DE3908068A1 - Verfahren zum herstellen von leiterbahnen auf einer substratplatte fuer fluessigkristallzellen - Google Patents
Verfahren zum herstellen von leiterbahnen auf einer substratplatte fuer fluessigkristallzellenInfo
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- H05K3/061—Etching masks
- H05K3/064—Photoresists
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von Lei
terbahnen auf einer Subtratplatte für Flüssigkristallzellen.
Eine Substratplatte ist eine ebene Platte aus einem meist durch
sichtigen Material, auf die verschiedene Schichten, die zum
Teil strukturiert sind, aufgebracht sind. Von Interesse sind
in Zusammenhang mit der vorliegenden Erfindung nur Verfahrens
schritte, die zum Herstellen eines strukturierten Leitungs
musters, hier Leiterbahnen genannt, dienen.
Zum Herstellen von Leiterbahnen auf einer Substratplatte für
Flüssigkristallzellen besteht seit Jahren ein Standardverfah
ren. Gemäß diesem Verfahren wird eine Fotolackschicht auf
eine Substratplatte aufgebracht, die bereits mit einer leit
fähigen Schicht, insbesondere einer Ito-Schicht, versehen ist.
Die Fotolackschicht wird mit einem Muster belichtet, das dem
gewünschten Leiterbahnenmuster entspricht. Als Fotolacke ha
ben sich Positiv-Fotolacke durchgesetzt, d.h. solche, bei
denen die belichteten Bereiche mit Hilfe eines Lösungsmittels
abgewaschen werden können. Die Positiv-Fotolacke sind in der
Regel Harze, die nach dem Belichten durch einen alkalischen
Entwickler abwaschbar sind. Bei Verwendung von Positiv-Foto
lacken wird überall dort belichtet, wo keine Leiterbahn er
wünscht ist. Bei Verwendung von Negativ-Fotolacken wird da
gegen in den Bereichen gewünschter Leiterbahnen belichtet.
Wenn die Fotolackschicht in denjenigen Bereichen, die nicht
den Leiterbahnbereichen entsprechen, abgewaschen worden ist,
wird die freigelegte leitfähige Schicht mit einem Lösungsmit
tel entfernt. Zum Entfernen freigelegter Ito-Schichten ist
z.B. Salzsäure als Lösungsmittel geeignet.
Nach diesem Schritt liegen Leiterbahnen mit darüberliegender
Fotolackschicht vor. In einem Endschritt werden diese noch
vorhandenen Bereiche der Fotolackschicht durch Behandeln mit
einem Lösungsmittel abgewaschen. Zum Entfernen der üblichen
Positiv-Fotolacke wird eine stark alkalische Flüssigkeit,
z.B. 20%ige Natronlauge verwendet.
Bevor weitere Schichten auf die Substratplatte aufgebracht
werden, wird gemäß dem Stand der Technik zuvor untersucht,
ob Kurzschlüsse zwischen benachbarten Leiterbahnen vorhanden
sind. Substratplatten mit Kurzschlüssen gelangen zum Ausschuß,
ebenso wie solche Platten, die während des Prüfverfahrens auf
Kurzschlüsse versehentlich beschädigt werden.
Es besteht allgemein das Problem, das Verfahren zum Herstel
len von Leiterbahnen auf Substratplatten für Flüssigkristall
zellen so zu führen, daß möglichst wenig Ausschuß anfällt.
Das erfindungsgemäße Verfahren unterscheidet sich vom bekann
ten dadurch, daß nicht erst nach dem Endschritt auf Kurz
schlüsse überprüft wird, sondern vor diesem. Dies bringt meh
rere Vorteile mit sich. Der erste Vorteil ist der, daß der
Endschritt für Substratplatten mit kurzgeschlossenen Leiter
bahnen gar nicht ausgeführt zu werden braucht, falls vorge
sehen ist, derartige Platten nicht weiterzubearbeiten, wie
bisher üblich. Es ergibt sich somit eine Arbeitsersparnis.
Ein erheblich größerer Vorteil liegt aber darin, daß die
Leiterbahnen während der Kurzschlußprüfung noch durch die
darüberliegende Fotolackschicht geschützt sind. Selbst wenn
das Verfahren zum Überprüfen auf Kurzschlüsse weniger sorg
fältig ausgeführt wird als bisher, kommt es daher dennoch zu
weniger Beschädigungen der Leiterbahnen.
