DE3686763T2 - Halbleiterspeicheranordnung mit einer ruecksetzsignalgeneratorschaltung. - Google Patents

Halbleiterspeicheranordnung mit einer ruecksetzsignalgeneratorschaltung.

Info

Publication number
DE3686763T2
DE3686763T2 DE8686402852T DE3686763T DE3686763T2 DE 3686763 T2 DE3686763 T2 DE 3686763T2 DE 8686402852 T DE8686402852 T DE 8686402852T DE 3686763 T DE3686763 T DE 3686763T DE 3686763 T2 DE3686763 T2 DE 3686763T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor memory
signal generator
reset signal
generator circuit
memory arrangement
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE8686402852T
Other languages
English (en)
Other versions
DE3686763D1 (de
Inventor
Atuo C O Seiwa-So Koshizuka
Kazuto Furumochi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP60282736A external-priority patent/JP2557835B2/ja
Priority claimed from JP60284406A external-priority patent/JP2528825B2/ja
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Publication of DE3686763D1 publication Critical patent/DE3686763D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3686763T2 publication Critical patent/DE3686763T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/22Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management 
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C8/00Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/18Address timing or clocking circuits; Address control signal generation or management, e.g. for row address strobe [RAS] or column address strobe [CAS] signals
DE8686402852T 1985-12-18 1986-12-18 Halbleiterspeicheranordnung mit einer ruecksetzsignalgeneratorschaltung. Expired - Fee Related DE3686763T2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60282736A JP2557835B2 (ja) 1985-12-18 1985-12-18 半導体記憶装置の初段制御回路
JP60284406A JP2528825B2 (ja) 1985-12-19 1985-12-19 半導体記憶装置のリセツト信号発生回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3686763D1 DE3686763D1 (de) 1992-10-22
DE3686763T2 true DE3686763T2 (de) 1993-02-04

Family

ID=26554741

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE8686402852T Expired - Fee Related DE3686763T2 (de) 1985-12-18 1986-12-18 Halbleiterspeicheranordnung mit einer ruecksetzsignalgeneratorschaltung.

Country Status (3)

Country Link
US (1) US4800552A (de)
EP (1) EP0228958B1 (de)
DE (1) DE3686763T2 (de)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02131010A (ja) * 1988-11-10 1990-05-18 Fujitsu Ltd アドレス変化検出回路
JP2659436B2 (ja) * 1989-08-25 1997-09-30 富士通株式会社 半導体記憶装置
GB2277390B (en) * 1993-04-21 1997-02-26 Plessey Semiconductors Ltd Random access memory
EP0678873B1 (de) * 1994-02-18 2000-06-07 STMicroelectronics S.r.l. Verfahren und Schaltung zur Erzeugung eines Ladesignals für nichtflüchtige Speichern
US5729501A (en) * 1995-09-08 1998-03-17 International Business Machines Corporation High Speed SRAM with or-gate sense
US10658026B2 (en) * 2017-05-26 2020-05-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Word line pulse width control circuit in static random access memory

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5963091A (ja) * 1982-09-30 1984-04-10 Fujitsu Ltd スタテイツクメモリ回路
JPS6066393A (ja) * 1983-09-21 1985-04-16 Fujitsu Ltd メモリ駆動回路
JPS60182096A (ja) * 1984-02-29 1985-09-17 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置
JPS60253093A (ja) * 1984-05-30 1985-12-13 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP0228958B1 (de) 1992-09-16
EP0228958A2 (de) 1987-07-15
EP0228958A3 (en) 1990-03-21
US4800552A (en) 1989-01-24
DE3686763D1 (de) 1992-10-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3485595D1 (de) Halbleiterspeicher mit einer speicherstruktur mit vielfachen pegeln.
DE3583629D1 (de) Integrierte schaltung mit einer schmelzsicherungsschaltung.
DE3788487D1 (de) Integrierte Schaltung mit Speicherselbstprüfung.
DE68920243T2 (de) Halbleiter-Speicherschaltung.
DE3762295D1 (de) Halbleiterspeichereinrichtung mit redundanzschaltungsteil.
DE3787163D1 (de) Halbleiterspeicher mit einer Speicherstruktur mit vielfachen Pegeln.
DE3586375T2 (de) Halbleiterspeicheranordnung mit einer redundanzschaltung.
DE3885532D1 (de) Halbleiter-Speicherschaltung mit einer Verzögerungsschaltung.
KR900011154A (ko) 논리레벨 변환회로
DE3585733D1 (de) Halbleiterspeichereinrichtung mit lese-aenderung-schreib-konfiguration.
DE3851506D1 (de) Rücksetzsignal-Generatorschaltung.
DE3775603D1 (de) Halbleiter-speicheranordnung mit redundanzschaltungsteil.
DE68917187D1 (de) Zellenmusteranordnung einer Halbleiterspeichereinrichtung.
DE3684206D1 (de) Elektronische umwandlungsschaltung.
DE69010034T2 (de) Halbleiteranordnung mit einer Schutzschaltung.
DE3776049D1 (de) Elektronische gedaechtnisstuetze.
DE3680728D1 (de) Halbleiterspeicherschaltung mit einem vorspannungsgenerator.
DE68915018D1 (de) Halbleiterspeicherschaltung.
DE68921440T2 (de) Halbleiterspeicherschaltung mit einer verbesserten Wiederherstellungssteuerschaltung.
DE68920118T2 (de) Josephson-Speicherschaltung.
DE3686926T2 (de) Taktsignalgeneratorschaltung fuer eine dynamische halbleiterspeicheranordnung.
DE3778470D1 (de) Halbleiterspeicheranordnung mit einer datenbus-ruecksetzungsschaltung.
DE68921062D1 (de) Nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnung mit einer Referenzspannungsgeneratorschaltung.
DE3777558D1 (de) Integrierte speicherschaltung mit einer einzigen schreibe-busschaltung.
DE3686763T2 (de) Halbleiterspeicheranordnung mit einer ruecksetzsignalgeneratorschaltung.

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee