DE3842805A1 - Lichtwellenleiter - Google Patents
LichtwellenleiterInfo
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C13/00—Fibre or filament compositions
- C03C13/04—Fibre optics, e.g. core and clad fibre compositions
- C03C13/045—Silica-containing oxide glass compositions
Description
Die Erfindung betrifft einen Lichtwellenleiter mit einem Kern und einem
Mantel, bei dem der innere Bereich des Mantels mit P₂O₅ dotiert ist.
Im Hinblick auf die Herstellung verlustarmer Glasfasern (Lichtwellenleiter)
wurden in den letzten Jahren verschiedene Materialien untersucht. Im Vor
dergrund stand dabei jeweils Quarz, das zur Erzielung einer bestimmten
Brechzahl dotiert wurde, sowie eine Reihe verschiedener Glassysteme. Die
erwähnte Dotierung beim Quarz zum Zwecke der Einstellung einer gewünsch
ten Brechzahl kann beispielsweise mit den Oxiden des Bors, des Fluors, des
Germaniums und des Phosphors erfolgen. Während GeO₂ und P₂O₅ eine
Erhöhung der Brechzahl des Quarzmaterials bewirken, erzielt man durch Do
tierung mit Fluor und B₂O₃ eine Erniedrigung der Brechzahl.
Am häufigsten wird der Kern mit GeO₂ dotiert und dadurch seine Brechzahl
erhöht. Der Mantel besteht aus reinem Quarzglas. Für die Herstellung von
Quarzfasern wird üblicherweise das CVD-Verfahren angewandt. Beim CVD-
Verfahren beschichtet man ein Substratrohr aus gewöhnlichem und darum
verlustreichem Quarzglas innen zuerst mit reinem Quarzglas für den Mantel,
dann folgen einige Schichten germaniumdotiertes Quarzglas für den Kern.
Die Schichten aus reinem Quarzglas erfordern eine hohe Herstellungstem
peratur für eine einwandfreie Sinterung. Bei hohen Temperaturen besteht
jedoch die Gefahr, daß das Substratrohr deformiert wird.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Lichtwellenleiter anzugeben,
der so ausgebildet ist, daß bei der Herstellung seiner Vorform durch Be
schichtung eines Substratrohres eine Deformation des Substratrohres, die in
folge der bei der Beschichtung erforderlichen hohen Temperaturen auftreten
kann, möglichst verhindert wird. Diese Aufgabe wird bei einem Lichtwellen
leiter der eingangs erwähnten Art nach der Erfindung durch das Kennzeichen
des Anspruchs 1 gelöst.
Bei der Herstellung einer Vorform für Lichtwellenleiter durch Innenbeschich
tung eines Substratrohres geht man bekanntlich von einem Substratrohr aus,
welches zunächst mit Mantelschichten und danach mit Kernschichten innen
beschichtet wird. Der erwähnte innere Bereich des Mantels, der auch als
optisch aktiver Bereich des Mantels bezeichnet wird, ist im vorliegenden
Fall derjenige Bereich des Mantels, der durch die Innenbeschichtung des
Substratrohres (Mantelrohres) mit Mantelschichten gebildet wird.
Gemäß der Erfindung wird der innere Bereich des Mantels zur Vermeidung
einer Deformation des Substratrohres infolge der bei der Innenbeschichtung
zur Anwendung kommenden hohen Temperaturen unterschiedlich mit P₂O₅
dotiert. Die P₂O₅-Dotierung wird deshalb unterschiedlich gewählt, weil
einerseits die Temperatur bei der Innenbeschichtung um so niedriger gehalten
werden kann, je stärker mit P₂O₅ dotiert wird, andererseits aber die Infra
rotabsorption mit stärkerer Phosphordotierung auch ansteigt. Da nun die
Felder der Grundwelle im Mantel radial von innen nach außen abklingen,
wird die unterschiedliche P₂O₅-Dotierung vorzugsweise so gewählt, daß die
P₂O₅-Dotierung im inneren Bereich des Mantels von innen nach außen
zunimmt. Der innere Bereich des Mantels weist vorzugsweise zwei Gebiete
mit unterschiedlicher P₂O₅-Dotierung auf. Das an den Kern grenzende
Gebiet des inneren Bereichs des Mantels ist vorzugsweise schwächer dotiert
als das andere Gebiet des inneren Bereichs.
Die Erfindung wird im folgenden an Ausführungsbeispielen erläutert.
Die Fig. 1 zeigt einen Lichtwellenleiter 1 mit einem Kern 2 und einem
Mantel 3. Wird der Lichtwellenleiter durch Innenbeschichtung eines Substrat
rohres hergestellt, so müssen gemäß der Fig. 2 beim Mantel 3 die beiden
Bereiche 3′ und 3′′ unterschieden werden. Der Bereich 3′ des Mantels 3
entspricht beim fertigen Lichtwellenleiter (gezogene Faser) dem Substrat
rohr, während der Bereich 3′′ dem auf die Innenwand des Substratrohres
aufgebrachten Mantelschichten (cladding layer) entspricht. Der Bereich 3′′
wird beim Lichtwellenleiter der Erfindung als innerer Bereich des Mantels
bezeichnet, der nach der Erfindung unterschiedlich mit P₂O₅ dotiert ist.
Die Fig. 3 zeigt ein Ausführungsbeispiel der Erfindung, bei dem der innere
Bereich 3′′ in zwei Gebiete 3′′ a und 3′′ b unterteilt ist. Das an den Kern 2
grenzende Gebiet 3′′ b des inneren Bereichs 3′′ des Mantels ist dabei schwä
cher mit P₂O₅-dotiert als das andere Gebiet 3′′ a des inneren Bereichs 3′′.
Die Fig. 4 zeigt die Bruchteile der Grundwellenleistung, die in den ver
schiedenen Mehrfachen des Kernradius a geführt werden, als Funktion des
Faserparameters V.
Die Fig. 5 zeigt die Dämpfungserhöhung Δ α p durch Phosphor-Dotierung im
Mantel als Funktion des Faserparameters V.
Die Fig. 6 zeigt eine Faser mit abgesenkter Brechzahl im inneren Mantel
und die zugehörige Dämpfungserhöhung Δ α p durch Phosphor-Dotierung im
Mantel als Funktion des Faserparameters V · b/a=2 und P₂O₅ (b-c) : 1
mol-%.
Die Fig. 7 zeigt eine Faser mit Doppelstufenkern und abgesenkter Brech
zahl im inneren Mantel und die zugehörige Dämpfungserhöhung Δ α p bei
λ=1,55 µm durch Phosphor-Dotierung als Funktion von b/a.a=4,0 µm, c-b=
22,0 µm, Δ₁=0,255%, Δ₂=0,0645%, Δ₃=0,10% und P₂O₅(b-c) : 1 mol-%.
Die Fig. 8 zeigt eine Faser mit Doppelstufenkern und abgesenkter Brech
zahl im inneren Mantel und die zugehörige Dämpfungserhöhung Δ α p bei
λ=1,55 µm durch Phosphor-Dotierung als Funktion von b/a.a=3,5 µm,
c-b=19,25 µm, Δ₁=0,255%, Δ₂=0, Δ₃=0,10% und P₂O₅ (b-c) : 1
mol-%.
Im folgenden werden einfache Stufenfasern und Fasern mit abgesenkter
Brechzahl im inneren Mantel behandelt. P₂O₅ erhöht die Brechzahl. Die
Erhöhung der Brechzahl wird gemäß
Δ n=6,10-4 (mol-%)-1 (1)
berechnet. Dabei ist Δ n die Brechzahlerhöhung durch P₂O₅. Der Mantel
wird deshalb auch mit Fluor dotiert und dadurch seine Brechzahl gesenkt.
Weiterhin ist eine zu starke Dotierung mit P₂O₅ auch wegen der zu starken
Dämpfung bei höheren Wellenlängen nicht wünschenswert, denn die Absorp
tionsschwänze der molekularen Infrarotabsorption reichen bei P₂O₅-Dotierung
bis in den interessierenden Wellenlängenbereich hinein. Bei λ=1,55 µm z.
B. läßt sich die Dämpfungserhöhung durch Infrarotabsorption für eine Mono
modenfaser mit P₂O₅-Dotierung nach folgender Beziehung berechnen.
