DE3829912C2 - - Google Patents
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- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 35
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 26
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 50
- 239000010408 film Substances 0.000 description 32
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 20
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 241000505673 Scintilla Species 0.000 description 7
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 2
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000001513 hot isostatic pressing Methods 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- TVEXGJYMHHTVKP-UHFFFAOYSA-N 6-oxabicyclo[3.2.1]oct-3-en-7-one Chemical compound C1C2C(=O)OC1C=CC2 TVEXGJYMHHTVKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- WQLQSBNFVQMAKD-UHFFFAOYSA-N methane;silicon Chemical compound C.[Si] WQLQSBNFVQMAKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920003987 resole Polymers 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000004304 visual acuity Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
- G01T1/20183—Arrangements for preventing or correcting crosstalk, e.g. optical or electrical arrangements for correcting crosstalk
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02322—Optical elements or arrangements associated with the device comprising luminescent members, e.g. fluorescent sheets upon the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0376—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including amorphous semiconductors
- H01L31/03762—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including amorphous semiconductors including only elements of Group IV of the Periodic Table
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/109—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PN heterojunction type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/115—Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf einen Mehrelement-
Strahlungsdetektor gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs
1 und insbesondere auf einen Mehrelement-Strahlungsdetektor
für einen mit Röntgenstrahlen arbeitenden Computertomographen
(CT-System). Im wesentlichen betrifft die Erfindung einen
Mehrelement-Strahlungsdetektor mit hoher Detektorempfindlich
keit, die nicht in Abhängigkeit des Ortes der einfallen
den Strahlung und praktisch nicht mehr von Detektorelement
zu Detektorelement schwankt.
In einem Abtastsystem (scanner) eines Röntgenstrahlen-
Computertomographen wird eine große Anzahl von Detektorele
menten verwendet, z. B. 512 Detektorelemente. Existieren
Empfindlichkeitsunterschiede zwischen diesen Elementen, so
entstehen runde Artefakte im reproduzierten Bild. Es ist da
her äußerst wichtig, daß alle Detektorelemente die gleiche
Empfindlichkeit aufweisen. Empfindlichkeitsverteilungen inner
halb eines jeweiligen Elementes stellen ebenfalls einen
wichtigen Faktor dar, der das Auflösungsvermögen im reprodu
zierten Bild bestimmt.
In der offengelegten japanischen Patentpublikation
Nr. 24 174/1987 ist bereits ein Strahlungsdetektor für ein
Abtastsystem eines Röntgenstrahlen-Computertomographen be
schrieben. Bei diesem Strahlungsdetektor sind Photodioden
aus Silizium mit Hilfe eines Verbindungsmaterials an der Ober
fläche eines Szintillators befestigt, die derjenigen Ober
fläche gegenüberliegt, auf die Röntgenstrahlen auftreffen.
Bei diesem Röntgenstrahlendetektor mit dem genannten Ver
bindungsmaterial treten jedoch folgende Probleme auf:
- 1. Ein Positionsfehler entsteht zwischen dem Szintilla tor und der Photodiode, wenn diese miteinander verbunden werden. Ferner treten auch Empfindlichkeitsschwankungen inner halb der jeweiligen Elemente auf.
- 2. Es ist außerordentlich schwierig und erfordert sehr viel Aufwand, die Photodioden zur Bildung einer großen An zahl von Detektorelementen mit dem Szintillator präzise zu verbinden.
- 3. Eine extrem genau arbeitende Technik muß eingesetzt werden, um eine große Anzahl von Detektorelementen in engem Kontakt miteinander und mit hoher Positionsgenauigkeit anzu ordnen.
Die offengelegte japanische Patentpublikation Nr. 71 881/
1987 offenbart ferner einer Struktur, bei der eine amorphe
Siliziumschicht auf der Oberfläche des Szintillators liegt
und zur Bildung von Photodioden verwendet wird. Es ist daher
nicht mehr erforderlich, Photodioden mit Hilfe eines Ver
bindungsmaterials mit dem Szintillator zu koppeln. Bei der
beschriebenen Struktur wird ein sehr stabiler optischer
Kopplungszustand zwischen dem Szintillator und der jeweiligen
Photodiode erhalten, wobei keine Empfindlichkeitsschwankungen
mehr aufgrund eines verwendeten Verbindungsmaterials auftreten.
Allerdings wird nach der zuletzt genannten Druckschrift ein
Mehrelement-Strahlungsdetektor für einen Röntgenstrahlen-
Computertomographen dadurch erhalten, daß eine relativ große
Anzahl von einzeln hergestellten Schichtstrukturen relativ
zueinander positioniert werden muß, wobei jeweils eine Schicht
struktur aus einem Szintillator und einer Photodiode besteht.
Auch die Druckschrift JP-A-57-17 22 73, von der der
Oberbegriff des Patentanspruchs 1 ausgeht, beschreibt
einen Strahlungsdetektor, bei dem auf einem einzigen
Szintillatorkristall eine amorphe Siliziumschicht abgeschie
den ist. Die Siliziumschicht ist durch Elektroden in einzelne
Photodioden unterteilt, so daß mehrere Detektorelemente ge
bildet werden. Diese Anordnung läßt sich auf einfache Weise
so fertigen, daß der Abstand der Detektorelemente präzise
eingehalten wird. Als Nachteil tritt jedoch ein Übersprechen
zwischen benachbarten Detektorelementen auf, das die Auflö
sung des Detektors stark einschränkt.
In US-39 36 645 und JP-A-62 43 585 werden Detektoren be
schrieben, bei denen für jedes Detektorelement von einem ein
zelnen Szintillatorkristall ausgegangen wird und die einzel
nen Kristalle unter Hinzufügen einer opaken Zwischenschicht
zu einem Verbund zusammengesetzt werden. Anschließend werden
die Photodioden aufgeklebt. Bei dieser Anordnung bereitet
wieder das Ausrichten der Photodioden zu den einzelnen Szin
tillatorkristallen bei der Fertigung Probleme. Außerdem ist
die optische Trennung der Szintillatorkristalle nicht voll
ständig, da über die transparente adhäsive Schicht zwischen
den Szintillatorkristallen und den Photodioden sowie über die
transparenten Elektroden der Photodioden ein Übersprechen von
Licht zwischen benachbarten Detektorelementen auftreten kann.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, einen
einfach und präzise zu fertigenden Mehrelement-Strahlungsde
tektor zu schaffen, bei dem die Empfindlichkeit gegen Über
sprechen zwischen den einzelnen Detektorelementen im Ver
gleich zum Stand der Technik deutlich reduziert ist.
Eine Lösung der gestellten Aufgaben findet sich im
kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1. Vorteilhafte Aus
gestaltungen der Erfindung sind den nachgeordneten Unteran
sprüchen zu entnehmen.
Die Dünnfilmschalter nach Anspruch 6 arbeiten als Multiplexschalter und
liefern zeitlich nacheinander die jeweiligen Ausgangssignale
der Photodioden zu einem gemeinsamen Ausgangsanschluß. Die
Ausgangssignalleitungen von mehreren Detektorelementen kön
nen somit zu einem einzigen Anschluß geführt werden, so daß
sich die Anzahl der Leitungen im Signalsystem verringern
läßt. Die Signalleitungen sind relativ steif und stark, so
daß keine Rauscherscheinungen verursachenden Schwingungen
auftreten können. Der Mehrelement-Strahlungsdetektor nach
der Erfindung läßt sich kostengünstig herstellen, da es nicht
erforderlich ist, bereits fertige Detektorelemente rela
tiv zueinander zu positionieren.
Die Zeichnung stellt Ausführungsbeispiele der Erfindung
dar. Es zeigen
Fig. 1 und 2 jeweils eine perspektivische Ansicht
und eine Querschnittsdarstellung eines ersten Ausführungs
beispiels eines Szintillationsdetektors,
Fig. 3A, B und C perspektivische Darstellungen zur
Erläuterung der Herstellung eines in Fig. 1 gezeigten ersten
Ausführungsbeispiels der Erfindung,
Fig. 4 ein weiteres Ausführungsbeispiel
eines Szintillationsdetektors,
Fig. 5 ein Diagramm zur Erläuterung der Szintilla
tionsintensität und der Empfindlichkeit einer Photodiode,
Fig. 6 und 7A, 7B jeweils eine perspektivische An
sicht, eine Draufsicht und eine Querschnittsansicht eines
anderen Ausführungsbeispiels eines Szintillationsdetektors, und
Fig. 8 und 9A, 9B jeweils ein Schaltungsdiagramm,
eine Draufsicht und eine Querschnittsansicht eines weiteren
Ausführungsbeispiels eines Szintillationsdetektors.
Im nachfolgenden wird der Aufbau eines ersten Aus
führungsbeispiels unter Bezugnahme auf
die Fig. 1 näher beschrieben. Ein Szintillator 1 besteht
aus einem Block aus Gd2O2S : Pr, Ce, F, der z. B. durch
heißisostatisches Pressen erzeugt worden ist und der eine
spiegelpolierte Oberfläche aufweist. Der durch heißiso
statisches Pressen erzeugte Szintillatorblock aus Gd2O2S : Pr,
Ce, F ist sowohl thermisch als auch chemisch stabil und
eignet sich als Substrat zur Bildung von a-Si-Photodioden.
Auf einer Oberfläche dieses Szintillators befindet
sich eine Mehrzahl von a-Si-Photodioden 4, die gegeneinander
isoliert sind. Die Zeichnung zeigt einen Fall, bei dem
drei Elemente auf einem Szintillator gebildet sind. Jedes
Element ist 30 mm lang und 1,2 mm breit, wobei die Element
lücke (Lücke zwischen den Elementen) z. B. 300 µm beträgt.
