DE3929340A1 - Integriert-optischer sensor - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 17
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 16
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 62
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 35
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims description 11
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 8
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims description 7
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 claims description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 2
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 2
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003319 supportive effect Effects 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/41—Refractivity; Phase-affecting properties, e.g. optical path length
- G01N21/45—Refractivity; Phase-affecting properties, e.g. optical path length using interferometric methods; using Schlieren methods
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/75—Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated
- G01N21/77—Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated by observing the effect on a chemical indicator
- G01N21/7703—Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated by observing the effect on a chemical indicator using reagent-clad optical fibres or optical waveguides
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/11—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on acousto-optical elements, e.g. using variable diffraction by sound or like mechanical waves
- G02F1/125—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on acousto-optical elements, e.g. using variable diffraction by sound or like mechanical waves in an optical waveguide structure
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J9/00—Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength
- G01J9/02—Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength by interferometric methods
- G01J2009/0226—Fibres
- G01J2009/023—Fibres of the integrated optical type
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/21—Polarisation-affecting properties
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/75—Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated
- G01N21/77—Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated by observing the effect on a chemical indicator
- G01N21/78—Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated by observing the effect on a chemical indicator producing a change of colour
- G01N21/783—Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated by observing the effect on a chemical indicator producing a change of colour for analysing gases
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
- G01N2201/08—Optical fibres; light guides
- G01N2201/0873—Using optically integrated constructions
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Health & Medical Sciences (AREA)
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- Analytical Chemistry (AREA)
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Description
Die Erfindung betrifft einen integriert-optischen
Sensor zur Erfassung des Brechungsindex von Gasen mit
einem Substratkörper aus Lithiumniobat, in dem ein
monomodiger Wellenleiter vorgesehen ist, der sich
zwischen zwei Stirnflächen des Substratkörpers entlang
dessen Oberfläche erstreckt, wobei eine Eintrittsstirnfläche
des Wellenleiters mit Laserstrahlung und
ein Lichtdetektor mit dem in Transmission von der
Austrittsendfläche des Wellenleiters abgestrahlten
Meßlicht beaufschlagbar ist.
In der Zusammenfassung von U. Hollenbach et al.
"Integrated optical refractive index sensor by ion
exchange in glass" in den Technical Abstracts of the
International Congress on Optical Science and Engineering,
19-25 September 1988 in Hamburg, paper 1014
ist ein symmetrisches Wellenleiter-Mach-Zehnder-
Interferometer beschrieben, bei dem nur einer der
Wellenleiterarme von der Meßflüssigkeit kontaktierbar
ist. Durch die symmetrischen Wellenleiterarme gleicher
Länge ist das Ausgangssignal des Interferometers
unabhängig von Temperaturschwankungen. Der aus dem
Wellenleiter in die Meßflüssigkeit ragende Anteil der
geführten Wellenmoden wird durch die Meßflüssigkeit in
seiner Phase verändert, so daß relative Brechungsindexänderungen
der Meßflüssigkeit mit einer Genauigkeit
von mehr als 10-4 erfaßt werden können.
Ausgehend von diesem Stand der Technik liegt der
Erfindung der Aufgabe zugrunde, einen integriert
optischen Sensor zu schaffen, der es gestattet, den
absoluten Brechungsindex eines Meßgases mit höchster
Genauigkeit zu messen.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß
sich der doppelbrechende Wellenleiter im Substratkörper
entlang der X- oder Y-Schnittachse des geschnittenen
Lithiumniobat-Kristalls erstreckt, daß eine
dünne, zur Führung einer Mode nicht ausreichend dicke
Schicht aus protonenausgetauschtem Lithiumniobat in
einer seitlichen Begrenzungsfläche des Wellenleiters
vorgesehen ist, daß die seitliche Begrenzungsfläche
mit einer gassensitiven Schicht bedeckt ist, die mit
einem Meßgas beaufschlagbar ist, daß auf der Oberfläche
ein am eintrittsstirnflächenseitigen Ende angeordneter
elektro-akustischer Wandler vorgesehen ist,
mit dem in der seitlichen Begrenzungsfläche zu dem
Wellenleiter kollineare akustische Oberflächenwellen
erzeugbar sind, daß die die Eintrittsfläche beaufschlagende
Laserstrahlung linear in der ordentlichen
oder in der außerordentlichen Polarisationsrichtung
polarisiert ist, wobei der Lichtdetektor für die
jeweils in ihrer Polarisationsrichtung um 90 Grad
gedrehte Laserstrahlung empfindlich ist.
Die dünne protonenausgetauschte Schicht, die für sich
alleine zur Führung einer ausbreitungsfähigen Mode der
Strahlung im Wellenleiter nicht fähig ist, bewirkt
eine Verlagerung der rechtwinklig zur Z-Richtung und
parallel zur Oberfläche des Lithiumniobat-Kristalls
polarisierten ordentlichen Mode in Richtung des
Substrats und eine Verlagerung des Linienschwerpunkts
der außerordentlichen Mode, die entlang der Z-Schnittachse
des Kristalls polarisiert ist, in die das Meßgas
enthaltene, gassensitive Schicht hinein. Durch die
Erzeugung akustischer Oberflächenwellen mit Hilfe
eines elektro-akustischen Wandlers kann in dem Wellenleiter
geführtes ordentlich polarisiertes Licht in
außerordentlich polarisiertes Licht überführt werden,
das auf dem Lichtdetektor nachgewiesen wird. Der
Wirkungsgrad der Umwandlung ist abhängig von der
Frequenz der Oberflächenwellen, aus der auf den
absoluten Brechungsindex des Meßgases und damit seine
Konzentration geschlossen werden kann.
Vorzugsweise erstreckt sich der Wellenleiter entlang
der X-Schnittachse des Kristalls, da bei diesem
Kristallschnitt die Umwandlungsrate am größten ist.
