DE3939843A1 - Lichtempfindliche verbindungen und deren verwendung zur herstellung von photoresists - Google Patents

Lichtempfindliche verbindungen und deren verwendung zur herstellung von photoresists

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    • G—PHYSICS
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Description

Die Erfindung betrifft neue lichtempfindliche Verbindungen, die zur Herstellung von Leiterplatten, zum Formätzen und dgl. geeignet sind, sowie ein Verfahren zur Herstellung eines Photoresists unter Verwendung dieser Verbindungen.
Verfahren zur Herstellung von Photoresists auf der Oberfläche von Kupfersubstraten sind z.B. das Aufbringen eines flüssigen Photoresists, das Auflaminieren eines Trockenfilm-Photoresists und die galvanische Abscheidung. Diese Verfahren haben jedoch jeweils Nachteile.
Beim Beschichten mit einem flüssigen Photoresist wird gewöhnlich eine Photoresist-Zusammensetzung, die in einem organischen Lösungsmittel gelöst ist, auf die Oberfläche eines Kupfersubstrats z.B. durch Aufschleudern, Tauchen, Siebdruck, Aufwalzen oder Gießen aufgetragen, worauf man das organische Lösungsmittel verdampft und eine Photoresist erhält. Obwohl dieses Verfahren relativ niedrige Produktionskosten ermöglicht, ist es bei Substraten für Leiterplatten, die an der Oberfläche Unregelmäßigkeiten aufweisen, schwierig, eine gleichmäßige Überzugsdichte zu erzielen, so daß Probleme z.B. hinsichtlich einer ungleichmäßigen Entwicklung auftreten. Ferner ist es aufgrund der Verwendung eines organischen Lösungsmittels notwendig, Vorsichtsmaßnahmen hinsichtlich der Explosionsgefahr und anderer Beeinträchtigungen zu ergreifen. Um gleichmäßige Ergebnisse z.B. hinsichtlich des Oberflächen­ zustands, der Dicke, der Entwicklungseigenschaften und der Empfindlichkeit zu erzielen, muß ferner eine ausgefeilte Beschichtungstechnik angewandt werden, wodurch wiederum eine hohe Reproduzierbarkeit erschwert wird.
Aus diesen Gründen wird hauptsächlich das Trockenfilm- Photoresistverfahren angewandt. Einzelheiten hinsichtlich des Flüssig-Photoresistverfahrens und Trockenfilm-Photoresist­ verfahrens sind z.B. bei W. S. De Forest, Photoresist, 1975, McGraw Hill, New York, beschrieben.
Beim Trockenfilm-Photoresistverfahren wird eine relativ dicke Photoresistschicht auf die Oberfläche eines Kupfersubstrats auflaminiert, wodurch eine gleichmäßige Photoresistschicht relativ leicht erhalten werden kann. Das Trockenfilm- Photoresistverfahren hat somit den Vorteil, daß ein Muster mit hoher Präzision hergestellt werden kann. Allerdings ist die Produktivität des Trockenfilm-Photoresistverfahrens niedrig und die Produktionskosten sind relativ hoch.
Die galvanische Beschichtung ist ein Verfahren zum Abscheiden einer wäßrigen Dispersion einer Photoresist-Zusammensetzung auf einem Kupfersubstrat als Anode unter Durchleiten eines elektrischen Stroms. Dieses Verfahren ist z.B. in JP-A-62- 2 62 855 und JP-A-62-2 62 856 (entsprechend US-A-48 45 012) beschrieben. Obwohl dieses Verfahren ein hohes Auflösungs­ vermögen und niedrige Produktionskosten ermöglicht, weil ein Photoresist in Form eines Dünnfilms hergestellt werden kann, bestehen Probleme hinsichtlich der Stabilität der Dispersion und es ist eine Vorrichtung zum Anlegen des Stroms erforderlich.
Ziel der Erfindung ist es, die geschilderten Probleme bei der Erzeugung eines Photoresists auf der Oberfläche eines Kupfersubstrats zu beheben.
Erfindungsgemäß werden die durch das organische Lösungsmittel verursachten Probleme dadurch überwunden, daß kein organisches Lösungsmittel verwendet wird. Erfindungsgemäß erhält man einen Überzug von gleichmäßiger Filmdicke und geringer Defekt- Häufigkeit sowie, im Vergleich zum Trockenfilmverfahren, einem Muster von höherem Auflösungsvermögen bei gleichzeitig niedrigeren Produktionskosten. Da erfindungsgemäß eine lichtempfindliche Verbindung in einer gleichförmigen wäßrigen Lösung eingesetzt wird, bestehen auch keine Probleme hinsichtlich der Lagerinstabilität einer Dispersion und es ist auch nicht notwendig, einen elektrischen Strom anzuwenden, so daß die Herstellung des Photoresists mit äußerst niedrigen Produktionskosten durchgeführt werden kann.
Als Ergebnis umfangreicher Untersuchungen wurde festgestellt, daß eine gleichmäßige Photoresistschicht auf der Oberfläche eines Kupfersubstrats erhalten wird, wenn man das Kupfersubstrat in die wäßrige saure Lösung einer neuen lichtempfindlichen Verbindung taucht, d.h. einer Verbindung, die eine Chinondiazid-Gruppe und eine Alkylimidazol-Gruppe im Molekül enthält.
Gegenstand der Erfindung ist eine lichtempfindliche Verbindung, die eine Chinondiazidogruppe und eine Alkyl­ imidazolgruppe im selben Molekül enthält und die beim Bestrahlen mit Licht in einer wäßrigen Alkalilösung löslich wird.
Gegenstand der Erfindung ist ferner ein Verfahren zur Herstellung eines Photoresists, bei dem man ein Kupfersubstrat in die saure wäßrige Lösung einer derartigen lichtempfindlichen Verbindung taucht.
Beispiele für erfindungsgemäße lichtempfindliche Verbindungen, die eine Chinondiazidogruppe und eine Alkylimidazolgruppe im selben Molekül enthalten, sind Verbindungen der Formeln (I) und (II):
in denen R eine Alkylgruppe mit 6 bis 20 Kohlenstoffatomen, vorzugsweise 11 bis 16 Kohlenstoffatomen, bedeutet.
Spezielle Beispiele sind:
1-(Naphthochinon-1,2-diazido-(2)-4-sulfonyl)-2-hexylimidazol,
1-(Naphthochinon-1,2-diazido-(2)-5-sulfonyl)-2-hexylimidazol,
1-(Naphthochinon-1,2-diazido-(2)-4-sulfonyl)-2-heptylimidazol,
2-(Naphthochinon-1,2-diazido-(2)-5-sulfonyl)-2-heptylimidazol,
1-(Naphthochinon-1,2-diazido-(2)-4-sulfonyl)-2-octylimidazol,
1-(Naphthochinon-1,2-diazido-(2)-5-sulfonyl)-2-octylimidazol,
1-(Naphthochinon-1,2-diazido-(2)-4-sulfonyl)-2-nonylimidazol,
1-(Naphthochinon-1,2-diazido-(2)-5-sulfonyl)-2-nonylimidazol,
1-(Naphthochinon-1,2-diazido-(2)-4-sulfonyl)-2-decylimidazol,
1-(Naphthochinon-1,2-diazido-(2)-5-sulfonyl)-2-decylimidazol,
1-(Naphthochinon-1,2-diazido-(2)-4-sulfonyl)-2-undecylimidazol,
1-(Naphthochinon-1,2-diazido-(2)-5-sulfonyl)-2-undecylimidazol,
1-(Naphthochinon-1,2-diazido-(2)-4-sulfonyl)-2-dodecylimidazol,
1-(Naphthochinon-1,2-diazido-(2)-5-sulfonyl)-2-dodecylimidazol,
1-(Naphthiochinon-1,2-diazido(2)-4-sulfonyl)-2-tridecylimidazol,
1-(Naphthochinon-1,2-diazido-(2)-5-sulfonyl)-2-tridecylimidazol,
1-(Naphthochinon-1,2-diazido-(2)-4-sulfonyl)-2-tetradecylimidazol,
1-(Naphthochinon-1,2-diazido-(2)-5-sulfonyl)-2-tetradecylimidazol,
1-Naphthochinon-1,2-diazido-(2)-4-sulfonyl)-2-pentadecylimidazol,
1-(Naphthochinon-1,2-diazido-(2)-5-sulfonyl)-2-pentadecylimidazol,
1-(Naphthochinon-1,2-diazido-(2)-4-sulfonyl)-2- hexadecylimidazol,
1-(Naphthochinon-1,2-diazido-(2)-5-sulfonyl)-2-hexadecylimidazol,
1-(Naphthochinon-1,2-diazido-(2)-4-sulfonyl)-2-heptadecylimidazol,
1-(Naphthochinon-1,2-diazido-(2)-5-sulfonyl)-2-heptadecylimidazol,
1-(Naphthochinon-1,2-diazido-(2)-4-sulfonyl)-2-octadecylimidazol,
1-(Naphthochinon-1,2-disazido-(2)-5-sulfonyl)-2-octadecylimidazol,
1-(Naphthochinon-1,2-diazido-(2)-4-sulfonyl)-2-nonadecylimidazol,
1-(Naphthochinon-1,2-diazido-(2)-sulfonyl)-2-nonadecylimidazol,
1-(Naphthochinon-1,2-diazido-(2)-sulfonyl)-2-eicosylimidazol) und
1-(Naphthochinon-1,2-diazido-(2)-5-sulfonyl)-2-eicosylimidazol.
Von diesen sind 1-Naphthochinon-1,2-diazido-(2)-5-sulfonyl)- 2-undecylimidazol und 1-(Naphthochinon-1,2-diazido-(2)-5- sulfonyl)-2-heptadecylimidazol besonders bevorzugt.
Die Herstellung eines Photoresists auf einem Kupfersubstrat unter Verwendung der erfindungsgemäßen lichtempfindlichen Verbindungen kann nach folgender Methode erfolgen.
Mindestens eine lichtempfindliche Verbindung wird in einer Konzentration von 0,1 bis 25, vorzugsweise 0,5 bis 10 Gewichtsprozent aufgelöst, um eine saure, wäßrige Lösung mit einem pH von 0 bis 6 herzustellen. In diese saure wäßrige Lösung, die bei einer Temperatur von 15 bis 60°C, vorzugsweise 20 bis 50°C, gehalten wird, taucht man das Kupfersubstrat. Die Eintauchzeit richtet sich nach der gewünschten Filmdicke und beträgt vorzugsweise 1 bis 20 Minuten. Bei Anwendung einer Lösung mit hoher Konzentration und hoher Temperatur wird die Abscheidungsgeschwindigkeit erhöht.
Das erfindungsgemäß eingesetzte Kupfersubstrat ist z.B. eine Kupferfolie oder z.B. ein Substrat, wie Papier, Phenolharz oder Glasfaser-verstärktes Epoxyharz, das mit einer Kupferfolie kaschiert worden ist.
Die Filmdicke des erhaltenen Photoresists beträgt gewöhnlich 0,5 bis 100 µm, vorzugsweise 2 bis 60 µm, im trockenen Zustand.
Nach Abscheiden der Verbindung in Schichtform wird das Kupfersubstrat aus der wäßrigen Lösung entnommen und mit Wasser gewaschen. Nach Entfernen des in der Schicht enthaltenen Wassers durch Ausheizen, z.B. mit Heißluft, erhält man ein Photoresist.
Unter Verwendung des Photoresists kann z.B. eine Leiterplatte oder dgl. nach folgendem Verfahren hergestellt werden. Nach dem Belichten mit aktinischem Licht durch eine Maske entfernt man die belichteten Bereiche mit einem Entwickler, so daß die Kupferoberfläche musterförmig freiliegt. Die freiliegende Kupferoberfläche wird durch Auftragen einer Ätzlösung gelöst und der Resist wird mit einem sauren Ablösemittel entfernt, wodurch eine Leiterplatte erhalten wird.
Als aktinische Strahlung wird Licht mit einer Wellenlänge von 300 bis 600 nm, vorzugsweise 350 bis 450 nm, verwendet. Als Lichtquellen eignen sich z.B. Sonnenlicht, Quecksilberlampen, Xenonlampen und Bogenlampen. Die Belichtungszeit beträgt gewöhnlich 1 Sekunde bis 5 Minuten, vorzugsweise 7 Sekunden bis 2 Minuten, wobei sich dies nach der Intensität der Lichtquelle, dem Abstand zwischen Lichtquelle und Resist etc. richtet.
Das Entwickeln erfolgt z.B. durch Besprühen der belichteten Photoresist-Oberfläche mit einem alkalischen Entwickler. Als derartige Entwickler eignen sich z.B. wäßrige Lösungen von Natriumcarbonat, Natriumhydroxid, Kaliumhydroxid oder Ammoniakwasser.
Als Ätzlösung können beliebige alkalische Lösungen verwendet werden, wobei Kupfer-Ammoniaklösung bevorzugt ist.
Zum Ablösen des Resists kann eine stark saure wäßrige Lösung oder ein mit Wasser mischbares organisches Lösungsmittel oder eine entsprechende Mischung verwendet werden. Bevorzugt ist eine konzentrierte wäßrige Salzsäure oder eine 5­ gewichtsprozentige wäßrige Salzsäure, die 10 bis 30 Gewichtsprozent Methanol enthält.
Die folgenden Beispiele erläutern die Erfindung.
Beispiel 1
1-(Naphthochinon-1,2-diazido-(2)-5-sulfonyl)-2- undecylimidazol) wird nach folgender Methode hergestellt.
2,7 g Naphthochinondiazido-5-sulfonylchlorid und 2,2 g 2- Undecylimidazol werden in 10 g Methylethylketon dispergiert. Zu dieser Mischung wird eine Lösung von 1,01 g Triethylamin in 10 g Methylethylketon bei Raumtemperatur getropft und nach drei Stunden gießt man die Reaktionslösung in 500 g Wasser.
Der erhaltene pulverförmige Niederschlag wird abfiltriert, mit Wasser gewaschen und aus 200 ml Methanol umkristallisiert, wobei man 3,6 g 1-(Naphthochinon-1,2-diazido-(2)-5-sulfonyl)- 2-undecylimidazol erhält, F. 104 bis 105°C.
Elementaranalyse:
Gefunden (%)
C 63,14 H 6,37, N 12,17, S 6,95
Berechnet (%)
C 63,41, H 6,65, N 12,33, S 7,05
Unter Verwendung der hergestellten Verbindung werden Leiterplatten nach folgender Methode hergestellt.
Eine lichtempfindliche Lösung der folgenden Formulierung wird in einem Gefäß hergestellt:
1-(Naphthochino-1,2-diazido-(2)-5-sulfonyl)-2-undecylimidazol|0,1 g
Eisessig 2 g
Konz. Salzsäure 10 g
Wasser 8 g
Ein kupferkaschiertes Laminat mit verkupferten Durchgangsöffnungen wird bei Raumtemperatur in die lichtempfindliche Lösung getaucht, wobei man den Behälterinhalt rührt. Nach 5 Minuten entnimmt man das Laminat und taucht es 1 Minute in ein mit Wasser gefülltes Becherglas, entfernt es und trocknet es 2 Minuten in einem Ofen bei 100°C. Die auf der Kupferoberfläche haftende Photoresistschicht hat eine Dicke von 5 µm und ist wenig klebrig.
Eine Maske mit einem Leitermuster wird auf das die Photoresistschicht tragende Laminat aufgelegt und 20 Sekunden mit einem Superhochdruck-Quecksilberlampe (3 kW) mit 400 mJ/ cm2 belichtet.
Das Laminat wird dann in eine wäßrige 2% Natronlauge eingebracht, 1 Minute unter Vibration entwickelt und mit Wasser gewaschen. Hierbei wird das Leitermuster mit hoher Reproduzierbarkeit reproduziert. Das Auflösungsvermögen beträgt 4 µm. Hierbei ist das Auflösungsvermögen als minimale Linienbreite einer Photomaske definiert, wenn man die Linienbilder durch Entwickeln nach dem Belichten durch eine Photomaske mit unterschiedlichen Linienmustern (Linie/Abstand = 1/1) getrennt hergestellt werden.
Anschließend löst man das freiliegende Kupfer durch Ätzen mit einer Kupfer-Ammoniaklösung 140 Sekunden lang bei 40° und löst den Resist durch Eintauchen in konz. Salzsäure ab. Es wird ein Kupfer-Leitermuster von hoher Wiedergabetreue erhalten.
Beispiel 2
Beispiel 1 wird wiederholt, jedoch verwendet man 1- (Naphthochinon-1,2-diazido-(2)-5-sulfonyl)-2- heptadecylimidazol als lichtempfindliche Verbindung. Auf dem Laminat wird eine Photoresistschicht erzeugt und ausgewertet. Das Auflösungsvermögen beträgt 4 µm.

Claims (13)

1. Lichtempfindliche Verbindung, enthaltend eine Chinon­ diazogruppe und eine Alkylimidazolgruppe im selben Molekül, welche beim Bestrahlen mit Licht in einer wäßrigen Alkalilösung löslich ist.
2. Verbindung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Chinondiazogruppe eine Naphthochinondiazogruppe ist.
3. Verbindung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Alkylimidazolgruppe eine Alkylgruppe mit 6 bis 20 Kohlenstoffatomen enthält.
4. Verbindung nach Anspruch 3 der Formel (I) in der R eine Alkylgruppe mit 6 bis 20 Kohlenstoffatomen ist.
5. Verbindung nach Anspruch 3 der Formel (II) in der R eine Alkylgruppe mit 6 bis 20 Kohlenstoffatomen ist.
6. 1-(1′-Oxy-2′-diazo-5′-sulfonyl-1′,2′-dihydronaphthalin)-2- undecylimidazol.
7. 1-(1′-Oxy-2′-diazo-5′-sulfonyl-1′,2′-dihydronaphthalin) -2- heptadecylimidazol.
8. Verfahren zur Herstellung eines Photoresists, dadurch gekennzeichnet, daß man ein Kupfersubstrat in eine saure wäßrige Lösung einer lichtempfindlichen Verbindung nach einem der Ansprüche 1 bis 7 taucht.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß man das Kupfersubstrat 1 bis 20 Minuten in die saure wäßrige Lösung taucht.
10. Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, daß man die saure wäßrige Lösung bei einer Temperatur von 15 bis 60°C, vorzugsweise 20 bis 50°C, hält.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Photoresist eine Trockendicke von 0,5 bis 100 µm, vorzugsweise 2 bis 60 µm, hat.
12. Photoresist, erhältlich nach dem Verfahren eines der Ansprüche 8 bis 11.
13. Laminat, umfassend ein Kupfersubstrat, das mit einer Photoresistschicht nach Anspruch 12 versehen worden ist.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0518487A2 (de) 1991-05-14 1992-12-16 Du Pont (UK) Limited Strahlungsempfindliche Materialien

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA626251A (en) * 1961-08-22 Sus Oskar Light sensitive material for printing
CA632194A (en) * 1961-12-05 Azoplate Corporation Light sensitive material for the photomechanical preparation of printing plates
GB729409A (en) * 1952-10-03 1955-05-04 Kalle & Co Ag Light-sensitive material for photomechanical reproduction and process for the production of images
US2907655A (en) * 1953-09-30 1959-10-06 Schmidt Maximilian Paul Light-sensitive material for the photo-mechanical reproduction and process for the production of images
GB1230771A (de) * 1967-03-31 1971-05-05
US3956262A (en) * 1970-12-09 1976-05-11 Beecham Group Limited Triazenoimidazoles
JPS5562444A (en) * 1978-11-02 1980-05-10 Konishiroku Photo Ind Co Ltd Photosensitive composition
DE3100077A1 (de) * 1981-01-03 1982-08-05 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Lichtempfindliches gemisch, das einen naphthochinondiazidsulfonsaeureester enthaelt, und verfahren zur herstellung des naphthochinondiazidsulfonsaeureesters
JPS59218442A (ja) * 1983-05-26 1984-12-08 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性組成物
US4904564A (en) * 1988-06-16 1990-02-27 International Business Machines Corporation Process for imaging multi-layer resist structure

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0518487A2 (de) 1991-05-14 1992-12-16 Du Pont (UK) Limited Strahlungsempfindliche Materialien

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US5099007A (en) 1992-03-24

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