DE3907343A1 - Leitungsgespeiste, automatische wechselschaltung, die eine haupt- oder nebenanschlussleitung mit den endgeraeten, insbesondere sprechstellen verbindet - Google Patents

Leitungsgespeiste, automatische wechselschaltung, die eine haupt- oder nebenanschlussleitung mit den endgeraeten, insbesondere sprechstellen verbindet

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Description

Die Erfindung betrifft eine leitungsgespeiste, auto­ matische Wechselschaltung nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
In bekannten AWADo-Schaltungen wird die in der DE 32 45 839 A1 beschriebene, von einer Schleifenerkennung ge­ steuerte Setzschaltung verwendet, die mit Relais ausge­ rüstet ist. Ferner ist aus den AWADo-Schaltungen eine Rücksetzschaltung, die Relais aufweist, bekannt.
Sollen mehrere Endgeräte, wie z. B. Telefone an eine Anschlußleitung angeschaltet werden, wird der mecha­ nische Aufbau der Relais komplizierter. Die Energieauf­ nahme der erforderlichen Relaisspulen übersteigt die für eine Amtsleitung zulässigen Werte.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die bekannten AWADo-Schaltungen so umzugestalten, daß an eine An- Schlußleitung mit dieser Schaltung beliebig viele Endge­ räte angeschlossen werden können, wobei die einschlägi­ gen Vorschriften bezüglich der Schleifenwiderstände, Isolationswiderstände, der Energieaufnahme der schalten­ den Elemente usw. eingehalten werden.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch die technische Lehre des Patentanspruchs 1 gelöst.
Um n Endgeräte an eine Anschlußleitung anschalten zu können, ist die Schaltung mit Vorteil so ausgebildet, daß die an den Pluspol der Anschlußleitung anschließba­ ren oder anzuschließenden ersten Zweige einer jeden Schleife eines Endgerätes von einer ersten mit dem Plus­ pol verbundenen Leitung abzweigen. In diese erste Lei­ tung sind n erste Wechselkontakte der n Setz- und Rück­ setzschaltungen, die jedem Endgerät zugeordnet sind, in Serie geschaltet. Die an sich bekannten, in die ersten Schleifenzweige eingeschalteten n Schleifenerkennungen sind jeweils über einen zweiten Wechselkontakt der Setz- und Rücksetzschaltung mit dem Endgerät verbunden. Mit dem Pluspol der Anschlußleitung ist ferner mit Vorteil eine zweite Leitung verbunden, an die die Belegungspole der n zweiten Wechselkontakte angeschlossen sind. Mit Belegungspol wird jeweils derjenige Pol eines Wechsel­ kontaktes bezeichnet, auf den dessen Wechselkontakt beim Belegen des zugehörigen Endgerätes umschaltet.
Durch diese Schaltungsmaßnahmen wird sichergestellt, daß bei n Endgeräten bei der Inbetriebnahme eines Endge­ rätes, beispielsweise beim Abheben des Hörers einer Sprechstelle, die zugeordnete Schleifenerkennung die Setzschaltung schalten kann, wobei die Schleifener­ kennung beim Setzen aus der Schleife ausgeschaltet wird.
Um der Forderung für den Anschluß an eine Anschlußlei­ tung nachzukommen, alle angeschlossenen Schleifen der Endgeräte bei Nichtbelegung offenzuhalten, ist in jeden der mit dem Minuspol der Anschlußleitung verbundenen zweiten Schleifenzweige ein selbstsperrender n-Kanal MOS FET eingeschaltet, dessen Gate über einen ersten hoch­ ohmigen Widerstand mit der ersten Leitung und dessen Gate und Drain über einen ersten elektronischen Schalter miteinander verbunden sind. Durch die hochohmige An­ steuerung der n-Kanal MOS FET sind diese bei Nichtbele­ gung leitend. Durch das Kurzschließen von Gate und Drain der n-Kanal MOS FET über einen steuerbaren ersten elek­ tronischen Schalter besteht die Möglichkeit, die An­ steuerung, d. h. die positive Vorspannung, durch die die n-Kanal MOS FET leitend werden, aufzuheben, so daß diese sperren. Dieses Aufheben der Ansteuerung dieser n-Kanal MOS FET geschieht mit Vorteil dadurch, daß jeweils jeder der n Belegungspole der ersten Wechselkontakte mit den n-1 Ansteuerungen der ersten elektronischen Schalter in den anderen zweiten Schleifenzweigen und über einen zweiten hochohmigen Widerstand, dessen Widerstandswert kleiner ist als der des ersten, mit dem Gate des n-Kanal MOS FET im zugeordneten Schleifenzweig verbunden ist. Beim Belegen wird der dem Endgerät zugeordnete erste Wechselkontakt umgeschaltet und verbindet dessen Bele­ gungspol mit dem Pluspol der Anschlußleitung. Dieser Pluspol ist dann mit allen Ansteuerungen der ersten elektronischen Schalter in den anderen Schleifenzweigen verbunden, so daß durch die n-1 elektronischen Schalter die zugeordneten n-Kanal MOS FET gesperrt und damit die Schleifenzweige dieser Endgeräte unterbrochen werden. Da das Setzen bewirkt, daß der dem gesetzten Endgerät zu­ geordnete erste Wechselkontakt die Leitung zum ersten hochohmigen Widerstand unterbricht, wird der n-Kanal MOS FET in der Schleife des gesetzten Endgerätes dadurch offengehalten, daß dessen Gate über den Belegungspol des zugeordneten ersten Wechselkontaktes und einen zweiten hochohmigen Widerstand mit dem positiven Pol der An­ schlußleitung verbunden wird.
