DE10028790A1 - Verfahren zum lithographischen Belichten von Leiterplattensubstraten - Google Patents
Verfahren zum lithographischen Belichten von LeiterplattensubstratenInfo
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- H05K2203/0502—Patterning and lithography
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- H05K2203/10—Using electric, magnetic and electromagnetic fields; Using laser light
- H05K2203/107—Using laser light
Abstract
Ein Verfahren ermöglicht die laserlithographische Herstellung von Leiterplatten unter Verwendung des Direktschreibeverfahrens. Das Verfahren soll dahingehend ausgebildet werden, daß ohne Einsatz eines Hochleistungslasers die Belichtung des Layouts in die Fotolackschicht eines Substrats ermöglicht wird. Es wird vorgeschlagen, daß zunächst eine latente Maske auf die Oberfläche des Substrats belichtet wird und die Belichtung in den Fotolack in einem zweiten Schritt mit einer anderen Wellenlänge erfolgt.
Description
Die Erfindung bezieht sich auf das Verfahren, Leiterplattenlayouts laserlithographisch
unter Verwendung des Direktschreibeverfahrens auf die Oberfläche eines belackten
Substrates abzubilden und die so erzeugte Oberflächenmaske anschließend
durchzubelichten. Dieses Verfahren ermöglicht es, Leiterplatten in zwei
Belichtungsschritten mit Licht unterschiedlicher Wellenlängen ohne die für eine direkte
Anwendung des Direktschreiben benötigte Hochleistungslichtquelle laserlithographisch
mit der Auflösung und Flexibilität des Direktschreibens herzustellen.
Zur photolithographischen Herstellung von Leiterplatten bieten sich zur Zeit zwei
Standardverfahren an: Die Kontaktbelichtung und das Direktschreiben. Bei der
Kontaktbelichtung wird zunächst eine Maskenplatte lithographisch hergestellt. Diese
Maske wird bei der photolithographischen Herstellung mehrer Leiterplatten verwendet,
wobei sie mit der beschichteten Seite auf die belackte Substratfläche aufgelegt wird
und die nicht abgedeckten Flächen mit einem UV-Blitz belichtet werden. Die Nachteile
dieser Methode sind zum einen die rasche Abnutzung der Maske durch den Kontakt
der belichteten Seite mit dem Substrat und das Fehlen einer Anpassungsmöglichkeit
der Vorlage an die eventuell durch andere Prozeßschritte verzerrte Geometrie des
Substrats. Diese Nachteile werden umgangen, wenn man das gewünschte Layout im
Direktschreibverfahren in den Photolack belichtet. Bei den in der
Leiterplattenherstellung benötigten Lackdicken wird dafür jedoch ein UV-Laser mit sehr
hoher Energie (mehrere Watt) benötigt, um ein Standardlayout innerhalb eines
akzeptablen Zeitraums zu belichten. Ziel der Erfindung ist es, ohne Einsatz eines
solchen Hochleistungslasers die Belichtung des Layouts in die Photolackschicht eines
Substrats mit den Vorteilen des Direktschreibverfahrens zu ermöglichen. Die Lösung
dieser Aufgabe erfolgt gemäß den im kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1
angegebenen Merkmalen.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand der in den Zeichnungen Fig. 1 und Fig. 2
dargestellten Anwendungsbeispiele näher erläutert, ohne daß insoweit eine
Einschränkung der Erfindung erfolgt. Es zeigen:
Fig. 1 Anwendungsbeispiel zum Verfahren mit Direktschreiben in eine Schutzfolie
Fig. 2 Anwendungsbeispiel zum Verfahren mit Direktschreiben auf die Lackoberfläche
Als Substrat dient ein Leiterplattensubstrat zur photolithographischen Bearbeitung. Bei
dem beispielhaft in Fig. 1 dargestellten Substrat wird die auf die Leiterplattenlage 1
aufgebrachte Photolackschicht 2 von einer Schutzfolie 3 geschützt, die
photoempfindliche Bestandteile aufweist, deren spektrale Empfindlichkeit sich von der
des Photolackes unterscheiden. In diese Schutzfolie wird im ersten Schritt im Direkt
schreibeverfahren das Leiterplattenlayout mit einem Laserstrahl 4 belichtet, bei dessen
Wellenlänge die photoempfindlichen Substanzen in der Schutzfolie belichtet werden,
der Photolack jedoch unempfindlich ist. Enthält die Folie Substanzen, die bei Belichtung
direkt schwärzen, kann direkt zum nächsten Schritt übergegangen werden, andernfalls
muß die Folie zunächst entwickelt werden. Im zweiten Belichtungsschritt folgen die
Belichtung in den Photolack und die Prozessierung des Substrates wie bei einer
Kontaktbelichtung.
Bei dem in Fig. 2 dargestellten Anwendungsbeispiel des Verfahrens kann ein
Standardsubstrat verwendet werden. Im ersten Schritt wird mittels
Oberflächendirektschreiben mit einem Laser ausreichender Leistung, dessen
Wellenlänge außerhalb der spektralen Empfindlichkeit des Photolackes liegt, eine
latente Maske in die Oberfläche des Photolackes gebrannt. Der zweite
Belichtungsschritt erfolgt wie im ersten Anwendungsbeispiel.
- 1. Verfahren zum lithographischen Belichten von Leiterplattensubstraten in zwei Schritten unter Nutzung von direktem laserlithographischem Schreiben auf der Substratoberfläche.
