DE3850926T2 - Verfahren und Apparatur zum Prüfen von Halbleiter-Elementen. - Google Patents

Verfahren und Apparatur zum Prüfen von Halbleiter-Elementen.

Info

Publication number
DE3850926T2
DE3850926T2 DE3850926T DE3850926T DE3850926T2 DE 3850926 T2 DE3850926 T2 DE 3850926T2 DE 3850926 T DE3850926 T DE 3850926T DE 3850926 T DE3850926 T DE 3850926T DE 3850926 T2 DE3850926 T2 DE 3850926T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor elements
testing semiconductor
testing
elements
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE3850926T
Other languages
English (en)
Other versions
DE3850926D1 (de
Inventor
Motosuke Miyoshi
Katsuya Okumura
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Publication of DE3850926D1 publication Critical patent/DE3850926D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3850926T2 publication Critical patent/DE3850926T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/302—Contactless testing
    • G01R31/305—Contactless testing using electron beams

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
DE3850926T 1987-09-26 1988-09-26 Verfahren und Apparatur zum Prüfen von Halbleiter-Elementen. Expired - Lifetime DE3850926T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62241629A JPH065691B2 (ja) 1987-09-26 1987-09-26 半導体素子の試験方法および試験装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3850926D1 DE3850926D1 (de) 1994-09-08
DE3850926T2 true DE3850926T2 (de) 1995-01-05

Family

ID=17077163

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE3850926T Expired - Lifetime DE3850926T2 (de) 1987-09-26 1988-09-26 Verfahren und Apparatur zum Prüfen von Halbleiter-Elementen.

Country Status (4)

Country Link
US (2) US4912052A (de)
EP (1) EP0309956B1 (de)
JP (1) JPH065691B2 (de)
DE (1) DE3850926T2 (de)

Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH065691B2 (ja) * 1987-09-26 1994-01-19 株式会社東芝 半導体素子の試験方法および試験装置
JPH01278065A (ja) * 1988-04-28 1989-11-08 Hitachi Ltd 半導体記憶装置
US5162240A (en) * 1989-06-16 1992-11-10 Hitachi, Ltd. Method and apparatus of fabricating electric circuit pattern on thick and thin film hybrid multilayer wiring substrate
US5369359A (en) * 1991-11-05 1994-11-29 Siemens Aktiengesellschaft Particle beam testing method with countervoltage or retarding voltage follow-up or feedback
US5315167A (en) * 1992-04-09 1994-05-24 International Business Machines Corporation Voltage burn-in scheme for BICMOS circuits
JPH08508337A (ja) * 1992-12-31 1996-09-03 ユナイテッド・テクノロジーズ・コーポレイション 非接触電流注入装置とその線形二極回路への応用方法
US5404110A (en) * 1993-03-25 1995-04-04 International Business Machines Corporation System using induced current for contactless testing of wiring networks
US5466614A (en) * 1993-09-20 1995-11-14 At&T Global Information Solutions Company Structure and method for remotely measuring process data
US5638005A (en) * 1995-06-08 1997-06-10 Schlumberger Technologies Inc. Predictive waveform acquisition
US5905381A (en) * 1996-08-22 1999-05-18 Lsi Logic Corporation Functional OBIC analysis
US6504393B1 (en) * 1997-07-15 2003-01-07 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for testing semiconductor and integrated circuit structures
JP3568741B2 (ja) * 1997-07-31 2004-09-22 株式会社東芝 半導体評価装置および半導体製造システム
US6104206A (en) * 1997-08-05 2000-08-15 Verkuil; Roger L. Product wafer junction leakage measurement using corona and a kelvin probe
FR2771853B1 (fr) 1997-11-28 2000-02-11 Sgs Thomson Microelectronics Plot de test de circuit integre
US6184046B1 (en) * 1997-12-09 2001-02-06 Texas Instruments Incorporated Non-contact voltage stressing method for thin dielectrics at the wafer level
DE19758348A1 (de) * 1997-12-22 1999-06-24 Inst Halbleiterphysik Gmbh Verfahren zur Aufnahme von Tiefenprofilen zum Nachweis von Verunreinigungen in Halbleitern
US6346821B1 (en) * 1998-03-27 2002-02-12 Infineon Technologies Ag Method for nondestructive measurement of minority carrier diffusion length and minority carrier lifetime in semiconductor devices
KR100301040B1 (ko) * 1998-05-19 2001-09-06 윤종용 반도체기판상에존재하는얕은핏트의인라인모니터링방법
US6252412B1 (en) 1999-01-08 2001-06-26 Schlumberger Technologies, Inc. Method of detecting defects in patterned substrates
DE69900869T2 (de) * 1999-07-29 2002-07-18 Advantest Corp Verfahren und Vorrichtung zur Prüfung eines elektronischen Bauteils
FR2801680B3 (fr) * 1999-11-26 2002-02-15 Christophe Vaucher Methode de test electrique de la conformite de l'interconnexion de conducteurs electriques disposes sur un substrat, sans contact et sans outillage
CA2308820A1 (en) * 2000-05-15 2001-11-15 The Governors Of The University Of Alberta Wireless radio frequency technique design and method for testing of integrated circuits and wafers
EP1296351A4 (de) * 2000-06-27 2009-09-23 Ebara Corp Untersuchungsvorrichtung für geladene teilchenstrahlen und verfahren zur herstellung eines bauelements mit dieser untersuchungsvorrichtung
KR100875230B1 (ko) * 2000-06-27 2008-12-19 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 하전입자선에 의한 검사장치 및 그 검사장치를 사용한장치제조방법
JP3993094B2 (ja) * 2000-07-27 2007-10-17 株式会社荏原製作所 シートビーム式検査装置
JP3913454B2 (ja) * 2000-08-29 2007-05-09 株式会社リガク 試料の表面リーク電流の測定方法
US6593152B2 (en) * 2000-11-02 2003-07-15 Ebara Corporation Electron beam apparatus and method of manufacturing semiconductor device using the apparatus
EP1271606A1 (de) * 2000-11-02 2003-01-02 Ebara Corporation Elektronenstrahlgerät und verfahren zur herstellung von bauteilen mittels solchem gerät
EP1273907A4 (de) 2000-11-17 2006-08-30 Ebara Corp Methode und instrument zur wafer-inspektion und elektronenstrahlgerät
JP3943022B2 (ja) * 2000-12-01 2007-07-11 株式会社荏原製作所 基板検査装置
WO2002049065A1 (fr) * 2000-12-12 2002-06-20 Ebara Corporation Dispositif a faisceau d'electrons et procede de production de dispositifs a semi-conducteur utilisant ledit dispositif a faisceau d'electrons
JPWO2002056332A1 (ja) * 2001-01-10 2004-05-20 株式会社荏原製作所 電子線による検査装置、検査方法、及びその検査装置を用いたデバイス製造方法
US6456019B1 (en) * 2001-02-03 2002-09-24 Nikon Corporation Real time measurement of leakage current in high voltage electron guns
WO2002103337A2 (en) 2001-06-15 2002-12-27 Ebara Corporation Electron beam apparatus and method for using said apparatus
US6998611B2 (en) 2001-09-06 2006-02-14 Ebara Corporation Electron beam apparatus and device manufacturing method using same
US6917209B2 (en) * 2001-09-15 2005-07-12 Energy Conversion Devices, Inc. Non- contacting capacitive diagnostic device
US7528614B2 (en) * 2004-12-22 2009-05-05 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for voltage contrast analysis of a wafer using a tilted pre-charging beam
JP2004111310A (ja) * 2002-09-20 2004-04-08 Nissin Ion Equipment Co Ltd 基板の帯電電圧計測装置およびイオンビーム照射装置
WO2004053944A2 (en) * 2002-12-11 2004-06-24 Pdf Solutions, Inc. Fast localization of electrical failures on an integrated circuit system and method
US7256055B2 (en) * 2003-08-25 2007-08-14 Tau-Metrix, Inc. System and apparatus for using test structures inside of a chip during the fabrication of the chip
JP4519567B2 (ja) * 2004-08-11 2010-08-04 株式会社日立ハイテクノロジーズ 走査型電子顕微鏡およびこれを用いた試料観察方法
KR100613169B1 (ko) * 2004-10-12 2006-08-17 삼성전자주식회사 무접촉 반도체 소자 테스트 장치 및 테스트 방법
JP4828162B2 (ja) * 2005-05-31 2011-11-30 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子顕微鏡応用装置および試料検査方法
US7462497B2 (en) * 2005-09-14 2008-12-09 Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation Method and system for derivation of breakdown voltage for MOS integrated circuit devices
FR2897690B1 (fr) * 2006-02-17 2008-04-18 Commissariat Energie Atomique Dispositif de test de connexions electriques, sans contact
JP4644617B2 (ja) * 2006-03-23 2011-03-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
JP2008041896A (ja) * 2006-08-04 2008-02-21 Tokyo Electron Ltd 基板検知機構およびそれを用いた基板処理装置
JP4728207B2 (ja) * 2006-11-28 2011-07-20 株式会社日立製作所 検査装置
US7525325B1 (en) * 2006-12-18 2009-04-28 Sandia Corporation System and method for floating-substrate passive voltage contrast
US7733109B2 (en) * 2007-10-15 2010-06-08 International Business Machines Corporation Test structure for resistive open detection using voltage contrast inspection and related methods