Die Dicke der protonenausgetauschten Schicht wird
wellenlängenabhängig ausgewählt und beträgt bei einer
Wellenlänge des Laserlichtes von 0,84 Mikrometer
zwischen 50 und 350 Nanometer.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind in den
Unteransprüchen gekennzeichnet.
Nachfolgend werden mehrere Ausführungsbeispiele der Erfindung
anhand der Zeichnung näher erläutert. Es
zeigen:
Fig. 1 eine schematische Ansicht eines bekannten
symmetrischen Wellenleiter-Mach-Zehnder-Interferometers,
Fig. 2 eine schematische Ansicht eines integriert-
optischen Sensors gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel
der Erfindung,
Fig. 3 ein Blockschaltbild einer Vorrichtung zum
Erfassen von absoluten Brechungsindices mit
einem Sensor gemäß Fig. 2,
Fig. 4 einen Querschnitt durch den Wellenleiter des
Sensors nach Fig. 2 entlang seiner Längsachse
mit schematisch gezeichneten Moden-
sowie Energieverteilungen,
Fig. 5 eine schematische Ansicht eines integriert-optischen
Sensors gemäß einem zweiten
Ausführungsbeispiel der Erfindung und
Fig. 6 einen Querschnitt durch den Wellenleiter des
Sensors nach Fig. 2 parallel zu seinen
Stirnflächen.
Die Fig. 1 zeigt einen bekannten integriert-optischen
Sensor 10, der als ein symmetrisches Wellenleiter-
Mach-Zehnder-Interferometer ausgebildet ist.
Der integriert-optische Brechnungsindexsensor 10 gemäß
dem Stand der Technik verfügt über einen Kristall 12
aus einem Glassubstrat, in dem ein Wellenleiter 14
z. B. durch Ionenaustausch eingebracht ist. Der Wellen
leiter 14 weist eine halbzylindrische Form auf und
bildet zwischen Koppelflächen 16 und 17 in den Stirn
flächen 18 und 19 des Substrats 12 ein symmetrisches
Mach-Zehnder-Interferometer. Dieser integriert-optische
Sensor 10 verfügt über zwei gleichlange Interferometer
arme 31 und 32.
Eine Begrenzungsfläche 22 des Wellenleiters 14 fluchtet
mit einer Oberfläche 24 des Substrats 12. Die
Oberfläche 24 des Substrats 12 ist mit einer Abdeckschicht
34, z. B. aus Siliziumoxid, abgedeckt. Lediglich
der Interferometerarm 32 ist in einem durch eine
Schraffur angedeuteten Meßfenster 36 nicht von der
Abdeckschicht 34 bedeckt. Das Meßfenster 36 ist mit
einer gassensitiven Schicht 37 ausgefüllt. In dem Meßfenster
36 kann ein Teil der im Interferometerarm 32
des Wellenleiters 14 geführten Mode in das die Abdeck
schicht 34 kontaktierende und die gassensitive Schicht
37 durchdringende Meßgas 58 hinausragen und von Brechzahländerungen
beeinflußt werden. Die in das die
gassensitive Schicht 37 durchdringende Meßgas 58
hineinragende außerordentliche Mode wird in ihrer
Phase durch Brechungsindexänderungen moduliert. Dadurch,
daß die Interferometerarme 31 und 32 gleich
lang sind, wird das Transmissions- oder Reflexionsausgangssignal
des Interferometers nicht von Temperaturschwankungen
des Meßgases beeinflußt. Es können mit
dem vorbekannten Sensor 10 also relative Brechzahl
schwankungen erfaßt werden.
Zur Erfassung der Brechzahländerungen ist eine Koppelfläche
16 des Wellenleiters 14 mit monochromatischer
Laserstrahlung beaufschlagbar. Ein Großteil dieser
Laserstrahlung wird in dem Wellenleiter 14 geführt;
ein kleinerer Anteil ragt aus der Begrenzungsfläche 22
in das Meßgas 58 hinein. Eine Veränderung des Brechungsindex
des Meßgases 58 führt zu Phasenverschiebungen
innerhalb des durch den Wellenleiter 14, 31 und
32 gebildeten Mach-Zehnder-Interferometers, da eine
Änderung des effektiven Brechungsindex für eine
geführte Mode auftritt und damit zu einer geänderten
Ausgangstransmission oder -reflexion des Interferometers
führt.
Die Fig. 2 zeigt in einer schematischen Ansicht einen
integriert optischen Sensor 20 gemäß einem Ausführungsbeispiel
der Erfindung. Das Substrat 12 in
Gestalt eines Lithiumniobat-Kristalls ist derart
geschnitten, daß die Z-Achse 52 in Richtung der
Oberfläche 24 des Substrats 12 zeigt.
In das Substrat 12 ist von der Oberfläche 24 her ein
Wellenleiter 14 eingebracht, der zur Deutlichkeit der
Zeichnung in der Fig. 2 vergrößert dargestellt ist.
Der halbzylindrische doppelbrechende Wellenleiter 14
ist z. B. durch Titaneindiffusion gebildet worden. Der
Wellenleiter 14 erstreckt sich geradlinig zwischen den
Stirnflächen 18 und 19 des Lithiumniobat-Kristalls.
Vorzugsweise erstreckt sich der Wellenleiter 14
parallel zur Y-Achse 54 des Lithiumniobat-Kristalls
des Substrats 12. Dann ergänzt die normal auf der
Oberfläche 24 stehende X-Achse 61 des Substrates 12
das 3-Achsen-Koordinatensystem.