Durch die erfindungsgemäße Schaltung kann ohne Ver­ wendung von vielpoligen Relais beim Setzen eines End­ gerätes eine zweipolige Abschaltung der anderen nicht gesetzen Endgeräte erfolgen. Die Anforderungen, die bezüglich der Schleifenbelastung und der Energieaufnahme gestellt werden, können dadurch erfüllt werden, daß die n-Kanal MOS FET einen Kanalwiderstand kleiner als 10 Ohm aufweisen, daß der erste hochohmige Widerstand einen Widerstandswert größer als 6 mOhm und der zweite einen im Bereich vom 450 bis 500 kOhm aufweisen.
Um sicherzustellen, daß beim Setzen die zugeordnete Schleife auf alle Fälle offengehalten wird, ist in jeder der n Schleifen der Ausgang der Schleifenerkennung über einen hochohmigen Widerstand, dessen Widerstandswert kleiner ist als der des ersten, mit dem Gate des n-Kanal MOS FET verbunden. Der Widerstandswert wird kleiner gewählt, weil beim Schließen der Schleife die Speise­ spannung von etwa 60 V auf etwa 15 V abfällt.
Eine in vorteilhafter Weise sehr einfache Schaltungsan­ ordnung wird dadurch erzielt, daß der zweite hochohmige Widerstand über eine erste Diode mit dem Ausgang der Schleifenerkennung und über eine zweite, entgegengesetzt gerichtete Diode mit dem Belegungspol des Wechselkontak­ tes verbunden ist. Dadurch ist für die Ansteuerung so­ wohl über den Belegungspol als auch über die Schlei­ fenerkennung nur ein einziger Widerstand erforderlich.
Mit Vorteil ist dem ersten hochohmigen Widerstand ein RC- Glied parallel geschaltet, um beim Umsetzen den Puls für eine Aufrechterhaltung des Anschlusses auszunutzen.
Eine einfache, vorteilhafte Auslegung der Schaltung wird dadurch erzielt, daß der erste elektronische Schal­ ter einen Transistor aufweist, dessen Basis jeweils mit den n-1 Belegungspolen der ersten Wechselkontakte, die den anderen Endgeräten zugeordnet sind, verbunden ist.
Um bei Verwendung einer aus AWADo-Schaltungen bekannten Schleifenerkennung in der erfindungsgemäßen Schaltung zu erreichen, daß bei gleichzeitigem Schleifenschluß an zwei Endgeräten nur ein Endgerät gesetzt werden kann, ist mit Ausnahme der Schleife des ersten Endgerätes in den, als an sich bekannte Transistorschaltung ausgebil­ deten n-1 Schleifenerkennungen in die Ansteuerung der Basis des Schleifentransistors ein PNP-Kurzschluß-Tran­ sistor geschaltet. Die Basis dieses PNP-Kurzschluß- Transistors in der n-ten Schleife ist an eine Serien­ schaltung aller Erkennungswiderstände der n-1 vorge­ schalteten Schleifenerkennungen angeschlossen. Durch diese Schaltung wird erreicht, daß zuerst in der vorge­ schalteten Schleifenerkennung am zugeordneten Kondensa­ tor die Ansteuerspannung für den Schleifentransistor erreicht wird, so daß in der Schleife dieses Gerätes gesetzt werden kann. Mit Vorteil wird eine interne Vor­ rangschaltung für die Endgeräte geschaffen, die bei gleichzeitigem Abheben an mehreren Endgeräten ein Bele­ gen nur eines bestimmten Endgerätes ermöglicht.
