DE3917707A1 - Elektronisches modul und verfahren zu seiner herstellung - Google Patents

Elektronisches modul und verfahren zu seiner herstellung

Info

Publication number
DE3917707A1
DE3917707A1 DE19893917707 DE3917707A DE3917707A1 DE 3917707 A1 DE3917707 A1 DE 3917707A1 DE 19893917707 DE19893917707 DE 19893917707 DE 3917707 A DE3917707 A DE 3917707A DE 3917707 A1 DE3917707 A1 DE 3917707A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
module according
contacts
contact
semiconductor element
bumps
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE19893917707
Other languages
English (en)
Inventor
Volker Rohde
Detlev Schmitter
Hans Steckhan
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE19893917707 priority Critical patent/DE3917707A1/de
Publication of DE3917707A1 publication Critical patent/DE3917707A1/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • G06K19/07745—Mounting details of integrated circuit chips
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • G06K19/07743—External electrical contacts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49855—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers for flat-cards, e.g. credit cards
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein elektronisches Modul gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Bauteile dieser Art befinden sich bereits auf dem Markt.
Für spezielle Anwendungen, beispielsweise zum Einbau in normier­ te Chipkarten oder miniaturisierte Hörgeräte, benötigt man Mo­ dule, die starke mechanische Belastungen vertragen , dabei eine flache Bauform haben und insgesamt kostengünstig hergestellt werden können.
Flachmodule werden derzeit, wenn es um die Fertigung großer Stückzahlen geht, vorwiegend in der sogenannten Drahtmontage­ technik realisiert. Bei diesem Kontaktierungsverfahren metal­ lisiert man zunächst eine Kunststoffolie, gibt dann der Metal­ lisierung eine Struktur, bei der eine zentrale Trägerfläche von mehreren Lesekontakten umgeben ist, und veredelt schließlich die einzelnen Metallbereiche. Dann versieht man die Kunststoff­ folie im Bereich der Trägerfläche mit einer zentralen Durchbre­ chung und oberhalb der einzelnen Lesekontakte jeweils mit einem Kontaktierungsloch. Anschließend wird der Chip in die zentrale Durchbrechung eingesetzt und mit der Trägerfläche verklebt. Hier­ nach fixiert man an der freiliegenden Chipoberfläche Bonddrähte, führt diese Drähte durch die Kontaktlöcher und verfestigt sie dort mit den zugehörigen Lesekontakten. Abschließend wird die gesamte Anordnung mit einem Kunststofftropfen abgedeckt, um sie zu versteifen und auch gegen mechanische Beschädigungen zu schützen. Diese herkömmliche Montagetechnik ist in mehrfacher Hinsicht noch nicht zufriedenstellend:
  • - Die Drahtverbindungen sind aufgrund ihrer Geometrie mechanisch nicht sonderlich stabil und können insbesondere bei Verbiegun­ gen leicht brechen.
  • - Die Kunststoffabdeckung läßt sich nicht ohne weiteres mit ei­ ner definierten Dicke herstellen. Man muß sie dann, wenn eine bestimmte Modulhöhe vorgegeben ist, auf das verlangte Maß ab­ schleifen und entsprechende Mehrkosten in Kauf nehmen.
  • - Wenn das Bauteil flach sein soll, muß man, da die Drahtbogen­ führung und die Kunststoffabdeckung eine Bauhöhe von min­ destens 300µm beanspruchen, zu extrem flachen Halbleiterchips von beispielsweise unter 200µm übergehen. Chips dieser Stär­ ke können nur aus Wafern mit begrenztem Durchmesser, also re­ lativ unrationell, hergestellt werden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Modul der eingangs genannten Art anzugeben, das mechanisch robust ist, ohne wei­ teres in eine flache Form gebracht werden kann und nicht zuletzt auch unter Kostengesichtspunkten attraktiv ist. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Modul mit den Merkmalen des Pa­ tentanspruchs 1 gelöst.
