JPS61117910A - 光電変換回路 - Google Patents
光電変換回路Info
- Publication number
- JPS61117910A JPS61117910A JP59239095A JP23909584A JPS61117910A JP S61117910 A JPS61117910 A JP S61117910A JP 59239095 A JP59239095 A JP 59239095A JP 23909584 A JP23909584 A JP 23909584A JP S61117910 A JPS61117910 A JP S61117910A
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- Japan
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
-
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- H04B10/60—Receivers
- H04B10/66—Non-coherent receivers, e.g. using direct detection
- H04B10/69—Electrical arrangements in the receiver
- H04B10/693—Arrangements for optimizing the preamplifier in the receiver
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）利用分野
この発明は、光通信システムにおいて、光信号を電気信
号に変換する光電変換回路に関する。
号に変換する光電変換回路に関する。
（ロ）従来技術
光電変換回路として第２図に示す負帰還形変換インピー
ダンス方式が知られている。第２図において、受光素子
１１のカソードは逆バイアスラ°圧を印加するため電源
１２の正極に接続され、受光素子１１のアノードは反転
増幅器１３の入力端及び帰還抵抗１４を介して反転増幅
器１３の出力端に接続されている。そして、受光素子１
１に入光して１″気信に変換された光出力信号は反転増
幅器１３により反転増幅され、その出力は帰還抵抗１４
によって反転増幅器１３０入力端に帰還される。前記受
光素子１１には寄生容量１５が１反転増幅器１３には入
力容！＃１６が存在しており、夫々第２図中破線によっ
て示される。
ダンス方式が知られている。第２図において、受光素子
１１のカソードは逆バイアスラ°圧を印加するため電源
１２の正極に接続され、受光素子１１のアノードは反転
増幅器１３の入力端及び帰還抵抗１４を介して反転増幅
器１３の出力端に接続されている。そして、受光素子１
１に入光して１″気信に変換された光出力信号は反転増
幅器１３により反転増幅され、その出力は帰還抵抗１４
によって反転増幅器１３０入力端に帰還される。前記受
光素子１１には寄生容量１５が１反転増幅器１３には入
力容！＃１６が存在しており、夫々第２図中破線によっ
て示される。
上記光電変換回路の反転増幅器１３の電圧増幅度をＡ、
帰還抵抗１４の値をＲｆ、寄生答ｉ１５の値をＣｐＤそ
して入力容ｉ１６の値をＣＡとすると、光電変換回路に
おける周波数特性の高域遮断周波数ｆｃ＋は近似的に次
式で表わされる。
帰還抵抗１４の値をＲｆ、寄生答ｉ１５の値をＣｐＤそ
して入力容ｉ１６の値をＣＡとすると、光電変換回路に
おける周波数特性の高域遮断周波数ｆｃ＋は近似的に次
式で表わされる。
第３図は、従来の光電変換回路の他の回路構成を示し、
第２図と同様に負帰還形変換インピーダンス方式が採用
されている。第３図の回路の場合。
第２図と同様に負帰還形変換インピーダンス方式が採用
されている。第３図の回路の場合。
受光素子１１のアノードと反転増幅器１３との間には利
得が１である増幅器２１が接続されている。増幅器２１
の出力電圧は、さらにコンデンサ２２を介して受光素子
１１０カノードに印加される。さらに。
得が１である増幅器２１が接続されている。増幅器２１
の出力電圧は、さらにコンデンサ２２を介して受光素子
１１０カノードに印加される。さらに。
受光素子１１のカソードと電源１２との間には抵抗２３
が接続されている。
が接続されている。
