DE3786953T2 - Verfahren zum Ansteuern einer ferroelektrischen Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung. - Google Patents

Description

• Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Verfahren zur Ansteuerung von ferroelektrischen Flüssigkristall-Elektrooptikanordnungen zwecks wechselseitiger Änderung des bistabilen Zustandes eines ferroelektrischen Flüssigkristallmaterials und dessen Ansteuerung. Eine ferroelektrische Flüssigkristall-Elektrooptikanordnung gemäß der Erfindung kann beispielsweise als Anzeigeanordnung, als optischer Verschluß für einen Drucker, usw. verwendet werden.
• In der Vergangenheit ist eine ferroelektrische Flüssigkritall-Elektrooptikanordnung bekannt geworden, deren Ansteuersystem einen bistabilen Zustand eines ferroelektrischen Flüssigkristallmaterials durch einen Impuls ändert, dessen Spitzenwert über einer Schwellspannung zur Ansteuerung des Flüssigkristallmaterials liegt und die den bistabilen Zustand nach dem Schalten durch einen Wechselspannungsimpuls hält. Eine derartige Anordnung ist beispielsweise in dem Artikel des SID'85 International Symposium 16, 131 (1985) beschrieben.
• Die Struktur einer konventionellen ferroelektrischen Flüssigkristall-Elektrooptikanordnung (im folgenden als "Flüssigkristallzelle" bezeichnet) wird anhand von Fig. 2 beschrieben. Mit dem Bezugszeichen 1 ist ein Paar von Substraten bezeichnet, die einander zugekehrt angeordnet sind.
• Mit dem Bezugszeichen 3 ist eine Dünnschicht eines ferroelektrischen Flüssigkristallmaterials, beispielsweise eines chiralen smektischen C-Flüssigkristallmaterials bezeichnet (im folgenden als "SmC*-Schicht" bezeichnet), das zwischen den Substraten 1 angeordnet ist.
• Eine uniaxiale und horizontal willkürlich orientierte Schicht 2 ist an der Zwischenfläche zwischen dem jeweiligen Substrat 1 und der SmC*-Schicht 3 vorgesehen und schafft den bistabilen Zustand für die Flüssigkristallmoleküle. Die Hauptachsen der Flüssigkristallmoleküle (im folgenden als "Molekularachsen" bezeichnet) verlaufen horizontal in Bezug auf das Substrat 1 und bilden eine Schicht. Von oben gesehen sind die Flüssigkristallmoleküle in zwei Domänen unterteilt. In der ersten Domäne sind die Molekularachsen um +θ in Bezug auf eine Senkrechte 4 zur Schicht geneigt. Dabei handelt es sich um einen ersten stabilen Zustand 5. Eine spontane Polarisation 7 der Flüssigkristallmoleküle weist nach oben. Die zweite Domäne ist um -θ in Bezug auf die Senkrechte 4 zur Schicht geneigt. Dies ist ein zweiter stabiler Zustand 6. In diesem Fall weist die spontane Polarisation 7 nach unten. Diese bistabilen Zustände werden durch positive und negative Wechselspannungsimpulse unter Ausnutzung der Eigenschaft der spontanen Polarisation 7, daß ihre Richtung unter dem bistabilen Zustand entgegengesetzt ist, ausgewählt. Ein Paar von Polarisatoren 8 ist mit ihren Polarisationsachsen unter rechten Winkeln angeordnet. Die Polarisatoren 8 unterscheiden den bistabilen Zustand optisch durch Doppelbrechung. Beispielsweise setzen sie den ersten stabilen Zustand in einen Lichtabschaltzustand (im folgenden als "schwarz" bezeichnet) und den zweiten bistabilen Zustand in einen Lichtübertragungszustand (im folgenden als "weiß" bezeichnet) um. Mit den Bezugszeichen 9 und 10 sind Matrixelektroden zum Anlegen von Treiberspannungen an die SmC*-Schicht 3 bezeichnet. Gemäß Fig. 3 sind mit den Bezugszeichen 9 Abtastelektroden (im folgenden als "Tastelektroden" bezeichnet) und mit den Dezugszeichen 10 Signalelektroden bezeichnet.
