DE3803034C2 - - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft einen Photoempfänger zur Umwandlung von Licht, insbesondere Lichtintensitätsänderungen, in elektrische Signale, mit einem Phototransistor, einem weiteren Transistor, sowie einem dazwischengeschalteten, aus einer Parallelschaltung eines Widerstands und eines Kondensators bestehenden Gegenkopplungsnetzwerk, wobei diese Schaltungselemente einen Regelkreis bilden, der nur langsame Änderungen des Photostroms durch den Phototransistor kompensiert.

Ein derartiger Photoempfänger ist aus "Siemens, Schaltbeispiele, Ausgabe 1975/76, Seite 117" bekannt. Die diesen Photoempfänger bildende Schaltungsanordnung zeigt einen Phototransistor, einen weiteren Transistor und ein dazwischengeschaltetes, aus einer Parallelschaltung eines Widerstandes und eines Kondensators bestehendes Gegenkopplungsnetzwerk. Diese Schaltungselemente sind in der Weise miteinander verbunden, daß ein Regelkreis gebildet wird, der langsame Änderungen des Photostroms durch den Phototransistor kompen­ siert. Hierbei bewirkt das Gegenkopplungsnetzwerk, daß der erwähnte Regelkreis für schnelle Änderungen des Photostroms durch den Phototransistor unwirksam wird, was sich dann in einer meßbaren Änderung des Ausgangssignals der Schaltungsanordnung niederschlägt. Durch einen Regelkreis, der einen Phototransistor und einen weiteren Transistor beinhaltet, wird der Photostrom durch den Phototransistor konstant gehalten. Da sich im Gegensatz zu langsamen Lichtintensitätsänderungen schnelle Lichtintensitätsänderungen in einer Änderung des Photostroms niederschlagen sollen, ist die Basis-Emitterstrecke des weiteren Transistors durch einen Kondensator überbrückt. So wird der beschriebene Regelmechanismus für schnelle Änderungen der Lichtintensität unwirksam. Bei der bekannten Schaltungsanordnung hat der weitere Transistor lediglich eine Regelfunktion zu erfüllen. Ein ähnlicher Photoempfänger ist aus der GB 12 52 727 bekannt.

Der Erfindung hat sich nun die Aufgabe gestellt, einen Photoempfänger der eingangs beschriebenen Art zu schaffen, bei dem ohne zusätzlichen Schaltungsaufwand auch noch eine Verstärkungsfunktion erfüllt wird.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß der Kollektor des Phototransistors mit der Basis des weiteren Transistors verbunden ist, daß das Gegenkopplungsnetzwerk zwischen den Emitter des weiteren Transistors und Masse geschaltet und die an diesem Gegenkopplungsnetzwerk auftretende Spannung dem Phototransistor über dessen Basis zugeführt ist, und daß ein durch den weiteren Transistor verstärktes Ausgangssignal des Photoempfängers zwischen dem Kollektor des weiteren Transistors und Masse abgegriffen wird.

Durch die erfindungsgemäße Ausgestaltung wird ohne zusätzlichen Schaltungsaufwand auch noch eine Verstärkungsfunktion des Photoempfängers erzielt.

Vorzugsweise ist hierbei die am Gegenkopplungsnetzwerk auf­ tretende Spannung über einen Basiswiderstand der Basis des über einen Emitterwiderstand und einen Kollektorwiderstand an eine Betriebsspannung angelegten Phototransistors zuge­ führt.

Aufgrund dieser Ausbildung werden mit geringstem elektroni­ schen Aufwand auch äußerst schwache Lichtintensitätsänderun­ gen noch zuverlässig und stets eindeutig meßbar in elektri­ sche Signale umgewandelt. Trotz des äußerst einfachen Auf­ baus wird überraschend eine hohe Empfindlichkeit bei vernach­ lässigbarer Arbeitspunktverschiebung der Transistoren er­ zielt. Der Einfluß von Gleichlicht, einer Alterung, Tempera­ turschwankungen und Bauteilestreuungen auf die Funktionsfä­ higkeit der jeweils eingesetzten Photoempfänger ist auf ein Minium zurückgeführt. Der erfindungsgemäße Photoempfänger zeichnet sich ferner auch durch eine relativ hohe obere Grenzfrequenz, ein günstiges Impulsverhalten sowie einen ge­ ringen Stromverbrauch aus.