上記回路は受光素子１１＆Ｃ対して正帰還をかけること
になり、ブートスラップと称する帰還方式として知られ
ている。即ち、受光素子１１のアノード側の交流電圧は
利得１の増幅器２工に印加され、その出力はコンデンサ
ｎを介して受光素子１１のカソードに印加されるから、
受光素子１１０両端子に印加される交流電位は共に等し
くなる。この結果。
になり、ブートスラップと称する帰還方式として知られ
ている。即ち、受光素子１１のアノード側の交流電圧は
利得１の増幅器２工に印加され、その出力はコンデンサ
ｎを介して受光素子１１のカソードに印加されるから、
受光素子１１０両端子に印加される交流電位は共に等し
くなる。この結果。
受光素子１１に寄生している寄生容ｔ１５の両端の交流
電位差は常に零となり、寄生容量１５は光電変換回路の
周波数特性に影輯を及ぼさなくなる。
電位差は常に零となり、寄生容量１５は光電変換回路の
周波数特性に影輯を及ぼさなくなる。
第３図において破線によって示される。増幅器４の入力
容量冴の値をＣＡ’ とすると、この光電変換回路の高
域遮断周波数ｆｃｔは近似的に次式で表わされる。
容量冴の値をＣＡ’ とすると、この光電変換回路の高
域遮断周波数ｆｃｔは近似的に次式で表わされる。
（１）式と（２１式を比較すると、（２）式は寄生容量
１５の値ＣｐＤがキャンセルされており、 ｆｃｔ＞
ｆｃ、 となるから第３図の光電変換回路は第２図の光
電変換回路よりも広帯域の応用に適していることは明ら
かである。
１５の値ＣｐＤがキャンセルされており、 ｆｃｔ＞
ｆｃ、 となるから第３図の光電変換回路は第２図の光
電変換回路よりも広帯域の応用に適していることは明ら
かである。
第４図は第３図の増幅器ことして電界効果トランジスタ
３１ を使用した場合の回路構成図を示している。即ち
、電界効果トランジスタ３１のドレイン端子は電源１２
および抵抗２３の一端に、そのゲート端子は受光素子１
１のアノード及び帰還抵抗１４の一端に、そのンース端
子はソース抵抗３２の一端９反転増幅器１３の入力端お
よびコンデンサ２２の一端に夫々接続されている。
３１ を使用した場合の回路構成図を示している。即ち
、電界効果トランジスタ３１のドレイン端子は電源１２
および抵抗２３の一端に、そのゲート端子は受光素子１
１のアノード及び帰還抵抗１４の一端に、そのンース端
子はソース抵抗３２の一端９反転増幅器１３の入力端お
よびコンデンサ２２の一端に夫々接続されている。
増＠器２１としてソースフォロワの電界効果トランジス
タ３１を使用することが有効であることは広く知られて
いる。電界効果トランジスタのソースフォロワ回路は利
得が１に近＜、シかも決して１を超えることは無い。さ
らに、同回路はバイポーラトランジスタによるエミッタ
フォロワ回路に比べて入力容量を大幅に小さくできるか
ら周波数帯域を広（とれて有利である。
タ３１を使用することが有効であることは広く知られて
いる。電界効果トランジスタのソースフォロワ回路は利
得が１に近＜、シかも決して１を超えることは無い。さ
らに、同回路はバイポーラトランジスタによるエミッタ
フォロワ回路に比べて入力容量を大幅に小さくできるか
ら周波数帯域を広（とれて有利である。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
第３図に示すブートスラップを利用した負帰還形変換イ
ンピーダンス方式の光電変換回路における高域遮断周波
ｉ、ｆｃ、が（２）式によって表わされるのは、初段に
用いられる増幅器２１が利得１．出力インピーダンスが
零である。理想的な場合に限られる。しかしながら実際
の回路においては高域遮断周波数ｆｃ２は次式によって
表わされる。
ンピーダンス方式の光電変換回路における高域遮断周波
ｉ、ｆｃ、が（２）式によって表わされるのは、初段に
用いられる増幅器２１が利得１．出力インピーダンスが
零である。理想的な場合に限られる。しかしながら実際
の回路においては高域遮断周波数ｆｃ２は次式によって
表わされる。
ここで、Ｇｕは増幅器２１の無負荷時電圧利得。
ＺＯは増幅器２１の出力インピーダンス、Ｚｉは反転増
幅器１３０入カインピーダンスである。
幅器１３０入カインピーダンスである。
（３−２）式ＶＣオイテＧｕ ＝ １ 、 Ｚｏ ＝
ＯとするとＡｕ＝１．したがって（３−１）式において
なる。