Der doppelbrechende Wellenleiter 14 hat eine im
wesentlichen halbzylindrische Gestalt mit einer Länge
von einigen Zentimetern, z. B. zwischen drei und vier
Zentimetern, wobei der Halbzylinder zur Oberfläche 24
hin durch die Begrenzungsfläche 22 begrenzt ist. In
den obersten Schichten des Substrats 12 und der
Begrenzungsfläche 22 ist eine protonenausgetauschte
Schicht 56 vorgesehen, deren Dicke nicht zur Führung
einer eigenständigen Mode ausreicht. Die Schicht 56
hat vorzugsweise eine Dicke zwischen 50 und 350
Nanometern und ist ungefähr 10 bis 20mal so breit wie
der Durchmesser des halbzylindrischen Wellenleiters
14. Die Schicht 56 weist die Gestalt eines entlang dem
Wellenleiter 14 in den oberen Schichten des Substrats
12 sich erstreckenden Bandes mit einem quaderförmigen
Volumen auf. Die Schicht 56 kann z. B.
durch entsprechend langes Eintauchen des Substrats 12
in eine heiße Säure, z. B. in Phosphor- oder Benzoesäure,
hergestellt werden.
Die Oberfläche 24, in die die dünne protonenausgetauschte
Schicht 56 eingebracht ist, ist von der
gassensitiven Schicht 37 bedeckt. Die gassensitive
Schicht 37, die z. B. aus Silikon-Glykol-Kopolymeren
hergestellt ist, erstreckt sich entlang und auf der
protonenausgetauschten Schicht 56 in einem Band mit
einem quaderförmigen Volumen. Die Breite des symmetrisch
über der protonenausgetauschten Schicht 56
angeordneten Bandes der gassensitiven Schicht 37
beträgt das anderthalb-fache bis zum dreifachen der
Breite der protonenausgetauschten Schicht 56. Das Band
der gassensitiven Schicht 37 reicht von der hinteren
Stirnfläche 19 mit der Austrittsfläche 17 des Wellen
leiters 14 bis in einen vorderen Bereich 38 des Substrates
12. Der vordere Bereich 38 weist eine möglichst
kleine Länge, von z. B. 10 Millimeter, von der
Eintrittsfläche 16 bis zur gassensitiven Schicht 37
auf.
In dem vorderen Bereich 38 ist auf der Oberfläche 24
ein interdigitaler elektro-akustischer Wandler 39
angeordnet. Der elektro-akustische Wandler 39, der
einen TE-TM-Modenkonverter bildet, verfügt über
fingerartige Kontaktstreifenpaare 40 und 41, die mit
einer Hochfrequenz beaufschlagbar sind. Der schematisch
gezeichnete elektro-akustische Wandler 39 umfaßt
in seinen Kontaktstreifenpaaren 40 und 41 z. B. ver
schieden breite und in verschiedenen Abständen voneinander
angeordnete Streifen 42, die im wesentlichen
in der Ebene der Oberfläche 24 rechtwinklig zum
Wellenleiter 14 angeordnet sind. Die Anordnung der
fingerartigen, ineinandergreifenden Streifen 42 führt
in Verbindung mit der eingespeisten Hochfrequenz zur
Anregung von akustischen Oberflächenwellen, die sich
kollinear zum Wellenleiter 14 ausbreiten. Die anregende
Frequenz liegt im Bereich von bis zu einigen
100 Megahertz.
In der Fig. 2 ist das Band der protonenausgetauschten
Schicht 56 von Stirnfläche zu Stirnfläche 18 und 19
gezeichnet. In einer anderen Ausgestaltung des Sensors
20 kann die protonenausgetauschte Schicht 56 im
vorderen Bereich 38 mit der gassensitiven Schicht 37
enden. Eine weitere in der Zeichnung nicht dargestellte
Ausführungsform weist eine gassensitive
Schicht 37 auf, die wie die protonenausgetauschte
Schicht 56 von Stirnfläche zu Stirnfläche 18 und 19
reicht.
Die Oberfläche der gassensitiven Schicht 37 des
Sensors 20 ist mit einem Meßgas 58 beaufschlagbar. Das
Meßgas 58 reichert sich insbesondere in der gassensitiven
Schicht 37 an. In die Eintrittsfläche 16
wird monochromatisches Eingangs-Laserlicht 82 eingekoppelt,
das in außerordentlicher Polarisationsrichtung
polarisiert ist. Aus der Austrittsfläche 17
tritt das Ausgangs-Laserlicht 83 aus, das einen
Detektor 69 beaufschlagt.
Die Fig. 3 zeigt ein schematisches Blockschaltbild
einer Vorrichtung zum Erfassen von absoluten Bre
chungsindizes mit einem Sensor 20 gemäß Fig. 2. Ein
frequenzstabiler Laser 90 sendet das monochromatische
Eingangs-Laserlicht 82 aus, das bezüglich dem doppel
brechenden Wellenleiter 14 außerordentlich polarisiert
ist. Das Eingangs-Laserlicht 82 ist über die Ein
trittsfläche 16 in den Wellenleiter 14 eingekoppelt.
Die in den Modenverteilungen der Fig. 4 dargestellte
außerordentlich polarisierte Mode 73 wird durch die in
dem elektro-akustischen Wandler 39 erzeugten akustischen
Oberflächenwellen in die ordentlich polarisierte
Mode 75 umgewandelt. Die Umwandlung weist eine
maximale Effektivität bei einer akustischen Frequenz f
der Oberflächenwellen auf, die die folgende Gleichung
erfüllt:
Dabei ist mit V die Phasengeschwindigkeit der akustischen
Oberflächenwellen, mit L die optische Wellenlänge
des eingespeisten Laserlichtes 82 und mit no
bzw. nao der effektive Brechungsindex des Wellenleiters
14 für die ordentliche bzw. außerordentliche
Polarisationsrichtung bezeichnet. Die Phasengeschwindigkeit
V für übliche Materialien beläuft sich auf
ungefähr 3500 Meter pro Sekunde; der Laser 90 sendet
zum Beispiel Licht der Wellenlänge 840 Nanometer aus.