Mit Vorteil ist ferner für das erste Endgerät eine Vorrangschaltung vorgesehen, die wahlweise eingeschaltet werden kann und die es ermöglicht, daß der Teilnehmer am ersten Endgerät, beispielsweise einem Telefon, eine Belegung eines anderen Endgerätes, z. B. eines Anruf­ beantworters, unterbrechen kann und die Verbindung zur Anschlußleitung erhält. Dazu sind die Belegungspole der n-1, dem ersten nachgeschalteten ersten Wechselkontakt mit dem Emitter eines PNP-Transistors verbunden. Dessen Kollektor ist an die n-1 Ansteuerungen der ersten elek­ tronischen Schalter in den nachgeschalteten n-1 zweiten Schleifenzweigen angeschlossen. Die Source und Drain des n-Kanal MOS FET in der Schleife des ersten Endgerätes sind durch einen Widerstand überbrückt. Die Basis des PNP-Transistors wird durch eine Belegung des ersten Endgerätes negativ vorgespannt. Durch die Schaltungsan­ ordnung werden beim Abheben des Hörers in dem ersten Endgerät die Schleifen aller anderen Endgeräte unter­ brochen. Zwischen Emitter und Basis des PNP-Transistors ist ein Kondensator geschaltet, um Störungen durch Wähl­ impulse zu verhindern.
Um die Basis des PNP-Transistors in der gewünschten Weise anzusteuern, ist mit Vorteil das Gate eines selbstsperrenden p-Kanal MOS FET mit der W-Ader des ersten Endgerätes verbunden. Der negative Anschluß des ersten Endgerätes ist über einen Widerstand am negativen Pol der Anschlußleitung angeschlossen. Die Source des p- Kanal MOS FET ist an den Emitter des PNP-Transistors und dessen Drain an die Verbindung zwischen der Basis des PNP-Transistors und dem Minuspol der Anschlußleitung angeschlossen. Durch diese Schaltung wird der p-Kanal MOS FET ständig im leitenden Zustand gehalten und da­ durch wird der PNP-Transistor gesperrt. Wenn an dem ersten Endgerät der Hörer abgenommen wird, wird der p- Kanal MOS FET gesperrt. Der PNP-Transistor schaltet durch und kann nunmehr die Steuerspannung weiterleiten.
Mit besonderem Vorteil ist ein Wahlschalter an den nega­ tiven Pol der Anschlußleitung angeschlossen, dessen einer Pol über einen Widerstand an den negativen An­ schluß des ersten Endgerätes und dessen anderer Pol über einen Widerstand an die Verbindung zwischen der W-Ader des ersten Endgerätes und dem Gate des p-Kanal MOS FET angeschlossen ist. Bei der Schaltung des Wahlschalters auf den zuerstgenannten Pol ist die Vorrangschaltung eingeschaltet. In der zweiten Schaltstellung dieses Wahlschalters wird der p-Kanal MOS FET dauernd offenge­ halten, so daß die Vorrangschaltung unwirksam bleibt.
Der Kollektor dieses PNP-Transistors ist mit den An­ steuerungen einer, aus den AWADo bekannten elektro­ nischen Steuerschaltung für die n-1 nachgeschalteten Rücksetzschaltungen verbunden. Wird eine aus dem AWADo bekannten Rücksetzschaltung verwendet, werden alle Rück­ setzschaltungen aller nachgeschalteten Endgeräte in die Lage versetzt, eine Rücksetzung durchzuführen. Lediglich die Rücksetzschaltung des belegten Endgerätes reagiert, d. h. lediglich die Spule dieser Rücksetzschaltung wird in den Stromkreislauf eingeschaltet, um die Rücksetzung durchzuführen.
Da die Möglichkeit besteht, daß durch außerhalb der er­ findungsgemäßen Schaltung im Bereich der Anschlußleitung durchgeführte Arbeiten die Pole der Anschlußleitung ver­ tauscht werden, ist mit Vorteil eine Verpolungsschutz­ schaltung der erfindungsgemäßen Schaltung vorgeschaltet. Zwischen den Polen der Anschlußleitung und der Wechsel­ schaltung ist ein bistabiles Relais mit zwei Spulen und zwei Wechselkontakten eingeschaltet. In Reihe zu jeder Spule liegt eine Diode, die zueinander entgegengesetzt gerichtet sind und bei richtiger Polung in Sperrichtung liegen. Bei richtiger Polung wird das Relais nicht betä­ tigt. Bei falscher Polung erfolgt mittels der Wechsel­ kontakte des bistabilen Relais eine Umschaltung, so daß der erfindungsgemäßen Schaltung die Speisespannung aus der Anschlußleitung unter den richtigen Vorzeichen zuge­ führt wird. Mit Vorteil ist parallel zu jeder Spule ein Kondensator geschaltet, der eine mögliche Erregung der Spule durch den Rufwechselstrom verhindert.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung soll unter Bezug­ nahme auf den Stromlaufplan erläutert werden.