ＯとするとＡｕ＝１．したがって（３−１）式において
なる。
ところで、増幅器２１として電界効果トランジスタ３１
による ソースフォロワ回路を用いた場合には、 Ｇ
ｕ ＝ Ｏ，Ｚｏ ＝＝ ０なる条件は成立しない。即
ち、ソースフォロワ回路のソース抵抗３２の値をＲｓ、
を界効果トランジスタ３１の相互コンダクタンスを１ｍ
とすると、増幅器２１の出力インピーダンスＺＯは次の
近似式によって表わされる。
による ソースフォロワ回路を用いた場合には、 Ｇ
ｕ ＝ Ｏ，Ｚｏ ＝＝ ０なる条件は成立しない。即
ち、ソースフォロワ回路のソース抵抗３２の値をＲｓ、
を界効果トランジスタ３１の相互コンダクタンスを１ｍ
とすると、増幅器２１の出力インピーダンスＺＯは次の
近似式によって表わされる。
（４−１）式、（４−２）式を（３−２）式に代となる
。
。
いま、一般的な数値例として、！ｉ’ｍ＝１０ｍ５．Ｒ
ｓ＝ＩＫΩ９反転増幅器１３の入力インピーダンスＺｉ
＝２００Ωとすると（５）式よりＡｌｌ＆？０．６３と
なり、（３−１式を参照すると受光素子１１の寄生容量
１６の値ＣＩ）Ｄが周波数特性に及ぼす影磐を十分補償
できない。特に、動作周波数が＋ＭＨｚＭＨｚ以上には
。
ｓ＝ＩＫΩ９反転増幅器１３の入力インピーダンスＺｉ
＝２００Ωとすると（５）式よりＡｌｌ＆？０．６３と
なり、（３−１式を参照すると受光素子１１の寄生容量
１６の値ＣＩ）Ｄが周波数特性に及ぼす影磐を十分補償
できない。特に、動作周波数が＋ＭＨｚＭＨｚ以上には
。
反転増幅器１３０入カインピーダンスＺｉが下がってし
まうため１Ｘ界効果トランジスタ３１０ソ一スフオロワ
回路によって寄生容量１６をキャンセルする効果は着る
しく減少する。
まうため１Ｘ界効果トランジスタ３１０ソ一スフオロワ
回路によって寄生容量１６をキャンセルする効果は着る
しく減少する。
この発明は数十ＭＨｚ以上の高周波領域においても受光
素子の寄生容量に影咎されずに機能する高速動作可能な
光電変換回路を提供することである。
素子の寄生容量に影咎されずに機能する高速動作可能な
光電変換回路を提供することである。
に）問題点を解決するための手段
前記問題を解決するため、この発明は電界効果トランジ
スタと反転増幅器を備えたプートスラップの負帰還形の
光電変換回路において、前記電界効果トランジスタと相
補形のバイポーラトランジスタを当該電界効果トランジ
スタに直結して利得が１に近くかつ出力インピーダンス
の小さい増幅器を当該電界効果トランジスタと共に構成
したものである。
スタと反転増幅器を備えたプートスラップの負帰還形の
光電変換回路において、前記電界効果トランジスタと相
補形のバイポーラトランジスタを当該電界効果トランジ
スタに直結して利得が１に近くかつ出力インピーダンス
の小さい増幅器を当該電界効果トランジスタと共に構成
したものである。
（ホ）作用
電界効果トランジスタとこれと相補形のバイポーラトラ
ンジスタからなる前記増幅器は前記電界効果トランジス
タのみのソースフォロワの増幅器と比較して一層電圧利
得は１に近似し、かつ出力インピーダンスは小さくなる
。このため、この発明の光電変換回路の高域遮断周波数
は高くなり。
ンジスタからなる前記増幅器は前記電界効果トランジス
タのみのソースフォロワの増幅器と比較して一層電圧利
得は１に近似し、かつ出力インピーダンスは小さくなる
。このため、この発明の光電変換回路の高域遮断周波数
は高くなり。
高周波数においても十分なプートスラップの効果が得ら
れる。
れる。
（へ）実施例
第１図はこの発明の一実施例を示し、第４図の構成と同
一部分には同一符号を附して説明は省略する。第１図に
おいて電界効果トランジスタ３１はＮチャンネル形とす
る。この電界効果トランジスタ３１ Ｋ：は電界効果ト
ランジスタ３１と相補形をなすｐａｐ形のバイポーラト
ランジスタ１が直結される。すなわち、バイポーラトラ
ンジスタ１のベースは電界効果トランジスタ３１のドレ
イン端子及び抵抗２の一端に夫々接続され、バイポーラ
トランジスタ１のエミッタは電源１２の正極、抵抗２３
の一端及び抵抗２の他端に夫々接続され、バイポーラト
ランジスタ１のコレクタは電界効果トランジスタ３１の
ソース端子、ソース抵抗３２の一端、コンデンサ２２の
一端及び反転増幅器１３に夫々接続されている。ここに
、電界効果トランジスタ３Ｌ バイポーラトランジスタ
１．ソース抵抗３２および抵抗２から第１図中、破線に
よって示す増幅器３が構成され工いる。この相補形ソー
スフォロワの増幅器３の電圧利得Ｇ’ｕ、出力インピー
ダンスＺ’ｏは次式によって表わされる。
一部分には同一符号を附して説明は省略する。第１図に
おいて電界効果トランジスタ３１はＮチャンネル形とす
る。この電界効果トランジスタ３１ Ｋ：は電界効果ト
ランジスタ３１と相補形をなすｐａｐ形のバイポーラト
ランジスタ１が直結される。すなわち、バイポーラトラ
ンジスタ１のベースは電界効果トランジスタ３１のドレ
イン端子及び抵抗２の一端に夫々接続され、バイポーラ
トランジスタ１のエミッタは電源１２の正極、抵抗２３
の一端及び抵抗２の他端に夫々接続され、バイポーラト
ランジスタ１のコレクタは電界効果トランジスタ３１の
ソース端子、ソース抵抗３２の一端、コンデンサ２２の
一端及び反転増幅器１３に夫々接続されている。ここに
、電界効果トランジスタ３Ｌ バイポーラトランジスタ
１．ソース抵抗３２および抵抗２から第１図中、破線に
よって示す増幅器３が構成され工いる。この相補形ソー
スフォロワの増幅器３の電圧利得Ｇ’ｕ、出力インピー
ダンスＺ’ｏは次式によって表わされる。
ここに、βはバイポーラトランジスタｌの電流増幅率、
ｒはバイポーラトランジスタ１のエミッタ接地の際の入
力抵抗、 Ｒｄは抵抗２の値である。
ｒはバイポーラトランジスタ１のエミッタ接地の際の入
力抵抗、 Ｒｄは抵抗２の値である。
（７−１）式、（７−２）式と（４−１’）式。
（４−２）式を比較すると増幅器３の変換コンダクタン
ス１ｍは第４図における電界効果トランジスタ３１の相
互コンダクタンス９ｍの β＝５０．Ｒｄ＝ｒ、ｙ１ｒＬ＝１０ｒｒＬＳとして変
換コンダクタンス、！ｉ’ｍを計算すると、ｌｉ’ｍ＝
２６０ｍ５ となりｇｍの２６倍になる。（５）式にお
（・てｇ ｍ ＝２６０ ｍ Ｓ ｒＲｓ ＝ Ｉ Ｋ
Ω、Ｚｉ ＝２００ΩとしてＡｕを計算すると、 Ａｕ
”； ０．９８となる。同様に計算によって求めた第
４図におけるＡｕの数値０．６３の比べて大幅に増加し
、この結果、（３−１）式を併せて考えると高域遮断周
波数を増加し、プートスラップによる効果が改善される
。このように、（７−１）式、（７−２）式により出力
インピーダンスＺ’。
ス１ｍは第４図における電界効果トランジスタ３１の相
互コンダクタンス９ｍの β＝５０．Ｒｄ＝ｒ、ｙ１ｒＬ＝１０ｒｒＬＳとして変
換コンダクタンス、！ｉ’ｍを計算すると、ｌｉ’ｍ＝
２６０ｍ５ となりｇｍの２６倍になる。（５）式にお
（・てｇ ｍ ＝２６０ ｍ Ｓ ｒＲｓ ＝ Ｉ Ｋ
Ω、Ｚｉ ＝２００ΩとしてＡｕを計算すると、 Ａｕ
”； ０．９８となる。同様に計算によって求めた第
４図におけるＡｕの数値０．６３の比べて大幅に増加し
、この結果、（３−１）式を併せて考えると高域遮断周
波数を増加し、プートスラップによる効果が改善される
。このように、（７−１）式、（７−２）式により出力
インピーダンスＺ’。
を小さＵ、、’ＩＩ’、圧利得Ｇ’ｕを大きくできるた
め。
め。
数十Ｍ Ｈｚ以上の高周波領域において受光素子１１の
寄生容量１６の影咎を除去できる。
寄生容量１６の影咎を除去できる。
反転増幅器１３０入力容量１６の値ＣＡ及び電果効果ト
ランジスタ３１の入力容量の値ＣｋをＣＡ ＝ Ｃｍ＝
１ｐｐ、受光素子１１の寄生容量１５の値ＣｐＤ＝２ｐ
Ｆ。
ランジスタ３１の入力容量の値ＣｋをＣＡ ＝ Ｃｍ＝
１ｐｐ、受光素子１１の寄生容量１５の値ＣｐＤ＝２ｐ
Ｆ。
電界効果トランジスタ３１０入カインピーダンスＺｉ
＝ ２００Ω、帰還抵抗１４の値Ｒ７＝ＩＵＫΩ９反転
増幅器１３の利得ＩＡｌ＝１０とし、 他は前述の数値
により又第１図、第２図および第４図の各光電変換回路
における高域遮断周波数を計算すると、第１図の本発明
では１５０ＭＨｚ 、 第２図の従来の回路では５３
ＭＨｚ 、第４図の従来の回路では５８ＭＨｚの各値
を得た。本例から明らかなように第１図の回路は着しく
高域遮断周波数を増加することができる。
＝ ２００Ω、帰還抵抗１４の値Ｒ７＝ＩＵＫΩ９反転
増幅器１３の利得ＩＡｌ＝１０とし、 他は前述の数値
により又第１図、第２図および第４図の各光電変換回路
における高域遮断周波数を計算すると、第１図の本発明
では１５０ＭＨｚ 、 第２図の従来の回路では５３
ＭＨｚ 、第４図の従来の回路では５８ＭＨｚの各値
を得た。本例から明らかなように第１図の回路は着しく
高域遮断周波数を増加することができる。
なお、前記実施例においては電界効果トランジスタ３１
をＮチャンネル形に、バイポーラトランジスタ１をｐｎ
ｐ形として増幅器３を構成したが、電界効果トランジス
タをＰチャンネル形とし、これと相補形をなすｎｐｎの
バイポーラトランジスタによって増幅器３を構成しても
良い。
をＮチャンネル形に、バイポーラトランジスタ１をｐｎ
ｐ形として増幅器３を構成したが、電界効果トランジス
タをＰチャンネル形とし、これと相補形をなすｎｐｎの
バイポーラトランジスタによって増幅器３を構成しても
良い。
（へ）効果
この発明の光電変換回路は、ブートスラップの効果によ
って受光素子に寄生する寄生容量を士 。
って受光素子に寄生する寄生容量を士 。
分にキャンセルすることができ、数十ＭＨｚ 以上の
高周波数帯域においても機能することができる。
高周波数帯域においても機能することができる。
したがって、光ファイバを使用した大容量の高速データ
通信に好適に利用できる。
通信に好適に利用できる。
第１図はこの発明の一実施例を示す回路構成図。
第２図は従来の光亀変換回路構成因、第３図は他の従来
の光電変換回路構成図、第４図は第３図におい℃電界効
果トランジスタを使用した場合の回路構成図である。 １・・・バイポーラトランジスタ、２・・・抵抗。 ３・・・増幅器、 １１・・・受光素子、１２・・・電
源、１３・・・反転増幅器、１４・・・帰還抵抗、１５
・・・寄生容量、１６・・・入力容量、２′１・・・増
幅器、２２・・・コンデンサ、２３・・・抵抗、２４・
・・入力容量、３１・・・電界効果トランジスタ、３２
・・・ソース抵抗。 特許出願人 住友電気工業株式会社 （外５名）
の光電変換回路構成図、第４図は第３図におい℃電界効
果トランジスタを使用した場合の回路構成図である。 １・・・バイポーラトランジスタ、２・・・抵抗。 ３・・・増幅器、 １１・・・受光素子、１２・・・電
源、１３・・・反転増幅器、１４・・・帰還抵抗、１５
・・・寄生容量、１６・・・入力容量、２′１・・・増
幅器、２２・・・コンデンサ、２３・・・抵抗、２４・
・・入力容量、３１・・・電界効果トランジスタ、３２
・・・ソース抵抗。 特許出願人 住友電気工業株式会社 （外５名）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一端が抵抗を介して電源に接続された受光素子と、この
受光素子の他端に入力端子が接続されるソースフォロワ
の電界効果トランジスタと、この電界効果トランジスタ
からの出力を反転増幅する反転増幅器と、この反転増幅
器の出力端子と前記電界効果トランジスタの入力端子に
接続される帰還抵抗と、前記電界効果トランジスタの交
流出力信号を前記受光素子の一端に印加するコンデンサ
とを備えたブートスラップ方式の光電変換回路において
、 前記電界効果トランジスタと相補形のバイポーラトラン
ジスタを当該電界効果トランジスタに直結して利得が１
に近くかつ出力インピーダンスの小さい増幅器を当該電
界効果トランジスタと共に構成して前記受光素子に寄生
する容量の周波数特性への影響を減少したことを特徴と
する光電変換回路。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59239095A JPS61117910A (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | 光電変換回路 |
| KR1019850008090A KR900006294B1 (ko) | 1984-11-13 | 1985-10-31 | 광전변환회로 |
| EP85114446A EP0185199B1 (en) | 1984-11-13 | 1985-11-13 | Optical receiver with negative feedback |
| DE8585114446T DE3587285T2 (de) | 1984-11-13 | 1985-11-13 | Optischer empfaenger mit negativer rueckkopplung. |
