DE3914182C2 - - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft ein Trockenätzverfahren für Halbleiter gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 oder 3.

Der Al_xGa_1-xN-Halbleiter (0≦x ≦ 1) ist mit großem Interesse als Material für Lumineszenzdioden (Lichtemitterdioden), die blaues Licht emittieren, und für Lumineszenzvorrichtungen bzw. -bauelemente, die Licht aus dem Bereich der kurzen Wellenlängen emittieren, betrachtet worden. Bei der Herstellung solcher Vor­ richtungen oder Bauelemente müssen genauso wie im Fall anderer Verbindungs-Halbleiter Ätzverfahren wie z. B. Mesa-Ätzverfahren und Vertiefungs-Ätzverfahren geschaffen werden.

Der Al_xGa_1-xN-Halbleiter ist eine Substanz mit hoher Bestän­ digkeit gegen chemische Einwirkungen, die in einer Säure wie z. B. Salzsäure, Schwefelsäure oder Flußsäure oder einer Mischung davon, die üblicherweise als Ätzflüssigkeit für Halbleiter aus anderen Verbindungen der III-V-Gruppe verwendet wird, unlöslich ist. Aus diesem Grund sind nur die folgenden wenigen Verfahren als Ätzverfahren, die den Al_xGa_1-xN-Halbleiter betreffen, be­ kannt.

Ein erstes Verfahren ist ein Naßätzverfahren, bei dem eine auf wenigstens 800°C erhitzte Lösung von Natriumhydroxid, Kalium­ hydroxid oder Kaliumdisulfat verwendet wird. Ein zweites Verfah­ ren ist ein elektrolytisches Strahlätzverfahren bzw. Elektrolyt­ strahl-Ätzverfahren, bei dem eine 0,1 n Lösung von Natriumhy­ droxid verwendet wird. Ein drittes Verfahren ist ein Naßätzver­ fahren, bei dem eine Mischung von Phosphorsäure und Schwefelsäu­ re in einem Mischungsverhältnis von 1 : 2 bis 1 : 5 bei Temperatu­ ren von 180°C bis 250°C verwendet wird.

Die praktische Anwendung des ersten Verfahrens und des zweiten Verfahrens, die vorstehend erwähnt wurden, ist jedoch wegen der Verwendung korrodierend wirkender Substanzen mit hoher Tempera­ tur schwierig. Das dritte Verfahren hat den Nachteil, daß die Ätzgeschwindigkeit durch eine geringe Temperaturänderung in ho­ hem Maße verändert wird. Infolgedessen ist keines der vorste­ hend erwähnten Verfahren einer praktischen Anwendung zugeführt worden.

Ferner handelt es sich bei allen Verfahren, die vorstehend er­ wähnt wurden, um Naßätzverfahren, und infolgedessen können Män­ gel wie z. B. das Auftreten von Unterschneidungen, die den Naß­ ätzverfahren eigen sind, nicht beseitigt werden.

Aus der US-PS 41 01 411 ist ein Trockenätzverfahren bekannt, bei dem ein Gas wie z.B. Kohlenstofftetrachlorid oder Dichlordi­ fluormethan durch Mikrowellenentladung im Vakuum ionisiert und durch das aus dem Gas erzeugte Hochfrequenzplasma ein Silicium- Halbleiter mit einer Geschwindigkeit von 0,1 bis 1 µm/min ge­ ätzt wird.

Aus der US-PS 39 84 301 ist ein Trockenätzverfahren bekannt, bei dem in einer Atmosphäre aus einem aktiven Fluorhalogenkoh­ lenwasserstoffgas mit einem Druck von 0,66 bis 6,65 Pa ein Hoch­ frequenzplasma erzeugt und durch das Plasma ein Substrat aus Si­ licium(-Halbleiter), einer Siliciumverbindung, z. B. Quarz, oder Aluminium geätzt wird, wobei im Fall von Silicium mit einer Hochfrequenzleistungsdichte von 1,3 W/cm² beim Einsatz von Di­ chlordifluormethan als aktivem Gas mit einem Druck von 2,67 Pa eine Ätzgeschwindigkeit von 220 nm/min erzielt wird.

