DE2903866A1

DE2903866A1 - Anzeigevorrichtung

Info

Publication number: DE2903866A1
Application number: DE19792903866
Authority: DE
Inventors: Kinichi Isaka; Hiroyuki Kawabata; Hiroshi Kishishita; Mikio Takeda; Nara Tenri
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1978-02-03
Filing date: 1979-02-01
Publication date: 1979-08-16
Also published as: DE2903866C2; US4287449A

Description

ünarp K.K.

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BESCHREIBUNG

Die Erfindung betrifft eine Anzeigevorrichtung nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 und bezieht sich insbesondere auf eine Elektrolumineszenzanzeige (EL-Anzeige) bzw. eine EL-Anzeigetafel.

Die US-PS 3 967 112 beschreibt eine Dünnschicht-EL-Anzeigetafel mit einer Mehrzahl von dünnen filmartigen Schichten guter Lichtdurchlässigkeit. Die vorhandenen Gegenelektroden reflektieren auftreffende Strahlung, die zu Interferenzen mit der durch Elektrolumineszenz entstandenen Lichtstrahlung führt, wodurch unvermeidbarerweise der Kontrast und die Qualität der Sichtanzeige beeinträchtigt werden. Es wäre daher wünschenswert, eine oder mehrere gut leitende Gegenelektroden vorzusehen, die jedoch nicht reflektierende Eigenschaften aufweisen müßten. Solche Elektroden stehen nicht zur Verfügung.

Der Erfindung liegt damit die Aufgabe zugrunde, eine Anzeigevorrichtung nach der im Patentanspruch 1 angegebenen Gattung, insbesondere eine verbesserte Dünnschicht-EL-Anzeigetafel zu schaffen, die sich im Vergleich zu bekannten Anzeigefeldern durch einen besseren Kontrast der Sichtanzeige auszeichnet. Insbesondere soll angestrebt werden, bei einer Dünnschicht-EL-Anzeige die Reflexion für die induzierte Strahlung zu vermindern.

Die erfindungsgemäße Lösung ist in kurzer Zusammenfassung im Patentanspruch 1 angegeben. Vorteilhafte Weiterbildungen des Erfindungsgedankens sind in Unteransprüchen gekennzeichnet.

Bei einer bevorzugten Ausführungsform weist eine Dünnschicht-EL-Anzeige eine Mehrzahl von Gegenelektroden auf, die je-

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weils auf wenigstens einer Licht absorbierenden Schicht, also einem nicht reflektierenden Film angeordnet sind. Diese eine oder gegebenenfalls diese mehreren Licht absorbierenden Schicht(en) bestehen vorzugsweise/oder enthalten eine Schicht aus Al₀O.,, Al₀O-, oder Mo in einer Stärke von etwa 5,0 bis 3 0 nm. Auch andere Materialien, wie Zr, Ti, Y, Ta, Ni oder dergleichen kommen anstelle der erwähnten Materialien in Frage.

Bei einer anderen bevorzugten Ausführungsform der Erfindung umfaßt die lichtabsorbierende Schicht eine in aufeinanderfolgenden Aufdampfschritten aufgebrachte Mehrzahl von Schichten, jeweils mit einer Stärke von etwa 1,0 bis 25 nm; die Lichtabsorptionsschicht umfaßt dabei vorzugsweise 2 bis 5 solcher Einzelschichten. Mit steigender Anzahl der Einzelschichten wird die Absorption für von außen induzierte Strahlung besser.

Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung kann die aus mehreren Einzelschichten aufgebaute Lichtabsorptionsschicht aus einer Mehrzahl von Materialien bestehen,wie Metall, Metalloxid und dergleichen, die wie erwähnt - in aufeinanderfolgenden Aufdampfschritten mit einer Dicke von jeweils etwa 1,0 bis 25 nm aufgebracht werden. Die Lichtabsorptionsschicht kann insgesamt eine Dicke von etwa 30nm oder weniger aufweisen.

Die Erfindung und vorteilhafte Einzelheiten werden nachfolgend unter Bezug auf die Zeichnung in beispielsweiser Ausführungsform näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 in Schnittdarstellung den prinzipiellen Aufbau

einer Dünnschicht-EL-Anzeige gemäß der Erfindung;

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Fig. 2 in graphischer Darstellung das Kontrastverhältnis der Dünnschicht-EL-Anzeige der Fig. 1 in Abhängigkeit vom Umgebungslicht;

Fig. 3 die Schnittdarstellung einer anderen Dünnschicht-EL-Anzeigetafel gemäß der Erfindung;

Fig. 4 die Schnittdarstellung einer noch anderen Dünnschicht-EL-Anzeigetafel mit erfindungsgemäßen Merkmalen;

Fig. 5 die vergrößerte Teilschriittdarstellung eines Abschnitts der Anzeigevorrichtung nach Fig. 4

mit einer Gegenelektrode und einer Mehrzahl von Lichtabsorptionsschichten und

Fig. 6 und 7 in graphischer Darstellung die Reflexionseigenschaften einer Dünnschicht-EL-Anzeigetafel gemäß der Erfindung.

Die Dünnschicht-EL-Anzeigetafel gemäß der Erfindung_fwie sie in Fig. 1 in einer Teilschnittansicht dargestellt ist, umfaßt ein Substrat 1, eine darauf aufgebrachte Transparentelektrode 2, eine erste dielektrische Schicht 3, eine dünne elekt^olumineszent wirksame Filmschicht 4, zweite dielektrische Schichten 5a und 5b, lichtabsorbierende Schichten 11 und 12, Gegenelektroden 13, ein schüssel- oder napfartiges Glassubstrat 8 und eine Schutzflüssigkeit 9.

Das Substrat 1 besteht beispielsweise aus einem warmfesten Glas, wie es etwa unter der Handelsbezeichnung "Pyrex" bekannt ist. Die auf dem Substrat 1 aufgebrachte Transparentelektrode 2 besteht aus In„0^., SnO„ oder dergleichen. Die darüber aufgebrachte erste dielektrische Schicht 3 besteht aus Y„0 , TiO₉ usw. Der dünne EL-FiIm 4 wird durch die erste dielektrische Schicht 3 und die zweiten di-

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elektrischen Schichten 5a und 5b eingeschlossen. Der dünne EL-FiIm 4 besteht beispielsweise aus einem Zns:Mn-Gemisch. Die zweite dielektrische Schicht 5a besteht beispielsweise aus Si₃N₄. Die weitere zweite dielektrische Schicht 5b besteht beispielsweise aus Al₀O . Die auf der zweiten dielektrischen Schicht 5b mittels Aufdampftechnik in einer Dicke von etwa 500 bis lOOOnm und parallel zur Transparentelektrode 2 aufgebrachten Gegenelektroden bestehen beispielsweise aus Al.
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Die erste Lichtabsorptionsschicht 11 - beispielsweise aus Al₉O., oder Al₀O-. - liegt über der zweiten dielektrischen Schicht 5b mit einer Schichtstärke von etwa 5,0 bis 10,0nm. Die Verbindung Al₀O-, wird unter atmosphärischen Bedingungen hergestellt und enthält nur eine geringe Menge von Sauerstoffatomen, das heißt es handelt sich nicht um eine vollständige (gesättigte) Verbindung von Al₀O₀. Das Material Al₀O₀ zeigt sehr ähnliche Eigenschaften wie Aluminium.
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Über der ersten Lichtabsorptionsschicht 11 ist eine zweite Licht absorbierende Schicht 12, beispielsweise aus Mo mit einer Dicke von etwa 10,0 bis 30,0 nm aufgebracht, um die Lichtabsorptionseigenschaften zu verbessern. Das einfallende Licht wird durch die erste und zweite Lichtabsorptionsschicht 11 bzw. 12 absorbiert, die bei der Betrachtung wie ein schwarzer Hintergrund wirken. Anstelle des Mo können auch andere Materialien wie Zr, Ti, Y, Ta, Ni oder dergleichen verwendet werden. Es wird angenommen, daß die schwarze Hintergrundwirkung der ersten und zweiten Lichtabsorptionsschicht 11 bzw. 12 sich durch Lichtinterferenz ergibt, die an der Zwischenfläche zwischen den beiden Lichtabsorptionsschichten 11 und 12 auftritt.