Der Stromlaufplan zeigt den Anschluß von vier Endgeräten SpSt 1-4 an eine Anschlußleitung La/Lb. Im Stromlaufplan ist die Möglichkeit einer Verpolung schematisch durch die Bezeichnung der beiden Pole "Lb/La" und "La/Lb" an der Schnittstelle X 6 dargestellt. Zwischen den Polen der Anschlußleitung La/Lb und der automatischen Wechsel­ schaltung ist eine Verpolungsschutzschaltung eingeschal­ tet. Diese Verpolungsschutzschaltung weist ein bi­ stabiles Relais auf. Die beiden Spulen dieses bistabilen Relais sind bei KVA und KVB dargestellt. Diese Spulen KVA und KVB schalten die Wechselkontakte KV, 4, 6, S und KV, 9, 11, 13. Die Spulen KVA, KVB der bistabilen Relais sind, wie dargestellt, an die Pole der Anschluß­ leitung La/Lb angeschlossen. In Reihe zu jeder Spule KVA, KVB liegt je eine Diode V 44 und V 45. Zu jeder Spule KVA, KVB ist ein Kondensator C 22, C 23 parallel geschal­ tet. In der Ausgangsposition befinden sich die Relais­ kontakte in der Schalterstellung 4/6 und 13/11. Bei richtiger Polung liegen die Dioden V 44, V 45 in Sperrichtung und verhindern einen Stromfluß durch die Spulen KVA, KVB. Wird die Anschlußleitung La/Lb verpolt, liegt eine der beiden Dioden V 44, V 45 in Flußrichtung. Es fließt ein Strom z. B. von Lb/La - KV (6-4) - KVA (16/1) - V 44 - La/Lb. Der Strom erregt das Relais und die KV-Kontakte werden geschaltet. Der Ausgang der Ver­ polungsschaltung hat nun wieder die gewünschte Polari­ tät. Eine Erregung der Spulen KVA, KVB durch einen Ruf­ wechselstrom wird durch die parallel zu den Spulen KVA, KVB liegenden Kondensatoren C 22, C 23 verhindert.
An den Ausgang der Verpolungsschaltung, die mit dem Pluspol Lb der Anschlußleitung La/Lb verbunden ist, ist eine erste Leitung 3 angeschlossen. In diese erste Lei­ tung 3 sind in Serie erste Wechselkontakte K 1- K 4 der Setz- und Rücksetzschaltungen eingeschaltet, die bei Nichtbelegung eines Endgerätes jeweils die dargestellte Schaltstellung 13/11 einnehmen. Von dieser Leitung 3 zweigen die ersten Schleifenzweige 1 eines jeden Endge­ rätes SpStn ab. In den von der ersten Leitung 3 abge­ zweigten ersten Schleifenzweig 1 ist eine an sich be­ kannte Schleifenerkennung eingeschaltet. Die Schlei­ fenerkennungen weisen die Schleifenerkennungswiderstände R 53, R 54, RS 5 und R 56 in jeder Schleife auf. Diese Schleifenerkennungswiderstände R 53, R 54, R 55 und R 56 sind über zweite Wechselkontakte Kn 4, 6, 8 der Setz- und Rücksetzschaltungen mit den jeweiligen Endgeräten SpStn verbunden. Bei der dargestellten Stellung der zweiten Wechselkontakte Kn 4, 6, 8 stellt jeder Schlei­ fenzweig 1 eine Verbindung des zugeordneten Endgerätes SpStn über die Leitung 3 mit dem Pluspol Lb der An­ schlußleitung La/Lb sicher.
Von jedem Endgerät SpStn verläuft ein zweiter Schleifen­ zweig 2 zum Minuspol La der Anschlußleitung La/Lb. In jeden dieser zweiten Schleifenzweige 2 ist ein selbstsperrender n-Kanal MOS FET V 55, V 56, V 57, V 58 ein­ geschaltet. Zur Ansteuerung dieses selbstsperrenden n- Kanal MOS FET V 55 bis V 58 ist das Gate eines jeden MOS FET unter Zwischenschaltung der Dioden Vn 15 bzw. Vn 14 und der Widerstände R 67 bis R 70 über den ersten hoch­ ohmigen Widerstand R 65 an die erste Leitung 3 ange­ schlossen. Durch diese Ansteuerung der Gates der n-Kanal MOS FET V 55 bis V 58 werden diese n-Kanal MOS FET leitend gehalten, so daß die Schleife eines jeden Endgerätes SpStn offen ist.
Wie dargestellt, ist zwischen Gate und Source eines jeden der selbstsperrenden n-Kanal MOS FET V 55- V 58 ein Transistor V 63, V 64, V 65, V 66, eingeschaltet, dessen Basis angesteuert wird, um die Ansteuerung der zuge­ hörigen n-Kanal MOS FET V 55- V 58 in einer vorbestimmten Weise aufzuheben, so daß diese n-Kanal MOS FET V 55- V 58 sperren. Die Belegungspole 9 der ersten Wechselkontakte Kn 9, 11, 13 sind jeweils an die Leitungen L 1 bis L 4 angeschlossen. Über diese Leitungen L 1 bis L 4 werden die Basen der Transistoren V 63 bis V 66 angesteuert, die nicht in der Schleife liegen, die dem umgeschalteten ersten Wechselkontakt Kn 9, 11, 13 zugeordnet ist. Ferner wird über jede dieser Leitungen L 1 bis L 4 nur über einen zweiten hochohmigen Widerstand R 61 bis R 64 das Gate des n-Kanal MOS FET V 55- V 58 in der zugeordneten Schleife angesteuert.