Das zu einem gewissen Anteil umgewandelte und nun
ordentlich polarisierte Ausgangs-Laserlicht 83 tritt
aus der Austrittsfläche 17 aus dem Wellenleiter 14
aus. Es wird in einem in Richtung der ordentlichen
Polarisationsrichtung ausgerichteten Polarisator 91
vorteilhafterweise nachpolarisiert und auf den Detek
tor 69 geleitet. Das Signal des Detektors 69 beaufschlagt
über eine Meßleitung 93 eine Steuer- und
Auswerteelektronik 95.
Die Steuer- und Auswerteelektronik 95 erzeugt ein
Steuersignal, das über eine Steuerleitung 97 einen
Hochfrequenzgenerator 98 beaufschlagt. Der Hoch
frequenzgenerator 98 erzeugt gemäß dem Steuersignal
Signale mit Frequenzen von bis zu einigen 100 Megahertz,
die über eine Ansteuerleitung 99 den elektro-
akustischen Wandler 39 beaufschlagen.
Bei einer Modulation der Anregungsfrequenz des elektro-
akustischen Wandlers 39 um die ideale, die obige
Gleichung erfüllende Frequenz wird eine steile Resonanz
kurve ausgenommen, deren Mittenfrequenz die
Berechnung des außerordentlichen Brechungsindex nao
gestattet. Die Effektivität der Umwandlung ist bei dem
vorbeschriebenen Kristallschnitt am größten, bei dem
die Bezugszeichen 61 der X-Achse, 54 der Y-Achse und
52 der Z-Achse entsprechen. Aber auch die nicht
dargestellte Zuordnung der X-Achse zu 54, der Y-Achse
zu 61 und der Z-Achse zu 52 gestattet einen hohen
Wirkungsgrad bei der Modenkonversion.
Die Hochfrequenzleistung des Hochfrequenzgenerators 98
liegt vorteilhafterweise im Bereich der Lichtleistung
des Lasers 90. Das Durchstimmen der Frequenz des Hoch
frequenzgenerators 98 gestattet die Aufnahme der
Resonanzkurve der Modenkonversion, deren Resonanz
frequenz sehr genau vermessen werden kann. Das Eingangs-
Laserlichtsignal 82 kann auch ordentlich polarisiert
sein. Dann wird die ordentliche Mode 75 durch
die von dem elektro-akustischen Wandler 39 erzeugten
akustischen Oberwellen in die außerordentliche Mode 73
umgewandelt. Entsprechend wird dann das außerordentlich
polarisierte Ausgangs-Laserlicht 83 auf dem
Detektor 69 nachgewiesen.
In der Steuer- und Auswerteelektronik 95 sind Eichkurven
100 abspeicherbar. Zur Ermittlung der Eichkurven
100 wird das Meßgas 58 durch ein Vakuum ersetzt.
Über den Zahlenwert der resonanten Hochfrequenz
für das Vakuum ist für den Brechungsindex n = 1 des
"Meßgases 58" der zugehörige außerordentliche Bre
chungsindex nao bestimmbar. Durch kontrolliertes
Einlassen eines bekannten Gases in den Meßraum ist
eine Eichkurve 100, bei der der gesuchte Brechungsindex
des Eich- bzw. Meßgases über die Zwischengröße
nao der Hochfrequenz f zuordbar ist, für eine
bestimmte Temperatur erstellbar. Verschiedene Eichkurven
100 für verschiedene Temperaturen können zum
Beispiel in einem EPROM abgespeichert sein.
Die Fig. 4 zeigt einen Querschnitt durch den Wellenleiter
14 des Sensors 20 entlang seiner Längsachse mit
schematisch gekennzeichneten Moden-Feld-Verteilungen und
verdeutlicht die Funktionsweise des Sensors 20. In dem
Substrat 12 ist der doppelbrechende Wellenleiter 14
angeordnet, der durch die dünne protonenausgetauschte
Schicht 56 abgedeckt ist. Die dünne protonenausgetauschte
Schicht 56 ist mit einer übertrieben gezeichneten
Dicke von 50 bis 350 Nanometern nicht zur
Führung einer Mode fähig. Auf der protonenausgetauschten
Schicht 56 ist die gassensitive Schicht 37 angeordnet.
Die gassensitive Schicht 37 ist mit dem
Meßgas 58 beaufschlagt, das auch die gassensitive
Schicht 37 durchdringt.
Weiterhin sind in der Fig. 4 die Feldverteilungen 73
und 75 eingezeichnet. Die Feldverteilung 73 kennzeichnet
den Feldverlauf der außerordentlichen Mode
und die Feldverteilung 75 den der ordentlichen Mode.
Die protonenausgetauschte Schicht 56 hat die Eigenschaft,
daß in dem doppelbrechenden Wellenleiter 14
der Schwerpunkt der ordentlichen Mode 75 in das
Substrat 12 verlagert wird, so daß nur ein geringer
Anteil der ordentlichen Mode 75 außerhalb der pro
tonenausgetauschten Schicht 56 und damit oberhalb der
Oberfläche 24 im Meßgas 58 geführt wird. Die protonen
ausgetauschte Schicht 56 hat weiterhin die Eigenschaft
daß die außerordentliche Mode 73 sich vorzugsweise
in der protonenausgetauschten Schicht 56
propagiert, und dadurch die außerordentliche Mode 73
aus dem Substrat 12 herausgezogen und weiter in das
Meßgas 58 verlagert wird. Die außerordentliche Mode 73
entspricht der quasi-TE-Mode bei dem beschriebenen
Kristallschnitt, bei dem die Y-Achse 54 entlang dem
Wellenleiter verläuft.