Der Szintillator kann 1,5 mm dick sein. Er ist vorzugsweise
dick genug, um diejenige Strahlung zu absorbieren, die
detektiert werden soll. Der Aufbau der dünnfilmartigen Photo
dioden ist im einzelnen anhand der Querschnittsdarstellung
in Fig. 2 zu erkennen.
Eine 0,5 µm dicke Indium-Zinn-Oxidschicht, die nach
folgend auch als ITO-Schicht bezeichnet wird, wird als trans
parenter, leitfähiger Film 8 auf der spiegelpolierten Ober
fläche des Szintillators 1 gebildet. Anschließend wird eine
1 µm dicke Schicht aus amorphem Silizium (a-Si) auf dem
leitfähigen Film 8 hergestellt, die als photoleitfähiger
Film 9 dient. Die a-Si-Schicht 9 kann z. B. mit Hilfe des
Plasma-CVD-Verfahrens hergestellt werden (Plasma Chemical Vapor
Deposition Method). Die Grenzfläche zwischen der ITO-Schicht
8 und der a-Si-Schicht 9 bildet einen Heteroübergang. Mit
anderen Worten bilden die Schichten 8 und 9 eine Diode mit
Heteroübergang. Eine 2 µm dicke NiCr-Schicht 10 und eine
1 µm dicke Au-Schicht 11 werden nacheinander auf der a-Si-
Schicht 9 hergestellt, um eine der Elektroden zu erhalten.
Die NiCr-Schicht 10′ und die Au-Schicht 11′ werden direkt
auf eines der Enden der ITO-Schicht 8 aufgebracht, ohne
Bildung der a-Si-Schicht 9. Diese Au-Schichten 11, 11′ wer
den zu überwiegendem Teil mit einem Schutzfilm 12 bedeckt,
der aus einer SiN4-Schicht besteht. Leitungen aus Au werden
mit den freiliegenden Au-Schichten verbunden, um Signale
nach außen übertragen zu können. Jeder dieser Dünnfilme wird
mit Hilfe der üblichen photolithographischen Technik ge
bildet.
Um ein Übersprechen zwischen den einzelnen Elementen
zu reduzieren, muß jeder Szintillator, auf dem die gegen
einander isolierten a-Si-Photodioden mit dem oben beschrie
benen Aufbau gebildet worden sind, optisch oder strahlungs
mäßig separiert bzw. zerteilt werden, und zwar an den Posi
tionen, die in Fig. 1 mit dem Bezugszeichen 6 versehen
sind. Beim vorliegenden Ausführungsbeispiel wird die Trennung
zwischen den Elementen nach einem Verfahren durchgeführt,
wie es in Fig. 3 gezeigt ist. Entsprechend Fig. 3A wird
die Oberfläche des Szintillators 1, auf der sich die a-Si-
Photodioden befinden, mit einem Träger 13 verbunden (ver
bondet), und zwar unter Verwendung eines geeigneten Verbin
dungsmaterials (Bondmaterial). Mit anderen Worten wird der
Bereich des in Fig. 2 gezeigten Schutzfilms 12 mit dem
Träger 13 verbunden.
Da der Träger 13 und die Verbindungsmaterialien nur da
zu dienen, den Szintillator 1 zu fixieren, können sie für
Röntgenstrahlen (X-Strahlen) und Licht undurchlässig bzw.
opak sein. Nachdem der Szintillatorblock 1 mit dem Träger 13
verbunden worden ist, werden im Szintillatorblock 1 Gräben
15 gebildet, um die Elemente gegeneinander zu isolieren. Die
Gräben 15 weisen eine solche Tiefe auf, daß sie den Träger
13 erreichen. Da zu diesem Zeitpunkt jedes Element mit dem
Träger 13 verbunden ist, ändern sich die Positionen zwischen
den einzelnen Elementen nicht. Es lassen sich daher in ein
facher Weise gleichförmig ausgebildete Elemente erhalten.
In jedem Graben 15 wird dann eine Trennschicht 3 eingesetzt,
wie dies in Fig. 3C zu erkennen ist. Die Trennschicht 3
besteht z. B. aus einer Molybdänschicht, auf deren Ober
fläche Aluminium (Al) im Vakuum aufgebracht worden ist. Da
die Spitze dieser Trennschicht 3 auch innerhalb des im
Träger 13 vorhandenen Grabens liegt, wird jedes Element
vollständig sowohl optisch als auch in bezug auf andere
Strahlung isoliert.
Die photoleitfähige Schicht 9 besteht beim vorlie
genden Ausführungsbeispiel aus einer einzelnen Schicht aus
a-Si, wobei sie zusammen mit der ITO-Schicht 8 einen Hetero
übergang bildet, um eine Photodiode zu erhalten. Es ist aber
auch möglich, einen SnO2-Film oder dergleichen als Film zur
Bildung eines transparenten Heteroüberganges zu verwenden,
und zwar anstelle der ITO-Schicht 8, um
eine Photodiodenstruktur
zu erhalten. In diesen Fällen können
irgendwelche Materialien anstelle der ITO-Schicht 8 als un
tere Elektrodenschicht zum Einsatz kommen, solange es sich
um Materialien oder Strukturen handelt, die für das Szintilla
torlicht durchlässig sind. Das Elektrodenmaterial und der
Schutzfilm müssen nicht unbedingt in der oben beschriebenen
Weise gewählt sein. Auch andere Materialien können zum Ein
satz kommen.