Das Prinzip, einen mit Höckern versehenen Chip "umgekehrt" auf seinen Träger zu fixieren, d.h. schmelzfähige Höcker direkt auf Metallbahnen einer Leiterplatte aufzusetzen und in dieser Po­ sition zu verlöten, ist an sich bekannt, und zwar unter der Bezeichnung "Flipchip-Kontaktierung" (vgl. hierzu beispielsweise in der von Hans-Jürgen Hacke verfaßten Monographie "Montage in­ tegrierter Schaltungen", Springer Verlag, 1987, das Kapitel 4.3). Bei diesem Montierverfahren geht es allerdings darum, die Anzahl von Kontaktstellen zu reduzieren, Signallaufzeiten zu verkürzen und die Packungsdichte zu erhöhen. Davon abgesehen bezieht sich die bekannte Flipchip-Technik auch auf Anordnungen, bei denen sich die zu kontaktierenden Leiterbahnen auf der dem Chip zu­ gewandten statt - wie erfindungsgemäß vorgeschrieben - abgewand­ ten Trägerseite befinden.
Ist bei einem erfindungsgemäßen Modul die Kunststoffolie so dick, daß zwischen den Höckern, die normalerweise etwa 20µm hoch sind, und ihren Lesekontakten ein Spalt verbleibt, so muß der elektrische Kontakt durch zusätzliche Maßnahmen hergestellt werden. Bewährt haben sich hierbei insbesondere zwei Alterna­ tiven: Man schließt den Spalt entweder mit einer Lotpaste (z.B. Sn/Pb) oder durch eine galvanische Verstärkung des Lesekontaktes und führt dann - in beiden Fällen - eine Reflow-Lötung durch.
Bei Kunststoffolien mit Dicken unter 20µm bietet es sich an, die Höcker so zu gestalten, daß sie durch eine einfache Nachbe­ handlung auf die richtige Höhe reduziert werden können. Denk­ bar wäre die Verwendung von schmelzbaren, etwa aus In/Pb beste­ henden Höckern oder von - vorzugsweise galvanisch aufgebrachten oder als Nailhead angeformten - Goldhöckern, die dann mit einer Reflow-Lötung aufgeschmolzen bzw. durch eine Thermokompression gestaucht werden.
Wenn die Höcker eine Höhe haben, die etwas größer ist als die Dicke der Kunststoffolie, verbleibt zunächst zwischen Folie und Chip ein Spalt. In diesem Raum kann man, am besten durch eine Einfüllöffnung im Träger, einen Kleber oder Lack einbringen, der dann die empfindliche Halbleiteroberfläche schützt und überdies dem Chip einen noch besseren Halt gibt.
Um das Modul auch vor massiveren mechanischen Einwirkungen und insbesondere vor starken Verbiegungen zu schützen, sollte man das Halbleiterelement mit einem versteifenden Rahmen umgeben, der auf der Kunststoffolie fixiert wird und den Chip allseitig umgibt. Dieses Teil könnte aus Metall, etwa Aluminium, oder einem duro- bzw. thermoplastischen Kunststoff bestehen und das Bauelement um ein gewisses Maß überragen.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung, insbesondere rationelle Fertigungsverfahren, sind Gegenstand zusätzlicher Ansprüche.
Die Erfindung soll nun anhand zweier Ausführungsbeispiele unter Bezugnahme auf die beigefügte Zeichnung näher erläutert werden. In den Figuren der Zeichnung sind einander entsprechende Teile mit gleichen Bezugszeichen versehen. Es zeigen:
Fig. 1 in einer Draufsicht ein erstes Ausführungsbeispiel, bei dem die Kunststoffolie relativ dick ist;
Fig. 2 das Modul der Fig. 1 im Schnitt II-II; und
Fig. 3 in der gleichen Darstellungsweise wie Fig. 2 ein wei­ teres, mit einer relativ dünnen Kunststoffolie ver­ sehenes Ausführungsbeispiel.
Das Modul der Fig. 1 und 2 ist zur Verwendung in einer Chipkarte vorgesehen. Solche Karten, die bereits in mehreren Ausführungen im Gebrauch sind, haben eine normierte Dicke von 0,76 mm und müssen bestimmte Biegebelastungen vertragen können.
Das dargestellte Modul enthält einen Halbleiterchip 1, einen zweilagigen, aus einer Kunststoffolie 2 und Lesekontakten 3 gebildeten Träger 4 sowie einen Kunststoffrahmen 5.
Die Kunststoffolie 2, die aus einem etwa 35µm dicken, flexib­ len Kunststoff besteht, besitzt Kontaktlöcher 6 und eine Füll­ öffnung 7. Die Lesekontakte 3 bestehen jeweils aus einer etwa 35µm starken, mit einer 2 bis 3µm starken Nickelschicht und darüber einer zwischen 0,4 und 3µm dicken Goldschicht veredel­ ten Kupferschicht. Die Durchbrüche sind so angeordnet, daß je ein Kontaktloch 6 zu einem der Lesekontakte 3 führt und die Ein­ füllöffnung 7 freiliegt.
Der Chip 1 enthält Höcker 8, die von der die Schaltung aufweisen­ den Chipfläche ("Vorderseite") ausgehen und jeweils in eines der Kontaktlöcher hineinragen. Diese Höcker sind, wie man der Fig. 2 entnimmt, über eine Lotbrücke 9 mit den ihnen jeweils zu­ geordneten Lesekontakten elektrisch leitend verbunden. Die em­ pfindliche Vorderseite des Chips 1 ist im übrigen mit einem Lack 10 überzogen, der durch die Einfüllöffnung 7 eingegeben worden ist. Der Chip ist damit gegen Beschädigungen geschützt und zusätzlich fixiert.
Einen weiteren Schutz vor mechanischen Einwirkungen bietet der Rahmen 5, ein flaches, biegesteifes Teil aus einem duro- oder thermoplastischem Kunststoff, das den Chip etwas überragt.
Das Modul wird folgendermaßen hergestellt.
Zunächst beklebt man die Kunststoffolie mit einem Kupferlaminat (3-lagiger Träger) oder beschichtet das Laminat mit einem in flüssiger Form aufgebrachten und anschließend ausgehärtetem Kunststoff (2-lagiger Träger). Anschließend bildet man in der Kunststoffolie die benötigten Durchbrüche, beispielsweise durch Stanzen, Bohren, Ätzen oder Laserbeschuß. Hiernach wird das Kupferlaminat in einer üblichen Fotoätztechnik strukturiert und anschließend in einem Strombad verstärkt, wobei seine Vordersei­ te ganzflächig und seine Rückseite in den Foliendurchbrüchen eine Auflage erhalten. Anschließend appliziert man Lotpaste in die Kontaktlöcher, positioniert den Chip und stellt die elektri­ schen Kontakte durch Aufschmelzen der Lotpaste her. Danach tropft man in die Einfüllöffnung einen Kleber, der sich durch Kapillar­ wirkung auf der ganzen Vorderseite des Chips ausbreitet, und läßt ihn anschließend trocknen. Dann wird der Rahmen aufgesetzt und ebenfalls verklebt.
Das so fertiggestellte Modul wird schließlich in eine Vertiefung der Chipkarte eingesetzt, und zwar so, daß die Lesekontakte in der Ebene der Chipkartenoberfläche liegen und dort von den Spi­ tzen eines Lesegerätes abgetastet werden können. Wenn die Chip­ karte eine Dicke von 0,76 mm hat und ihre Stärke im Bereich der Vertiefung aus Stabilitätsgründen noch etwa 0,1 mm beträgt, so verbleibt bei der hier vorgeschlagenen Modulbauweise für den Chip immer noch eine Bauhöhe von etwa 550µm. Eine solche Chip­ stärke läßt sich ohne weiteres aus Wafern mit Durchmessern von 5 oder mehr Zoll fertigen.
Das Ausführungsbeispiel der Fig. 3 unterscheidet sich von der Bauform der Fig. 1 und 2 lediglich darin, daß die Kunststoffolie 2′ dünner ist, daß die Höcker 8′ aus einer schmelzbaren Legie­ rung bestehen und den Lesekontakten direkt aufliegen und daß der Versteifungsrahmen aus einem Metall, beispielsweise Alumi­ nium, Bronze oder Messing, statt aus Kunststoff besteht. Dieses Modul wird wie die Ausführung der Fig. 1 und 2 hergestellt, wobei zur Schaffung des elektrischen Kontaktes zwischen Höcker und Lesekontakt die Höcker in einer Reflow-Technik aufgeschmolzen und mit den Lesekontakten verfestigt werden.
Die Erfindung ist nicht nur auf die dargestellten Ausführungs­ beispiele beschränkt. So können die vorgeschlagenen Module auch in anderen flachen Informationselementen eingesetzt werden. Da­ rüberhinaus bleibt es dem Fachmann unbenommen, die Modulbauform auch noch in konstruktiver Hinsicht abzuwandeln. Beispielsweise könnte man die Kleberschicht statt durch einen zentralen Durch­ bruch in der Kunststoffolie einfach vom Rand her unter den Chip fließen lassen. Oder man könnte, um die Biegeverträglichkeit noch weiter zu erhöhen, die Höcker mehr zur Chipmitte hin ver­ legen.

Claims (17)

1. Elektronisches Modul, insbesondere zur Verwendung in einer Chipkarte, mit einem Halbleiterelement, das auf einer seiner Flächen Anschlußbereiche aufweist, und mit einem Träger, der eine Kunststoffolie mit Durchbrüchen und eine in Lesekontakte unterteilte Metallisierung enthält, wobei das Halbleiterelement auf dem Träger fixiert ist und seine Anschlußbereiche durch die Durchbrüche hindurch mit den Lesekontakten kontaktiert sind, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleiterelement (1) auf der Kunststoffolie (2), und zwar an ihrer den Lesekontakten (3) abgewandten Seite, fixiert ist, daß die Anschlußbereiche mit Höckern (8) verstärkt sind und daß die Höcker (8) in die Durchbrüche (Kontaktlöcher 6) der Kunststoff­ folie hineinragen.
2. Modul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich­ net, daß der Kontakt zwischen den Höckern (8) und den ihnen jeweils zugeordneten Lesekontakten (3) durch eine Lotbrücke (9) hergestellt ist.
3. Modul nach Anspruch 2, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Lotbrücke aus Sn, Sn/Pb oder In/Pb besteht.
4. Modul nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der Kontakt zwischen den Höckern (8) und den ihnen jeweils zugeordneten Lesekontakten (3) durch eine galvanische Verstärkung der Lesekontakte (3) hergestellt ist.
5. Modul nach Anspruch 4, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die galvanische Verstärkung aus einer In- oder In/Pb-Beschichtung besteht.
6. Modul nach einem der Ansprüche 1, 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Höcker (8) aus einem schmelzbaren Material, insbesondere einer In/Pb-Legierung, be­ stehen und die ihnen jeweils zugeordneten Lesekontakte (3) direkt kontaktieren.
7. Modul nach einem der Ansprüche 1, 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Höcker (8) galvanisch verstärkt sind und die ihnen jeweils zugeordneten Lesekontakte (3) direkt kontaktieren.
8. Modul nach einem der Ansprüche 1, 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Höcker (8) aus Au be­ stehende Nailhead-Anschlüsse sind und die ihnen jeweils zugeord­ neten Lesekontakte (3) direkt kontaktieren.
9. Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß sich zwischen dem Halblei­ terelement (1) und der Kunststoffolie (2) eine Lackabdeckung (10) befindet.
10. Modul nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleiterelement (1) von einem Versteifungsrahmen (5) umgeben ist, der auf der Kunst­ stoffolie (2) fixiert ist.
11. Modul nach Anspruch 10, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der Versteifungsrahmen (5) aus einem duro- oder thermoplastischem Kunststoff besteht.
12. Modul nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Versteifungsrahmen (5) aus einem Metall, insbesondere Aluminium, Bronze oder Messing, besteht.
13. Modul nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß der Versteifungsrahmen (5) das Halbleiterelement überragt.
14. Verfahren zur Herstellung eines Moduls nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß zur Bildung der Lotbrücken (9) die Lesekontakte (3) mit Lotpaste belegt und die Lotpaste nach Einsetzen des Halbleiterbauelements (1) auf­ geschmolzen wird.
15. Verfahren zur Herstellung eines Moduls nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß zur Bildung des Kontaktes die galvanisch verstärkten Lesekontakte (3) auf­ geschmolzen werden.
16. Verfahren zur Herstellung eines Moduls nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die aus schmelzbarem Material bestehenden Höcker (8) durch ein Auf­ schmelzen in direkten Kontakt mit den Lesekontakten (3) ge­ bracht werden.
17. Verfahren zur Herstellung eines Moduls nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Höcker (8) durch eine Thermo-Kompression in direkten Kon­ takt mit den Lesekontakten (3) gebracht werden.
DE19893917707 1989-05-31 1989-05-31 Elektronisches modul und verfahren zu seiner herstellung Ceased DE3917707A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19893917707 DE3917707A1 (de) 1989-05-31 1989-05-31 Elektronisches modul und verfahren zu seiner herstellung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19893917707 DE3917707A1 (de) 1989-05-31 1989-05-31 Elektronisches modul und verfahren zu seiner herstellung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE3917707A1 true DE3917707A1 (de) 1990-12-06

Family

ID=6381762

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19893917707 Ceased DE3917707A1 (de) 1989-05-31 1989-05-31 Elektronisches modul und verfahren zu seiner herstellung

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE3917707A1 (de)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4224103A1 (de) * 1992-07-22 1994-01-27 Manfred Dr Ing Michalk Miniaturgehäuse mit elektronischen Bauelementen
DE4325458A1 (de) * 1993-07-29 1995-02-09 Orga Bond Technik Gmbh Trägerelement für einen IC-Baustein
DE4424396A1 (de) * 1994-07-11 1996-01-18 Ibm Trägerelement zum Einbau in Chipkarten oder anderen Datenträgerkarten
DE4441052A1 (de) * 1994-11-18 1996-05-23 Orga Kartensysteme Gmbh Trägerelement für einen IC-Baustein zum Einsatz in Chipkarten
DE4446471A1 (de) * 1994-12-23 1996-06-27 Fraunhofer Ges Forschung Chipkontaktierungsverfahren und damit hergestellte elektronische Schaltung
FR2735284A1 (fr) * 1995-06-12 1996-12-13 Solaic Sa Puce pour carte electronique revetue d'une couche de matiere isolante et carte electronique comportant une telle puce
DE19543426C1 (de) * 1995-11-21 1997-05-07 Siemens Ag Kontaktlose Chipkarte und Verfahren zur Herstellung derselben
EP0791446A2 (de) * 1996-02-26 1997-08-27 HERBST, Richard Verbundkörper, Verfahren und Kunststoff-Spritzgiesswerkzeug zur Herstellung eines solchen
DE19600388A1 (de) * 1996-01-08 1997-09-11 Orga Kartensysteme Gmbh Chipkarte
DE19616424A1 (de) * 1996-04-25 1997-10-30 Manfred Dr Michalk Elektrisch isolierendes Material mit einem elektronischen Modul
DE19651566A1 (de) * 1996-12-11 1998-06-18 David Finn Chip-Modul sowie Verfahren zu dessen Herstellung
WO1999001897A1 (de) * 1997-07-04 1999-01-14 Siemens Aktiengesellschaft Halbleitermodul
DE19830540A1 (de) * 1998-07-08 2000-01-13 Siemens Ag Elektronischer Schaltungsträger
WO2000077852A1 (fr) * 1999-06-15 2000-12-21 Gemplus Procede de realisation de dispositifs comprenant une puce associee a un element de circuit et dispositifs obtenus

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4143456A (en) * 1976-06-28 1979-03-13 Citizen Watch Commpany Ltd. Semiconductor device insulation method
DE2946806A1 (de) * 1978-11-24 1980-05-29 Cibie Projecteurs Scheinwerfer fuer kraftfahrzeuge
FR2581480A1 (fr) * 1985-04-10 1986-11-07 Ebauches Electroniques Sa Unite electronique notamment pour carte a microcircuits et carte comprenant une telle unite
FR2599893A1 (fr) * 1986-05-23 1987-12-11 Ricoh Kk Procede de montage d'un module electronique sur un substrat et carte a circuit integre

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4143456A (en) * 1976-06-28 1979-03-13 Citizen Watch Commpany Ltd. Semiconductor device insulation method
DE2946806A1 (de) * 1978-11-24 1980-05-29 Cibie Projecteurs Scheinwerfer fuer kraftfahrzeuge
FR2581480A1 (fr) * 1985-04-10 1986-11-07 Ebauches Electroniques Sa Unite electronique notamment pour carte a microcircuits et carte comprenant une telle unite
FR2599893A1 (fr) * 1986-05-23 1987-12-11 Ricoh Kk Procede de montage d'un module electronique sur un substrat et carte a circuit integre

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
H.-J. Hacke: "Montage Integrierter Schaltungen", Springer-Verl. (1987), S. 57, 81, 105-117 *

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4224103A1 (de) * 1992-07-22 1994-01-27 Manfred Dr Ing Michalk Miniaturgehäuse mit elektronischen Bauelementen
DE4325458A1 (de) * 1993-07-29 1995-02-09 Orga Bond Technik Gmbh Trägerelement für einen IC-Baustein
DE4424396A1 (de) * 1994-07-11 1996-01-18 Ibm Trägerelement zum Einbau in Chipkarten oder anderen Datenträgerkarten
DE4441052A1 (de) * 1994-11-18 1996-05-23 Orga Kartensysteme Gmbh Trägerelement für einen IC-Baustein zum Einsatz in Chipkarten
DE4446471A1 (de) * 1994-12-23 1996-06-27 Fraunhofer Ges Forschung Chipkontaktierungsverfahren und damit hergestellte elektronische Schaltung
US6285562B1 (en) 1994-12-23 2001-09-04 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Method of contacting a chip
WO1996042109A1 (fr) * 1995-06-12 1996-12-27 Solaic Puce pour carte electronique revetue d'une couche de matiere isolante et carte electronique comportant une telle puce
US5753901A (en) * 1995-06-12 1998-05-19 Solaic Chip for an electronic card coated with a layer of insulating material, and an electronic card including such a chip
FR2735284A1 (fr) * 1995-06-12 1996-12-13 Solaic Sa Puce pour carte electronique revetue d'une couche de matiere isolante et carte electronique comportant une telle puce
DE19543426C1 (de) * 1995-11-21 1997-05-07 Siemens Ag Kontaktlose Chipkarte und Verfahren zur Herstellung derselben
DE19600388A1 (de) * 1996-01-08 1997-09-11 Orga Kartensysteme Gmbh Chipkarte
DE19600388C2 (de) * 1996-01-08 2000-03-09 Orga Kartensysteme Gmbh Chipkarte
EP0791446A2 (de) * 1996-02-26 1997-08-27 HERBST, Richard Verbundkörper, Verfahren und Kunststoff-Spritzgiesswerkzeug zur Herstellung eines solchen
EP0791446A3 (de) * 1996-02-26 1998-12-16 HERBST, Richard Verbundkörper, Verfahren und Kunststoff-Spritzgiesswerkzeug zur Herstellung eines solchen
DE19616424A1 (de) * 1996-04-25 1997-10-30 Manfred Dr Michalk Elektrisch isolierendes Material mit einem elektronischen Modul
DE19651566A1 (de) * 1996-12-11 1998-06-18 David Finn Chip-Modul sowie Verfahren zu dessen Herstellung
US6288443B1 (en) 1996-12-11 2001-09-11 David Finn Chip module and manufacture of same
DE19651566B4 (de) * 1996-12-11 2006-09-07 Assa Abloy Identification Technology Group Ab Chip-Modul sowie Verfahren zu dessen Herstellung und eine Chip-Karte
WO1999001897A1 (de) * 1997-07-04 1999-01-14 Siemens Aktiengesellschaft Halbleitermodul
DE19830540A1 (de) * 1998-07-08 2000-01-13 Siemens Ag Elektronischer Schaltungsträger
WO2000077852A1 (fr) * 1999-06-15 2000-12-21 Gemplus Procede de realisation de dispositifs comprenant une puce associee a un element de circuit et dispositifs obtenus
FR2795235A1 (fr) * 1999-06-15 2000-12-22 Gemplus Card Int Procede de realisation de dispositifs comprenant une puce associee a un element de circuit et dispositifs obtenus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0978093B1 (de) Chipkarte, verfahren zur herstellung einer chipkarte und halbleiterchip zur verwendung in einer chipkarte
DE19743767B4 (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterchip-Gehäuses mit einem Halbleiterchip für Oberflächenmontage sowie ein daraus hergestelltes Halbleiterchip-Gehäuse mit Halbleiterchip
DE69910955T2 (de) Metallfolie mit Hockerkontakten, Schaltungssubstrat mit der Metallfolie, und Halbleitervorrichtung mit dem Schaltungssubstrat
DE19709295B4 (de) Halbleiterbaugruppe
DE112004001727B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Moduls
DE19708617C2 (de) Chipkartenmodul und Verfahren zu seiner Herstellung sowie diesen umfassende Chipkarte
DE102008035911B4 (de) Verfahren zum Herstellen eines integrierten Schaltungsmoduls
EP0902973B1 (de) Trägerelement für einen halbleiterchip
DE102008025705A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE3917707A1 (de) Elektronisches modul und verfahren zu seiner herstellung
DE10222678A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE2815776A1 (de) Halbleiterbauelement mit einer elektrisch und thermisch leitenden tragplatte
DE102006015447A1 (de) Leistungshalbleiterbauelement mit einem Leistungshalbleiterchip und Verfahren zur Herstellung desselben
WO2016202917A1 (de) Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements und optoelektronisches bauelement
DE19709259B4 (de) Mehrlagiges Bodenanschlussgehäuse
DE69722661T2 (de) Verfahren zur herstellung einer halbleitervorrichtung
DE102020105267A1 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben
DE102004062885A1 (de) Befestigungsmittel für elektronische Bauteile, Anordnung und Verfahren
DE19543427A1 (de) Chipmodul
EP0591668A1 (de) Verfahren zur Montage von integrierten Halbleiterschaltkreisen
DE10297264T5 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
EP1278243A2 (de) Multichipmodul in COB Bauweise, insbesondere Compact Flash Card mit hoher Speicherkapazität und Verfahren zur Herstellung desselben
DE10047213A1 (de) Elektrisches oder elektronisches Bauteil und Verfahren zum Herstellen desselben
DE19830158C2 (de) Zwischenträgersubstrat mit hoher Verdrahtungsdichte für elektronische Bauelemente
EP1247250B1 (de) Chipkartenanordnung

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8131 Rejection