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Nach dem Aufbringen der ersten und zweiten Lichtabsorptionsschicht 11 und 12 und der Gegenelektrode T3 erfolgt über der gesamten Oberfläche der zweiten dielektrischen Schicht 5b eine gewünschte Musterausbildung mittels Ätztechnik, um ein entsprechendes Muster für die erste und zweite Lichtabsorptionsschicht 11 bzw. 12 und die Gegenelektrode 13 zu erreichen. Die zweite dielektrische Schicht 5b wird durch das Ätzverfahren nicht beeinflußt und bleibt unverändert.

Das schüsselartige Glassubstrat 8 besteht aus Sodaglas mit einer Stärke von beispielsweise 3mm. Die Vertiefung im Glassubstrat 8 beträgt zum Einbringen der Dünnschicht-EL-Anzeigeeinheit beispielsweise 1mm. Ein Zuleitungsanschluß 10, beispielsweise aus Phosphorbronze oder Cu-Be ist mit der Kante der Transparentelektrode 2 und der Gegenelektrode 13 verbunden und stellt den elektrischen Versorgungsanschluß dar. Die andere Kante der Zuleitung 10 ist mit einer ersten Leiterkarte 14 so verbunden, daß die gekapselte Dünnschicht-EL-Anzeigeeinheit durch den Zuleitungsanschluß 10 von der Leiterkarte 14 auf Abstand gehalten wird.

Auf der der Dünnschicht-EL-Anzeigeeinheit gegenüberstehenden Seite der ersten Leiterkarte 14 ist eine Hintergrundschicht 15, beispielsweise eine schwarze Vinylharζschicht aufgebracht, die als Hintergrund für die Anzeigeeinheit dient. Die Hintergrundschicht 15 absorbiert das in den Abstand zwischen benachbarten Gegenelektroden 13 eindringende Licht. Auf jedem einer Mehrzahl von auf der anderen Seite der ersten Leiterkarte 14 aufgebrachten Anschlußstücken 16' ist ein elektronisches Bauelement 16 angeordnet. Diese elektronischen Bauelemente 16 bestehen aus integrierten Schaltkreisen (ICs) und großintegrierten Schaltkreisen (LSIs). Die elektronischen Bauelemente 16

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sind in Dual-in-Line-Gehäusen eingebaut; sie dienen zur auswahlweisen Ansteuerung der Dünnschicht-EL-Anzeigeeinheit.

Über und parallel zur ersten Leiterkarte 14 ist in einem gewissen Abstand eine zweite Leiterkarte 17 angeordnet, die in ähnlicher Weise mit weiteren elektronischen Bausteinen 16'' bestückt ist, die ebenfalls zur Ansteuerung der Anzeigeeinheit dienen. Zur elektrischen Verbindung und Verschaltung zwischen der ersten und zweiten Leiterkarte 14 bzw. 17 sind Anschlußstücke 18 und 19 vorhanden. Die beiden Leiterkarten 14 und 17 können aus einer Mehrzahl von Schichten aufgebaut sein. Zur mechanischen Verbindung und Abstandshalterung der ersten und zweiten Leiterkarte 14 und 17 dient eine Schraube 20.

Die Stromzufuhr zur Transparentelektrode 2 und zur Gegenelektrode 13 erfolgt über den Zuleitungsanschluß 10. Dabei entsteht an ausgewählten Segmenten über die dünne EL-FiImschicht 4 das Elektrolumineszenzphänomen. Selbst dann, wenn externes Licht über das Substrat 1 auf die Dünnschicht-EL-Anzeige fällt, wird dieses durch die erste und zweite Licht absorbierende Schicht 11 bzw. 12 absorbiert, die weitgehend ein Streuen von Reflexionslicht nach außen verhindern, so daß die Sichtbarkeit bzw. die Ablesbarkeit der Elektrolumxneszenzanzeige wesentlich verbessert ist.

Die graphische Darstellung der Fig. 2 läßt die Abhängigkeit des Kontrastverhältnisses einer erfindungsgemäßen Dünnschicht-EL-Anzeigetafel in Abhängigkeit vom Umgebungslicht erkennen. Das Kontrastverhältnis ist auf der Ordinate und die Intensität des Umgebungslichts auf der Abszisse aufgetragen. Das Kontrastverhältnis C läßt sich durch folgende

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Gleichung darstellen:

AT ' ' YT '

worin mit A das Umgebungslicht (ft-L), mit B die Helligkeit des Elektrolumineszenzlichts (ft-L) und mit T der Reflexionskoeffizient (in %) bezeichnet sind.