Es ist eine zweite Leitung 5 vorgesehen, die den Pluspol Lb der Anschlußleitung La/Lb mit den Belegungspolen 8 der zweiten Wechselkontakte Kn 4, 6, 8 verbindet.
Erfolgt ein Ruf, so fließt der Rufwechselstrom parallel durch alle Schleifenzweige 1, 2 aller Endgeräte SpStn. Für das Endgerät SpSt 2 ergibt sich beispielsweise fol­ gender Strompfad Lb/La - KV (6/4) - K 1 (13/11) - K 2 (13/11) - K 3 (13/11) - K 4 (13/11)-R 54- K 2 (6/4) - X 3 (B) - SpSt 2 - X 3 (A) - V 57 - KV (13/11) - La/Lb. Die in diese Schleife eingeschaltete, aus dem AWADo bekannte Setzschaltung, die den Widerstand R 54, den Kondensator C 18 und den Transistor V 53 aufweist, spricht bei einem Rufwechselstrom nicht an.
Wird am Endgerät SpSt 2 der Handapparat abgehoben, so fließt ein Gleichstrom durch den im vorstehenden aufge­ führten Strompfad. Am Schleifenerkennungswiderstand R 54 tritt ein Spannungsabfall auf. Über den Widerstand R 57 wird der Kondensator C 18 geladen, der die Basis des Transistors V 53 ansteuert und bei einer bestimmten Auf­ ladung den Transistor durchschaltet. Es entsteht ein Stromfluß durch die Schleife über den Widerstand R 12 zur an sich aus dem AWADo bekannten Setzschaltung, die die Diode V 8, den Widerstand R 48, den Kondensator C 16, die Relaiswicklung K 2 A, den Thyristor V 27, den Kondensator C 10, den Widerstand R 52, die Z-Diode V 50 und die Diode V 18 aufweist. Gleichzeitig wird über den Widerstand R 63 eine Ansteuerungsspannung dem Gate des n-Kanal MOS FET V 57 zugeführt. In der Setzschaltung wird durch den fließenden Strom der Kondensator C 16 aufgeladen bis die Durchbruchspannung der Z-Diode V 50 erreicht ist. Wird die Z-Diode V 50 leitend, zündet der Thyristor V 27 und es fließt ein Strom über die Setzwicklung K 2 A des K 2- Relais. Die ersten und zweiten Wechselkontakte K 2 wer­ den in die Schaltstellung 13/9 und 4/8 geschaltet. Die Schleifenerkennung wird ausgeschaltet. Die anderen Endgeräte SpStn werden einpolig abgeschaltet.
Da am ersten Wechselkontakt K 2 eine Umschaltung auf den Belegungspol 9 erfolgt ist, ist die Leitung 3 unter­ brochen und die Leitung L 2 steht unter Spannung. Über die Dioden V 5, Vn 7 und Vn 1 werden die Transistoren V 63, V 65 und V 66 angesteuert und durchgeschaltet. Den selbst­ sperrenden n-Kanal MOS FET V 55, V 56, V 58 wird die An­ steuerung über den ersten hochohmigen Widerstand R 65 ge­ nommen, so daß diese n-Kanal MOS FET sperren. Auf diese Weise werden die nicht belegten Endgeräte SpStn zweipo­ lig abgeschaltet.
Wenn nach Beendigung des Gespräches der Handapparat des Endgerätes SpSt 2 aufgelegt wird, kehrt die Schaltung durch eine, einem jeden Endgerät zugeordnete, aus dem AWADo bekannte Rücksetzschaltung in ihre Ruhestellung zurück. Die dem Endgerät SpSt 2 zugeordnete Rücksetz­ schaltung weist die Diode V 19, den Widerstand R 6, den Kondensator C 11, den Thyristor V 26, die Z-Diode V 35, die Relaisspule K 2 B, den Kondensator C 3 und den Widerstand R 10 auf.
Beim Auflegen des Handapparates wird in dem Endgerät SpSt 2 eine interne Verbindung zwischen La und der W-Ader hergestellt, so daß sich folgender Strompfad ergibt: Lb/La - KV (6/4) - K 1 (13/11) - K 2 (13/9) - R 10 - C 3 - V 19 - X 3 (W) - SpSt 2 - X 3 (A) - V 57 - KV (13/11) - La/Lb.
Bei einem Stromfluß durch diesen Strompfad wird der Kondensator C 3 aufgeladen bis die Durchbruchspannung der Z-Diode V 35 erreicht ist und diese Z-Diode V 35 durch­ schaltet. Der Thyristor V 26 wird gezündet. Es entsteht ein Stromfluß durch die Relaisspule K 2 B, wodurch das Relais zurückgesetzt wird.
Die selbstsperrenden n-Kanal MOS FET V 55, V 56 und V 58 in den Schleifen der anderen Endgeräte SpStn werden wieder angesteuert und durchgeschaltet. Die Wechselschaltung hat ihre Ausgangslage erreicht.
Bei einer Gesprächsweitergabe von einem Endgerät zum anderen wird bei diesem Endgerät der Handapparat abge­ nommen und am gesprächsführenden Endgerät der Handappa­ rat aufgelegt. Damit bei diesem Umsetzen das Gespräch nicht verlorengeht, ist dem ersten hochohmigen Wider­ stand R 65 ein RC-Glied C 21- R 44 parallel geschaltet, das beim Umsetzen einen Ansteuerungspuls für die n-Kanal MOS FET V 55- V 58 überträgt. Die Rücksetz- und Setz­ funktionen werden so schnell durchlaufen, daß ein Ge­ sprächverlust vermieden wird.
Da die Möglichkeit besteht, daß gleichzeitig an zwei verschiedenen Endgeräten SpStn die Handapparate abgeho­ ben werden, wird Vorsorge getragen, daß lediglich in der Schleife des in der inneren Priorität vorgeschalteten Endgerätes SpStn die Schleifenerkennung wirksam wird und somit lediglich in dieser Schleife das Setzen erfolgen kann. Zu diesem Zweck ist mit Ausnahme des ersten Endge­ rätes SpSt 1 in die Ansteuerung der Schleifentransisto­ ren V 51 bis V 53 jeweils ein PNP-Kurzschluß-Transistor V 60, V 61, V 62 eingeschaltet. Die Basis eines jeden die­ ser PNP-Kurzschluß-Transistoren V 60- V 62, wird durch alle Schleifenwiderstände der vorgeschalteten Schleifen angesteuert. Dadurch kann lediglich der Schleifenkonden­ sator des vorgeschalteten Endgerätes SpStn die zur Durchschaltung des Schleifentransistors erforderliche Spannung erreichen.
Beim dargestellten Ausführungsbeispiel ist die Schaltung derart ausgelegt, daß das Endgerät SpSt 1 wahlweise be­ vorrechtigt werden kann.
Dem Endgerät SpSt 1 ist ein PNP-Transistor V 59 zuge­ ordnet, der über den Widerstand R 42 und die Leitung L 5 alle nachgeschalteten Transistoren V 64- V 66 ansteuert. In die Ansteuerung dieses PNP-Transistors V 59 ist ein selbstsperrender p-Kanal MOS FET V 67 eingeschaltet. Die Source dieses p-Kanal MOS FET V 67 liegt über die Diode V 1 an positiver Spannung und ist ferner mit dem Emitter des PNP-Transistors V 59 verbunden. Der Drain dieses p- Kanal MOS FET V 67 ist in die Ansteuerung R 19, R 73 des PNP-Transistors V 59 eingeschaltet. Das Gate des p-Kanal MOS FET V 67 liegt über den Widerstand R 27 an der W-Ader des Endgerätes SpSt 1. Es ist ein Wahlschalter S 1 vorge­ sehen. Befindet sich der Wahlschalter S 1 in der darge­ stellten Stellung, so liegt am Pol 10 das Potential des Minuspol La der Anschlußleitung La/Lb an. Über einen Widerstand R 43 erfolgt eine Vorspannung des Gates des p- Kanal MOS FET V 67 mit diesem negativen Potential, so daß der p-Kanal MOS FET V 67 leitend ist. Dadurch wird der pNP-Transistor V 59 gesperrt. Der Pol 7 des Wahlschalters S 1 ist über den Widerstand R 34 zwischen dem Drain des selbstsperrenden n-Kanal MOS FET V 55 und dem La-Anschluß des Endgerätes SpSt1 verbunden. Ist der Wahlschalter S 1 auf den Pol 7 umgeschaltet und wird beim Endgerät SpSt 1 durch den aufgelegten Handapparat eine Verbindung La - W erzeugt, so ist das Gate des p-Kanal MOS FET V 67 derart vorgespannt, daß dieser p-Kanal MOS FET V 67 leitend ist. Wenn an dem Endgerät SpSt 1 der Handapparat aufgenommen und die Verbindung La - W aufgehoben wird, wird diese Vorspannung unterbrochen, der p-Kanal MOS FET V 67 wird gesperrt. Dadurch wird der PNP-Transistor V 59 leitend. Über den Widerstand R 42 wird bei einem belegten Endgerät der Transistor V 64, V 6 S oder V 66 leitend und schaltet dadurch den n-Kanal MOS FET V 56 oder V 57 oder V 58 ab, so daß das dazugehörige Endgerät SpStn abgeschaltet wird.