Die Fig. 4 zeigt einen Querschnitt durch ein zweites
Ausführungsbeispiel. Bei diesem zweiten Aus
führungsbeispiel liegt ein strahlungsdurchlässiger Schutz
film 16 zwischen dem transparenten, leitfähigen Film 8 und
dem Szintillator 1. Als strahlungsdurchlässiger Schutzfilm
16 kann z. B. ein SiO2-Film oder ein SiN4-Film verwendet
werden, dessen Dicke etwa 1 µm beträgt. Bei diesem Aufbau
läßt sich in einfacher Weise eine Kontamination der a-Si-
Seite durch das Szintillatorsubstrat vermeiden, so daß die
Wirkungsweise der a-Si-Photodiode voll ausgenutzt werden kann.
Aufgrund des strahlungsdurchlässigen Schutzfilms 16 läßt
sich die Spiegeleigenschaft der Oberfläche, auf der sich die
a-Si-Photodioden befinden, verbessern, so daß hochwirksame
a-Si-Photodioden einfacher hergestellt werden können.
Im vorliegenden zweiten Ausführungsbeispiel befindet
sich ein Reflexionsfilm 17 auf der Oberfläche des Szintilla
tors 1, auf die Röntgenstrahlen auftreffen.
Wird als Reflexionsfilm 17 ein 0,3 µm dicker und im Vakuum
aufgebrachter Al-Film verwendet, so tritt keine wesentliche
Absorption von Röntgenstrahlen bei 50 keV auf, während
andererseits die vom Szintillator 1 emittierten Strahlen
im wesentlichen vollständig reflektiert werden, so daß sich
eine erhebliche Verbesserung der Detektorempfindlichkeit
der jeweiligen Detektorelemente ergibt. Da Lichtstrahlen,
die von außen auf den Szintillator 1 auftreffen, ebenfalls
durch den Film 17 abgeschirmt werden, läßt sich auch das
aufgrund von Streulicht erzeugte Rauschen verringern.
Weitere Ausführungsbeispiele von im Zusammenhang mit
der Erfindung verwendbaren Detektoren werden nach
folgend unter Bezugnahme auf die Fig. 6 und 7 näher be
schrieben. Gemäß Fig. 6 ist der Szintillator 1 optisch und
im Hinblick auf andere Strahlung in 16 Einheiten unter
teilt. Die Röntgenstrahlen treten in Fig. 6 von unten in
den Szintillator 1 ein und werden durch den Szintillator 1
in Fluoreszenzstrahlung umgewandelt. Da die Röntgenstrahlen
durch den Szintillator 1 im wesentlichen vollständig ab
sorbiert werden, können sie diesen nicht ganz durchdringen
und aus seiner oberen Fläche heraustreten. Die vom Szintilla
tor 1 emittierten Lichtstrahlen werden mit Hilfe der Photo
dioden in einen entsprechenden Strom umgewandelt, wobei die
Photodioden das dünne, filmartige und amorphe, leitfähige
Material enthalten, das auf der oberen Fläche des Szintilla
tors liegt. 16 Photodioden 4 werden so gebildet, daß jeweils
eine von ihnen zu einer der 16 Einheiten des Szintillators
gehört. Das Ausgangssignal einer jeden Photodiode 4 (die auch
abgekürzt als PD bezeichnet werden kann) wird in geeigneter
Weise in Übereinstimmung mit dem Einschalt/Ausschaltzustand
eines Dünnfilmtransistors 2 ausgelesen, der auch abgekürzt
als TFT bezeichnet werden kann. Jeweils ein Dünnfilmtransistor
2 liegt in Reihe mit jeweils einer Photodiode 4 und wird im
Verhältnis zu dieser auf einer 1 : 1 Basis hergestellt. Das
Ausgangssignal eines jeden Kanals wird als elektrisches
Signal zeitsequentiell durch den Schaltbetrieb des jeweiligen
Dünnfilmtransistors 2 abgenommen. Die Dünnfilmtransistoren 2
arbeiten mit anderen Worten als Multiplexer und liefern die
Ausgangssignale der jeweiligen Kanäle zeitlich nacheinander
zu einer Ausgangsleitung 7. Ein Steuersignal 5 dient zur
Ein- und Ausschaltung der jeweiligen Dünnfilmtransistoren 2.