Bei λ=1,30 µm ist die Dämpfungserhöhung sehr klein und kann deshalb
vernachlässigt werden. Wegen der höheren Dämpfung durch P₂O₅ bei länge
ren Wellen wird P₂O₅ nur im Mantel eingesetzt. Der Kern wird immer
noch mit GeO₂ dotiert. Wegen der Konzentration der Leistung im Kern
wird der Einfluß des P₂O₅ auf die Dämpfung vermindert. Die Fig. 4 zeigt
den Bruchteil der Grundwellenleistung in den verschiedenen Mehrfachen des
Kernradius als Funktion des Faserparameters V. Bei λ=1,55 µm liegt V
im Bereich 1,99-1,71 für eine einfache Stufenfaser und 2,14-1,86 für
die Faser mit abgesenkter Brechzahl im inneren Mantel. Die Dämpfungserhö
hung Δ α p durch P₂O₅-Dotierung im Mantel läßt sich folgendermaßen berech
nen
Dabei ist k der P₂O₅-Anteil (mol-%) im Mantel. P K und P M sind die im
Kern bzw. im Mantel transportierten Leistungen.
Die Grundwelle hat eine Feldverteilung γ (r), die einer Gaußkurve sehr ähn
lich ist, d. h.
wobei W die 1/e-Breite der Gaußkurve ist und als Fleckradius bezeichnet
wird. Der Fleckradius W ergibt sich aus der Näherungsformel
wobei a der Kernradius und V der Faserparameter ist.
Aus der Feldverteilung Gl. (3) erhält man P K und P M durch Integration
von |γ|² über den Querschnitt von Kern und Mantel
und
Setzt man Gln. (5) und (6) in Gl. (2), erhält man
Die Dämpfungserhöhung Δ α p durch P₂O₅-Dotierung im Mantel nach den Gln.
(7) und (4) als Funktion des Faserparameters V mit dem P₂O₅-Anteil in
mol-% als Parameter ist in der Fig. 5 gezeigt. Aus der Fig. 5 erkennt
man, daß die Dämpfungserhöhung bei 1,55 µm ca. 0,1 dB/km für 1 mol-%
P₂O₅ beträgt. Die kleinere P₂O₅-Konzentration im Mantel kann die Däm
pfungserhöhung reduzieren, aber gleichzeitig die Beschichtungstemperatur
erhöhen. Aus der Fig. 4 erkennt man auch, daß der Bruchteil der Grund
wellenleistung bei λ=1,55 µm im Bereich r<2a nur ca. 0,02 beträgt. Um
die Dämpfungserhöhung durch P₂O₅-Dotierung zu reduzieren, kann der Be
reich a<r<2a mit Fluor und wenig P₂O₅ oder nur mit Fluor ohne P₂O₅
und der Bereich r<2a mit P₂O₅ von 1 mol-% dotiert werden. Die Däm
pfungserhöhung wird gemäß
berechnet. Dabei sind k₁ und P M 1 der P₂O₅-Anteil (mol-%) bzw. die trans
portierten Leistungen im Bereich (a<r<b) · k₂ und P M 2 sind der P₂O₅-An
teil bzw. die transportierten Leistungen im Bereich (r<b). Aus der Feld
verteilung (Gl. (3)) erhält man P M 1 und P M 2
und
Die Fig. 6 zeigt diese Dämpfungserhöhung nach der skalaren Wellenglei
chung als Funktion des Faserparameters V für die Faser mit abgesenkter
Brechzahl im inneren Mantel. Für 0,1 mol-% P₂O₅ im Bereich (a<r<2a)
und 1 mol-% im Bereich (2a<r<c) beträgt die Dämpfungserhöhung bei
1,55 µm nur ca. 0,02 dB/km. Die Dämpfungserhöhung kann auch nach Gln.
(5), (8), (9) und (10) berechnet werden. Für die Fasern mit P₂O₅-Dotierung
im Bereich (a<r<2a) stimmen die Näherungswerte mit den Ergebnissen
aus der Wellengleichung überein. Damit die Brechzahlen beider Bereiche
gleich sind, muß die Menge P₂O₅ in beiden Bereichen genau kontrolliert
werden.
Im folgenden wird die Einmodenfaser mit Doppelstufenkern und abgesenkter
Mantelbrechzahl behandelt. Die P₂O₅-Dotierung kann auch für die Einmoden
faser mit Doppelstufenkern und abgesenkter Mantelbrechzahl verwandt wer
den. Die Vorteile der P₂O₅-Dotierung und des Doppelstufenkerns können
kombiniert werden. Hier werden jetzt die Fasern nach Fig. 7 ins Auge ge
faßt, bei denen der erste Bereich des Kerns (0<r<a) ausschließlich mit
GeO₂, der zweite Bereich des Kerns (a<r<b) mit Fluor und wenig
P₂O₅ (0,1-0,5 mol-%) oder nur mit Fluor ohne P₂O₅ und der Mantel mit
1 mol-% P₂O₅ und Fluor dotiert werden. Die Fig. 7 zeigt die Dämpfungser
höhung bei g=1,55 µm durch P₂O₅-Dotierung als Funktion des Radienver
hältnisses b/a mit dem P₂O₅-Anteil im zweiten Bereich des Kerns (a-b)
als Parameter für die Faser mit Doppelstufenkern und abgesenkter Mantel
brechzahl. Aus der Fig. 7 erkennt man, daß Δ α p ca. 0,02 dB/km für b/a
=2 und 0,1 mol-% P₂O₅ im Bereich (a-b) beträgt. Die Fig. 8 zeigt die
Dämpfungserhöhung bei 1,55 µm als Funktion von b/a für Fasern mit Δ₂=
0. Dieser Fasertyp läßt sich einfach herstellen und wegen größerem Fleck
radius auch einfach verbinden, obwohl seine Dämpfungserhöhung etwas
höher als die Dämpfung von Fig. 7 ist.
Claims (13)
1. Lichtwellenleiter mit einem Kern und einem Mantel, bei dem der innere
Bereich des Mantels mit P₂O₅ dotiert ist, dadurch gekennzeichnet, daß der
innere Bereich des Mantels unterschiedlich mit P₂O₅ dotiert ist.
2. Lichtwellenleiter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
P₂O₅-Dotierung im inneren Bereich des Mantels von innen nach außen zu
nimmt.
3. Lichtwellenleiter nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß
der innere Bereich des Mantels zwei Gebiete mit unterschiedlicher P₂O₅-
Dotierung aufweist.
4. Lichtwellenleiter nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das an
den Kern angrenzende Gebiet des inneren Bereichs des Mantels schwächer
mit P₂O₅ dotiert ist als das andere Gebiet des inneren Bereichs.
5. Lichtwellenleiter nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das an
den Kern angrenzende Gebiet des inneren Bereichs des Mantels eine P₂O₅-
Konzentration von 0,1 bis 0,5 mol-% aufweist.
6. Lichtwellenleiter nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß
das nicht an den Kern angrenzende Gebiet des inneren Bereichs des Mantels
eine P₂O₅-Konzentration von 0,2 bis 2 mol-% aufweist.
7. Lichtwellenleiter nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeich
net, daß der innere Bereich des Mantels mit Fluor dotiert ist.
8. Lichtwellenleiter nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeich
net, daß der Kern Bereiche unterschiedlicher Brechzahl aufweist.
9. Lichtwellenleiter nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeich
net, daß das Brechzahlprofil des Kerns eine Doppelstufe aufweist.
10. Lichtwellenleiter nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die
Brechzahl im äußeren Bereich des Kerns kleiner als in seinem inneren
Bereich ist.
11. Lichtwellenleiter nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekenn
zeichnet, daß der Kern mit GeO₂ dotiert ist.
12. Lichtwellenleiter nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß der
Kern in seinem inneren Bereich stärker mit GeO₂ dotiert ist als in seinem
äußeren Bereich.
13. Lichtwellenleiter nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekenn
zeichnet, daß der äußere Bereich des Kerns mit Fluor dotiert ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19883842805 DE3842805A1 (de) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | Lichtwellenleiter |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19883842805 DE3842805A1 (de) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | Lichtwellenleiter |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3842805A1 true DE3842805A1 (de) | 1990-06-21 |
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ID=6369581
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19883842805 Withdrawn DE3842805A1 (de) | 1988-12-20 | 1988-12-20 | Lichtwellenleiter |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3842805A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6363196B1 (en) | 1998-08-13 | 2002-03-26 | Alcatel | Single mode dispersion-shifted optical fiber with external refractive index ring |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3785718A (en) * | 1972-09-11 | 1974-01-15 | Bell Telephone Labor Inc | Low dispersion optical fiber |
DE2627821A1 (de) * | 1975-09-11 | 1977-03-17 | Northern Telecom Ltd | Lichtleitfaser |
US4184744A (en) * | 1975-11-10 | 1980-01-22 | Hitachi, Ltd. | Optical fiber |
DE3039823A1 (de) * | 1979-10-29 | 1981-05-14 | Int Standard Electric Corp | Faseroptischer monomode-wellenleiter |
DE3040363A1 (de) * | 1979-10-29 | 1981-05-14 | Int Standard Electric Corp | Faseroptischer wellenleiter zur sicheren uebertragung von information |
EP0160244A1 (de) * | 1984-04-12 | 1985-11-06 | Sumitomo Electric Industries Limited | Optische Quarzglasfaser |
US4560247A (en) * | 1983-07-01 | 1985-12-24 | Quartz Et Silice | Large bandwidth optical fibers |
DE2632689C2 (de) * | 1975-09-08 | 1986-05-22 | Corning Glass Works, Corning, N.Y. | Optischer Wellenleiter |
DE3510023A1 (de) * | 1985-03-20 | 1986-09-25 | Licentia Gmbh | Einwelliger lichtwellenleiter aus quarzglas und verfahren zu dessen herstellung |
DE2745715C2 (de) * | 1976-10-12 | 1986-12-11 | Western Electric Co., Inc., New York, N.Y. | Optische Wellenleiterfaser |
DE3725252A1 (de) * | 1986-10-06 | 1988-04-14 | Jenaer Glaswerk Veb | Vorform fuer eine multimode-lichtleitfaser |
EP0154026B1 (de) * | 1980-07-17 | 1988-09-07 | BRITISH TELECOMMUNICATIONS public limited company | Monomode optische Faser und Verfahren zur Herstellung |
-
1988
- 1988-12-20 DE DE19883842805 patent/DE3842805A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3785718A (en) * | 1972-09-11 | 1974-01-15 | Bell Telephone Labor Inc | Low dispersion optical fiber |
DE2632689C2 (de) * | 1975-09-08 | 1986-05-22 | Corning Glass Works, Corning, N.Y. | Optischer Wellenleiter |
DE2627821A1 (de) * | 1975-09-11 | 1977-03-17 | Northern Telecom Ltd | Lichtleitfaser |
US4184744A (en) * | 1975-11-10 | 1980-01-22 | Hitachi, Ltd. | Optical fiber |
DE2745715C2 (de) * | 1976-10-12 | 1986-12-11 | Western Electric Co., Inc., New York, N.Y. | Optische Wellenleiterfaser |
DE3039823A1 (de) * | 1979-10-29 | 1981-05-14 | Int Standard Electric Corp | Faseroptischer monomode-wellenleiter |
DE3040363A1 (de) * | 1979-10-29 | 1981-05-14 | Int Standard Electric Corp | Faseroptischer wellenleiter zur sicheren uebertragung von information |
EP0154026B1 (de) * | 1980-07-17 | 1988-09-07 | BRITISH TELECOMMUNICATIONS public limited company | Monomode optische Faser und Verfahren zur Herstellung |
US4560247A (en) * | 1983-07-01 | 1985-12-24 | Quartz Et Silice | Large bandwidth optical fibers |
EP0160244A1 (de) * | 1984-04-12 | 1985-11-06 | Sumitomo Electric Industries Limited | Optische Quarzglasfaser |
DE3510023A1 (de) * | 1985-03-20 | 1986-09-25 | Licentia Gmbh | Einwelliger lichtwellenleiter aus quarzglas und verfahren zu dessen herstellung |
DE3725252A1 (de) * | 1986-10-06 | 1988-04-14 | Jenaer Glaswerk Veb | Vorform fuer eine multimode-lichtleitfaser |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JP 60 215550 A. In: Patents Abstracts of Japan, C-335, March 27, 1986, Vol. 10 * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6363196B1 (en) | 1998-08-13 | 2002-03-26 | Alcatel | Single mode dispersion-shifted optical fiber with external refractive index ring |
US6424775B1 (en) * | 1998-08-13 | 2002-07-23 | Alcatel | Single mode dispersion-shifted optical fiber comprising an external refractive index ring |
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