• Fig. 4 zeigt einen an einen Matrixbildpunkt (im folgenden als "Fleck" bezeichnet) in Zeilenfolgeansteuerung unter Ausnutzung eines Wechselvorspannungs-Mittelungsverfahrens angelegten Ansteuersignalzug. Positive und negative (in Bezug auf die Tastelektrode 9) Impulse P1 und P2 mit Spitzenwerten oberhalb einer Schwellspannung werden während einer Auswahlperiode in einem ersten Bild kontinuierlich angelegt. Die Flüssigkristallmoleküle werden durch den positiven Impuls P1 in den zweiten stabilen Zustand ausgerichtet und durch den nachfolgenden negativen Impuls P2 in den ersten stabilen Zustand umgeschaltet und ausgerichtet. Dieser Zustand wird durch Anlegen von aus nachfolgenden Impulsen P3 und P4 gebildeten Wechselspannungsimpulsen gehalten, weil die Spitzenwerte der Wechselspannungsimpulse unterhalb des Schwellwertes liegen. Dieser Zustand wird als "Halbauswahlperiode" bezeichnet. Daher wird schwarz als der erste stabile Zustand im ersten Bild geschrieben. Im nachfolgenden zweiten Bild wird weiß geschrieben, weil die Polarität des Impulses umgekehrt ist. Weiß wird jedoch nicht geschrieben, weil Impulse PS und P6 unterhalb des Schwellwertes liegen, wobei im ersten Bild geschriebenes schwarz als solches gehalten wird. Die Periode der Impulse P5 und P6 wird als "Nichtauswahlperiode" bezeichnet. Fig. 4B zeigt das Meßergebnis der in diesem Zeitpunkt durch einen Photovervielfacher gemessenen Änderung der Übertragungslichtintensität.
• Hier werden die Spitzenwerte der Impulse P1 und P2 in der Auswahlperiode, der Impulse P3 und P4 in der Halbauswahlperiode und der Impulse P5 und P6 in der Nichtauswahlperiode so festgelegt daß der folgende Zusammenhang erfüllt ist, wobei V den Absolutwert der Impulse P1 und P2 repräsentiert:
• P3 = P4 = V/N,
• P5 = P6 = V (B - 2)/B
• worin B ein Vorspannwert ist.
• Für die zeitlich unterteilte Ansteuerung einer bekannten verdrillten nemantischen Flüssigkristall-Anzeigeanordnung ist ein Spannungsmittelungsverfahren von Alt und Pleshko (IEEE Trans. Ed, 1974, ED21, Seiten 146-155) vorgeschlagen worden. Sie haben weiterhin einen optimalen Ansteuerzustand in diesem Verfahren vorgeschlagen.
• Dieses Verfahren kann jedoch aus folgendem Grunde nicht auf SmC*-Material angewendet werden. Während die Änderung der Übertragungslichtintensität des verdrillten nemantischen Flüssigkeitmaterials vom effektiven Spannungswert abhängt, hängt diejenige vom SmC*-Material vom Absolutwert der Spannung ab. Daher unterscheiden sich das Ansteuerverfahren sowie die Schaltungsanordnung, so daß sich natürlich auch die Ansteuerbedingungen ändern.
• Bisher ist über keinen optimalen Ansteuerzustand bei zeitlich unterteilter Ansteuerung von SmC*-Material berichtet worden und es erweist sich als schwierig, den optimalen Zustand bei der Ansteuerung von SmC*-Material in der Praxis darzustellen. EP-Patentanmeldungen mit EP-A-0 149 899 und EP-A-0 177 365 beschreiben ein Zeitverschachtelungssystem, jedoch keine optimalen Ansteuerbedingungen, und sind daher nicht von Bedeutung.
• Die Erfindung schafft ein Verfahren zur zeitlich verschachtelten Ansteuerung einer ferroelektrischen Flüssigkristall- Elektrooptikanordnung, die eine ferroelektrische Flüssigkristallschicht mit bistabilen Ausrichteigenschaften, Mittel zur Umsetzung des bistabilen Ausrichtzustandes selektiv und für jeden Bildpunkt der Elektrooptikanordnung in einen optischen Ein-Zustand oder einen optischen Aus-Zustand, einer Matrixelektrode und Mittel zur Ansteuerung der Flüssigkristallschicht durch Anlegungen von Spannungen über die Matrixelektrode an sie umfaßt, bei dem