Im nachfolgenden wird der Aufbau eines Elementes unter
Bezugnahme auf die Fig. 7B im einzelnen beschrieben. Der
Szintillator 1 besteht beispielsweise aus einem heißiso
statisch gepreßten und 1,5 mm dicken Block aus Gd2O2S : Pr,
Ce, Fe. Seine beiden Oberflächen sind spiegelpoliert. Auf
einer Oberfläche des Szintillators befindet sich ein im Vakuum
aufgebrachter Al-Film 281, der als Lichtreflexionsfilm
dient, um Fluoreszenzstrahlung zu reflektieren. Dieser Film
ist z. B. 0,3 µm dick. Auf der anderen Oberfläche des
Szintillators 1 befindet sich ein transparenter Schutzfilm
22 aus SiO2. Dieser Film 22 ist z. B. 2 µm dick. Als trans
parenter Schutzfilm können auch SiN4, Ta2O5 oder dergleichen
verwendet werden. In einem Photodiodenbereich 4 sind nach
einander auf dem transparenten Schutzfilm 22 eine trans
parente Elektrode 23 (z. B. aus Indium-Zinn-Oxid), eine p-Typ-
Schicht 25 aus amorphem Silizium, eine i-Typ-Schicht 26
(eigenleitende Schicht) aus amorphem Silizium und eine
n-Typ-Schicht 27 aus amorphem Silizium übereinanderliegend
hergestellt. Anstelle der Indium-Zinn-Oxidschicht 23 können
auch eine SnO2-Schicht oder ein aus zwei Schichten bestehen
der Film zum Einsatz kommen, bei dem die eine Schicht aus
Indium-Zinn-Oxid und die andere Schicht aus SnO2 besteht.
Auf die so erhaltene Struktur wird zuletzt eine Al-Elektrode
282 aufgebracht. Als Elektrodenmaterial kann auch Cr ver
wendet werden.
Im nachfolgenden wird der Dünnfilmtransistorbereich 2
näher beschrieben. Eine z. B. aus Al bestehende Elektrode
284 dient als Basiselektrode. Dieser Al-Film wirkt als
Lichtschutzfilm, der aus dem Szintillator 1 emittierte
Lichtstrahlen ausblendet. Ein SiO2-Film 242 dient als Isola
tionsfilm und liegt auf der Al-Schicht auf. Auf diesem
Isolationsfilm 242 befindet sich eine a-Si(i)-Schicht
262. Zwei Al-Elektroden 282 und 283 stehen mit dem oberen
Bereich dieser a-Si-Schicht 262 in Kontakt. Die Elektrode
282 ist gleichzeitig auch die Photodiodenelektrode. Die
Bezugszeichen 241, 242, 243, 244 und 245 geben Isolationsschichten
aus SiO2 an.
Die Fig. 7A zeigt den Schaltungsaufbau dieses Ele
mentes. Der Bereich 41 der Photodiode 4 ist im wesentlichen
der Strahlungsempfangsbereich, wobei dieser Bereich so
groß wie möglich gewählt wird, um einen hohen Detektor
wirkungsgrad zu erzielen. Wie bereits beschrieben, muß sehr
darauf geachtet werden, daß kein Szintillatorlicht in die
Halbleiterschicht des Dünnfilmtransistorbereichs eintritt.
Ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung wird
nachfolgend unter Bezugnahme auf die Fig. 8 und 9 im
einzelnen erläutert.
Charakteristisch an diesem Ausführungsbeispiel ist,
daß anstelle des Dünnfilmtransistors eine Diode 2′ für den
Schaltbetrieb eines jeden Elementes vorgesehen ist. Die
Fig. 8 zeigt der Einfachheit halber nur den Schaltungsteil,
während das Szintillatorsubstrat fortgelassen ist. Auch in
diesem Ausführungsbeispiel sind jedoch 16 Elemente zu einem
Szintillatorblock zusammengefaßt, und zwar in gleicher Weise
wie beim Ausführungsbeispiel nach Fig. 6. Zunächst wird die
Arbeitsweise dieses Ausführungsbeispiels anhand der Fig. 8
näher beschrieben. Fällt aufgrund der eintretenden Strahlung
der Szintillatorstrahl auf die Photodiode 4, so wird zwischen
der Isolationsdiode 2′ und der Photodiode 4 eine Ladung aufge
baut. Wird die Isolationsdiode 2′ zu einem Zeitpunkt in den
EIN-Zustand überführt, zu dem ein Signal ausgelesen werden
soll, so läßt sich die Signalladung an diesem Knotenpunkt
auslesen. Vier Isolationsdioden 2′ sind als Gruppe mit
Steuerleitungen 31, 32, 33 und 34 jeweils verbunden. Deswegen
sind vier Signalleitungen 35, 36, 37 und 38 für die 16 Photo
dioden 4 erforderlich.
Der Aufbau eines Elementes wird nachfolgend unter Bezug
nahme auf die Fig. 9A und 9B näher beschrieben. Das Szin
tillatorsubstrat und der Photodiodenbereich 4 sind in gleicher
Weise wie beim Ausführungsbeispiel nach Fig. 7B aufgebaut
und werden nicht nochmals beschrieben. Gleiche Teile wie
in Fig. 7B sind mit gleichen Bezugszeichen versehen.