| AU49853/85A AU572362B2 (en) | 1984-11-13 | 1985-11-13 | Bootstrap negative feedback photoelectric input amplifier |
| US06/797,500 US4638152A (en) | 1984-11-13 | 1985-11-13 | Photoelectric converting circuit having a low parasitic capacitance |
| HK920/93A HK92093A (en) | 1984-11-13 | 1993-09-02 | Optical receiver with negative feedback |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59239095A JPS61117910A (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | 光電変換回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61117910A true JPS61117910A (ja) | 1986-06-05 |
Family
ID=17039735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59239095A Pending JPS61117910A (ja) | 1984-11-13 | 1984-11-13 | 光電変換回路 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4638152A (ja) |
| EP (1) | EP0185199B1 (ja) |
| JP (1) | JPS61117910A (ja) |
| KR (1) | KR900006294B1 (ja) |
| AU (1) | AU572362B2 (ja) |
| DE (1) | DE3587285T2 (ja) |
| HK (1) | HK92093A (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3803034C3 (de) * | 1988-02-02 | 1994-10-20 | Sick Optik Elektronik Erwin | Photoempfänger |
| JPH0383381A (ja) * | 1989-08-28 | 1991-04-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置 |
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| US5239402A (en) * | 1989-12-01 | 1993-08-24 | Scientific-Atlanta, Inc. | Push-pull optical receiver |
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- 1985-11-13 EP EP85114446A patent/EP0185199B1/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0185199B1 (en) | 1993-04-21 |
| US4638152A (en) | 1987-01-20 |
| AU4985385A (en) | 1986-05-29 |
| EP0185199A2 (en) | 1986-06-25 |
| DE3587285T2 (de) | 1993-07-29 |
| DE3587285D1 (de) | 1993-05-27 |
| KR860004516A (ko) | 1986-06-23 |
| HK92093A (en) | 1993-09-10 |
| EP0185199A3 (en) | 1988-09-21 |
| AU572362B2 (en) | 1988-05-05 |
| KR900006294B1 (ko) | 1990-08-27 |
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