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2903077C2 (de) * 1979-01-26 1986-07-17 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur berührungslosen Potentialmessung an einem elektronischen Bauelement und Anordnung zur Durchführung des Verfahrens
JPS55156867A (en) * 1979-05-28 1980-12-06 Hitachi Ltd Potential measuring device
JPS56126933A (en) * 1980-03-11 1981-10-05 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Contactless evaluator for semiconductor
JPS5745465A (en) * 1980-09-02 1982-03-15 Fujitsu Ltd Voltage measuring device
US4417203A (en) * 1981-05-26 1983-11-22 International Business Machines Corporation System for contactless electrical property testing of multi-layer ceramics
US4415851A (en) * 1981-05-26 1983-11-15 International Business Machines Corporation System for contactless testing of multi-layer ceramics
DE3138901A1 (de) * 1981-09-30 1983-04-14 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verbessertes gegenfeld-spektrometer fuer die elektronenstrahl-messtechnik
JPS5932145A (ja) * 1982-08-16 1984-02-21 Hitachi Ltd 電位検出装置
DE3235100A1 (de) * 1982-09-22 1984-03-22 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur messung elektrischer potentiale an vergrabener festkoerpersubstanz
JPS607049A (ja) * 1983-06-24 1985-01-14 Hitachi Ltd 電位測定装置
DE3334494A1 (de) * 1983-09-23 1985-04-11 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum messen niederfrequenter signalverlaeufe innerhalb integrierter schaltungen mit der elektronensonde
DE3676846D1 (de) * 1985-03-28 1991-02-21 Integrated Circuit Testing Verfahren zur indirekten bestimmung der intensitaetsverteilung der in einem korpuskularstrahl-messgeraet erzeugten korpuskularstrahlpulse.
JPS6239942A (ja) * 1985-08-15 1987-02-20 Toyo Commun Equip Co Ltd デ−タ伝送用変復調装置
JPH0646550B2 (ja) * 1985-08-19 1994-06-15 株式会社東芝 電子ビ−ム定位置照射制御方法および電子ビ−ム定位置照射制御装置
EP0232790A1 (de) * 1986-02-06 1987-08-19 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren und Anordnung zur Messung zeitabhängiger Signale mit einer Korpuskularsonde
US4786865A (en) * 1986-03-03 1988-11-22 The Boeing Company Method and apparatus for testing integrated circuit susceptibility to cosmic rays
US4733174A (en) * 1986-03-10 1988-03-22 Textronix, Inc. Circuit testing method and apparatus
DE3617044A1 (de) * 1986-05-21 1987-11-26 Siemens Ag Messverarbeitungsanordnung fuer korpuskularstrahlung
US4730158A (en) * 1986-06-06 1988-03-08 Santa Barbara Research Center Electron-beam probing of photodiodes
US4837506A (en) * 1986-10-02 1989-06-06 Ultraprobe, Inc. Apparatus including a focused UV light source for non-contact measuremenht and alteration of electrical properties of conductors
US4843330A (en) * 1986-10-30 1989-06-27 International Business Machines Corporation Electron beam contactless testing system with grid bias switching
US4766372A (en) * 1987-02-10 1988-08-23 Intel Corporation Electron beam tester
JPH065691B2 (ja) * 1987-09-26 1994-01-19 株式会社東芝 半導体素子の試験方法および試験装置