- 2. 2.1. Die photolithographische Herstellung von Leiterplatten ist im Direktschreibeverfahren flexibler als im Kontaktbelichtungsverfahren. Bei den für Leiterplattensubstrate üblichen Lackdicken kann das Direktschreibeverfahren aber nur mit Lasern mit hoher Leistung in akzeptabler Zeit durchgeführt werden. Das neue Verfahren soll es ermöglichen, auch ohne solchen Laser die Vorteile des Direktschreibens zu nutzen.
- 3. 2.2. Das Verfahren wird in zwei Schritte aufgeteilt. Im ersten Schritt wird mittels Direktschreibeverfahren eine variabel an die Geometrie des Einzelsubstrates anpaßbare Maske erzeugt indem zum Beispiel eine Spezialschutzfolie belichtet und falls notwendig entwickelt wird oder das Design direkt in die Lackoberfläche des Substrates mit einer Wellenlänge außerhalb der spektralen Empfindlichkeit des Photolackes eingebrannt wird. Im zweiten Schritt erfolgt die Belichtung der Maske in den Photolack wie bei einer Kontaktbelichtung.
- 4. 2.3. Herstellung von Leiterplatten.
1
Leiterplattenlage
2
Photolack (Schichtdicke ~ 50 µm)
3
Schutzfolie
4
direktschreibender Laserstrahl
5
Belichtungsblitz
Claims (3)
1. Verfahren zur laserlithographischen Herstellung von Leiterplatten unter Verwendung
des Direktschreibeverfahrens,
dadurch gekennzeichnet, daß zunächst eine latente Maske auf die
Oberfläche des Substrates belichtet wird und die Belichtung in den Photolack in
einem zweiten Schritt mit einer anderen Wellenlänge erfolgt.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß im ersten Schritt (Direktschreiben) eine
photoempfindliche Schutzfolie auf dem Photolack belichtet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß im ersten Schritt (Direktschreiben) mit
einem intensiven Laser mit einer Wellenlänge außerhalb der spektralen
Empfindlichkeit des Lackes das Layout in die oberste Schicht gebrannt wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10028790A DE10028790A1 (de) | 2000-06-15 | 2000-06-15 | Verfahren zum lithographischen Belichten von Leiterplattensubstraten |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE10028790A DE10028790A1 (de) | 2000-06-15 | 2000-06-15 | Verfahren zum lithographischen Belichten von Leiterplattensubstraten |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10028790A1 true DE10028790A1 (de) | 2001-12-20 |
Family
ID=7645367
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DE10028790A Withdrawn DE10028790A1 (de) | 2000-06-15 | 2000-06-15 | Verfahren zum lithographischen Belichten von Leiterplattensubstraten |
Country Status (1)
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---|---|
DE (1) | DE10028790A1 (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008021952A2 (en) * | 2006-08-11 | 2008-02-21 | Battelle Memorial Institute | Patterning compositions, masks, and methods |
US7626185B2 (en) | 2006-08-11 | 2009-12-01 | Battelle Memorial Institute | Patterning compositions, masks, and methods |
US20120282552A1 (en) * | 2011-05-04 | 2012-11-08 | Eynat Matzner | Method for offset imaging |
WO2013022571A1 (en) * | 2011-08-09 | 2013-02-14 | Eastman Kodak Company | Offset imaging system |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2149055A1 (de) * | 1971-10-01 | 1973-04-05 | Basf Ag | Verfahren zur herstellung von druckplatten |
DE3626708A1 (de) * | 1986-08-07 | 1988-02-11 | Mania Gmbh | Verfahren zur herstellung von leiterplatten |
EP0654150B1 (de) * | 1992-08-07 | 1997-03-05 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Flexodruckelement mit einer durch ir-bestrahlung ablativen schicht und verfahren zur herstellung einer flexodruckplatten |
-
2000
- 2000-06-15 DE DE10028790A patent/DE10028790A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2149055A1 (de) * | 1971-10-01 | 1973-04-05 | Basf Ag | Verfahren zur herstellung von druckplatten |
DE3626708A1 (de) * | 1986-08-07 | 1988-02-11 | Mania Gmbh | Verfahren zur herstellung von leiterplatten |
EP0654150B1 (de) * | 1992-08-07 | 1997-03-05 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Flexodruckelement mit einer durch ir-bestrahlung ablativen schicht und verfahren zur herstellung einer flexodruckplatten |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008021952A2 (en) * | 2006-08-11 | 2008-02-21 | Battelle Memorial Institute | Patterning compositions, masks, and methods |
WO2008021952A3 (en) * | 2006-08-11 | 2008-08-21 | Battelle Memorial Institute | Patterning compositions, masks, and methods |
US7626185B2 (en) | 2006-08-11 | 2009-12-01 | Battelle Memorial Institute | Patterning compositions, masks, and methods |
US20120282552A1 (en) * | 2011-05-04 | 2012-11-08 | Eynat Matzner | Method for offset imaging |
WO2012151033A3 (en) * | 2011-05-04 | 2013-01-03 | Eastman Kodak Company | Method for offset imaging |
CN103502892A (zh) * | 2011-05-04 | 2014-01-08 | 伊斯曼柯达公司 | 用于胶印成像的方法 |
WO2013022571A1 (en) * | 2011-08-09 | 2013-02-14 | Eastman Kodak Company | Offset imaging system |
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