Dadurch ist die ordentliche Mode 75 nur für Temperaturschwankungen
des Meßgases 58 und die damit verbundenen
Temperaturschwankungen des Wellenleiters 14
empfindlich, während die außerordentliche Mode 73 auch
auf Brechzahlschwankungen desselben Volumens des
Meßgases 58 reagiert.
Die akustische Frequenz, die einer maximalen Umwandlung
der außerordentlichen Mode entspricht, ist der Absolutdifferenz
der Wellenleiterdoppelbrechung
| no-nao | proportional. Bei einer Änderung des
Brechungsindex der gassensitiven Schicht 37 unter der
Wirkung eines in dieser Schicht 37 absorbierten
Gases 58 ändert sich auch die Wellenleiterdoppelbrechung,
da nao der effektive Brechungsindex für die
evaneszente Welle ist, die in die gassensitive Schicht
37 hineinragt. Die sich ändernde Resonanzfrequenz für
die akustischen Oberflächenwellen ist so ein Maß für
den absoluten Brechungsindex der gassensitiven Schicht
37 und damit auch ein Maß für die Gaskonzentration des
Meßgases 58.
Die Fig. 5 zeigt eine schematische Ansicht eines
integriert-optischen Sensors 30 zur gleichzeitigen
Absolutmessung von Temperatur und Brechungsindex gemäß
einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung. Das
einstückige Substrat 12 umfaßt einen den Brechungsindex
erfassenden Teil 105 und einen die Temperatur
erfassenden Teil 106.
Der den Brechungsindex erfassende Teil 105
ist wie der Sensor 20 gemäß Fig. 2 aufgebaut, dessen
Merkmale in der Fig. 5 mit denselben Bezugszeichen
versehen sind. Die Modenkonversion des außerordentlich
polarisierten Eingangs-Laserlichtes 82 durch die vom
elektro-akustischen Wandler 39 erzeugten Oberflächen
wellen in das ordentlich polarisierte Ausgangs-Laserlicht
83 wird daher nicht näher beschrieben.
Ein zweiter Strahl 84 des außerordentlich polarisierten
Eingangs-Laserlichtes 82 beaufschlagt die zweite
Eintrittsfläche 16′ eines halbzylindrischen zweiten
Wellenleiters 14′, der parallel und in einem größeren
seitlichen Abstand entlang der Z-Achse 52 von z. B.
5 Millimetern zu dem Wellenleiter 14 verläuft. Der
ebenfalls durch Ti-Eindiffusion hergestellte zweite
Wellenleiter 14′ endet in der Stirnfläche 19 in einer
zweiten Austrittsfläche 17′.
Vorzugsweise erstrecken sich die Wellenleiter 14
und 14′ parallel zur Y-Achse 54 des Lithiumniobat-Kristalls
des Substrats 12. Dann ergänzt die normal auf
der Oberfläche 24 stehende X-Achse 61 des Substrates
12 das 3-Achsen-Koordinatensystem.
In den obersten Schichten des Substrates 12 und der
Begrenzungsfläche 22 ist eine zweite protonenausgetauschte
Schicht 56′ vorgesehen, deren Dicke nicht
zur Führung einer eigenständigen Mode ausreicht. Die
Schicht 56′ verfügt über die gleiche Dicke und Breite
wie die protonenausgetauschte Schicht 56. Die Schicht
56′ ist in der Gestalt eines entlang dem Wellenleiter
14′ in den oberen Schichten des Substrats 12 sich
erstreckenden Bandes mit einem quaderförmigen Volumen
ausgebildet. Die Schicht 56′ weist die gleichen
räumlichen Dimensionen wie die Schicht 56 auf, insbesondere
reicht sie ebenfalls nur bis zum vorderen
Bereich 38 des Substrates 12.
In dem vorderen Bereich 38 ist auf der Oberfläche 24
über dem zweiten Wellenleiter 14′ ein zweiter elektro-
akustischer Wandler 39′ angebracht, der in seiner Lage
und in dem Aufbau seiner Kontaktstreifenpaare bezüglich
dem elektro-akustischen Wandler 39 symmetrisch angeordnet ist.
Der den Temperatur erfassenden Teil 106 beaufschlagende
außerordentliche Laserstrahl 84 wird in dem
zweiten Wellenleiter 14′ geführt. Dabei ragen Feldanteile
der geführten Mode aus dem Wellenleiter 14′ in
das Meßgas 58. Der effektive Brechungsindex für die
außerordentliche Mode 73 hängt dabei im wesentlichen
nur noch von der Temperatur der oberen Schichten des
Substrates 12 und damit des Meßgases 58 ab. Eine
Messung der Modenkonversion durch die durch den
zweiten elektro-akustischen Wandler 39′ angeregten
Oberflächenwellen gestattet die präzise absolute
Temperaturmessung des Meßgases 58, da die Brechungsindices
no und nao unterschiedlich stark von der
Temperatur abhängen.
Durch die Verwendung eines Substrates mit zwei parallel
verlaufenden Wellenleitern 14 und 14′ ist der
Brechungsindex, und damit die Gaskonzentration sowie
die Temperatur des Meßgases 58 in einem Volumen genau
erfaßbar.
In einer einfachen Weiterbildung des Sensors 20 gemäß
Fig. 2 ist auch mit dem nur einen Wellenleiter 14
aufweisenden Sensor 20 die Temperatur bestimmbar. Es
wird ein ordentlich polarisierter Eingangs-Lichtstrahl
82 in den Wellenleiter 14 eingespeist, der durch die
akustischen Oberflächenwellen in einen außerordentlich
polarisierten Ausgangs-Lichtstrahl 83 umgewandelt
wird, der von dem Detektor 69 nachgewiesen wird.