Der allergrößte Vorteil stellt sich jedoch dann ein, wenn,
wie dies eine vorteilhafte Weiterbildung angibt, das noch
Vorhandensein der Fotolackschicht über den Leiterbahnen dazu
verwendet wird, Substratplatten mit kurzgeschlossenen Leiter
bahnen zu reparieren. Bei Platten mit Kurzschlüssen wird näm
lich zunächst optisch die Kurzschlußstelle gesucht, die in
der Regel sehr einfach gefunden werden kann, da ja die Lei
terbahnen bekannt sind, zwischen denen der Kurzschluß besteht.
Dann wird die noch über den Leiterbahnen liegende Fotolack
schicht im Kurzschlußbereich entfernt und der dadurch freige
legte Kurzschlußbereich wird durch Anwenden eines Lösungs
mittels entfernt. Erst wenn auf diese Art und Weise der Kurz
schluß beseitigt ist, wird der Endschritt ausgeführt.
Das Entfernen der Fotolackschicht über dem Kurzschlußbereich
kann auf verschiedene Arten erfolgen. Bei groben Strukturen
erfolgt das Entfernen vorteilhafterweise mechanisch von Hand.
Bei feinen Strukturen erfolgt es vorzugsweise mit einer me
chanischen Hilfsvorrichtung. Bei sehr feinen Strukturen ist
es von Vorteil, den Fotolack oberhalb der Kurzschlußstelle zu
belichten. Die Lichtquelle wird dabei z.B. mit Hilfe eines
Rotlicht- oder Gelblichtstrahles auf die Kurzschlußstelle
justiert und dann wird mit einem UV-Lichtstrahl belichtet,
dessen Auftreffstelle mit der Auftreffstelle des Justier
strahles übereinstimmt. An der belichteten Stelle wird der
Fotolack abgewaschen und dann die Kurzschlußstelle herausge
löst. Erst dann erfolgt der Endschritt. Dieses Verfahren ist
nur bei Verwendung eines Positiv-Fotolacks ausführbar. Für
alle anderen angegebenen Varianten ist es dagegen unerheblich,
ob ein Positiv- oder ein Negativ-Fotolack vorliegt.
Fig. 1-3 schematische Teilquerschnitte durch eine Sub
stratplatte während dreier Verfahrensschritte
zum Herstellen von Leiterbahnen;
Fig. 4 eine perspektivische Teilansicht einer Substrat
platte mit zwei Leiterbahnen, zwischen denen
Kurzschlüsse bestehen.
Die Fig. 1-3 veranschaulichen Verfahrensschritte, die das
erfindungsgemäße Verfahren mit bekannten Verfahren gemeinsam
hat. Daher werden diese Figuren nur kurz erläutert.
Bei dem mit Hilfe von Fig. 1 veranschaulichten Verfahrens
schritt wird eine Substratplatte, die mit einer Ito-Schicht 12
und einer Fotolackschicht 13 versehen ist, durch eine Maske 14
hindurch belichtet. Beim Ausführungsbeispiel ist davon ausge
gangen, daß der Fotolack ein Positiv-Fotolack ist. Ein sol
cher läßt sich in belichteten Bereichen auswaschen. Für die
üblichen Fotolacke wird hierzu ein alkalischer Entwickler verwen
det. Es ergibt sich dann die in Fig. 2 dargestellte Struktur,
gemäß der noch die komplette Ito-Schicht 12 auf der Substrat
platte 11 vorhanden ist, die Fotolackschicht 13 jedoch struk
turiert ist. Es handelt sich um die von der Maske 14 vermit
telte Struktur, die der gewünschten Leiterbahnenstruktur ent
spricht. Nach dem Belichten und Entwickeln weist die Foto
lackschicht 13 also die Leiterbahnstruktur auf. In Fig. 2
sind zwei Fotolackbahnen 13.1 im Schnitt erkennbar.
Die Substratplatte 11 mit der geschlossenen Ito-Schicht 12
und den Fotolackbahnen 13.1 wird mit verdünnter Salzsäure
behandelt, um die Ito-Schicht in allen Bereichen bis auf die
Oberfläche der Substratplatte 11 abzutragen, in denen sie
nicht durch darüberliegende Fotolackbahnen 13.1 geschützt
ist. Nach diesem Abtragen ergibt sich die in Fig. 3 darge
stellte Struktur mit Leiterbahnen 12.1 und darüberliegenden
Fotolackbahnen 13.1.