Die untere Grenzfrequenz des Photoempfängers wird praktisch durch den Kondensator des Gegenkopplungsnetzwerks bestimmt. Über den Verstärkertransistor und den zweckmäßigerweise vor­ gesehenen Basiswiderstand erfährt der Phototransistor eine starke Gleichspannungs-Gegenkopplung, welche auch bei Gleich­ licht, einer Alterung, Temperaturschwankungen und Bautei­ le-Streuungen stets einen stabilen Arbeitspunkt gewährlei­ stet.

Für den auftretenden Wechselspannungsanteil bildet der Kon­ densator einen Widerstand von nur geringem Wert und dämpft damit für diese Signalanteile den Gegenkopplungseinfluß auf die Basis des Phototransistors. Für höhere Frequenzen bedeu­ tet dies eine Zunahme der Gesamtverstärkung. Das dadurch er­ zielte Hochpaßverhalten führt zu einer sehr hohen Empfind­ lichkeit für zu erfassende Lichtintensitätsschwankungen.

Da der Kollektor des Phototransistors mit der Basis des Ver­ stärkertransistors verbunden ist, ist dieser niederohmig be­ lastet. Lichtintensitätsänderungen führen demnach am Kollek­ tor lediglich zu kleineren Spannungshüben, wodurch eine Rück­ wirkung des Kollektors über die Kollektor-Basis-Kapazität auf die Basis des Phototransistors praktisch ausgeschlossen bzw. vernachlässigbar ist. Einem Verstärkungsrückgang für höhere Frequenzen durch eine Gegenkopplung wird demnach wir­ kungsvoll begegnet.

Ein günstiges Impulsverhalten des Photoempfängers wird u. a. dadurch erhalten, daß der Kondensator des Rückkopplungsnetz­ werks sich während der Dauer eines jeweiligen Lichtblitzes nur langsam über den zugeordneten Gegenkopplungswiderstand entlädt und anschließend über den Verstärkertransistor rasch wieder aufgeladen wird und sich demnach auch der Arbeits­ punkt sehr schnell wieder einstellt.

Gemäß einer besonders vorteilhaften Ausführungsvariante ist der vorzugsweise zwischen dem Kollektor des Verstärkertransi­ stors und einer Klemme der Betriebsspannung liegende Arbeits­ widerstand durch einen Strom-Spannungswandler gebildet, der vorzugsweise ein Operationsverstärker ist. Zweckmäßigerweise ist hierbei dem nichtinvertierenden Eingang des Operations­ verstärkers eine von einem an der Betriebsspannung liegenden Spannungsteiler abgegriffene Referenzspannung zugeführt, der invertierende Eingang mit dem Kollektor des Verstärkertransi­ stors verbunden und der Ausgang des Operationsverstärkers zu­ mindest über einen Widerstand auf den invertierenden Ein­ gang gegengekoppelt.

Ist der Operationsverstärker mit dem Widerstand gegengekop­ pelt, so tritt die dem nichtinvertierenden Eingang zugeführ­ te Referenzspannung auch am invertierenden Eingang des Opera­ tionsverstärkers auf. Nachdem der invertierende Eingang mit dem Kollektor des Verstärkertransistors verbunden ist, treten am Kollektor dieses Verstärkers auch beim Eingang von Lichtintensitätsänderungen keine Spannungshübe auf. Dies be­ deutet, daß auch beim Verstärkertransistor eine Rückwirkung des Kollektors über die Kollektor-Basis-Kapazität auf die Basis praktisch ausgeschlossen ist. Einem Verstärkungsrück­ gang bei höheren Frequenzen durch Gegenkopplung wird demnach wiederum wirksam begegnet.

Da bei der erfindungsgemäßen Schaltung auf äußerst einfache Weise gewährleistet ist, daß Umladevorgänge nicht stattfin­ den, können auch im Bereich der Verbindung zwischen Kollek­ tor des Verstärkertransistors und dem invertierenden Eingang des Operationsverstärkers vorliegende Leitungskapazitäten vernachlässigt werden. Dies bedeutet, daß sich solche Lei­ tungskapazitäten auf die Funktion des Lichtempfängers nicht mehr auswirken können.