Die Eintrittsfläche 16 und die Austrittsfläche 17 sind
poliert und vorteilhafterweise verspiegelt, so daß ein
Fabry-P´rot-Interferometer entsteht. Der Hochfrequenzgenerator
98 wird von einem Rechteck-Modulator
mit einer Frequenz von z. B. einigen Kilohertz ein- und
ausgeschaltet. Die eingekoppelte ordentliche Mode 73
ist unempfindlich gegenüber Änderungen des Brechungsindex
in der gassensitiven Schicht 37. Vorteilhafter
weise ist der Laser 80 an die Steuer- und Aus
werteelektronik 95 angeschlossen, die die optische
Laserfrequenz derart vorbestimmt, daß die nach der
Vielfachreflexion in dem Fabry-P´rot-Interferometer
transmittierte Intensität möglichst in der Nähe der
halben maximal transmittierten Intensität liegt. Dann
ist der integriert-optische Sensor 20 für Temperatur
schwankungen um diesen Gleichgewichtszustand sehr
empfindlich. Die Verwendung des Sensors 20 im Zeitmultiplex
mit einigen Kilohertz gestattet eine quasi-
gleichzeitige Aufnahme der Brechzahl und von Temperaturschwankungen
des Meßgases 58.
Die Fig. 6 zeigt einen Querschnitt durch den Wellenleiter
14 des Sensors 20 nach Fig. 2 parallel zu
seinen Stirnflächen 18 bzw. 19. Deutlich ist die
Schichtenfolge von protonenausgetauschter Schicht 56
und gassensitiver Schicht 37 oberhalb des Wellenleiters
14 erkennbar. Auf beiden Seiten der proto
nenausgetauschten Schicht 56 sind Führungsschichten
102 und 103 von stark Ti-dotiertem Lithiumniobat
vorgesehen. Die Titan-dotierten Führungsschichten 102
und 103 erhöhen die Phasengeschwindigkeit der akustischen
Oberflächenwellen, so daß diese innerhalb
der gassensitiven Schicht 37 und insbesondere innerhalb
der protonenausgetauschten Schicht 56 entlang dem
Wellenleiter 14 geführt werden. Die protonenausgetauschte
Schicht 56, die im Querschnitt eine Breite
von 100 Mikrometern aufweist, senkt die Phasengeschwindigkeit
in dem sie bildenden Band um z. B.
ein Prozent. Durch die einander unterstützenden
Wirkungen der Erniedrigung der Phasengeschwindigkeit
in der Nähe des Wellenleiters 14 und ihre Erhöhung in
den seitlich zum Wellenleiter 14 versetzten Führungs
schichten 102 und 103 gestatten eine gute Führung der
akustischen Oberflächenwellen in der Nähe des Wellenleiters
14.
Beim Sensor 30 nach Fig. 5 ist eine in der Zeichnung
nicht dargestellte, weitere Führungsschicht zwischen
den Wellenleitern 14 und 14′ angeordnet, die parallel
zu diesen verläuft und mit einer Titan-Dotierung
gleicher Konzentration versehen ist. Dadurch sind die
akustischen Oberflächenwellen, die von den elektro-
akustischen Wandlern 39 und 39′ erzeugt werden, sicher
voneinander entkoppelt.
Die Verwendung von Lithiumniobat (LiNbO₃) mit seinem
hohen Brechungsindex als Substrat 12 gestattet den
Einsatz einer Vielzahl von gassensitiven Schichten 37,
die üblicherweise geringere Brechungsindices aufweisen.
Claims (12)
1. Integriert-optischer Sensor zur Erfassung des
Brechungsindex von Gasen mit einem Substratkörper (12)
aus Lithiumniobat, in dem ein monomodiger Wellenleiter
(14) vorgesehen ist, der sich zwischen zwei Stirnflächen
(18, 19) des Substratkörpers (12) entlang dessen
Oberfläche (24) erstreckt, wobei eine Eintrittsstirnfläche
(16) des Wellenleiters (14) mit Laserstrahlung
(82) und ein Lichtdetektor (69) mit dem in Transmission
von der Austrittsendfläche (17) des Wellenleiters
(14) abgestrahlten Meßlicht (75 bzw. 73) beaufschlagbar
ist, dadurch gekennzeichnet,
daß sich der doppelbrechende Wellenleiter (14)
im Substratkörper (12) entlang der X- oder Y-Schnitt
achse (54) des geschnittenen Lithiumniobat-Kristalls
(12) erstreckt, daß eine dünne, zur Führung einer Mode
nicht ausreichend dicke Schicht (56) aus protonenaus
getauschtem Lithiumniobat in einer seitlichen Begrenzungsfläche
(22) des Wellenleiters (14) vorgesehen
ist, daß die seitliche Begrenzungsfläche (22) mit
einer gassensitiven Schicht (37) bedeckt ist, die mit
einem Meßgas (58) beaufschlagbar ist, daß auf der
Oberfläche (24) ein am eintrittsstirnflächenseitigen
(16) Ende angeordneter elektro-akustischer Wandler
(39) vorgesehen ist, mit dem in der seitlichen Begren
zungsfläche (22) zu dem Wellenleiter (14) kollineare
akustische Oberflächenwellen erzeugbar sind, daß die
die Eintrittsstirnfläche (16) beaufschlagende Laser
strahlung (82) linear in der ordentlichen (75) oder in
der außerordentlichen (73) Polarisationsrichtung (61)
polarisiert ist, wobei der Lichtdetektor (69) für die
jeweils in ihrer Polarisationsrichtung um 90 Grad gedrehte
Laserstrahlung (73, bzw. 75) empfindlich ist.
2. Sensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß sich der doppelbrechende Wellenleiter (14) im Sub
stratkörper (12) entlang der X-Schnittachse (54) des
geschnittenen Lithiumniobat-Kristalls (12) erstreckt.
