DE3686763D1 - Halbleiterspeicheranordnung mit einer ruecksetzsignalgeneratorschaltung. - Google Patents

Halbleiterspeicheranordnung mit einer ruecksetzsignalgeneratorschaltung.

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02131010A (ja) * 1988-11-10 1990-05-18 Fujitsu Ltd アドレス変化検出回路
JP2659436B2 (ja) * 1989-08-25 1997-09-30 富士通株式会社 半導体記憶装置
GB2277390B (en) * 1993-04-21 1997-02-26 Plessey Semiconductors Ltd Random access memory
DE69424860T2 (de) * 1994-02-18 2000-11-09 Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza Verfahren und Schaltung zur Erzeugung eines Ladesignals für nichtflüchtige Speichern
US5729501A (en) * 1995-09-08 1998-03-17 International Business Machines Corporation High Speed SRAM with or-gate sense
US10658026B2 (en) * 2017-05-26 2020-05-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Word line pulse width control circuit in static random access memory

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5963091A (ja) * 1982-09-30 1984-04-10 Fujitsu Ltd スタテイツクメモリ回路
JPS6066393A (ja) * 1983-09-21 1985-04-16 Fujitsu Ltd メモリ駆動回路
JPS60182096A (ja) * 1984-02-29 1985-09-17 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置
JPS60253093A (ja) * 1984-05-30 1985-12-13 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置

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