Eine weitere vorteilhafte Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Photoempfängers zeichnet sich dadurch aus, daß zwischen dem Kollektor des Verstärkertransistors und dem Arbeitswider­ stand eine erste Diode und zwischen dem Kollektor und einer Steuerspannungklemme eine zweite Diode geschaltet ist, so daß die Ausgangsspannung zwischen dem Arbeitswiderstand und der ersten Diode abgreifbar und dieser Ausgang durch die Steuerspannung blockierbar ist. Der Ausgang des elektroni­ schen Photoempfängers ist demnach auf einfachste Weise durch Anlegen einer entsprechenden Steuerspannung abschaltbar. Überschreitet die Steuerspannung die Ausgangsspannung bzw. die Betriebsspannung, so wird die zweite Diode leitend. Die zweite Diode übernimmt in diesem Falle den Kollektorstrom des Verstärkertransistors, während die erste Diode sperrt. Der Schaltungsausgang ist in diesem Falle inaktiv, so daß trotz der Erfassung von Lichtintensitätsänderungen durch den Phototransistor am Ausgang des Photoempfängers kein Ausgangs­ signal geliefert wird.

Für mehrere Photoempfänger ist vorzugsweise ein gemeinsamer Arbeitswiderstand vorgesehen.

Die Verbindung zwischen dem Arbeitswiderstand und der ersten Diode kann zweckmäßigerweise als Bus-Leitung ausgelegt sein, an der weitere Photoempfänger bzw. Photoempfängermodule vor­ zugsweise zur Verbindung mit dem gemeinsamen Arbeitswider­ stand angeschlossen sind. Da hierbei größere Leitungskapazi­ täten auftreten können, ist vorzugsweise die Verwendung eines Strom-Spannungswandlers als Arbeitswiderstand vorgese­ hen.

Von Vorteil ist dies insbesondere dann, wenn eine Vielzahl von Photoempfängern als Lichtempfänger beispielsweise für ein Lichtschrankengitter oder dergleichen Verwendung findet. Der mehreren Photoempfängern gemeinsame Arbeitswiderstand kann hierbei der den Empfängern beigeordneten Steuerung zuge­ ordnet und beispielsweise Teil eines Vorverstärkers oder der­ gleichen dieser Steuerung sein.

Weitere vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.

Die Erfindung wird im folgenden anhand von Ausführungsbei­ spielen unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläutert; in dieser zeigt

Fig. 1 die elektronische Schaltung eines Photoem­ pfängers mit ohmschem Arbeitswiderstand,

Fig. 2 die elektronische Schaltung des Photoempfän­ gers mit aktivem Strom-Spannungswandler,

Fig. 3 die elektronische Schaltung des Photoempfän­ gers mit abschaltbarem Ausgang,

Fig. 4a den zeitlichen Verlauf der Ausgangsspannung der Schaltung gemäß Fig. 1 bei einer Bestrah­ lung des Phototransistors, und

Fig. 4b den zeitlichen Verlauf der Ausgangsspannung der Schaltung gemäß Fig. 3 in Abhängigkeit von der Steuerspannung bei einer Bestrahlung des Phototransistors.

In den Fig. 1 bis 3 ist jeweils ein Photoempfänger bzw. Pho­ toempfängermodul zur Umwandlung von Licht und insbesondere von Lichtintensitätsänderungen in elektrische Signale ge­ zeigt. Einander entsprechenden Bauteilen sind gleiche Bezugs­ zeichen zugeordnet.

Die Photoempfänger umfassen jeweils einen Phototransistor PT ₁, einen diesem nachgeschalteten Verstärkertransistor T ₁ mit zugeordnetem Arbeitswiderstand R _A bzw. OP ₁ sowie ein Ge­ genkopplungsnetzwerk, welches durch eine Parallelschaltung aus einem Kondensator C _F , welcher die untere Grenzfrequenz bestimmt, und einem Rückkopplungswiderstand R _G gebildet ist.

Der Phototransistor PT ₁ liegt über einen Emitterwiderstand R _E und einen Kollektorwiderstand R _C zwischen den Klemmen einer Betriebsspannung U _B . Die untere Klemme der Betriebs­ spannung U _B ist mit der unteren Masseschiene der Schaltungen verbunden.

Die aus dem Kondensator C _F und dem Gegenkopplungswiderstand R _G gebildete Parallelschaltung liegt einerseits an Masse und andererseits über einen Basiswiderstand R _B an der Basis des Phototransistors PT ₁ und unmittelbar am Emitter des Verstär­ kertransistors T ₁.

Der Kollektor des Phototransistors PT ₁ ist direkt mit der Basis des Verstärkertransistors T ₁ verbunden.

In den gezeigten Schaltungen sind jeweils beispielsweise npn-Transistoren verwendet.

Beim Photoempfänger gemäß Fig. 1 ist als zwischen dem Kollek­ tor des Verstärkertransistors T ₁ und der einen Klemme der Be­ triebsspannung U _B angeordneter Arbeitswiderstand ein ohm­ scher Widerstand R _A vorgesehen.

Die Ausgangsspannung U _A der Schaltung gemäß Fig. 1 wird direkt am Kollektor des Verstärkertransistors T ₁ abgegrif­ fen.

Der Phototransistors PT ₁ erfährt über den Verstärkertransi­ stor T ₁ und den Basiswiderstand R _B eine starke Gleichspan­ nungs-Gegenkopplung. Damit ist auch bei Gleichlicht, einer Alterung, Temperaturschwankungen und bei Bauteile-Streuungen stets ein stabiler Arbeitspunkt gewährleistet.

Für die Wechselspannungsanteile bildet der Kondensator C _F einen relativ kleinen Widerstand, welcher den Gegenkopplungs­ einfluß auf die Basis des Phototransistors PT ₁ dämpft. Die Gesamtverstärkung für höhere Frequenzen nimmt dadurch zu.

Dieses Hochpaßverhalten der Schaltung führt gleichzeitig zu einer hohen Empfindlichkeit für die zu messenden Lichtinten­ sitätsschwankungen.

Da der Kollektor des Phototransistors PT ₁ direkt mit der Basis des Verstärkertransistors T ₁ verbunden ist, ist dieser niederohmig abgeschlossen. Bei Lichtintensitätsänderungen treten am Kollektor dieses Phototransistors PT ₁ demnach nur kleine Spannungshübe auf. Die Wirkung der Kollek­ tor-Basis-Rückwirkungskapazität des Phototransistors PT ₁ kann damit praktisch vernachlässigt werden. Dies bedeutet, daß einem Verstärkungsrückgang bei höheren Frequenzen durch eine Gegenkopplung wirksam begegnet wird.

Die Schaltung weist ferner ein äußerst günstiges Impulsver­ halten auf, da sich der Kondensator C _F während der Dauer eines empfangenen Lichtblitzes nur langsam über den Gegenkopp­ lungswiderstand R _G entlädt und dieser Kondensator anschlie­ ßend über den Verstärkertransistor T ₁ sehr schnell wieder aufgeladen wird. Damit ist gleichzeitig auch gewährleistet, daß sich der Arbeitspunkt jeweils sehr schnell wieder ein­ stellt.

Beim in Fig. 2 gezeigten Photoempfänger ist der ohmsche Ar­ beitswiderstand durch einen aktiven Strom-Spannungswandler ersetzt, welcher durch einen als invertierenden Verstärker geschalteten Operationsverstärker OP ₁ gebildet ist.

Am nichtinvertierenden Eingang des Operationsverstärkers OP ₁ liegt eine an einem die Widerstände R ₁ und R ₂ umfassenden Spannungsteiler abgegriffene Referenzspannung an. Der aus den beiden Widerständen R ₁ und R ₂ gebildete Spannungsteiler liegt zwischen den beiden Klemmen der Betriebsspannung U _B .

Der Kollektor des Verstärkertransistors T ₁ ist mit dem inver­ tierenden Eingang des Operationsverstärkers OP ₁ verbunden. Die Ausgangsspannung U _A des Operationsverstärkers OP ₁ und damit des Photoempfängers ist über einen Widerstand R _K auf den invertierenden Eingang des Operationsverstärkers gegenge­ koppelt.

Aufgrund dieser Gegenkopplung tritt auch am invertierenden Eingang des Operationsverstärkers OP ₁ die am nichtinvertie­ renden Eingang anliegende Differenzspannung auf. Daraus folgt, daß auch der Kollektor des Verstärkertransistors T ₁ bei Lichtintensitätsänderungen keine Spannungshübe aufweist. Die Wirkung der Kollektor-Basis-Rückwirkungskapazität ist demnach auch bei diesem Verstärkertransistor T ₁ vernachlässig­ bar. Dadurch wird wiederum einem Verstärkungsrückgang bei hö­ heren Frequenzen durch Gegenkopplung entgegengewirkt.

Nachdem keine Umladevorgänge stattfinden, können auch die Leitungskapazitäten im Bereich der Verbindung zwischen Kol­ lektor des Verstärkertransistors T ₁ und dem invertierenden Eingang des Operationsverstärkers OP ₁ vernachlässigt werden.

In Fig. 3 ist die Schaltung eines Photoempfängers mit ab­ schaltbarem Ausgang gezeigt.