Gleichzeitig werden über die Widerstände R 22, R 21 oder R 23 die Transistoren V 40, V 41 und V 38 angesteuert, die die jeweilige Rücksetzschaltung aktivieren. Die Rück­ setzschaltung des belegten Endgerätes SpSt 1 und die Setzschaltung des bevorrechtigten ersten Endgerätes SpSt 1 werden aktiv. Dadurch hat das Endgerät SpSt 1 das Gespräch übernommen oder ist für eine Wahl mit der Anschlußleitung La/Lb verbunden.

Claims (13)

1. Leitungsgespeiste, automatische Wechselschaltung, die eine Haupt- oder Nebenanschlußleitung (Anschluß­ leitung) mit n Endgeräten, insbesondere Sprech­ stellen verbindet, in deren Schleifen jeweils eine, eine Setzschaltung steuernde Schleifenerkennung ein­ geschaltet und in der jeweils jedem Endgerät eine Rücksetzschaltung zugeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, daß
  • 1. die an den Pluspol (Lb) der Anschlußleitung (La/Lb) anschließbaren ersten Schleifenzweige (1) von einer ersten, mit dem Pluspol (Lb) verbundenen Leitung (3) abzweigen, in die
  • 1.1 n erste Wechselkontakte (Kn 9, 11, 13) der n Setz- und Rücksetzschaltungen (KnA, KnB) in Serie geschaltet sind,
  • 2. die, in die ersten Schleifenzweige (1) einge­ schalteten n Schleifenerkennungen (R 53-56; C 17-20; V 51-54) jeweils über einen zweiten Wechselkontakt (Kn 4, 6, 8) der Setz- und Rücksetzschaltungen (KnA, KnB) mit den Endge­ räten (SpStn) verbunden sind,
  • 3. mit dem Pluspol (Lb) der Anschlußleitung (La/Lb) eine zweite Leitung (5) verbunden ist, an die die Belegungspole (Kn 8) der n zweiten Wechselkontakte (Kn 4, 6, 8) ange­ schlossen sind,
  • 4. in jedem, mit dem Minuspol (La) der Anschluß­ leitung (La/Lb) verbundenen zweiten Schlei­ fenzweig (2) ein selbstsperrender n-Kanal MOS FET (V 55- V 58) eingeschaltet ist, dessen Gate über einen ersten hochohmigen Widerstand (R 65) mit der ersten Leitung (3) und
  • 5. dessen Gate und Source über einen ersten elektronischen Schalter (V 63- V 66) miteinander verbunden sind,
  • 6. jeweils jeder der n Belegungspole (9) der ersten Wechselkontakte (Kn 9, 11, 13) mit den Ansteuerungen (RN 1, R 41, R 32, R 33, R 35, R 39, R 38, R 36) der n-1 ersten elektronischen Schalter (V 63- V 66) in den, diesen ersten Wechselkontakt nicht enthaltenden n-1 zweiten Schleifenzweigen (2) und
  • 7. über einen zweiten hochohmigen Widerstand (R 61-64), dessen Widerstandswert kleiner ist als der des ersten (R 65), mit dem Gate des n- Kanal MOS FET (V 55- V 58) im zugeordneten Schleifenzweig (2) verbunden ist.
2. Leitungsgespeiste, automatische Wechselschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
  • 4.1 der n-Kanal MOS FET (V 55- V 58) einen Kanalwi­ derstand kleiner als zehn Ohm,
  • 4.2 der erste hochohmige Widerstand (R 65) einen Widerstandswert größer als 6 mOhm und
  • 7.1 der zweite (R 61-64) einen im Bereich von 450 bis 500 kOhm aufweisen.
3. Leitungsgespeiste, automatische Wechselschaltung nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß
  • 8. in jedem der n ersten Schleifenzweige (1) der Ausgang (V 51-54) der Schleifenerkennung (R 53-56; C 17-20; V 51-54) über einen hochohmigen Widerstand, dessen Widerstandswert kleiner ist als der des ersten (R 65), mit dem Gate des n-Kanal MOS FET (V 55-58) verbunden ist.
4. Leitungsgespeiste, automatische Wechselschaltung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß
  • 4.3 der zweite hochohmige Widerstand (R 61- R 64) über eine erste Diode (VN 9, 10, 12, 13) mit dem Ausgang (V 51-54) der Schleifenerkennung (R 53-56; C 17-20; V 51-54) und über eine zweite, entgegengesetzt gerichtete Diode mit dem Belegungspol (9) des ersten Wechsel­ kontaktes (Kn 9, 11, 13) verbunden ist.
5. Leitungsgespeiste, automatische Wechselschaltung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß
  • 9. zu dem ersten hochohmigen Widerstand (R 65) ein RC-Glied (R 44, C 21) parallel geschaltet ist.
6. Leitungsgespeiste, automatische Wechselschaltung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß
  • 6.1 in jeder Schleife (1, 2) der erste elektro­ nische Schalter einen Transistor (V 63-66) aufweist, dessen Basis jeweils mit den n-1 Belegungspolen (9) der ersten, den betreffen­ den Schleifenzweig nicht zugeordneten Wechselkontakte (Kn 9, 11, 13) verbunden ist.
7. Leitungsgespeiste, automatische Wechselschaltung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß
  • 10. mit Ausnahme der Schleife (1, 2) des ersten Endgerätes (SpSt 1) in den, als an sich be­ kannte Transistorschaltung (R 53-55, C 18-20, V 51-53) ausgebildeten n-1 Schleifenerken­ nungen (R 53-55; C 17-20; V 51-53), in die An­ steuerung der Basis des Schleifentransistors (V 51-53) ein PNP-Kurzschluß-Transistor (V 60- 62) geschaltet, und jeweils
  • 10.1 die Basis dieses PNP-Kurzschluß-Transistors (V 60-62) in der n.ten Schleife an eine Rei­ henschaltung aller Erkennungswiderstände (R 53-56) in den n-1 vorgeschalteten Schlei­ fenerkennungen (R 53-56; C 17-20; V 51-54) ange­ schlossen ist.
8. Leitungsgespeiste, automatische Wechselschaltung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 7 mit einer einschaltbaren Vorrangschaltung des ersten Endgerätes, dadurch gekennzeichnet, daß
  • 11. die Belegungspole (9) der n-1, dem nachge­ schalteten ersten Wechselkontakt (Kn 9, 11, 13) mit dem Emitter eines PNP-Transistors (V 59) verbunden sind und dessen
  • 11.1 Kollektor mit den n-1 Ansteuerungen (R 32, R 33, R 35, R 39, R 38, R 36) der ersten elektro­ nischen Schalter (V 63-66) in den n-1 nachge­ schalteten zweiten Schleifenzweigen (2) ver­ bunden ist,
  • 11.2 Source und Drain des n-Kanal MOS FET (V 55) in der Schleife des ersten Endgerätes (SpSt 1) durch einen Widerstand (R 34) überbrückt wer­ den können und
  • 11.3 die Basis des PNP-Transistors (V 59) durch Belegung des ersten Endgerätes (SpSt 1) an­ steuerbar ist.
9. Leitungsgespeiste, automatische Wechselschaltung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß
  • 11.4 zwischen Emitter und Basis des PNP- Transistors (V 59) ein Kondensator (C 25) ge­ schaltet ist.
10. Leitungsgespeiste, automatische Wechselschaltung nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, daß
  • 12. das Gate eines selbstsperrenden p-Kanal MOS FET (V 67) mit der W-Ader des ersten Endge­ rätes (SpSt 1) verbunden ist,
  • 13. der negative (La)-Anschluß des ersten End­ gerätes (SpSt 1) über einen Widerstand (R 34) an den Minuspol (La) der Anschlußleitung (La/Lb) angeschlossen sein kann,
  • 12.1 die Source des p-Kanal MOS FET (V 67) an den Emitter des PNP-Transistors (V 59) und
  • 12.2 dessen Drain an die Verbindung zwischen der Basis des PNP-Transistors (V 59) und dem Mi­ nuspol (La) der Anschlußleitung (La/Lb) ange­ schlossen ist.
11. Leitungsgespeiste, automatische Wechselschaltung nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, daß
  • 13. ein Wahlschalter (S 1) an den Minuspol (La) der Anschlußleitung (La/Lb) angeschlossen ist,
  • 13.1 dessen einer Pol (7) über einen Widerstand (R 34) an den negativen Anschluß (La) des ersten Endgerätes (SpSt 1) und
  • 13.2 dessen anderer Pol (10) über einen Widerstand (R 43) an die Verbindung zwischen der W-Ader des ersten Endgerätes (SpSt 1) und dem Gate des p-Kanal MOS FET (V 67) angeschlossen ist.
12. Leitungsgespeiste, automatische Wechselschaltung nach mindestens einem der Ansprüche 8 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß
  • 11.4 der Kollektor des PNP-Transistors (V 59) mit den Ansteuerungen (V 40, V 41, V 38) einer an sich bekannten elektronischen Steuerschaltung (V 38-43) für die n-1 nachgeschalteten Rück­ setzschaltungen (KnB) verbunden ist.
13. Leitungsgespeiste, automatische Wechselschaltung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß
  • 14. zwischen den Minus- und Pluspolen (La, Lb) der Anschlußleitung (La/Lb) und der Wechsel­ schaltung ein bistabiles Relais mit zwei Spulen (KVA, KVB) und zwei Wechselkontakten (KV) eingeschaltet ist,
  • 14.1 in Reihe zu jeder Spule (KVA, KVB) eine Diode (V 45, V 44) liegt, die zueinander entgegen­ gesetzt gerichtet sind und bei richtiger Polung in Sperrichtung liegen und
  • 14.2 parallel zu jeder Spule (KVA, KVB) ein Kon­ densator (C 22, C 23) geschaltet ist.
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