• an einen ausgewählten Bildpunkt eine Spannung angelegt wird, die zur Änderung des stabilen Ausrichtzustandes der Molekularachse der Moleküle der ferroelektrischen Flüssigkristallschicht ausreicht, an einen nicht ausgewählten Bildpunkt eine Spannung angelegt wird, die zur Änderung eines stabilen Ausrichtzustandes nicht ausreicht, an einen halb ausgewählten Bildpunkt eine Wechselspannung zur Aufrechterhaltung eines stabilen Ausrichtzustandes angelegt wird, das dadurch gekennzeichnet ist, daß ein Vorspannwert, der gleich dem Verhältnis der Amplitude der an den ausgewählten Bildpunkt angelegten Spannung und der Amplitude der an den halb ausgewählten Bildpunkt angelegten Wechselspannung ist, nahe dem die folgende Gleichung erfüllenden Maximalwert B eingestellt wird:
• B/(B-2)≥Vsat/Vth,
• worin Vsat der Minimalwert der Spannung ist, welcher eine Änderung eines stabilen Ausrichtzustandes in den anderen Zustand ermöglicht und Vth der Maximalwert der Spannung ist, der das Halten des stabilen Ausrichtzustandes ermöglicht.
• Vorzugsweise ist Vsat als Wert im Spannungsbereich entsprechend 90 % bis 100 % Übertragungslichtintensität der Anordnung definiert. Zusätzlich oder alternativ kann Vth als Wert im Spannungsbereich entsprechend 0 % bis 10 % Übertragungslichtintensität der Anordnung definiert werden.
• In einer praktischen Ausführungsform ist Vsat als Spannung entsprechend 100 % Übertragungslichtintensität der Anordnung und Vth als Spannung entsprechend 0 % Übertragungslichtintensität definiert.
• Die ferroelektrische Flüssigkristallschicht kann eine chirale smektische Flüssigkristallschicht sein.
• Vorzugsweise umfaßt der Signalzug der an den ausgewählten Bildpunkt angelegten Spannung eine eine Sperrichtungsspannung besitzende vordere Hälfte und eine eine Durchlaßrichtungsspannung besitzende hintere Hälfte.
• Ein Bild kann eine erste Abtastung zum Schreiben eines der Zustände Ein-Zustand und Aus-Zustand und eine zweite Abtastung zum Schreiben des jeweils anderen Zustandes umfassen.
• Die Wechselspannung besitzt vorzugsweise keine Gleichspannungskomponente.
• In einer Ausführungsform wird eine Zwischenschicht der ferroelektrischen Flüssigkristallschicht mit einer uniaxialen Orientierung und die andere Zwischenschicht mit einer willkürlichen homogenen Orientierung behandelt.
• Die Erfindung wird beispielsweise anhand der beigefügten Zeichnungen erläutert. Es zeigt
• Fig. 1 ein Diagramm des Zusammenhangs zwischen dem Spitzenimpulswert eines Flüssigkristallmaterials und seiner Übertragungslichtintensität;
• Fig. 2 eine perspektivische Ansicht einer konventionellen Flüssigkristallzelle;
• Fig. 3 eine perspektivische Ansicht der Anordnung der Elektroden der konventionellen Flüssigkristallzelle;
• Fig. 4A und 4B jeweils ein Diagramm des Ansteuersignalzuges und der Übertragungslichtcharakteristik der konventionellen Flüssigkristallzelle;
• Fig. 5 ein Diagramm des Zusammenhangs zwischen V2/V1 und einem Vorspannwert B;
• Fig. 6 ein Diagramm des Meßergebnisses der Schwankung der Übertragungslichtintensität bei Anlegung eines Wechselspannungsimpulses unterhalb einer Schwellspannung; und
• Fig. 7 ein Diagramm des Meßergebnisses der Abhängigkeit des Kontrastverhältnisses vom Vorspannwert.
• In den Signalzügen nach Fig. 4A sind die Spitzenwerte der Impulse P1, P2, P3, P4, P5 und P6 im oben beschriebenen Sinne gleich V, V/B, V (B-2)/B. Der Zusammenhang zwischen den Werten und der Charakteristik des SmC*-Materials wird anhand von Fig. 1 beschrieben.
• Nimmt in Fig. 1 die Impulshöhe zu, so wird im bereits beschriebenen Sinne der stabile Zustand vom ersten Zustand in den zweiten Zustand geschaltet, so daß sich auch die Übertragungslichtintensität ändert. Es sei angenommen, daß eine Spannung zum Halten des ersten stabilen Zustandes eine Schwellspannung Vth und die minimale Spannung zur Änderung des zweiten stabilen Zustandes Vsat ist. Diese Spannungen Vth und Vsat sind einem gegebenen Flüssigkristallmaterial eigen und ändern sich in Abhängigkeit von dessen Elastitätsmodul und Viskosität. Da die Impulse P1 und P2 diejenigen sind, welche den stabilen Zustand im bereits beschriebenen Sinne ändern, müssen ihre maximalen Impulsspitzenwerte gleich der Spannung Vsat gewählt werden. Da die Impulse P5 und P6 Impulse unterhalb der Schwellspannungen sind, müssen andererseits die maximalen Impulsspannungswerte gleich der Spannung Vth gewählt werden.
• Mit anderen Worten ausgedrückt kann SmC*-Material mit dem Signalzug nach Fig. 4A angesteuert werden, wenn der folgende Zusammenhang erfüllt ist:
• Vsat/Vth ≤ B/(B - 2)
• Das Verhältnis Vsat/Vth wird nachfolgend als "Schwellwertschärfe" bezeichnet.
• Ist beispielsweise B = 4, muß ein SmC*-Material mit der Charakteristik Vsat/Vth ≤ 2 verwendet werden. In der Praxis wird es mit größerem B-Wert schwieriger, das diesen Zustand erfüllende SmC*-Material herzustellen. Fig. 5 zeigt das Meßergebnis des Zusammenhangs der obengenannten Gleichung bei einem SmC*-Material, das beispielsweise aus einer Phenylpyrimidin-Typ-Komponente als Hauptkomponente besteht. Eine ausgezogene Kurve (a) repräsentiert den gemessenen Wert der rechten Seite der obengenannten Gleichung mit Vsat/Vth = 1,43. Andererseits repräsentiert eine ausgezogene Kurve (b) den Wert Vsat/Vth, wenn der B-Wert nicht geändert wird. In Fig. 5 ist der die obengenannte Gleichung erfüllende Bereich schräg schraffiert. Ersichtlich muß der Vorspannwert B unter 6 liegen.
• Im folgenden wird der Kontrast erläutert. Fig. 6 zeigt die Änderung der Übertragungslichtintensität, wenn ein Wechselspannungsimpuls mit einem Spitzenwert unterhalb der Schwell-Spannung Vth gemäß Fig. 1 an das SmC*-Material angelegt wird. Es ist darauf hinzuweisen, daß Fig. 1 lediglich die Spannungscharakteristik zeigt, wenn der erste stabile Zustand sich in den zweiten stabilen Zustand und die Übertragungslichtintensität sich selbst unterhalb der Schwell-Spannung Vth ändert. Mit anderen Worten ausgedrückt, nimmt die Übertragungslichtintensität augenblicklich zu, wenn eine Spannung unterhalb von Vth angelegt wird. Nach Anlegen des Impulses kehrt sie jedoch in den ursprünglichen stabilen Zustand zurück. Dies wird durch eine Schwankung Δ I der Übertragungslichtintensität während der Halbauswahlperiode gemäß Fig. 4 repräsentiert. Dies ist ein großer Unterschied gegenüber einem verdrillten nemantischen Flüssigkristallmaterial.
• Aus Fig. 6 ist ersichtlich, daß die Schwankung ΔI der Übertragungslichtintensität um so größer ist, je größer die Spannung des Wechselspannungsimpulses ist. Diese Schwankung ΔI der Übertragungslichtintensität führt zu einem Kontrastabfall. Wenn nämlich die Frequenz der Schwankung Δ I auf einen Pegel überhalb der Frequenz eingestellt wird, bei der das menschliche Auge ein Flimmern wahrnimmt, wird der Mittelwert der Änderung von ΔI durch das menschliche Auge als Übertragungslichtintensität wahrgenommen. Je größer die Schwankung ΔI ist, um so größer wird der Mittelwert. Dabei kommt der Schwarzpegel nahe an den Weißpegel heran, während der Weißpegel nahe an den Schwarzpegel herankommt, so daß der durch deren Verhältnis definierte Kontrast abfällt.
• Daher muß die Schwankung ΔI gleich Null gemacht werden, damit das Kontrastverhältnis so groß wie möglich ist. Aus Fig. 6 ist ersichtlich, daß diese Schwankung ΔI vom Impulsspitzenwert abhängt; der Impulsspitzenwert kann daher verringert werden. Da dieser in der Halbauswahlperiode gemäß Fig. 4A angelegte Impulsspitzenwert, d.h. die Impulsspitzenwerte der Impulse P3 und P4 wie bereits beschrieben gleich V/B sind, muß B zur Verringerung dieses Wertes vergrößert werden.
• Fig. 7 zeigt das Meßergebnis der Abhängigkeit des Kontrastverhältnisses von diesem Vorspannwert B. Das Kontrastverhältnis repräsentiert ein ideales Kontrastverhältnis, wobei das Kontrastverhältnis ersichtlich mit kleinerem Vorspannwert B abnimmt. Wenn der Vorspannwert B vergrößert wird, gelangt der Kontrast näher an das Maximum.
• Der Vorspannwert B ist wie bereits beschrieben jedoch durch die obige Gleichung beschränkt und kann nicht unbeschränkt erhöht werden. Die optimale Ansteuerbedingung für ein gegebenes Flüssigkristallmaterial wird daher durch Auswahl des größten numerischen Wertes des Vorspannwertes B im Bereich des die Gleichung erfüllenden Vorspannwertes B erhalten. Ersichtlich muß der Vorspannwert B im Falle eines hauptsächlich aus einer Phenylpyrimidin-Typ-Verbindung gemäß Fig. 6 bestehenden SmC*-Materials gleich 6 sein. Eine der Charakteristik nach Fig. 1 entsprechende Schwellwertcharakteristik existiert auch im Falle der Änderung des zweiten stabilen Zustandes in den ersten stabilen Zustand. Unterscheidet sich der Schwellwertschärfewert im Falle der Änderung vom Wert des Falles nach Fig. 1, so wird vorzugsweise der größere gewählt.
• Hinsichtlich der Einstellung einer Vorspannung oberhalb des die obige Gleichung erfüllenden Spitzenwertes sind gemäß Fig. 1 die minimale Spannung Vsat und die Schwellspannung Vth als Spannungen bei 100 % bzw. 0 % der Übertragungslichtintensität definiert. Die Definition der minimalen Spannung Vsat und der Schwellspannung Vth muß in der Praxis nicht auf Spannungen bei 100 % und 0 % der Übertragung vorgenommen werden. Selbst wenn Vsat und Vth als Spannungen bei 90 % bzw. 10 % der Übertragungslichtintensität definiert werden, ist es möglich, die ferroelektrische Flüssigkristall-Elektrooptikanordnung mit einem etwas verringerten Kontrast anzusteuern. Je näher Vsat und Vth an einer Spannung bei 50 % der Übertragungslichtintensität liegen, um so kleiner ist der Kontrast. Die ferroelektrische Flüssigkristall-Elektrooptikanordnung mit einem Ansteuersignalzug gemäß Fig. 4 ermöglicht die Einstellung des Verhältnisses der ausgewählten Impulsamplitude mit der nicht ausgewählten Impulsamplitude auf einen gewünschten Wert. Um einen höheren Kontrast zu gewährleisten, ist es notwendig, den Vorspannwert nahe dem Maximum in dem die obige Gleichung erfüllenden Bereich einzustellen.
• Die vorliegende Erfindung gewährleistet den Effekt, daß das maximale Kontrastverhältnis erreicht werden kann, wenn der maximale Vorspannwert innerhalb des Bereiches, in dem das Verhältnis des Impulsspitzenwertes während der Auswahl und des Impulsspitzenwertes während der Nichtauswahl oberhalb des Verhältnisses zwischen dem minimalen Impulsspitzenwert, bei dem ein stabiler Zustand eines ferroelektrischen Flüssigkristallmaterials sich vollständig in den anderen stabilen Zustand ändert, und des Spitzenwertes der Schwell-Spannung, bei der eine solche Änderung auftritt, liegt.

Claims (10)

1. Verfahren zur zeitlich verschachtelten Ansteuerung einer ferroelektrischen Flüssigkristall-Elektrooptikanordnung, die eine ferroelektrische Flüssigkristallschicht (3) mit bistabilen Ausrichteigenschaften, Mittel (8) zur Umsetzung des bistabilen Ausrichtzustandes selektiv und für jeden Bildpunkt der Elektrooptikanordnung in einen optischen Ein-Zustand oder einen optischen Aus-Zustand, Matrixelektroden (9, 10) und Mittel zur Ansteuerung der Flüssigkristallschicht (3) durch Anlegen von Spannungen über die Matrixelektroden an sie umfaßt, bei dem

an einen ausgewählten Bildpunkt eine Spannung (P1, P2) angelegt wird, die zur Änderung des stabilen Ausrichtzustandes der Molekularachse der Moleküle der ferroelektrischen Flüssigkristallschicht ausreicht, an einen nicht ausgewählten Bildpunkt eine Spannung (P5, P6) angelegt wird, die zur Änderung eines stabilen Ausrichtzustandes nicht ausreicht, an einen halb ausgewählten Bildpunkt eine Wechselspannung (P3, P4) zur Aufrechterhaltung eines stabilen Ausrichtzustandes angelegt wird, dadurch gekennzeichnet, daß ein Vorspannwert, der gleich dem Verhältnis der Amplitude der an den ausgewählten Bildpunkt angelegten Spannung und der Amplitude der an den halb ausgewählten Bildpunkt angelegten Wechselspannung ist, nahe dem die folgende Gleichung erfüllenden Maximalwert B eingestellt wird:

B/(B-2) ≥ Vsat/Vth,

worin Vsat der Minimalwert der Spannung ist, welcher eine Änderung eines stabilen Ausrichtzustandes in den anderen Zustand ermöglicht und Vth der Maximalwert der Spannung ist, der das Halten des stabilen Ausrichtzustandes ermöglicht.

2. Verfahren zur zeitlich verschachtelten Ansteuerung einer ferroelektrischen Flüssigkristall-Elektrooptikanordnung nach Anspruch 1, bei dem Vsat als Wert im Spannungsbereich entsprechend 90 % bis 100 % Übertragungslichtintensität der Anordnung definiert ist.

3. Verfahren zur zeitlich verschachtelten Ansteuerung einer ferroelektrischen Flüssigkristall-Elektrooptikanordnung nach Anspruch 1 oder 2, bei dem Vth als Wert im Spannungsbereich entsprechend 0 % bis 10 % Übertragungslichtintensität der Anordnung gewählt ist.

4. Verfahren zur zeitlich verschachtelten Ansteuerung einer ferroelektrischen Flüssigkristall-Elektrooptikanordnung nach Anspruch 1, bei dem Vsat als Spannung entsprechend 100 % Übertragungslichtintensität der Anordnung und Vth als Spannung entsprechend 0 % Übertragungslichtintensität definiert ist.

5. Verfahren zur zeitlich verschachtelten Ansteuerung einer ferroelektrischen Flüssigkristall-Elektrooptikanordnung nach den vorhergehenden Ansprüchen, bei dem die ferroelektrische Flüssigkristallschicht eine chirale smektische Flüssigkristallschicht ist.

6. Verfahren zur zeitlich verschachtelten Ansteuerung einer ferroelektrischen Flüssigkristall-Elektrooptikananordnung nach den vorhergehenden Ansprüchen, bei dem der Signalzug der an den ausgewählten Bildpunkt angelegten Spannung eine eine Sperrichtungsspannung besitzende vordere Hälfte und eine eine Durchlaßspannungsrichtung besitzende hintere Hälfte umfaßt.

7. Verfahren zur zeitlich verschachtelten Ansteuerung einer ferroelektrischen Flüssigkristall-Elektrooptikanordnung nach den vorhergehenden Ansprüchen, bei dem die Bildpunkte durch Bildabtastung adressiert werden, wobei ein Bild eine erste Abtastung zum Schreiben eines der Zustände Ein-Zustand und Aus-Zustand und eine zweite Abtastung zum Schreiben des jeweils anderen Zustandes umfaßt.

8. Verfahren zur zeitlich verschachtelten Ansteuerung einer ferroelektrischen Flüssigkristall-Elektrooptikanordnung nach den vorhergehenden Ansprüchen, bei dem die Wechselspannung keine Gleichspannungskomponente besitzt.

9. Verfahren zur zeitlich verschachtelten Ansteuerung einer ferroelektrischen Flüssigkristall-Elektrooptikanordnung nach den vorhergehenden Ansprüchen, bei dem eine Zwischenfläche der ferroelektrischen Flüssigkristallschicht mit einer uniaxialen Orientierung und die andere Zwischenfläche mit einer willkürlichen homogenen Orientierung behandelt wird.

10. Verfahren zur zeitlich verschachtelten Ansteuerung einer Flüssigkristall-Elektrooptikanordnung nach den vorhergehenden Ansprüchen, dadurch gekennzeichnet, daß die Anordnung eine Anzeigeanordnung oder ein optischer Verschluß für einen Drucker ist.