3. Sensor nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch
gekennzeichnet, daß die protonenausgetauschte Schicht
(56) eine Dicke zwischen 50 und 350 Nanometern aufweist.
4. Sensor nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet, daß die protonenausgetauschte Schicht
(56) die Gestalt eines in der seitlichen Begrenzungsfläche
(22) vorgesehenen Bandes mit einer Breite von
ungefähr fünfmal bis zwanzigmal der Breite des Wellenleiters
(14) aufweist.
5. Sensor nach einem der vorstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß auf beiden Seiten der
protonenausgetauschten Schicht (56) Ti-eindiffundierte
Bereiche (102, 103) vorgesehen sind.
6. Sensor nach einem der vorstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die gassensitive Schicht
(37) die Gestalt eines auf der seitlichen Begrenzungsfläche
(22) vorgesehenen Bandes mit einer Breite von
ungefähr 1- bis 30-fachen der Breite des Wellenleiters
(14) aufweist.
7. Sensor nach einem der vorstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die gassensitive Schicht
(37) aus Silikon-Glykol-Kopolymeren besteht.
8. Sensor nach einem der vorstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß der Wellenleiter (14) aus
Titan- oder Vanadium-dotiertem Lithiumniobat besteht.
9. Sensor nach einem der vorstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Koppelflächen bildenden
Eintrittsstirn- und Austrittsendflächen (16 bzw.
17) des Wellenleiters (14) hochreflektierend und
poliert ausgebildet sind.
10. Sensor nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet,
daß die Koppelflächen (16, 17) mit einem dielektrischen
oder metallischen Spiegelmaterial bedampft sind.
11. Sensor nach einem der vorstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Laserstrahlung eine
Wellenlänge im Bereich von 450 bis 1600 Nanometer hat.
12. Sensor nach einem der vorstehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß eine Auswerteelektronik
(95) vorgesehen ist, die über eine Frequenz-
Steuerleitung (97) mit einem Hochfrequenz-Generator
(98) verbunden ist, dessen hochfrequentes Aus
gangssignal den elektro-akustischen Wandler (39)
beaufschlagt, daß die Auswerteelektronik (95) mit dem
Lichtdetektor (69) verbunden ist und daß in der
Auswerteelektronik (95) eine Eichkurve (100) speicher
bar ist, die jeder Frequenz der anregbaren Oberflächenwellen
den entsprechenden Brechungsindex (nao) des
doppelbrechenden Wellenleiters (14) im Substratkörper
(12) bezüglich der außerordentlichen Polarisation
zuordnet.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3929340A DE3929340A1 (de) | 1989-09-04 | 1989-09-04 | Integriert-optischer sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3929340A DE3929340A1 (de) | 1989-09-04 | 1989-09-04 | Integriert-optischer sensor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3929340A1 true DE3929340A1 (de) | 1991-03-14 |
DE3929340C2 DE3929340C2 (de) | 1992-02-06 |
Family
ID=6388605
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3929340A Granted DE3929340A1 (de) | 1989-09-04 | 1989-09-04 | Integriert-optischer sensor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3929340A1 (de) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4037431A1 (de) * | 1990-11-24 | 1992-05-27 | Fraunhofer Ges Forschung | Optischer sensor |
DE4132136C1 (en) * | 1991-09-26 | 1992-12-17 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung Ev, 8000 Muenchen, De | Integrated optical light conductor extending along substrate surface - has thin strip-form layer, not thick enough to convey mode, extending at least along part of length and of higher refractive index |
DE4138222C1 (en) * | 1991-11-21 | 1992-12-24 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung Ev, 8000 Muenchen, De | Integrated optical sensor for refractive index measurement esp. of liq. - has Mach-Zehnder interferometer formed from two arms of optical waveguide, and acousto=optical mode converter with continuously variable frequency |
DE4138221C1 (en) * | 1991-11-21 | 1993-04-29 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung Ev, 8000 Muenchen, De | Integrated optical sensor for absolute measurement of gaseous refractive indices - has several measurement regions each covered by film sensitive to specific gas, transducer, and wave guide |
WO1993020430A1 (en) * | 1992-04-02 | 1993-10-14 | Battelle Memorial Institute | Integrated optical compensating refractometer apparatus |
DE4319388C1 (de) * | 1993-06-11 | 1994-10-06 | Fraunhofer Ges Forschung | Integriert-optischer Sensor zum Messen der Konzentration von in einer Lösung gelösten optisch aktiven Substanzen |
DE4317551A1 (de) * | 1993-05-26 | 1994-12-08 | Fraunhofer Ges Forschung | Anordnung zum Messen der Konzentration von in einer Lösung gelösten optisch aktiven Substanzen |
DE19503931A1 (de) * | 1995-02-07 | 1996-08-14 | Ldt Gmbh & Co | Streifen - Wellenleiter und Verwendungen |
US5565978A (en) * | 1993-04-15 | 1996-10-15 | Japan Energy Corporation | Total-reflection type refractive index sensor |
DE19546227A1 (de) * | 1995-11-30 | 1997-06-05 | Fraunhofer Ges Forschung | Integriert optisches Funktionselement auf Polymerbasis |
US5832155A (en) * | 1995-02-07 | 1998-11-03 | Ldt Gmbh & Co. Laser-Display-Technologie Kg | Combination splitting device composed of strip waveguides and uses thereof |