Also Published As

Publication number Publication date
DE3850926D1 (de) 1994-09-08
US5030908A (en) 1991-07-09
EP0309956A2 (de) 1989-04-05
EP0309956A3 (de) 1991-03-20
US4912052A (en) 1990-03-27
JPS6484629A (en) 1989-03-29
JPH065691B2 (ja) 1994-01-19
EP0309956B1 (de) 1994-08-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3850926D1 (de) Verfahren und Apparatur zum Prüfen von Halbleiter-Elementen.
DE3687842T2 (de) Verfahren und Gerät zum Software-Austesten.
DE3786203T2 (de) Verfahren und apparat zum testen von eprom-halbleitern waehrend des einbrennvorgangs.
DE69015511T2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Verbinden von Halbleitersubstraten.
DE3688725D1 (de) Verfahren und vorrichtung zum herstellen von feinkoernigem siliciummonoxid.
DE3772531D1 (de) Verfahren und apparat zum aufwickeln von bahnen.
DE3771110D1 (de) Verfahren und geraet zum gruppieren von gegenstaenden.
DE3777284D1 (de) Verfahren und einrichtung zum plasma-schweissen.
DE3676977D1 (de) Vorrichtung und verfahren zum pruefen von explosivstoffen.
DE3773770D1 (de) Verfahren und vorrichtung zum behandeln von oberflaechen.
DE3771649D1 (de) Apparat und verfahren zum trocknen von photosensitiven ueberzuegen.
DE3769837D1 (de) Verfahren und apparat zum testen von halbleiterelementen.
DE3672027D1 (de) Verfahren und vorrichtung zum ausrichten.
DE3874892T2 (de) Verfahren und einrichtung zum ausrichten von siliciumplaettchen.
DE3870320D1 (de) Verfahren und vorrichtung zum trennen und testen von vollblut.
DE3784111D1 (de) Verfahren und geraet zum testen von wandlern.
DE3771416D1 (de) Verfahren und vorrichtung zum mikroloeten.
DE3768665D1 (de) Verfahren und vorrichtung zum auftragen von filmen.
DE3782382D1 (de) Vorrichtung und verfahren zum zerteilen von schlacke.
DE3775645D1 (de) Verfahren und vorrichtung zum reinigen von gold.
DE3764496D1 (de) Einrichtung und verfahren zum trennen und ausgeben von endlosformularen.
DE3863921D1 (de) Verfahren und vorrichtung zum pruefen von fahrzeug-stabilisatoren.
DE3677876D1 (de) Verfahren und vorrichtung zum entfernen von vorgarnresten an vorgarnspulen.
DE3580656D1 (de) Verfahren und vorrichtung zum feststellen von phasenveraenderungen.
DE3670800D1 (de) Verfahren und geraet zum aufzeichnen von bildern.

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8320 Willingness to grant licences declared (paragraph 23)