Eine Cr-Elektrode 285 als obere Elektrode des Photo
diodenbereichs ist integral mit der oberen Fläche der Iso
lationsdiode 2′ verbunden. Die Isolationsdiode 2′ besteht
aus einer p-Typ a-Si-Schicht 251, einer n-Typ s-Si-Schicht
261 und einer n-Typ a-Si-Schicht 271, die der Reihe nach
übereinanderliegend auf der Al-Elektrode 284 hergestellt
worden sind. Die Bezugszeichen 42, 43 und 241 markieren
Isolationsschichten aus SiO2.
Auch bei diesem Ausführungsbeispiel wird eine opake
Elektrode (Al-Elektrode 284) als Elektrode für den Dioden
bereich auf der Szintillatorseite verwendet, um einen fehler
haften Betrieb aufgrund von Lichtstrahlen zu vermeiden,
die vom Szintillator in Richtung der Diode emittiert werden.
In allen vorangegangenen Ausführungsbeispielen
wird a-Si als photoleitfähiges Material verwendet.
Als photoleitfähiges Material läßt sich auch ein
anderes Material verwenden, z. B. ein Chalcogenid-Material
(chalcogenide material), das im wesentlichen z. B. aus
amorphem Se (amorphes Selen) besteht. In einem solchen
Fall muß die Emissionslichtwellenlänge des Szintillators
so gewählt sein, daß sie durch die Photodioden aus Se
detektiert werden kann.
Im nachfolgenden wird unter Bezugnahme auf die Fig.
5 der Zusammenhang zwischen der Empfindlichkeit einer
a-Si-Photodiode und der Emissionswellenlänge des Szintilla
tors näher beschrieben. Die optische Detektorwellenlänge
einer gewöhnlichen, kristallinen Silizium-Photodiode weist
einen Spitzenwert zwischen 800 nm und 900 nm auf. In diesem
Wellenlängenbereich ist also die Empfindlichkeit dieser
Photodiode am größten. Eine a-Si-Photodiode (Photodiode
mit amorphem Silizium) weist dagegen eine maximale Detektor
empfindlichkeit im Wellenlängenbereich zwischen 550 nm und
600 nm auf. Sie besitzt insbesondere eine hohe Detektor
empfindlichkeit für Lichtstrahlen von etwa 400 nm bis etwa
700 nm. Andererseits liegt die Hauptemissionslinie von
Gd2O2S : Pr, Ce, F bei etwa 510 nm, so daß eine a-Si-Photo
diode diese Emission sehr gut detektieren kann. Auch
CdWO4 weist eine Emissionsspitze bei etwa 400 nm bis 450 nm
auf, so daß auch diese Emissionsspitze gut an die Wellen
länge einer a-Si-Photodiode angepaßt ist. Andere Szintilla
toren mit einer Emissionswellenlänge im Bereich von 400 nm
bis 700 nm bestehen z. B. aus BaFBr:EuLa2O2S:Tb, LaOBr:Tb,
Gd2O2S:Tb, Y2O2S:Tb, CsI:Tl usw. Die oben erwähnte a-Si-
Dünnfilm-Photodiode und die Dünnfilmschaltung können auf
dem sie tragenden, transparenten Substrat gebildet werden.
Es ist möglich, die spektrale Empfindlichkeit der
Dünnfilm-Photodiode so zu wählen, daß das Maximum der
Lichtemission (Emissionsspitze) und das Maximum der Empfangs
empfindlichkeit (Empfangsspitze) miteinander übereinstimmen.
Das oben beschriebene amorphe Silizium a-Si wird üblicher
weise durch Zersetzung von Silikomethan SiH4 mit Hilfe
einer Radiofrequenz-Glühentladung erzeugt, wobei das
durch diese Methode erhaltene a-Si etwa 10% Wasserstoff
aufweist und eine optische Lücke im Bereich von etwa 1,7
bis etwa 1,8 eV besitzt. Wird eine Diode mit einem p-i-n-
Übergang oder mit einem Schottky-Übergang gebildet, so weist
sie demzufolge eine spektrale Empfindlichkeit auf, wie sie
in Fig. 5 gezeigt ist.
Die spektrale Empfindlichkeit kann auf einen Spitzen
wert von 500 nm verschoben werden (mit dem Emissionsmaximum
bei 500 nm in Übereinstimmung gebracht werden), wenn an
stelle von SiH4 Disilan
gas verwendet wird, und wenn darüber hinaus zur Bildung der
i-Schicht ein Film zum Einsatz kommt, der eine optische Lücke
von etwa 1,8 eV bis etwa 1,85 eV besitzt.
