DE3922833A1 - Ofen zur waermebehandlung von halbleiterscheiben und verfahren zum betrieb desselben - Google Patents
Ofen zur waermebehandlung von halbleiterscheiben und verfahren zum betrieb desselbenInfo
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE8908382U DE8908382U1 (de) | 1989-07-09 | 1989-07-09 | Ofen zur Wärmebehandlung von Halbleiterscheiben |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3922833A1 true DE3922833A1 (de) | 1991-01-10 |
| DE3922833C2 DE3922833C2 (https=) | 1992-05-21 |
Family
ID=6840939
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE3922833A Granted DE3922833A1 (de) | 1989-07-09 | 1989-07-09 | Ofen zur waermebehandlung von halbleiterscheiben und verfahren zum betrieb desselben |
| DE8908382U Expired - Lifetime DE8908382U1 (de) | 1989-07-09 | 1989-07-09 | Ofen zur Wärmebehandlung von Halbleiterscheiben |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE8908382U Expired - Lifetime DE8908382U1 (de) | 1989-07-09 | 1989-07-09 | Ofen zur Wärmebehandlung von Halbleiterscheiben |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (2) | DE3922833A1 (https=) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4338506A1 (de) * | 1993-11-11 | 1995-05-18 | Daimler Benz Ag | Anordnung zur thermischen Behandlung von Halbleitersubstraten |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE1159567B (de) * | 1960-10-14 | 1963-12-19 | Telefunken Patent | Vorrichtung zum gleichzeitigen Herstellen ebener Diffusionsfronten in mehreren Halbleiterkoerpern, insbesondere fuer Transistoren oder Dioden |
| DE3544812A1 (de) * | 1985-12-18 | 1987-06-25 | Heraeus Schott Quarzschmelze | Doppelwand-quarzglasrohr fuer die durchfuehrung halbleitertechnologischer prozesse |
| DE8801785U1 (de) * | 1988-02-11 | 1988-11-10 | Söhlbrand, Heinrich, Dr. Dipl.-Chem., 8027 Neuried | Vorrichtung zur Temperaturbehandlung von Halbleitermaterialien |
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| DE8902307U1 (de) * | 1989-02-27 | 1989-08-31 | Söhlbrand, Heinrich, Dr. Dipl.-Chem., 8027 Neuried | Vorrichtung zur thermischen Behandlung von Halbleitermaterialien |
| DE3906075A1 (de) * | 1989-02-27 | 1990-08-30 | Soehlbrand Heinrich Dr Dipl Ch | Verfahren zur thermischen behandlung von halbleitermaterialien und vorrichtung zur durchfuehrung desselben |
-
1989
- 1989-07-09 DE DE3922833A patent/DE3922833A1/de active Granted
- 1989-07-09 DE DE8908382U patent/DE8908382U1/de not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE8908382U1 (de) | 1990-11-08 |
| DE3922833C2 (https=) | 1992-05-21 |
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