 bzw. Q 2 gekoppelt. Die Basis des Transi stors Q 1 liegt an V _byp, und die Basis des Transistors Q 2 ist mit V _Ref gekoppelt. Die Emitter der Transistoren Q 1 und Q 2 sind über Widerstände R 1 und R 2 mit dem Knotenpunkt 25 gekop pelt; von diesem Knotenpunkt wird der Strom I₁ abgenommen.

Die zusätzliche Verstärkungsstufe der Schaltung gemäß Fig. 2 besteht aus den Transistoren Q 1, Q 2, den Widerständen R 1, R 2 und den Dioden D 1 und D 2. Diese erste Verstärkungsstufe ist temperaturunabhängig. Die zweite Verstärkungsstufe besteht aus den Transistoren Q 3 und Q 4 und Widerstand R 3. Die Basen der Transistoren Q 3 und Q 4 werden von der ersten Verstärkungsstufe angesteuert.

Löst man V _{bQ 7} minus V _{bQ 8} für die beschriebene Schaltung, so ergibt sich:

V _byp-V_beQ₁-I _cQ₁ R₁=V _Ref-V_beQ₂-I _cQ₂ R₁

Nimmt man an, daß Δ V _be klein ist, so ergibt sich:

In ähnlicher Weise:

oder:

Der Nenner des Exponentialausdrucks ist temperaturabhängig. Als Lösung für V _{bQ 3} ergibt sich:

Als Lösung für V _{bQ 4} ergibt sich:

Daher gilt:

eingesetzt in:

Eingesetzt für I _{cQ 1} und I _{cQ 2}:

Lösung für V _{bQ 7} und V _{bQ 8}:

V _{BQ 7}=V _R-I₂R₄-V _{beD 4}

V _{BQ 8}=V _R-I_{cQ 4} · R₃-V _{beD 3}

V _bQ₇-V _bQ₈=I _{cQ 4} · R₃-I₂R₄

Wenn I₂ eine PTAT-Stromquelle ist, beispielsweise wenn I₂ =K₃V _t und wenn K₃ Einheiten von 1/Ohm hat, so gilt:

Die V _t-Terme heben sich auf, und es bleibt:

Wenn daher I₁ über die Temperatur konstant ist, so gibt es keine Temperaturabhängigkeit. Die Erfindung schafft daher eine automatische Verstärkungsregelungsschaltung mit einer exponen tielen Verstärkungsregelspannung, die temperaturunabhängig ist.

Claims

1. Automatische Verstärkungsregelungsschaltung mit ersten und zweiten Verstärkungsstufen, dadurch gekennzeichnet, daß eine dritte Verstärkungsstufe (D 1, D 2, Q 1, Q 2, R 1, R 2 - Fig. 2) mit einem über den Temperaturbereich konstanten Vor spannungsstrom und eine vierte Verstärkungsstufe (R 3, Q 3, Q 4) mit einem temperaturproportionalen Vorspannungsstrom vorgese hen sind und daß die dritten und vierten Verstärkungsstufen mit den ersten und zweiten Verstärkungsstufen (Q 7, Q 8, Q 9, Q 10) gekoppelt sind.

2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Verstärkungsstufe erste und zweite emittergekoppelte Transistoren (Q 7, Q 8) aufweist.

3. Schaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Verstärkungsstufe dritte und vierte emitterge koppelte Transistoren (Q 9, Q 10) aufweist.

4. Schaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die dritte Verstärkungsstufe (D 1, D 2, Q 1, Q 2, R 1, R 2) mit der Basis der zweiten und vierten Transistoren gekoppelt ist.

5. Schaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die vierte Verstärkungsstufe mit der Basis der ersten und dritten Transistoren gekoppelt ist.

6. Schaltung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die dritte Verstärkungsstufe fünfte und sechste Transistoren (Q 1, Q 2 - Fig. 2) aufweist, deren Emitter über erste und zwei te Widerstände (R 1, R 2) gekoppelt sind.

7. Schaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die vierte Verstärkungsstufe siebte und achte emittergekoppel te Transistoren (Q 3, Q 4 - Fig. 2) aufweist, deren Basen von der dritten Verstärkerstufe (D 1, D 2, Q 1, Q 2, R 1, R 2) angesteu ert sind.

8. Automatische Verstärkungsregelungsschaltung mit ersten und zweiten Verstärkungsstufen, wobei die erste Verstärkungs stufe erste und zweite emittergekoppelte Transistoren und die zweite Verstärkungsstufe dritte und vierte emittergekoppelte Transistoren aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß eine dritte Verstärkungsstufe (D 1, D 2, Q 1, Q 2, R 1, R 2 - Fig. 2), die einen über die Temperatur konstanten Vorspannungsstrom (I₁) lie fert und fünfte und sechste Transistoren (Q 1, Q 2) aufweist, deren Emitter über erste und zweite Widerstände (R 1, R 2) ge koppelt sind, und eine vierte Verstärkungsstufe (R 3, Q 3, Q 4) vorgesehen sind, die einen zur Temperatur proportionalen Vor spannungsstrom liefert und siebte und achte emittergekoppelte Transistoren (Q 3, Q 4) aufweist und daß die dritten und vierten Verstärkungsstufen mit den ersten und zweiten Verstärkungsstu fen gekoppelt sind.

9. Schaltung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die dritte Verstärkungsstufe mit der Basis der zweiten und vierten Transistoren gekoppelt ist.

10. Schaltung nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, daß die vierte Verstärkungsstufe mit der Basis der ersten und dritten Transistoren gekoppelt sind.