Hierzu ist zwischen dem Kollektor des Verstärkertransistors T ₁ und dem Arbeitswiderstand R _A eine erste Diode D ₁ und zwi­ schen der Klemme Y einer Steuerspannung U _S und dem Kollektor des Verstärkertransistors T ₁ eine zweite Diode D ₂ geschal­ tet.

Überschreitet die dem Kollektor über die zweite Diode D ₂ zu­ geführte Steuerspannung U _S die Ausgangsspannung U _A , welche über eine Klemme X zwischen dem Arbeitswiderstand R _A und der ersten Diode D ₁ abgegriffen wird, bzw. die Betriebsspannung U _B , so wird die Diode D ₂ leitend. Diese zweite Diode über­ nimmt dann den Kollektorstrom des Verstärkertransistors T ₁, während die erste Diode D ₁ sperrt. Dabei wird der Schaltungs­ ausgang zwischen der Klemme X und Masse inaktiv. Das heißt, daß trotz des Empfangs von Lichtintensitätsänderungen am Photo­ transistor PT ₁ am Ausgang des Photoempfängers kein Ausgangs­ signal abgegeben wird (vgl. Fig. 4b).

Es können mehrere Photoempfänger mit abschaltbarem Ausgang zu einem Bus-System zusammengeschaltet werden, indem die Aus­ gänge miteinander verbunden werden und auf einen gemeinsamen Arbeitswiderstand führen.

Da hierbei größere Leitungskapazitäten auftreten können, ist die Verwendung eines Strom-Spannungswandlers als Arbeitswi­ derstand (z. B. entsprechend Fig. 2) vorteilhaft.

Die Bus-Leitung X kann beispielsweise zu einer der Vielzahl von Photoempfängern zugeordneten Steuerung führen, der der gemeinsame Arbeitswiderstand zugeordnet ist. Dieser kann bei­ spielsweise Bestandteil eines der Steuerung zugeordneten Vor­ verstärkers oder dergleichen sein.

Besonders vorteilhaft ist die Zuordnung eines gemeinsamen Ar­ beitswiderstandes zu mehreren Photoempfängern insbesondere dann, wenn, wie beispielsweise im Falle eines Lichtschranken­ gitters, eine große Anzahl solcher Photoempfänger zum Ein­ satz kommt.

In Fig. 4a ist anhand von zwei Diagrammen der zeitliche Ver­ lauf der Ausgangsspannung U _A in Abhängigkeit vom zeitlichen Verlauf einer Bestrahlung O _E bei der Schaltung gemäß Fig. 1 dargestellt. Wie zu erkennen ist, liefert der Photoempfänger bei jedem Auftreten eines Lichtblitzes stets auch ein impuls­ artiges Ausgangssignal.

Fig. 4b zeigt den zeitlichen Verlauf der Ausgangsspannung U _A zusätzlich in Abhängigkeit von der Steuerspannung U _S bei der Schaltung gemäß Fig. 3 während einer Bestrahlung des Photo­ empfängers.

Ist die Steuerspannung U _S gleich Null, so führt wie im ersten Fall jeder Lichtblitz stets auch zu einem entsprechen­ den Ausgangssignal am Ausgang des Photoempfängers.

Ist die Steuerspannung U _S dagegen ungleich Null, so steigt mit dieser Steuerspannung U _S gleichzeitig auch die Ausgangs­ spannung U _A auf einen oberen Spannungspegel an, so daß im weiteren Verlauf ggfs. auftretende Lichtblitze zu keinem ent­ sprechenden Ausgangssignal mehr führen können.

Bezugszeichenliste

PT ₁  Phototransistor
R _B   Basiswiderstand
R _C   Kollektorwiderstand
R _E   Emitterwiderstand
T ₁  Verstärkertransistor
C _F   Kondensator
R _G   Gegenkopplungswiderstand
U _B   Betriebsspannung
U _A   Ausgangsspannung
R _A   ohmscher Arbeitswiderstand
OP ₁  Operationsverstärker
R ₁  Widerstand
R ₂  Widerstand
R _K   Widerstand
D ₁  1. Diode
D ₂  2. Diode
X  Bus-Leitung
Y  Klemme

Claims (13)

1. Photoempfänger zur Umwandlung von Licht, insbesondere Lichtintensitätsänderungen, in elektrische Signale, mit einem Phototransistor (PT ₁), einem weiteren Transistor (T ₁) sowie einem dazwischengeschalteten, aus einer Parallelschaltung eines Widerstands (R _G) und eines Kondensators (C _F) bestehenden Gegenkopplungsnetzwerk, wobei diese Schaltungselemente einen Regelkreis bilden, der nur langsame Änderungen des Photostroms durch den Phototransistor (PT₁) kompensiert, dadurch gekennzeichnet, daß der Kollektor des Phototransistors (PT ₁) mit der Basis des weiteren Transistors (T ₁) verbunden ist, daß das Gegenkopplungsnetzwerk zwischen den Emitter des weiteren Transistors (T₁) und Masse geschaltet und die an diesem Gegenkopplungsnetzwerk auftretende Spannung dem Phototransistor (PT₁) über dessen Basis zugeführt ist, und daß ein durch den weiteren Transistor (T₁) verstärktes Ausgangssignal (U _A) des Photoempfängers zwischen dem Kollektor des weiteren Transistors (T₁) und Masse abgegriffen wird.

2. Photoempfänger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die am Gegenkopplungsnetzwerk auftretende Spannung über einen Basiswiderstand (R _B ) der Basis des über einen Emitterwiderstand (R _E ) und einen Kollektorwiderstand (R _C ) an eine Betriebsspannung (U _B ) angelegten Phototran­ sistors (PT ₁) zugeführt ist.

3. Photoempfänger nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der zwischen dem Kollektor des Verstär­ kertransistors (T ₁) und einer Klemme der Betriebsspan­ nung (T _U ) liegende Arbeitswiderstand ein ohmscher Wider­ stand (R _A ) ist.

4. Photoempfänger nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der zwischen dem Kollektor des Verstär­ kertransistors (T ₁) und einer Klemme der Betriebsspan­ nung (U _B ) liegende Arbeitswiderstand durch einen Strom-Spannungswandler (OP ₁) gebildet ist.

5. Photoempfänger nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß ein aktiver Strom-Spannungswandler, vorzugsweise ein Operationsverstärker (OP ₁), vorgesehen ist.

6. Photoempfänger nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Operationsverstärker (OP ₁) als invertierender Verstärker geschaltet ist.

7. Photoempfänger nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß dem nichtinvertierenden Eingang des Operationsver­ stärkers (OP ₁) eine von einem an der Be­ triebsspannung (U _B ) liegenden Spannungsteiler (R ₁, R ₂) abgegriffene Referenzspannung zugeführt, der invertieren­ de Eingang mit dem Kollektor des Verstärkertransistors (T ₁) verbunden und der Ausgang des Operationsverstärkers zumindest über einen Widerstand (R _K ) auf den invertieren­ den Eingang gegengekoppelt ist.

8. Photoempfänger nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem Kollektor des Verstärkertransistors (T ₁) und dem Arbeitswiderstand (R _A ) eine erste Diode (D ₁) und zwischen dem Kollektor und einer Steuerspan­ nungsklemme (Y) eine zweite Diode (D ₂) geschaltet ist, so daß die Ausgangsspannung (U _A ) zwischen dem Arbeitswi­ derstand und der ersten Diode (D ₁) abgreifbar und dieser Ausgang durch die Steuerspannung blockierbar ist.

9. Photoempfänger nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß ein für mehrere Photoempfänger gemeinsamer Arbeitswi­ derstand (R _A , OP ₁) vorgesehen ist.

10. Photoempfänger nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindung zwischen dem Arbeitswiderstand (R _A , OP ₁) und der ersten Diode (D ₁) als Bus-Leitung ausgelegt ist, an der weitere Photoempfänger zur Ver­ bindung mit dem gemeinsamen Arbeitswiderstand (R _A , OP ₁) angeschlossen sind.

11. Photoempfänger nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Bus-Leitung zu einer der Vielzahl von Photoem­ pfängern zugeordneten Steuerung führt und der gemeinsame Arbeitswiderstand (R _A , OP ₁) der Steuerung zugeordnet ist.

12. Photoempfänger nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß der mehreren Photoempfängern gemeinsame Arbeitswider­ stand (R _A ) Bestandteil eines der Steuerung zugeordneten Vorverstärkers ist.

13. Photoempfänger nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die den mehreren Photoempfängern gemeinsamen Arbeits­ widerstand aufweisende Steuerung eine Lichtschrankengit­ ter-Steuerung ist, wobei die Lichtempfänger des gesteu­ erten Lichtschrankengitters durch die einzelnen Photoem­ pfänger gebildet sind.