Die Abstände zwischen den Leiterbahnen 12.1 können sehr klein
sein, z.B. im Bereich einiger 10 µm. Bei diesen kleinen Ab
messungen kommt es aus den verschiedensten Gründen vor, daß
Stellen, die eigentlich hätten belichtet werden sollen, nicht
richtig belichtet sind und sich daher die Fotolackschicht an
der betreffenden Stelle nicht ablösen läßt, obwohl dies
eigentlich der Fall sein soll, oder daß das Ablösen unvoll
ständig erfolgt, obwohl die Belichtung ausreichend war. Bleibt
jedoch Fotolack an unerwünschten Stellen zurück, hat dies un
erwünschte Leiterbahnbereiche zur Folge, da ja an diesen
Stellen das Leiterbahnmaterial wegen des darüberliegenden
schützenden Fotolacks nicht abgelöst werden kann.
Im Herstellverfahren erfolgt ein Kurzschluß-Überprüfungs
schritt, um Substratplatten mit Kurzschlüssen vom weiteren
Normalablauf ausschließen zu können. Gemäß dem Stand der
Technik erfolgt die Kurzschlußprüfung nach einem bisher noch
nicht erläuterten Schritt, nämlich nach dem Ablösen der Foto
lackbahnen 13.1 über den Leiterbahnen 12.1. Bei dem hier er
läuterten Verfahren erfolgt jedoch die Kurzschlußprüfung in
dem in Fig. 3 dargestellten Zustand. Dies hat den Vorteil,
daß die Leiterbahnen 12.1 noch durch die darüberliegenden
Fotolackbahnen 13.1 mechanisch geschützt sind. Bei der Kurz
schlußprüfung kommt es daher nur in Ausnahmefällen zu Beschä
digungen der Leiterbahnen. Darüber hinaus ergibt sich eine
einfache Reparaturmöglichkeit für Kurzschlüsse, wie sie nun
anhand von Fig. 4 näher erläutert wird.
In Fig. 4 ist ein Teil einer Substratplatte 11 mit zwei eng
benachbarten Leiterbahnen 12.1 dargestellt, die noch mit
Fotolackbahnen 13.1 abgedeckt sind. An zwei Stellen zwischen
den beiden Leiterbahnen ist jeweils ein Kurzschluß 15 vorhan
den. Im Kurzschlußbereich ist nicht nur Leiterbahnmaterial
zwischen den beiden Leiterbahnen vorhanden, sondern auch Foto
lackmaterial zwischen den beiden Fotolackbahnen. Es wird nun
der Fotolack in den Kurzschlußbereichen entfernt, also Be
reichen, wie sie in Fig. 4 schraffiert eingezeichnet sind.
Anschließend wird das freigelegte Leiterbahnmaterial,hier Ito,
örtlich herausgelöst, gemäß dem Ausführungsbeispiel durch ver
dünnte Salzsäure. Erst wenn auf diese Art und Weise die Kurz
schlüsse beseitigt sind, wird der Endschritt des Herstellens
von Leiterbahnen ausgeführt, nämlich das Abwaschen der Foto
lackbahnen 13.1 mit Hilfe einer stark alkalischen Flüssigkeit,
z.B. 20%iger Natronlauge.
Abhängig vom Abstand zwischen zwei kurzgeschlossenen Leiter
bahnen erfolgt das Entfernen der Fotolackbereiche in den Kurz
schlußbereichen 15 entweder mechanisch oder optisch. Mecha
nisch erfolgt das Entfernen von Hand oder mit Hilfe einer
feinen Schneide- und Kratzvorrichtung, die mit einer Lupe
oder einem Mikroskop justiert wird. Zum Entfernen sehr feiner
Bereiche kann auch ein Justierstrahl mit Hilfe eines Mikro
skops auf die Kurzschlußstelle eingerichtet werden. Dann wird
diese Stelle mit einem Belichtungsstrahl belichtet, dessen
Auftrefffleck mit dem Auftrefffleck des Justierstrahles über
einstimmt. Der Justierstrahl ist langwellig, während der Be
lichtungsstrahl kurzwellig ist. Das optische Verfahren hat
den Vorteil, daß es das Aufsuchen der Kurzschlußstelle und
das Entfernen derselben in einem einzigen Arbeitsschritt
miteinander verbindet. Bei feinen Strukturen müssen nämlich
Kurzschlüsse mit Hilfe einer optischen Vergrößerungseinrich
tung aufgesucht werden. Sobald der Kurzschlußbereich im Blick
feld ist, kann das Einjustieren auf einen Belichtungsstrahl
mit Hilfe des genannten Justierstrahles erfolgen. Nach die
sen Vorgängen wird die belichtete Stelle, oder werden be
lichtete Stellen, in üblicher Weise mit einem Fotolacklö
sungsmittel behandelt. Dann erfolgt das Ablösen der freige
legten Leiterbahnbereiche, wie erläutert.
Bei den Ausführungsbeispielen wurde davon ausgegangen, daß
ein Positiv-Fotolack verwendet wird, also ein solcher, bei
dem sich belichtete Fotolackbereiche ablösen lassen. Werden
Negativ-Fotolacke verwendet, gilt das Vorstehende mit einer
Ausnahme entsprechend. Diese Ausnahme liegt darin, daß das
optische Justier- und Nachbelichtungsverfahren nicht möglich
ist. Der Fotolack in Kurzschlußbereichen muß bei Verwenden
eines Negativ-Fotolacks mechanisch entfernt werden.
Claims (4)
1. Verfahren zum Herstellen von Leiterbahnen auf einer Sub
tratplatte für Flüssigkristallzellen, bei dem
- - eine Fotolackschicht auf eine Substratplatte aufgebracht wird, die bereits mit einer leitfähigen Schicht versehen ist,
- - die Fotolackschicht mit einem Muster belichtet wird, das dem gewünschten Leiterbahnmuster entspricht,
- - diejenigen Bereiche der Fotolackschicht, die nicht den Leiterbahnbereichen entsprechen, durch Behandeln mit einem Lösungsmittel abgewaschen werden,
- - die leitfähige Schicht durch Behandeln mit einem Lösungs mittel in denjenigen Bereichen entfernt wird, die den entfernten Bereichen der Fotolackschicht entsprechen, und
- - die noch vorhandenen Bereiche der Fotolackschicht durch Behandeln mit einem Lösungsmittel in einem Endschritt abgewaschen werden, dadurch gekennzeichnet, daß
- - vor dem Endschritt überprüft wird, ob Kurzschlüsse zwi schen benachbarten Leiterbahnen bestehen.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich
net, daß dann, wenn keine Kurzschlüsse festgestellt
werden, der Endschritt ausgeführt wird, dagegen dann, wenn
mindestens ein Kurzschluß vorhanden ist, der Fotolackbe
reich über der Kurzschlußstelle entfernt wird, der dadurch
freigelegte Kurzschlußbereich der leitenden Schicht durch
Anwenden eines Lösungsmittels entfernt wird, und erst dann
der Endschritt ausgeführt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeich
net, daß das Entfernen der Fotolackschicht im Kurz
schlußbereich mechanisch erfolgt.
4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeich
net, daß bei Verwenden eines Positiv-Fotolacks das
Entfernen der Fotolackschicht im Kurzschlußbereich dadurch
erfolgt, daß die Fotolackschicht dort belichtet wird und
der belichtete Fotolackschichtbereich anschließend abge
löst wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19893908068 DE3908068C2 (de) | 1989-03-13 | 1989-03-13 | Verfahren zum Herstellen von Leiterbahnen auf einem Isolierträger |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE19893908068 DE3908068C2 (de) | 1989-03-13 | 1989-03-13 | Verfahren zum Herstellen von Leiterbahnen auf einem Isolierträger |
Publications (2)
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DE3908068A1 true DE3908068A1 (de) | 1990-09-20 |
DE3908068C2 DE3908068C2 (de) | 1994-07-28 |
Family
ID=6376198
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DE19893908068 Expired - Fee Related DE3908068C2 (de) | 1989-03-13 | 1989-03-13 | Verfahren zum Herstellen von Leiterbahnen auf einem Isolierträger |
Country Status (1)
Country | Link |
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DE3908068C2 (de) | 1994-07-28 |
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