DE3822348A1 - Reinigungsverfahren fuer wasserstoffperoxid - Google Patents

Reinigungsverfahren fuer wasserstoffperoxid

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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Reinigen von in der Halbleitertechnik verwendbarem Wasserstoffperoxid.
Bei der Herstellung von hochintegrierten elektrischen Schaltun­ gen muß der Reinheitsgrad des zum Beispiel bei Reinigungspro­ zessen verwendeten Wasserstoffperoxids sehr hoch sein, um bei­ spielsweise hochqualifizierte Isolationsschichten (Gateoxide) zu erhalten.
Es ist bekannt, Wasserperoxid (H2O2) durch Destillation zu rei­ nigen.
Desweiteren ist auch bekannt, Kationenaustauscher für die Rei­ nigung einzusetzen (siehe japanische Patentanmeldung Nr. 62-187 103).
Aufgabe der Erfindung ist es, die im Handel erhältlichen Wasser­ stoffperoxidlösungen bezüglich ihrer Reinheit so zu maximieren, daß auch geringste Mengen von Übergangsmetallen, wie zum Bei­ spiel Eisen, Kupfer, Aluminium und auch von Säuren bzw. deren Anionen, wie zum Beispiel Acetat, Chlorid, Phosphat entfernt werden. Dabei soll ein Reinheitsgrad im Bereich von µg/l sicher erreicht werden.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Verfahren der ein­ gangs genannten Art gelöst, welches dadurch gekennzeichnet ist, daß
  • a) zunächst die in der Wasserstoffperoxidlösung vorhandenen Me­ tallionen in anionische Komplexe mit mehrzähligen Liganden überführt werden,
  • b) dann die Wasserstoffperoxidlösung mittels Anionenaustau­ scher behandelt wird.
Dabei liegt es im Rahmen des Erfindungsgedankens, daß zur Kom­ plexbildung Ethylendiamintetraacetat und als Anionenaustauscher stark basische Austauscher auf Polystyrol-Polyvinylbenzol-Basis verwendet werden. Als Komplexbildner kann beispielsweise auch Diethylentriaminpentaacetat verwendet werden.
Durch Überführen der Metallionen in zum Beispiel anionische Ehtylendiamintetraacetatkomplexe (EDTA-Komplexe) und der Nach­ reinigung der so behandelten Wasserstoffperoxidlösung mittels Anionenaustauschern werden sowohl die Säuren als auch die Me­ tallkomplexe dem Wasserstoffperoxid entzogen. Der Reinigungs­ effekt liegt zum Beispiel bei Acetat beim Faktor 1000; bei den Metallen liegt der Faktor zwischen 50 und 1000. Die geringeren Mengen Ethylendiamintetraacetat (EDTA), die im Wasserstoffper­ oxid verbleiben, komplexieren zusätzlich nachträglich einge­ schleppte Metallspuren und verhindern dadurch deren Abscheidung auf den Siliziumkristallscheiben bei der Halbleiterbauelemente- Herstellung. Dies ist ein zusätzlicher, sehr vorteilhafter Effekt.

Claims (3)

1. Verfahren zum Reinigen von in der Halbleitertechnik verwend­ barem Wasserstoffperoxid, dadurch gekenn­ zeichnet, daß
  • a) zunächst die in der Wasserstoffperoxidlösung vorhandenen Me­ tallionen in anionische Komplexe mit mehrzähligen Liganden überführt werden,
  • b) dann die Wasserstoffperoxidlösung mittels Anionenaustauscher behandelt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß zur Komplexbildung Ethylendiamintetra­ acetat (EDTA) verwendet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge­ kennzeichnet, daß als Anionenaustauscher stark basische Austauscher auf Polystyrol-Polyvinyl-Benzol-Basis ver­ wendet werden.
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