Die mit I. gekennzeichnete Kennlinie gibt das Kontrastverhältnis in Abhängigkeit vom Umgebungslicht für eine bekannte Dünnschicht-EL-Anzeigetafel wieder, bei der die erste und zweite Licht absorbierende Schicht 11 bzw. 12 nicht vorhanden ist. Charakteristische Kennwerte für die Linie I. sind folgende:

Helligkeit der Elektrolumineszenz: 50 ft-L Reflexionskoeffizient: 53,6 %.

Dazu im Vergleich verdeutlicht die Kennlinie I- die entsprechenden Werte für die oben beschriebene EL-Anzeige- tafel, bei der die erste bzw. zweite Licht absorbierende Schicht 11 bzw. 12 in einer Dicke von 7nm bzw. 10nm vorhanden sind und die Gegenelektrode 13 eine Stärke von lOOOnm aufweist. Die entsprechenden charakteristischen Datenkennwerte für die Linie I₂ lauten:

Helligkeit der Elektrolumineszenz: 29 ft-L Reflexionskoeffizient: 18,7 %.

Die Fig. 3 veranschaulicht eine andere Dünnschicht-EL-Anzeigetafel gemäß der Erfindung, die mit der von Fig. im wesentlichen identisch ist jedoch mit dem Unterschied, daß eine Mehrzahl von Licht absorbierenden Schichten 11 aus einem gemeinsamen Material anstelle der ersten und zweiten Licht absorbierenden Schicht 11 und 12 vorgesehen

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ist, die bei Fig.1 aus ungleichen Materialien bestanden. Die übereinander aufgebrachten Licht absorbierenden Schichten 11 bestehen beispielsweise aus Al₀O,. oder Al₀O., und sind in aufeinanderfolgenden Aufdampf schritten

aufgebracht. Die übrigen aus Fig. 1 bereits bekannten Teile sind mit den entsprechenden Bezugshinweisen gekennzeichnet.

Die Lichtabsorptionsschichten 11, beispielsweise aus Al₀O., gemäß Fig. 3 werden wie nachfolgend beschrieben

JL j ~~X

in aufeinanderfolgenden Aufdampfschritten aufgebracht: Zunächst wird auf der zweiten dielektrischen Schicht 5b eine erste Schicht aus Al₀O., in einer Schichtstärke von etwa 1,0 bis 5,0 nm im Vakuum bei etwa 150⁰C niedergeschlagen. Die Oberfläche dieser Schicht wird durch O₀-Zufluß oxidiert.

Anschließend wird darüber in ähnlicher Weise, jedoch mit etwas größerer Schichtdicke eine zweite Schicht aus Al₀O aufgebracht, die ebenfalls einer Oxidation durch Op-Zufluß unterworfen wird. Schließlich wird eine dritte Schicht aus Al₀O_3- in ähnlicher Weise aufgebracht und jede der Schichten weist eine Stärke von 1,0 bis 25nm auf.

Durch Aufbringen von 2 bis 5 Schichten,jeweils mit einer Dicke von etwa 1,0 bis 25nm, wird ein Reflexionskoeffizient von etwa 14 bis 28% erreicht. Um den Reflexionskoeffizienten weiter abzusenken kann die Lichtabsorptionsschicht 11 aus noch weiteren Einzelschichten aufgebaut werden.

Die Lichtabsorptionsschicht 11 absorbiert das in das Dünnschicht-EL-Anzeigefeld einfallende Licht und reduziert das durch die Gegenelektrode 13 reflektierte Licht in

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erheblichem Maße. In anderen Worten: Von der Seite des Substrats 1 aus erscheint die Gegenelektrode damit als nahezu schwarz. Es wird angenommen, daß der Absorptionseffekt für das einfallende Licht sich aus den diskontinuier- liehen Filmschichten aus Al₃O₃ oder Al₂O., ergibt, die in aufeinanderfolgenden Aufdampfschritten aufgebracht sind und zwar insbesondere an den Zwischenflächen, die ähnlich wie bei Keramik-Metallschichten durch einen geringen O_- Zufluß oxidiert sind.

Die Al₂O.,- bzw. Al„0,_ -Schichten können durch andere Materialien ersetzt sein, wie Mo, Zr, Ti, Y, Ta, Ni und dergleichen.

Die Fig.4 zeigt den Aufbau einer noch anderen Dünnschicht-EL-Anzeigetafel gemäß der Erfindung, die wiederum mit der nach Fig. 1 weitgehend identisch ist, jedoch mit der Ausnahme, daß die Licht absorbierende Schicht 11 wenigstens einen metallischen Film und wenigstens eine Filmschicht mit gemeinsamem metallischem Material anstelle der ersten und zweiten Licht absorbierenden Schicht 11 bzw. 12 gemäß Fig. 1 enthält. Auch hier sind die aus Fig. 1 bereits bekannten Teile mit den gleichen Bezugshinweisen gekennzeichnet.

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Wie die vergrößerte Teilschnittdarstellung der Fig. 5 erkennen läßt, umfaßt die Lichtabsorptionsschicht 11 zwei übereinanderliegende Schichtpaare aus einem metallischen Film 11a (beispielsweise aus Al) und einem weiteren Film 11b, der aus Al bzw. entweder aus Al₃O₃ oder Al 0 besteht. Die Dicke des metallischen Films 11a beträgt etwa 6,0nm und die des anderen Films 11b etwa 3,0nm. Die metallische Filmschicht 11a und die weitere Filmschicht 11b werden aufeinanderfolgend durch Aufdampfen aufgebracht.

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Um die Lichtabsorptionseffekte der Filmschichten 11a und 11b zu verbessern, sollte jede dieser Filmschichten weniger als 30nm dick sein und vorzugsweise dünner als etwa 10nm.

Die Lichtabsorptionsschicht 11 kann bei dieser Ausführungsform aus zwei bis fünf Schichten aufgebaut sein, beispielsweise aus Al oder dergleichen, jeweils mit einer Dicke von etwa 6,0nm.

Die Lichtabsorptionsschicht 11 absorbiert auch in diesem Fall in die Dünnschicht-EL-Anzeigetafel einfallendes Licht und reduziert in erheblichem Maße die auf die Gegenelektrode 13 auftreffende Lichtmenge sowie das reflektierte Licht. Die Gegenelektrode 13 erscheint bei Betrachtung durch das Substrat 1 hindurch wiederum als im wesentlichen schwarzer Hintergrund.

Die graphischen Darstellungen der Fig. 6 und 7 verdeutlichen die Wellenlänge (nm) aufgetragen über dem Lichtreflexionskoeffizienten (%) bei einer Anzeigevorrichtung gemäß der Erfindung. Auf der Ordinate ist jeweils der Lichtreflexionskoeffizient (in %) und auf der Abszisse die Wellenlänge (in nm) aufgetragen.

Die Fig. 6 verdeutlicht die Spektraldaten der emittierten Elektrolumineszenzj und mit r. sind die Reflexionskennwerte der Dünnschicht-EL-Anzeigetafel wiedergegeben, wenn die Lichtabsorptionsschicht 11 aus zwei Einzelschichten aus Al mit einer Dicke von etwa 6,0nm aufgebaut ist. Eine weitere Kennlinie r„ verdeutlicht die Reflexionskennwerte für den Fall, daß die Absorptionsschicht 11 ebenfalls aus zwei Einzelschichten aus Al, jedoch mit einer Stärke von etwa 4,0 bis 5,0nm aufgebaut ist.

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In Fig. 7 gibt eine Kennlinie r^ die Reflexionskennwerte der Dünnschicht-EL-Anzeigetafel an, wenn die Lichtabsorptionsschicht 11 aus drei Al-Einzelschichten mit einer Dicke von etwa 6,0nm aufgebaut ist. Eine weitere Kennlinie r, bezieht sich auf die gleiche Dünnschicht-EL-Anzeigetafel, wobei jedoch in diesem Fall eine Filmschicht 11b aus Al und Α1_?Ο-, zwischen zwei metallischen Filmschichten 11a aus Al eingebracht ist und alle Einzelfilmschichten 11a bzw. 11b eine Stärke von etwa 1,0 bis 6,0 nm aufweisen. Eine weitere Kennlinie r^ gibt den Reflexionskoeffizient der Gegenelektrode 13 selbst an, wenn diese aus Al hergestellt ist.

Es wurden folgende durchschnittliche Reflexionskoeffizienten ermittelt:

r₁ = 44,4 %

r₂ = 32,9 %

r₃ = 19,8 %

r₄ = 21,4 %.

Obgleich eine erfindungsgemäße Dünnschicht-EL-Anzeigetafel beschrieben wurde, läßt sich die Erfindung in analoger Weise auch auf EL-Anzeigetafeln mit einer Mehrzahl von Lumineszenzschichten und/ oder Front- und Gegenelektroden anwenden. Auch eignet sich die Erfindung für Flüssigkristall-Anzeigen, elektrochrome Anzeigen, Anzeigen mit lichtemittierenden Dioden und dergleichen.

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ZUSAMMENFASSUNG

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Bei einer Anzeigevorrichtung, vorzugsweise einer Dünnschicht-Elektrolumineszenzanzeige ist wenigstens eine Lichtabsorptionsschicht (11) zwischen einem dünnen elektrolumineszent wirksamen Film (4) und einer Gegenelektrodenschicht (13) angeordnet, die durch eine Transparentelektrode (2) einfallendes Licht absorbiert. Durch die Lichtabsorptionsschicht (i i) wird weniger Licht von der Gegenelektrode (13) reflektiert, so daß die bisher beobachtete Verschlechterung des Anzeigekontrasts aufgrund des relektierten Lichts beseitigt ist, das heißt der Anzeigekontrast wird wesentlich verbessert. Die Lichtabsorptionsschicht (11) kann aus einer Mehrzahl von Einzelschichten aufgebaut sein. Als Materialien für die Lichtabsorptionsschicht kommen vor allem Al₀O.,, Al₀O-, , Mo, Zl, Ti, Y, Ta, Ni, Al oder dergleichen in Frage mit einer Schichtstärke von etwa 1,0 bis 30,0 nm.

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Claims

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PATENTANWÄLTE 23Ü3866

TER MEER-MÜLLER-STEINMEISTER

Beim Europäischen Patentamt zugelassene Vertreter — Professional Representatives buioro the European Patent Office Mandatairea agrees pres !'Office european des brevets

Dipl.-Chem. Dr. N. ter Meer Dipl -Ing. H. Steinmeister Dipl.-lng, F. E. Müller „. , „ _,

TrifUitmr.r.o A, S,ekerwall 7,

D-U(X)O MuNCHbN -Δ-Δ D 4UOO fJIl-LbFbLD 1

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Mu/hm

1 . Februar 1979

SHARP KABUSiIIKI KAISHA 22-22 Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka / Japan

Anzeigevorrichtung

Prioritäten:

3.
9.
2.

Februar
Februar
Juni

1978 - Japan 1978 - Japan 1978 - Japan

No. 11592/1978 No. 14402/1978 No. 67095/1978

PATENTANSPRÜCHE

1. !Anzeigevorrichtung mit einer Frontelektrode, einer re- ^ ' flektierenden Gegenelektrode und einer Licht-Emissionsschicht, die in Abhängigkeit von einer zwischen der Front- und der Gegenelektrode liegenden Spannung Licht emittiert, gekennzeichnet durch mindestens eine zwischen der Lichtemissionsschicht (4) und der Gegenelektrode (13) angeordnete Lichtabsorptionsschicht (11), die durch die Frontelektrode (2) einfallendes Licht absorbiert.

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2. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Lichtemissionsschicht eine dünne zwischen einer ersten und einer zweiten dielektrischen Schicht angeordnete elektrolumineszent wirksame Filmschicht (4) mit einem Lumineszenz-Zentrum ist.

3. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet , daß die lichtabsorbierende Schicht (11) zwischen der einen dielektrischen Schicht (5) und der Gegenelektrode (13) angeordnet ist.

4. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Lichtabsorptionsschicht (11) aus mehreren Einzelschichten (11a, b) aufgebaut ist, die durch die Frontelektrode (2) einfallendes Licht absorbieren.

5. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet , daß mindestens eine der Einzelschichten eine metallische Schicht ist und eine weitere der Einzelschichten die Oxidationssubstanz dieses Metalls bzw. dieses Metall enthält.

6. Anzeigevorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Lichtabsorptionsschicht (11) Stoffe wie Al₃O₃, Αΐ₂0₃__χ, Mo, Zr, Ti, Y, Ta, Ni, Al oder dergleichen enthält und eine Stärke von etwa 1 bis 30 nm aufweist.

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