US5838869A (en) * | 1995-02-07 | 1998-11-17 | Ldt Gmbh & Co. Laser-Display-Technologie Kg | Strip waveguide and uses thereof |
FR2871573A1 (fr) * | 2004-06-11 | 2005-12-16 | Cybernetix Sa | Detecteur et procede de detection optique et electrique d'au moins un gaz determine dans une atmosphere ambiante |
DE102015224079A1 (de) * | 2015-12-02 | 2017-06-08 | Robert Bosch Gmbh | Lichtleitvorrichtung, Messsystem und Verfahren zum Herstellen einer Lichtleitvorrichtung |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4433844A1 (de) * | 1994-09-22 | 1996-03-28 | Fraunhofer Ges Forschung | TE/TM-Modenkonverter |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2834344A1 (de) * | 1977-08-05 | 1979-02-15 | Thomson Csf | Verfahren zur herstellung einer optoelektronischen integrierten struktur und eine solche enthaltender optoelektronischer bauteil |
DE3149733A1 (de) * | 1980-12-15 | 1982-06-16 | Western Electric Co., Inc., 10038 New York, N.Y. | "polarisationswandler" |
DE3604531A1 (de) * | 1986-02-13 | 1987-08-20 | Kurt Kern Gmbh & Co Kg | Verfahren zur herstellung von zahnersatzteilen und vorrichtung zur durchfuehrung dieses verfahrens |
DE3902609A1 (de) * | 1988-05-09 | 1989-11-16 | Jenoptik Jena Gmbh | Einrichtung zur automatischen photometrischen analyse kleinster probenmengen |
DE3814844A1 (de) * | 1988-05-02 | 1989-11-16 | Iot Entwicklungsgesellschaft F | Verfahren und vorrichtung zur bestimmung der brechzahl n einer substanz |
-
1989
- 1989-09-04 DE DE3929340A patent/DE3929340A1/de active Granted
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2834344A1 (de) * | 1977-08-05 | 1979-02-15 | Thomson Csf | Verfahren zur herstellung einer optoelektronischen integrierten struktur und eine solche enthaltender optoelektronischer bauteil |
DE3149733A1 (de) * | 1980-12-15 | 1982-06-16 | Western Electric Co., Inc., 10038 New York, N.Y. | "polarisationswandler" |
DE3604531A1 (de) * | 1986-02-13 | 1987-08-20 | Kurt Kern Gmbh & Co Kg | Verfahren zur herstellung von zahnersatzteilen und vorrichtung zur durchfuehrung dieses verfahrens |
DE3814844A1 (de) * | 1988-05-02 | 1989-11-16 | Iot Entwicklungsgesellschaft F | Verfahren und vorrichtung zur bestimmung der brechzahl n einer substanz |
DE3902609A1 (de) * | 1988-05-09 | 1989-11-16 | Jenoptik Jena Gmbh | Einrichtung zur automatischen photometrischen analyse kleinster probenmengen |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5377008A (en) * | 1990-09-20 | 1994-12-27 | Battelle Memorial Institute | Integrated optical compensating refractometer apparatus |
DE4037431A1 (de) * | 1990-11-24 | 1992-05-27 | Fraunhofer Ges Forschung | Optischer sensor |
DE4132136C1 (en) * | 1991-09-26 | 1992-12-17 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung Ev, 8000 Muenchen, De | Integrated optical light conductor extending along substrate surface - has thin strip-form layer, not thick enough to convey mode, extending at least along part of length and of higher refractive index |
DE4138222C1 (en) * | 1991-11-21 | 1992-12-24 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung Ev, 8000 Muenchen, De | Integrated optical sensor for refractive index measurement esp. of liq. - has Mach-Zehnder interferometer formed from two arms of optical waveguide, and acousto=optical mode converter with continuously variable frequency |
DE4138221C1 (en) * | 1991-11-21 | 1993-04-29 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung Ev, 8000 Muenchen, De | Integrated optical sensor for absolute measurement of gaseous refractive indices - has several measurement regions each covered by film sensitive to specific gas, transducer, and wave guide |
WO1993020430A1 (en) * | 1992-04-02 | 1993-10-14 | Battelle Memorial Institute | Integrated optical compensating refractometer apparatus |
US5565978A (en) * | 1993-04-15 | 1996-10-15 | Japan Energy Corporation | Total-reflection type refractive index sensor |
DE4317551A1 (de) * | 1993-05-26 | 1994-12-08 | Fraunhofer Ges Forschung | Anordnung zum Messen der Konzentration von in einer Lösung gelösten optisch aktiven Substanzen |
DE4319388C1 (de) * | 1993-06-11 | 1994-10-06 | Fraunhofer Ges Forschung | Integriert-optischer Sensor zum Messen der Konzentration von in einer Lösung gelösten optisch aktiven Substanzen |
DE19503931A1 (de) * | 1995-02-07 | 1996-08-14 | Ldt Gmbh & Co | Streifen - Wellenleiter und Verwendungen |
DE19503930A1 (de) * | 1995-02-07 | 1996-10-24 | Ldt Gmbh & Co | Verbindungsaufspalter aus Streifen-Wellenleitern und Verwendungen |
US5832155A (en) * | 1995-02-07 | 1998-11-03 | Ldt Gmbh & Co. Laser-Display-Technologie Kg | Combination splitting device composed of strip waveguides and uses thereof |
US5838869A (en) * | 1995-02-07 | 1998-11-17 | Ldt Gmbh & Co. Laser-Display-Technologie Kg | Strip waveguide and uses thereof |
DE19546227A1 (de) * | 1995-11-30 | 1997-06-05 | Fraunhofer Ges Forschung | Integriert optisches Funktionselement auf Polymerbasis |
FR2871573A1 (fr) * | 2004-06-11 | 2005-12-16 | Cybernetix Sa | Detecteur et procede de detection optique et electrique d'au moins un gaz determine dans une atmosphere ambiante |
DE102015224079A1 (de) * | 2015-12-02 | 2017-06-08 | Robert Bosch Gmbh | Lichtleitvorrichtung, Messsystem und Verfahren zum Herstellen einer Lichtleitvorrichtung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3929340C2 (de) | 1992-02-06 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |