DE3826284A1 - Ueberstromschutz mit statusmeldung bei einer potentialfreien ansteuerschaltung eines insulated-gate-transistors - Google Patents
Ueberstromschutz mit statusmeldung bei einer potentialfreien ansteuerschaltung eines insulated-gate-transistorsInfo
- Publication number
- DE3826284A1 DE3826284A1 DE19883826284 DE3826284A DE3826284A1 DE 3826284 A1 DE3826284 A1 DE 3826284A1 DE 19883826284 DE19883826284 DE 19883826284 DE 3826284 A DE3826284 A DE 3826284A DE 3826284 A1 DE3826284 A1 DE 3826284A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- transistor
- voltage
- gate
- control
- diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 6
- 241000863814 Thyris Species 0.000 claims 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 claims 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 5
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 230000011664 signaling Effects 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/081—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/0812—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
- H03K17/08128—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in composite switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/18—Modifications for indicating state of switch
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/567—Circuits characterised by the use of more than one type of semiconductor device, e.g. BIMOS, composite devices such as IGBT
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
- H03K17/689—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit
- H03K17/691—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors with galvanic isolation between the control circuit and the output circuit using transformer coupling
Landscapes
- Dc-Dc Converters (AREA)
- Protection Of Static Devices (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19883826284 DE3826284A1 (de) | 1988-07-30 | 1988-07-30 | Ueberstromschutz mit statusmeldung bei einer potentialfreien ansteuerschaltung eines insulated-gate-transistors |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19883826284 DE3826284A1 (de) | 1988-07-30 | 1988-07-30 | Ueberstromschutz mit statusmeldung bei einer potentialfreien ansteuerschaltung eines insulated-gate-transistors |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3826284A1 true DE3826284A1 (de) | 1990-02-08 |
| DE3826284C2 DE3826284C2 (enrdf_load_stackoverflow) | 1991-07-04 |
Family
ID=6360114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19883826284 Granted DE3826284A1 (de) | 1988-07-30 | 1988-07-30 | Ueberstromschutz mit statusmeldung bei einer potentialfreien ansteuerschaltung eines insulated-gate-transistors |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE3826284A1 (enrdf_load_stackoverflow) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4007539A1 (de) * | 1990-03-09 | 1991-09-12 | Asea Brown Boveri | Ansteuerschaltung fuer einen leistungshalbleiterschalter |
| DE4012382A1 (de) * | 1990-04-18 | 1991-10-24 | Licentia Gmbh | Verfahren und anordnung zum abschalten eines leistungshalbleiterschalters mit mos-steuereingang bei ueberstroemen |
| DE4216177A1 (de) * | 1991-05-15 | 1992-11-19 | Mitsubishi Electric Corp | Ueberstromschutzvorrichtung fuer ein leistungselement |
| EP0487964A3 (en) * | 1990-11-29 | 1993-08-18 | Siemens Aktiengesellschaft | Circuit arrangement for protecting a field-effect-controlled semiconductor against overload |
| EP0561386A1 (en) * | 1992-03-18 | 1993-09-22 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
| DE4316694C1 (de) * | 1993-05-14 | 1994-10-06 | Licentia Gmbh | Hilfsstromversorgung mit integrierter Statusmeldung für Leistungshalbleiteransteuerung mit Optokopplern |
| US5500619A (en) * | 1992-03-18 | 1996-03-19 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US8508906B2 (en) | 2007-06-04 | 2013-08-13 | Eaton Industries Gmbh | Device and method for identifying the type of control for a voltage-release or current-release switching device |
| CN113433379A (zh) * | 2020-03-23 | 2021-09-24 | 中车株洲电力机车研究所有限公司 | 用于IGBT的Ee电压检测装置及方法 |
| CN113433377A (zh) * | 2020-03-23 | 2021-09-24 | 中车株洲电力机车研究所有限公司 | 用于igbt的ge电压检测装置及方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0095579A1 (de) * | 1982-05-05 | 1983-12-07 | Siemens Aktiengesellschaft | Schutzschaltung für einen Schalttransistor |
| EP0046962B1 (de) * | 1980-09-01 | 1984-02-08 | Siemens Aktiengesellschaft | Schutzschaltung für einen Schalttransistor |
| DE3723786A1 (de) * | 1987-07-16 | 1989-01-26 | Licentia Gmbh | Anordnung zur selbsttaetigen ueberstromabschaltung |
-
1988
- 1988-07-30 DE DE19883826284 patent/DE3826284A1/de active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0046962B1 (de) * | 1980-09-01 | 1984-02-08 | Siemens Aktiengesellschaft | Schutzschaltung für einen Schalttransistor |
| EP0095579A1 (de) * | 1982-05-05 | 1983-12-07 | Siemens Aktiengesellschaft | Schutzschaltung für einen Schalttransistor |
| DE3723786A1 (de) * | 1987-07-16 | 1989-01-26 | Licentia Gmbh | Anordnung zur selbsttaetigen ueberstromabschaltung |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| GOODENOUGH, Frank: Latch-free MOS IGT gates 800 V at 50 A., In: Electronic Design, Nr. 16, 10. Juli 1986, S. 45-48 * |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4007539A1 (de) * | 1990-03-09 | 1991-09-12 | Asea Brown Boveri | Ansteuerschaltung fuer einen leistungshalbleiterschalter |
| DE4012382A1 (de) * | 1990-04-18 | 1991-10-24 | Licentia Gmbh | Verfahren und anordnung zum abschalten eines leistungshalbleiterschalters mit mos-steuereingang bei ueberstroemen |
| EP0487964A3 (en) * | 1990-11-29 | 1993-08-18 | Siemens Aktiengesellschaft | Circuit arrangement for protecting a field-effect-controlled semiconductor against overload |
| DE4216177A1 (de) * | 1991-05-15 | 1992-11-19 | Mitsubishi Electric Corp | Ueberstromschutzvorrichtung fuer ein leistungselement |
| DE4216177C2 (de) * | 1991-05-15 | 2000-05-18 | Mitsubishi Electric Corp | Überstromschutzvorrichtung für ein Leistungselement |
| US5500619A (en) * | 1992-03-18 | 1996-03-19 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
| EP0730347A3 (en) * | 1992-03-18 | 1996-10-23 | Fuji Electric Co Ltd | Semiconductor device |
| EP0561386A1 (en) * | 1992-03-18 | 1993-09-22 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
| DE4316694C1 (de) * | 1993-05-14 | 1994-10-06 | Licentia Gmbh | Hilfsstromversorgung mit integrierter Statusmeldung für Leistungshalbleiteransteuerung mit Optokopplern |
| US8508906B2 (en) | 2007-06-04 | 2013-08-13 | Eaton Industries Gmbh | Device and method for identifying the type of control for a voltage-release or current-release switching device |
| CN113433379A (zh) * | 2020-03-23 | 2021-09-24 | 中车株洲电力机车研究所有限公司 | 用于IGBT的Ee电压检测装置及方法 |
| CN113433377A (zh) * | 2020-03-23 | 2021-09-24 | 中车株洲电力机车研究所有限公司 | 用于igbt的ge电压检测装置及方法 |
| CN113433379B (zh) * | 2020-03-23 | 2022-04-26 | 中车株洲电力机车研究所有限公司 | 用于IGBT的Ee电压检测装置及方法 |
| CN113433377B (zh) * | 2020-03-23 | 2022-04-26 | 中车株洲电力机车研究所有限公司 | 用于igbt的ge电压检测装置及方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3826284C2 (enrdf_load_stackoverflow) | 1991-07-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE68928161T2 (de) | Treiberschaltung zur Verwendung bei einer spannungsgesteuerten Halbleitervorrichtung | |
| DE4216177C2 (de) | Überstromschutzvorrichtung für ein Leistungselement | |
| DE69508644T2 (de) | Halbleiter-Leistungsmodul und -Leistungswandlervorrichtung | |
| EP0176800A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung des Schaltzustands eines Abschaltthyristors | |
| DE19600808A1 (de) | Überspannungsklemmen- und Entsättigungsdetektionsschaltkreis | |
| DE3640546C2 (enrdf_load_stackoverflow) | ||
| EP0268930B1 (de) | Schaltungsanordnung eines sich selbst schützenden Leistungsschalters | |
| EP0208065B1 (de) | Schaltungsanordnung für die Treiberschaltung von Hochvoltleistungstransistoren | |
| DE3409058C2 (de) | Kurzschluß- und Überlastschutzschaltung für Endstufentransistoren | |
| DE3826284C2 (enrdf_load_stackoverflow) | ||
| DE2310448A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum schutz eines elektronischen schalters | |
| DE3840406A1 (de) | Schutzschaltung fuer eine schaltmodus-stromversorgungsschaltung | |
| DE2718798C3 (de) | Schutzschaltungsanordnung für einen Gleichstrom-Hauptstromkreis | |
| DE2167212C2 (de) | Schaltungsanordnung zur Erzeugung wenigstens einer vorgegebenen Ausgangsspannung, deren Größe von einer Eingangsspannung unabhängig ist | |
| DE3924653C2 (enrdf_load_stackoverflow) | ||
| DE3343201A1 (de) | Ueberstrom-schutzschaltung fuer einen transistor | |
| EP0409327A2 (de) | Stromversorgungseinrichtung mit Gleichspannungsüberwachungsschaltung | |
| DE3744079C2 (enrdf_load_stackoverflow) | ||
| EP0046962B1 (de) | Schutzschaltung für einen Schalttransistor | |
| EP0509343B1 (de) | Verfahren zum Betreiben eines Schaltreglers sowie Anordnung | |
| DE4007539C2 (enrdf_load_stackoverflow) | ||
| DE3610156A1 (de) | Schaltungsanordnung zum ansteuern eines leistungstransistors | |
| DE2715609B2 (de) | Fenster-Diskriminatorschaltung | |
| EP0410188B1 (de) | Schaltungsanordnung zum Schutz eines getakteten Halbleiterschalters | |
| DE68911638T2 (de) | Antriebsschaltung. |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
| D2 | Grant after examination | ||
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |