DE3842394A1 - Mehrschichtige fluoreszenzvorrichtung - Google Patents
Mehrschichtige fluoreszenzvorrichtungInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine mehrschichtige Fluoreszenzvorrichtung zur
Erzeugung aktiv leuchtender Farbpixel.
Bei der Herstellung von hochgenauen Farbbildschirmen wird die graphische
Auflösung durch die Geometrie der 3 Grundfarbenpixel bestimmt. Je höher
die gewünschte Auflösung ist, desto mehr Geometrieprobleme ergeben sich.
Verwendet man Flachbildschirme, die erfindungsgemäß aus Fluoreszenzdio
den aufgebaut werden können, so ist die Aufbringung drei verschiedener
Fluoreszenzdioden nur in drei separaten Prozeßschritten möglich.
Die Geometrie- und Prozeßprobleme können nun umgangen werden bzw. sehr
gemildert werden, dadurch daß man drei Fluoreszenzdioden übereinander
stapelt.
In Fig. 1 ist der prinzipielle Aufbau im Querschnitt 1 a) und das elek
trotechnische Schaltbild 1 b) dargestellt.
Dabei wählt man die Bandabstände der Dioden D 1, D 2, D 3 derart, daß
D 1 im Blauen, D 2 im Grünen und D 3 im Roten fluoresziert. Durch die
Spannung U 1, U 2, U 3 lassen sich die Intensitäten der Fluoreszenz
strahlung unabhängig voneinander einstellen.
In Fig. 2 ist eine Modifikation im Schaltbild 2 a) gezeigt, die nur mit
zwei Fluoreszenzdioden auskommt.
Dabei benutzt man den Effekt, daß durch die Steuerung der Ströme I 1,
I 2, I 3 die Intensitäten der Fluoreszenz in den Regionen mit den Re
kombinationsenergien E 1, E 2 und E 3 verändert werden kann (vgl.
Fig. 2b).
Eine weitere Modifikation, die zusätzlich noch die variable Rekombina
tionsenergieeinstellung E 2 erlaubt, ist in Fig. 3 gezeigt. Dies wird
durch eine zusätzliche Diode D′ erreicht, deren Potential von außen ge
steuert werden kann.
Die Funktion dieser Modifikation wird durch Fig. 4a im Bandmodell ver
deutlicht. Fig. 4b zeigt die zugehörige Energieverteilung.
In Fig. 1a und 4a ist ein Mehrschichtaufbau im Ausführungsbeispiel
(Bandmodell) dargestellt. Dabei erfolgt der Lichtaustritt in der Zeich
nung nach links aus dem Glassubstrat o.ä. lichtdurchlässiges Substrat.
Darauf aufgebracht ist die transparente Schicht TCO, insbesondere eine
Metallverbindung wie Zinkoxid, Zinnoxid oder Indium-Zinn-Oxid o.ä. durch
Sputtern oder Aufdampfen aufgebracht. Dann folgt der Halbleiter, insbe
sondere ein Siliziumhalbleiter wie in einer PIN-Solarzelle aus amorphem
Silizium. Dann folgt auf der dem Substrat abgekehrten Seite eine Metall
elektrode wie Silber- , Gold- oder Aluminiumschichtstruktur in bekanntem
Dünn- oder Dickschichtverfahren in Maskentechnik aufgebracht. Bei der
amorphen Siliziumsolarzelle in PIN-Aufbau dienen die p- und die
n-Schicht zur Erzeugung eines elektrischen Feldes in der i-Schicht, so
daß Elektronenlochpaare, durch die Lichtabsorption in der i-Schicht zu
den Metallkontakten, bzw. Elektroden bewegt werden. Die p-i-n-Solarzelle
aus amorphen Silizium ist zweckmäßiger Weise ebenso wie die TCO-Elek
trode in gewünschter Dicke aufgesputtert, abgeschieden oder aufgedampt.
Ein lythographisches Maskenverfahren ist hierbei ebenfalls anwendbar zur
Erzeugung einer gewünschten Struktur.
Im Gegensatz zu bekannten Fluoreszenzvorrichtungen wie sie bei Flach
bildschirmen angewandt werden, verwendet die Erfindung eine Mehr
schichtanordnung, bei der die bisher üblichen Geometrie-Probleme und
deren Herstell-Probleme umgangen bzw. gemildert werden. Darüber hinaus
ergibt sich mit der Erfindung der Vorteil, daß eine Farbe (Blau, Grün
oder Rot) durch Spannungsveränderung in gewünschter Weise eingestellt
werden kann. Es ergibt sich hierdurch die Möglichkeit einer besseren Be
einflussung der Mischung der drei Farben.
Eine bevorzugte Anwendung der Erfindung liegt in der Fernsehtechnik, sie
ist jedoch nicht hierauf beschränkt, sondern kann bei allen Anzeigen,
insbesondere mit Flachbildschirmen, wie auch Displays von Computern
Meß- oder anderen Instrumenten angewandt werden.
Claims (5)
1. Mehrschichtige Fluoreszenzvorrichtung zur Erzeugung aktiv leuch
tender Farbpixel, dadurch gekennzeichnet, daß sie aus drei übereinan
der aufgebrachten Fluoreszenzdioden besteht.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
Bandabstände der Dioden derart gewählt sind, daß die erste Diode im
Blauen, die folgende Diode im Grünen und die darauffolgende Diode im
Roten fluoresziert.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß
die Intensität der Fluoreszenz der Dioden unabhängig voneinander durch
die der jeweiligen Diodenschicht zugeführte Spannung eingestellt wird.
4. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß bei zwei aufeinanderfolgenden Fluoreszenzdioden die
Intensitäten der Fluoreszenz mit den Rekombinationsenergien durch
Steuerung der zugeordneten Ströme (I 1 bis I 3) verändert werden.
5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die
Rekombinationsenergie (E 2) verändert wird durch eine zusätzliche Diode
(D′), deren Potential von außen gesteuert wird.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3842394A DE3842394A1 (de) | 1988-12-16 | 1988-12-16 | Mehrschichtige fluoreszenzvorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| DE3842394A DE3842394A1 (de) | 1988-12-16 | 1988-12-16 | Mehrschichtige fluoreszenzvorrichtung |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3842394A1 true DE3842394A1 (de) | 1990-06-21 |
Family
ID=6369331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE3842394A Ceased DE3842394A1 (de) | 1988-12-16 | 1988-12-16 | Mehrschichtige fluoreszenzvorrichtung |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE3842394A1 (de) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1475835A2 (de) * | 2003-04-14 | 2004-11-10 | Epitech Corporation, Ltd. | Farbmischende Leuchtdiode |
| US7064354B2 (en) | 2003-01-02 | 2006-06-20 | Epitech Technology Corporation | Color mixing light emitting diode |
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| US3611069A (en) * | 1969-11-12 | 1971-10-05 | Gen Electric | Multiple color light emitting diodes |
| DE2352697A1 (de) * | 1972-10-27 | 1974-05-22 | Rca Corp | Elektrolumineszenz-halbleiterbauteil zum erzeugen von licht verschiedener wellenlaengen |
-
1988
- 1988-12-16 DE DE3842394A patent/DE3842394A1/de not_active Ceased
Patent Citations (2)
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Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| "IBM Technical Disclosure Bulletin" 15(1972) S. 445-446 * |
| Abstract zu JP 60-14481 (A) * |
| Abstract zu JP 61-56475 (A) * |
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