Andererseits sind als Trockenätzverfahren, die den Al_xGa_1-xN- Halbleiter betreffen, keine Verfahren bekannt. Eine Vorhersage bezüglich der Wahl eines Gases, das beim Plasmaätzen ein ge­ wünschtes Reaktionsverhalten zeigt, ist unmöglich, weil der Re­ aktionsmechanismus durch die Kombination und die Kristallstruk­ tur der Atome eines zu ätzenden Verbindungs-Halbleiters beein­ flußt wird. Aus der US-PS 46 40 737 ist z. B. bekannt, daß sich ein GaAlAs-Substrat nicht zum Trockenätzen durch ein Plasma aus Dichlordifluormethan eignet, während ein GaAs-Substrat durch dieses Plasma sehr gut geätzt werden kann. D. h., es kann nicht vorhergesagt werden, ob ein vorhandenes, für andere Substrate aktives Gas z. B. zum Ätzen des Al_xGa_1-xN-Halbleiters wirksam ist oder nicht.

Aus der Abhandlung "Reactive ion etching of GaAs with CCl₂F₂ : O₂ : Etch rates, surface chemistry, and residual damage" in J. Appl. Phys. 65 (1989), S. 1289, linke Spalte, ist bekannt, daß GaAs nach dem Ätzen mit einem Plasma aus Dichlordifluormethan und Sauerstoff eine starke, etwa 23% betragende Verminderung der Intensität der Photolumineszenz erfährt, die auf eine partielle Zerstörung des Kristallgitters durch Einwirkung des hochreakti­ ven Plasmas zurückzuführen ist.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Trockenätzverfah­ ren für den Al_xGa_1-xN-Halbleiter (0 ≦ x ≦ 1) bereitzustellen, bei dem eine ausreichende Ätzgeschwindigkeit erreicht wird und nach dem Ätzen keine Kristallgitterdefekte auftreten und folg­ lich die Intensität der Photolumineszenz erhalten bleibt, so daß die Produktivität bei der Herstellung von Lumineszenzdioden, die blaues Licht emittieren, verbessert wird.

Diese Aufgabe wird durch ein Trockenätzverfahren mit den im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 oder des Patentan­ spruchs 3 angegebenen Merkmalen gelöst.

Das erfindungsgemäße Trockenätzverfahren wird im allgemeinen un­ ter Anwendung einer Vorrichtung mit parallelen Elektroden, in der Elektroden, denen ein Hochfrequenzstrom zugeführt wird, par­ allel angeordnet sind und zu ätzende Gegenstände auf der Elek­ trode angeordnet sind; einer Vorrichtung mit zylindrischen Elek­ troden, in der Elektroden, denen ein Hochfrequenzstrom zuge­ führt wird, zylindrisch angeordnet sind und zu ätzende Gegen­ stände parallel zum Querschnitt des Zylinders angeordnet sind; oder einer Vorrichtung mit anderem Aufbau durchgeführt. Ferner wird der Plasmazustand von gasförmigem Kohlenstofftetrachlorid (CCl₄) oder gasförmigem Dichlordifluormethan (CCl₂F₂) erzeugt, indem zwischen den Elektroden in der vorstehend erwähnten Vor­ richtung mit parallelen Elektroden oder in der vorstehend er­ wähnten Vorrichtung mit zylindrischen Elektroden eine Hochfre­ quenzspannung angelegt wird.

Eine besondere Ausführungsform der Erfindung wird nachstehend unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen näher erläu­ tert.

Fig. 1 ist eine Zeichnung, die den Aufbau einer Vorrichtung zur Durchführung eines Trockenätzverfahrens gemäß einer besonderen Ausführungsform der Erfindung zeigt.

Fig. 2 ist eine Schnittzeichnung, die den Aufbau einer zu ätzen­ den Probe zeigt.

Fig. 3 ist eine Schnittzeichnung, die die Beziehung zwischen der zu ätzenden Probe und einer Maske zeigt.

Fig. 4 ist eine Schnittzeichnung der Probe nach dem Ätzen.

Fig. 5 ist eine graphische Darstellung, die Meßwerte der Ätzge­ schwindigkeit zeigt.

Fig. 6 ist eine graphische Darstellung, die ein Photolumines­ zenzspektrum der Probe vor dem Ätzen zeigt.

Fig. 7 ist eine graphische Darstellung, die ein Photolumines­ zenzspektrum der Probe nach dem Ätzen mit gasförmigem Kohlen­ stofftetrachlorid (CCl₄) zeigt.

Fig. 8 ist eine graphische Darstellung, die ein Photolumines­ zenzspektrum einer anderen Probe vor dem Ätzen zeigt.

Fig. 9 ist eine graphische Darstellung, die ein Photolumines­ zenzspektrum der anderen Probe nach dem Ätzen mit gasförmigem Dichlordifluormethan (CCl₂F₂) zeigt.

Die Halbleiter, die bei der nachstehend beschriebenen besonde­ ren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Trockenätzverfahrens verwendet wurden, wurden mit dem in Fig. 2 gezeigten Aufbau durch das metallorganische Dampfphasenepitaxieverfahren (nach­ stehend als "MOVPE" bezeichnet) hergestellt.

Die Gase, die bei diesem MOVPE-Verfahren verwendet wurden, wa­ ren NH₃, H₂ (als Trägergas), Trimethylgallium [Ga(CH₃)₃] (nach­ stehend als "TMG" bezeichnet) und Trimethylaluminium [Al(CH₃)₃] (nachstehend als "TMA" bezeichnet).

Zuerst wurde ein Einkristall-Saphirsubstrat 1, dessen Hauptebe­ ne die C{0001}-Ebene ist und das durch Reinigung mit einem or­ ganischen Reinigungsmittel und Hitzebehandlung gereinigt worden war, an einer in der Reaktionskammer einer MOVPE-Vorrichtung an­ geordneten Halte- oder Aufnahmeeinrichtung angebracht. Dann wur­ de der Druck in der Reaktionskammer auf 667 Pa vermindert, und das Saphirsubstrat 1 wurde bei einer Temperatur von 1100°C in H₂-Gas, das mit einer Strömungsgeschwindigkeit von 0,3 l/min in die Reaktionskammer hineinströmte, einer Dampfätzung unterzogen.

Dann wurde die Temperatur auf 800°C vermindert, und eine Hitze­ behandlung wurde 1 min lang durchgeführt, während H₂ mit einer Strömungsgeschwindigkeit von 3 l/min, NH₃ mit einer Strömungsge­ schwindigkeit von 2 l/min und TMA mit einer Strömungsgeschwin­ digkeit von 7×10^-6 mol/min zugeführt wurde. Durch diese Hitze­ behandlung wurde eine AlN-Pufferschicht 2 mit einer Dicke von etwa 50,0 nm gebildet.

Nach Ablauf von 1 min wurde dann die Zuführung von TMA beendet; die Temperatur des Saphirsubstrats 1 wurde bei 1000°C gehalten, und 60 min lang wurden H₂ mit einer Strömungsgeschwindigkeit von 2,5 l/min, NH₃ mit einer Strömungsgeschwindigkeit von 1,5 l/min und TMG mit einer Strömungsgeschwindigkeit von 1,7 × 10^-6 mol/min zugeführt, wodurch eine GaN-Schicht 3 mit einer Schicht­ dicke von etwa 3 µm gebildet wurde.

Dann wurde in der in Fig. 3 gezeigten Weise auf die Deckfläche der so gebildeten GaN-Schicht 3 eine aus Saphir bestehende Mas­ ke 4 aufgelegt, um eine Probe 30 herzustellen, und die freilie­ gende Oberfläche der GaN-Schicht 3 wurde mit einer parallele Plattenelektroden aufweisenden Plasmaätzvorrichtung, wie sie in Fig. 1 gezeigt ist, geätzt.

Bei der parallele Elektroden aufweisenden Vorrichtung, wie sie in Fig. 1 gezeigt ist, ist an der Seitenwand eines Vakuumbehäl­ ters 10 aus nichtrostendem Stahl, der eine Reaktionskammer 20 bildet, ein zum Einleiten eines Ätzgases dienendes Einleitungs­ rohr 12 angebracht, und das Einleitungsrohr 12 ist durch einen Durchflußregler 14, mit dem die Gasströmungsgeschwindigkeit ver­ ändert werden kann, mit einem Behälter 16, in dem CCl₄-Gas auf­ bewahrt ist, verbunden. Dann wird CCl₄-Gas aus dem Behälter 16 durch den Durchflußregler 14 in die Reaktionskammer 20 einge­ leitet.

Ferner wird die Reaktionskammer 20 mit einer Diffusionspumpe 19 evakuiert, und das Vakuum der Reaktionskammer 20 wird mit einem Leitfähigkeitsventil 18, das zwischen der Reaktionskammer 20 und der Diffusionspumpe 19 eingebaut ist, eingestellt.

Andererseits sind eine Elektrode 22 und eine Elektrode 24, die durch ein Fluorharz gegen den Vakuumbehälter 10 isoliert sind, derart in der Reaktionskammer 20 angeordnet, daß sie übereinan­ derliegen. Dann wird die Elektrode 22 geerdet, und an die Elek­ trode 24 wird eine Hochfrequenzspannung angelegt. Der Hochfre­ quenzstrom wird durch ein Anpassungsgerät 26 aus einer Hochfre­ quenzstromquelle 28 mit einer Frequenz von 13,56 MHz zugeführt.

Ferner werden auf die Elektrode 24 Proben 30 und 32 mit dem in Fig. 3 gezeigten Aufbau aufgelegt.

Als in der Vorrichtung mit einem solchen Aufbau ein Plasmaät­ zen durchgeführt wurde, wurden zuerst die Proben 30 und 32 auf die Elektrode 24 aufgelegt. Danach wurde Restgas, das in der Re­ aktionskammer 20 vorhanden war, durch Evakuieren mit der Diffu­ sionspumpe 19 vollständig entfernt, und das Vakuum der Reak­ tionskammer 20 wurde auf 667 Pa vermindert. Danach wurde CCl₄- Gas in die Reaktionskammer 20 eingeleitet, während seine Strö­ mungsgeschwindigkeit mit dem Durchflußregler 14 auf 10 cm³/min eingestellt wurde, und das Vakuum der Reaktionskammer 20 wurde mit dem Leitfähigkeitsventil 18 auf genau 5,33 Pa eingestellt. Dann wurde zwischen den Elektroden eine Glimmentladung begonnen, während Hochfrequenzstrom mit einer Leistung von 200 W (Lei­ stungsdichte: 0,4 W/cm²) zugeführt wurde; das eingeleitete CCl₄- Gas wurde in den Plasmazustand gebracht, und mit dem Ätzen der Proben 30 und 32 wurde begonnen.

Als Ergebnis des für eine festgelegte Zeit durchgeführten Ät­ zens wurde die Probe 30 in einer Struktur geätzt, wie sie in Fig. 4 gezeigt ist. Dies bedeutet, daß der mit der Maske 4 be­ deckte Bereich der GaN-Schicht 3 nicht geätzt wurde und nur die freiliegende Oberfläche der GaN-Schicht 3 in einer Gestalt, wie sie in Fig. 4 veranschaulicht ist, geätzt wurde.

Das Ätzen wurde in gleicher Weise unter Veränderung der Ätzzeit durchgeführt, und die Stufendifferenz Δ, die durch das Ätzen er­ zeugt wurde, wurde unter Anwendung eines Stufendifferenz-Meßge­ räts gemessen, wobei auch die Beziehung zur Ätzzeit gemessen wurde. Eine Gerade B in Fig. 5 zeigt das Ergebnis dieser Messun­ gen. Aus dem Ergebnis der Messungen geht hervor, daß die Ätzge­ schwindigkeit 43,0 nm/min betrug.

Zum Vergleich wurde ein Ätzen unter ähnlichen Bedingungen durch­ geführt, wobei jedoch ein anderes Ätzgas, nämlich CF₄, verwen­ det wurde. Die Ätzgeschwindigkeit wurde gemessen, wobei als Kennlinie die in Fig. 5 gezeigte Gerade C erhalten wurde; die Ätzgeschwindigkeit mit CF₄-Gas betrug 17,0 nm/min.

D. h., es wurde festgestellt, daß die Ätzgeschwindigkeit beim Trockenätzen im Fall der Verwendung von CCl₄-Gas etwa 2,5mal so hoch war wie im Fall der Verwendung von CF₄-Gas.

Ferner wurden die Proben vor und nach dem vorstehend erwähnten Ätzen auf 4,2 K gekühlt, und die Intensität der Photolumines­ zenz wurde durch Bestrahlung mit einem Helium-Cadmium-Laser mit einer Wellenlänge von 325,0 nm gemessen. Fig. 6 und 7 zeigen die Ergebnisse der Messungen. Fig. 6 zeigt ein Photolumineszenz­ spektrum vor dem Ätzen, und Fig. 7 zeigt ein Photolumineszenz­ spektrum nach dem Ätzen. Bei den Photolumineszenzspektren wur­ den keine Änderungen der Spitzenwert-Intensität, der Spitzen­ wert-Wellenlänge und der Halbwertsbreite gefunden.

Diese Ergebnisse zeigen, daß sich die Kristalleigenschaften der GaN-Schicht 3 durch das vorstehend erwähnte Ätzen nicht verän­ dert hatten.

Ferner wurde festgestellt, daß die AlN-Unterschicht geätzt wur­ de, wenn dieser Ätzvorgang in ausreichendem Maße durchgeführt wurde, und dies ist auch auf das Ätzen von Al_xGa_1-x anwendbar.

Des weiteren wurde bei der vorstehend erwähnten Ausführungsform ein Substrat verwendet, dessen Hauptebene die C-Ebene ist, je­ doch besteht keine Einschränkung auf dieses Substrat, und es kann auch ein Substrat verwendet werden, dessen Hauptebene zu einer anderen Kristallrichtung orientiert ist.

Nachstehend wird eine andere Ausführungsform beschrieben.

Das Verfahren zur Herstellung und der Aufbau der Proben 30 und 32 sind dieselben wie im Fall der vorstehend beschriebenen er­ sten Ausführungsform. Als Ätzvorrichtung wurde ebenfalls die in Fig. 1 gezeigte Vorrichtung angewandt, und der einzige Unter­ schied bestand darin, daß als Reaktions- bzw. Ätzgas CCl₂F₂-Gas verwendet wurde. Dies bedeutet, daß in dem Behälter 16 CCl₂F₂- Gas aufbewahrt wurde und daß dieses CCl₂F₂-Gas durch den Durch­ flußregler 14 in die Reaktionskammer 20 eingeleitet wurde.

Ferner waren die anderen Ätzvorgänge und Ätzbedingungen genau dieselben wie bei der ersten Ausführungsform. Dies bedeutet, daß das Ätzen nach den folgenden Verfahren und unter den folgen­ den Bedingungen durchgeführt wurde: Die Proben 30 und 32 wurden auf die Elektrode 24 aufgelegt. Danach wurde Restgas, das in der Reaktionskammer 20 vorhanden war, durch Evakuieren mit der Diffusionspumpe 19 in ausreichendem Maße entfernt, und das Va­ kuum der Reaktionskammer 20 wurde auf 667 µPa vermindert. Dann wurde CCl₂F₂-Gas in die Reaktionskammer 20 eingeleitet, während seine Strömungsgeschwindigkeit mit dem Durchflußregler 14 auf 10 cm³/min eingestellt wurde, und das Vakuum der Reaktionskam­ mer 20 wurde mit dem Leitfähigkeitsventil 18 auf genau 5,33 Pa eingestellt. Dann wurde zwischen den Elektroden eine Glimment­ ladung begonnen, während zwischen der Elektrode 24 und der Elek­ trode 22 eine Hochfrequenzspannung mit einer Leistung von 200 W (Leistungsdichte: 0,4 W/cm²) angelegt wurde; das eingeleitete CCl₂F₂-Gas wurde in den Plasmazustand gebracht, und mit dem Ät­ zen der Proben 30 und 32 wurde begonnen.

Als Ergebnis des für eine festgelegte Zeit durchgeführten Ät­ zens wurde die Probe 30 in einer Struktur geätzt, wie sie in Fig. 4 gezeigt ist. Dies bedeutet, daß der mit der Maske 4 be­ deckte Bereich der GaN-Schicht 3 nicht geätzt wurde und nur die freiliegende Oberfläche der GaN-Schicht 3 in einer Gestalt, wie sie in Fig. 4 veranschaulicht ist, geätzt wurde.

Das Ätzen wurde in gleicher Weise unter Veränderung der Ätzzeit durchgeführt, und die Stufendifferenz Δ, die durch das Ätzen er­ zeugt wurde, wurde unter Anwendung eines Stufendifferenz-Meßge­ räts gemessen, und die Beziehung zur Ätzzeit wurde erhalten.

Eine Gerade A in Fig. 5 zeigt das Ergebnis dieser Messungen.

Aus dem Ergebnis der Messungen geht hervor, daß die Ätzgeschwin­ digkeit 62,5 nm/min betrug.

D. h., es wurde festgestellt, daß die Ätzgeschwindigkeit beim Trockenätzen im Fall der Verwendung von CCl₂F₂-Gas etwa 1,5mal so hoch war wie im Fall der Verwendung von CCl₄-Gas und etwa 3,7mal so hoch war wie im Fall der Verwendung von CF₄-Gas.

Ferner wurden die Proben vor und nach dem vorstehend erwähnten Ätzen auf 4,2 K gekühlt, und die Intensität der Photolumines­ zenz wurde wie im Fall der ersten Ausführungsform durch Bestrah­ lung mit einem Helium-Cadmium-Laser mit einer Wellenlänge von 325,0 nm gemessen, wobei als Ergebnis der Messung die in Fig. 8 und 9 gezeigten Kurven erhalten wurden. Fig. 8 zeigt ein Photo­ lumineszenzspektrum vor dem Ätzen, und Fig. 9 zeigt ein Photo­ lumineszenzspektrum nach dem Ätzen.

Bei diesen Photolumineszenzspektren wurden wie bei der ersten Ausführungsform keine Änderungen der Spitzenwert-Intensität, der Spitzenwert-Wellenlänge und der Halbwertsbreite gefunden. Dies zeigte, daß sich die Kristalleigenschaften der GaN-Schicht 3 durch das vorstehend erwähnte Ätzen nicht verändert hatten.

Ferner wurde festgestellt, daß die AlN-Unterschicht geätzt wur­ de, wenn dieser Ätzvorgang in ausreichendem Maße durchgeführt wurde, und dies ist auch auf das Ätzen von Al_xGa_1-x anwendbar.

Bei dem erfindungsgemäßen Trockenätzverfahren mit gasförmigem Kohlenstofftetrachlorid (CCl₄) wurde ein ausgezeichnetes Ätzen erzielt, wenn die Strömungsgeschwindigkeit 5 bis 30 cm³/min, das Vakuum 2,67 bis 26,7 Pa und die Hochfrequenzleistungsdichte 0,1 bis 0,5 W/cm² betrug, während mit gasförmigem Dichlordi­ fluormethan (CCl₂F₂) ein ausgezeichnetes Ätzen erzielt wurde, wenn die Strömungsgeschwindigkeit 5 bis 30 cm³/min, das Vakuum 2,67 bis 13,3 Pa und die Hochfrequenzleistungsdichte 0,1 bis 0,5 W/cm² betrug.

Wie es vorstehend erwähnt wurde, konnte der Al_xGa_1-xN-Halblei­ ter (0 ≦ x ≦ 1) durch ein Plasma aus gasförmigem Kohlenstoffte­ trachlorid (CCl₄) oder durch ein Plasma aus gasförmigem Dichlor­ difluormethan (CCl₂F₂) ohne Erzeugung irgendwelcher Kristallbau­ fehler wirksam geätzt werden.

Durch Anwendung des erfindungsgemäßen Trockenätzverfahrens kann die Produktivität bei der Herstellung von z. B. Vorrichtungen und integrierten Schaltkreisen, bei denen der Al_xGa_1-xN-Halb­ leiter (0 ≦ x ≦ 1) verwendet wird, in hohem Maße verbessert wer­ den.

Claims (4)

1. Trockenätzverfahren für Halbleiter, wobei in eine Reaktions­ kammer gasförmiges Kohlenstofftetrachlorid (CCl₄) eingeleitet wird, um ein Plasma aus Kohlenstofftetrachlorid zu erzeugen, durch das der Halbleiter geätzt wird, dadurch gekennzeichnet, daß ein Al_xGa_1-xN-Halbleiter (0 ≦ x ≦ 1) durch das Plasma aus Kohlenstofftetrachlorid geätzt wird.

2. Trockenätzverfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Strömungsgeschwindigkeit des Ätzgases 5 bis 30 cm³/min, das Vakuum 2,67 bis 26,7 Pa und die Hochfrequenzleistungsdichte 0,1 bis 0,5 W/cm² beträgt.

3. Trockenätzverfahren für Halbleiter, wobei in eine Reaktions­ kammer gasförmiges Dichlordifluormethan (CCl₂F₂) eingeleitet wird, um ein Plasma aus Dichlordifluormethan zu erzeugen, durch das der Halbleiter geätzt wird, dadurch gekennzeichnet, daß ein Al_xGa_1-xN-Halbleiter (0 ≦ x ≦ 1) durch das Plasma aus Dichlor­ difluormethan geätzt wird.

4. Trockenätzverfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Strömungsgeschwindigkeit des Ätzgases 5 bis 30 cm³/min, das Vakuum 2,67 bis 13,3 Pa und die Hochfrequenzleistungsdichte 0,1 bis 0,5 W/cm² beträgt.