Wird in derselben Weise ein Dünnfilm hergestellt, wo
bei dem SiH₄ Methan (CH₄) zugesetzt wird, so wird
ein Wasserstoff enthaltender a-SiC-Dünnfilm erhalten, bei
dem die Spitze der spektralen Empfindlichkeit noch weiter
zu kürzeren Wellenlängen verschoben ist. Wird C mit einem
Anteil von etwa 30% hinzugemischt, so läßt sich die
Spektralspitze bzw. maximale spektrale Empfindlichkeit
bis in einen Bereich von etwa 500 nm verschieben.
Die Spitze der spektralen Empfindlichkeit kann zu
längeren Wellenlängen hin verschoben werden, indem ein
geeigneter Anteil von GeH4 hinzugefügt wird.
Die verschiedenen Dünnfilme der oben beschriebenen Art
lassen sich mit verschiedenen Verfahren herstellen, z. B.
durch Sputtern, mit Hilfe von Mikrowellen, durch das CVD-
Verfahren, durch das optische CVD-Verfahren, durch Nieder
schlag im Vakuum usw.
Claims (6)
1. Mehrelement-Strahlungsdetektor mit einem Szintillator
substrat (1) und mehreren auf dessen Oberfläche durch Ab
scheidung aufgebrachten, jeweils einzelnen Strahlungsdetek
torelementen zugeordneten und elektrisch voneinander unabhän
gigen Photodioden (4) mit amorphem, photoleitfähigem Materi
al,
dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (1) auf einem
Träger (13) angeordnet ist und durch sich bis an den Träger
(13) hinein erstreckende Gräben (15) in den einzelnen Strah
lungsdetektorelementen zugeordnete Szintillatorblöcke (1) un
terteilt ist, und daß in jedem Graben (15) eine für Licht
oder andere Strahlung undurchlässige bis hinein in den Träger
(13) reichende Trennschicht (3) eingesetzt ist.
2. Strahlungsdetektor nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß die substratseitigen Elektroden
(8) der Photodioden (4) transparent sind.
3. Strahlungsdetektor nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß das amorphe, photoleitfähige
Material amorphes Silizium ist.
4. Strahlungsdetektor nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet, daß das Szintillatorsubstrat (1) aus
heißisostatisch gepreßtem Gd₂O₂S : Pr, Ce, F besteht.
5. Strahlungsdetektor nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet, daß auf der Oberfläche eines jeden Szintillator
blockes ein Dünnfilmschalter (2, 2′) angeordnet ist, der mit
der jeweiligen Photodiode (4) elektrisch verbunden ist.
6. Strahlungsdetektor nach Anspruch 5, dadurch gekenn
zeichnet, daß jeweils ein Ende jedes Dünnfilmschalters (2, 2′)
mit einer gemeinsamen Ausgangssignalleitung (7) verbunden ist.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62220115A JP2594966B2 (ja) | 1987-09-04 | 1987-09-04 | 放射線検出素子ブロック及びその製造方法 |
JP62234805A JPS6478185A (en) | 1987-09-21 | 1987-09-21 | Radiation detecting element |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3829912A1 DE3829912A1 (de) | 1989-03-16 |
DE3829912C2 true DE3829912C2 (de) | 1993-05-13 |
Family
ID=26523546
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3829912A Granted DE3829912A1 (de) | 1987-09-04 | 1988-09-02 | Mehrelement-strahlungsdetektor |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4982095A (de) |
DE (1) | DE3829912A1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4435105A1 (de) * | 1994-09-30 | 1996-04-04 | Siemens Ag | Röntgendiagnostikeinrichtung mit einem Festkörperbildwandler |
DE19923372A1 (de) * | 1999-05-21 | 2000-07-13 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen eines Strahlendetektors und Kollimatorblech eines Strahlendetektors |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5196702A (en) * | 1987-10-21 | 1993-03-23 | Hitachi, Ltd. | Photo-sensor and method for operating the same |
US5041729A (en) * | 1987-10-28 | 1991-08-20 | Hitachi, Ltd. | Radiation detector and manufacturing process thereof |
US4982096A (en) * | 1988-01-06 | 1991-01-01 | Hitachi Medical Corporation | Multi-element radiation detector |
US5262649A (en) * | 1989-09-06 | 1993-11-16 | The Regents Of The University Of Michigan | Thin-film, flat panel, pixelated detector array for real-time digital imaging and dosimetry of ionizing radiation |
EP0490997A4 (en) * | 1989-09-06 | 1993-01-27 | The University Of Michigan, Intellectual Property Office | Multi-element-amorphous-silicon-detector-array for real-time imaging and dosimetry of megavoltage photons and diagnostic x-rays |
CA2034118A1 (en) * | 1990-02-09 | 1991-08-10 | Nang Tri Tran | Solid state radiation detector |
US5171998A (en) * | 1990-06-14 | 1992-12-15 | Engdahl John C | Gamma ray imaging detector |
DE69221513T2 (de) * | 1991-02-07 | 1998-03-26 | Toshiba Kawasaki Kk | Röntgenstrahl-Computer-Tomograph mit Bilddatenerfassungsschaltung zur Ausführung von Hochgeschwindigkeits-Datenerfassung |
DE9107256U1 (de) * | 1991-06-12 | 1991-08-08 | Siemens Ag, 8000 Muenchen, De | |
US5254480A (en) * | 1992-02-20 | 1993-10-19 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Process for producing a large area solid state radiation detector |
US5463225A (en) * | 1992-06-01 | 1995-10-31 | General Electric Company | Solid state radiation imager with high integrity barrier layer and method of fabricating |
JPH0618670A (ja) * | 1992-06-30 | 1994-01-28 | Hitachi Medical Corp | 放射線検出器 |
US5401668A (en) * | 1993-09-02 | 1995-03-28 | General Electric Company | Method for fabrication solid state radiation imager having improved scintillator adhesion |
DE19643644C1 (de) * | 1996-10-22 | 1998-04-09 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines Strahlungsdetektorarrays und Verwendung eines solchen Strahlungsdetektorarrays |
US5936230A (en) * | 1996-11-19 | 1999-08-10 | Xerox Corporation | High light collection X-ray image sensor array |
KR100514546B1 (ko) | 1997-02-14 | 2005-12-02 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 방사선검출소자및그제조방법 |
EP0903590B1 (de) * | 1997-02-14 | 2002-01-02 | Hamamatsu Photonics K.K. | Vorrichtung zum nachweis von strahlung und verfahren zu ihrer herstellung |
DE19729413C1 (de) * | 1997-07-09 | 1998-11-19 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen eines Flachbildverstärkers und somit hergestellter Flachbildverstärker |
JP4094768B2 (ja) * | 1999-05-14 | 2008-06-04 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像検出装置 |
DE10033613A1 (de) * | 2000-07-11 | 2002-01-31 | Siemens Ag | Röntgen-Detektor |
DE10054680B4 (de) * | 2000-11-03 | 2007-04-19 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines zweidimensionalen Detektorarrays zur Detektion elektromagnetischer Strahlung |
US7968853B2 (en) * | 2005-04-26 | 2011-06-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Double decker detector for spectral CT |
JP5268633B2 (ja) * | 2005-04-26 | 2013-08-21 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | スペクトルctのための検出器アレイ |
DE102005045594A1 (de) * | 2005-09-23 | 2007-03-29 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines Detektors und Detektor |
US7759650B2 (en) * | 2006-04-25 | 2010-07-20 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Implementation of avalanche photo diodes in (Bi)CMOS processes |
US8373132B2 (en) * | 2009-02-06 | 2013-02-12 | Koninklijke Philips Electronics N. V. | Radiation detector with a stack of scintillator elements and photodiode arrays |
WO2010142036A1 (en) * | 2009-06-12 | 2010-12-16 | Karim Karim S | Radiation detector with integrated readout |
FR2948379B1 (fr) | 2009-07-21 | 2011-08-19 | Saint Gobain Cristaux Et Detecteurs | Scintillateur en halogenure de terre rare revetu d'un absorbeur ou reflecteur de lumiere |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3936645A (en) * | 1974-03-25 | 1976-02-03 | Radiologic Sciences, Inc. | Cellularized Luminescent structures |
JPS57172273A (en) * | 1981-04-17 | 1982-10-23 | Toshiba Corp | Radiation detector |
US4689487A (en) * | 1984-09-03 | 1987-08-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Radiographic image detection apparatus |
GB2167279A (en) * | 1984-11-15 | 1986-05-21 | Ian Redmayne | Radiation imaging |
EP0208225B1 (de) * | 1985-07-12 | 1990-03-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Röntgendetektorsystem |
US4733088A (en) * | 1985-09-02 | 1988-03-22 | Hitachi, Ltd. | Radiation detector |
JPS6271881A (ja) * | 1985-09-26 | 1987-04-02 | Toshiba Corp | 放射線検出器 |
EP0275446A1 (de) * | 1986-12-19 | 1988-07-27 | Heimann GmbH | Röntgenstrahlendetektor |
KR940007852A (ko) * | 1992-09-16 | 1994-04-28 | 윤종용 | 씨디-롬 시스템의 디지탈 노이즈 음 제거회로 |
-
1988
- 1988-09-01 US US07/239,387 patent/US4982095A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-09-02 DE DE3829912A patent/DE3829912A1/de active Granted
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4435105A1 (de) * | 1994-09-30 | 1996-04-04 | Siemens Ag | Röntgendiagnostikeinrichtung mit einem Festkörperbildwandler |
DE4435105C2 (de) * | 1994-09-30 | 2003-07-24 | Siemens Ag | Röntgendiagnostikeinrichtung mit einem Festkörperbildwandler und Verfahren zu deren Betrieb |
DE19923372A1 (de) * | 1999-05-21 | 2000-07-13 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen eines Strahlendetektors und Kollimatorblech eines Strahlendetektors |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4982095A (en) | 1991-01-01 |
DE3829912A1 (de) | 1989-03-16 |
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Legal Events
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|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |