DE3706344A1 - Schaltungsblock - Google Patents
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- H01L2924/01082—Lead [Pb]
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- H01L2924/19041—Component type being a capacitor
Description
Die Erfindung betrifft einen Schaltungsblock zur Verwen
dung in einem elektrischen Instrument oder ähnlichem und
im einzelnen einen Schaltungsblock mit einem Leiterrahmen,
auf dem ein integrierter Schaltkreis (IC) angeordnet ist.
Bei einem in Fig. 2 gezeigten herkömmlichen Schaltungs
block ist ein IC 12 auf einer Leiterplatte 11 angeordnet.
Der IC 12 ist mit Hilfe der sogenannten Bondtechnik mittels
Aluminiumdrähten 13 mit Anschlüssen 14 der Leiterplatte
verbunden. Die angeschlossenen Aluminiumdrähte 13 sind in
der Draufsicht im wesentlichen radial gerichtet. Aluminium
drähte haben, wenn sie der Drahtbondtechnik ausgesetzt
werden, eine Richtungseigenschaft. Das heißt, die Verbin
dungsrichtung der Aluminiumdrähte ist beschränkt, und
das Drahtbonden mit Aluminiumdrähten wird gewöhnlich unter
Drehen der Leiterplatte 11 ausgeführt. Infolge des Drehens
der Leiterplatte nimmt dieses herkömmliche Drahtbonden
viel Zeit in Anspruch, was sich auf die Kosten des Schal
tungsblocks auswirkt.
Es ist möglich, Leiterplatten (mit gedruckten Schaltungen)
zu drehen, es ist aber sehr schwierig, einen Leiterrahmen
in Form eines Schaltungsmusters zu drehen, während ein IC
mit Aluminiumdrähten mittels der Bondtechnik angeschlossen
wird, da der Teil des Leiterrahmens, an dem das Bonden
ausgeführt wird, feststehen muß und nicht schwingen darf.
Aufgabe der Erfindung ist es, einen Schaltungsblock mit
einem auf einem Leiterrahmen angeordneten IC zu schaffen,
bei dem ein Anschluß des ICs mit Hilfe von Aluminiumdrähten,
die durch die Bondtechnik befestigt werden, möglich ist,
ohne daß der Leiterrahmen gedreht werden muß.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch einen Schaltungs
block mit den Merkmalen des Patentanspruchs gelöst.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachfolgend
anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine Draufsicht auf ein Ausführungs
beispiel der Erfindung,
Fig. 2 eine Draufsicht auf einen herkömmlichen
Schaltungsblock mit einer Leiterplatte.
Zur Erläuterung des Ausführungsbeispiels sei auf Fig. 1
Bezug genommen.
Ein Leiterrahmen 1 besteht aus elektrisch leitendem Metall
material, das zu einem Schaltungsmuster geformt ist. Ein
Kondensator 2 und ein Quarzschwinger 3 sind an dem Leiter
rahmen 1 befestigt. Ein Batteriekontakt 4 ist einstückig
mit dem Leiterrahmen ausgebildet. Ein IC 7 ist an einem
Inselteil 6 befestigt. Der IC 7 und Leiter 8 A, 8 B, 8 C, 8 D,
8 E, 8 F sind mit Hilfe der Bondtechnik durch Aluminium
drähte 9 verbunden. Die Aluminiumdrähte 9 sind im wesent
lichen parallel ausgerichtet, wie deutlich in Fig. 1 er
kennbar. Die Leiter 8 A-8 F sind so ausgebildet bzw. an
geordnet, daß die Verbindungsdrähte parallel ausgerichtet
sind. Nach dem Befestigen der Aluminiumdrähte wird der
IC mit Hilfe eines Schutzharzes 10 überzogen und abgedichtet.
Claims (1)
- Schaltungsblock, umfassend einen ein Schaltungsmuster bil denden Leiterrahmen (1) und einen integrierten Schaltkreis (7), der auf dem Leiterrahmen (1) angeordnet ist und mit dessen Leitern (8 A-8 F) durch Aluminiumdrähte (9) ver bunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß die mittels der Bondtechnik angeschlossenen Aluminium drähte (9) in einer Richtung ausgerichtet sind.
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Family Applications (1)
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Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2317990B (en) * | 1994-01-12 | 1998-08-12 | Fujitsu Ltd | Hybrid integrated circuit module |
JPH07211856A (ja) * | 1994-01-12 | 1995-08-11 | Fujitsu Ltd | 集積回路モジュール |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3447345A1 (de) * | 1983-12-27 | 1985-07-11 | Mitsubishi Denki K.K., Tokio/Tokyo | Integrierte halbleiterschaltkreisanordnung |
DE3401286C2 (de) * | 1984-01-16 | 1986-02-20 | Deubzer-Eltec GmbH, 8000 München | Bondgerät |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3760090A (en) * | 1971-08-19 | 1973-09-18 | Globe Union Inc | Electronic circuit package and method for making same |
DE3106376A1 (de) * | 1981-02-20 | 1982-09-09 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Halbleiteranordnung mit aus blech ausgeschnittenen anschlussleitern |
US4567545A (en) * | 1983-05-18 | 1986-01-28 | Mettler Rollin W Jun | Integrated circuit module and method of making same |
-
1986
- 1986-03-04 JP JP1986031016U patent/JPS62142850U/ja active Pending
-
1987
- 1987-02-26 GB GB8704550A patent/GB2189934B/en not_active Expired
- 1987-02-27 DE DE19873706344 patent/DE3706344A1/de not_active Ceased
-
1992
- 1992-11-12 HK HK891/92A patent/HK89192A/xx unknown
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3447345A1 (de) * | 1983-12-27 | 1985-07-11 | Mitsubishi Denki K.K., Tokio/Tokyo | Integrierte halbleiterschaltkreisanordnung |
DE3401286C2 (de) * | 1984-01-16 | 1986-02-20 | Deubzer-Eltec GmbH, 8000 München | Bondgerät |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
Automatisches Bonden von integrierten Schaltkreisen. In: Feinwerktechnik u. Messtechnik 91(1983)7, S. 331-332 * |
JP-PS-Abstract, Kokai No. 52-140272 (englischsprach.Übersetzung) * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
HK89192A (en) | 1992-11-20 |
GB8704550D0 (en) | 1987-04-01 |
GB2189934A (en) | 1987-11-04 |
JPS62142850U (de) | 1987-09-09 |
GB2189934B (en) | 1989-11-08 |
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