DE3640763A1 - - Google Patents

Description

Beschreibung

Die Erfindung betrifft eine Wechselschaltvorrichtung für eine Fernsprecheinrichtung zum Anschluß mehrerer Sprechstellen an eine gemeinsame Fernsprechleitung mit den Merkmalen aus dem Oberbegriff des Patentan-Spruchs 1.

Eine derartige Wechselschaltvorrichtung ist Gegenstand des Hauptpatentes (P 36 33 562.2).

Bei derartigen Wechselschaltvorrichtungen sind in den Setzvorrichtungen und den Rücksetzvorrichtungen Diodenbrücken angeordnet, die sicherstellen, daß die Funktion der Wechselschaltvorrichtung unabhängig von Leitungsumpolungen ist. Bei der Wechselschaltvorrichtung nach dem Hauptpatent liegt die erste Diodenbrücke in Serie zur Hör-Sprechvorrichtung in dem einen Zweig der Fernsprechleitung. Dies hat zur Folge, daß beim Abheben des Hörers, also dem Schließen des GiZ-Kontaktes, ein Strom über die Diodenbrücke fließt, dessen Höhe außer vom Widerstand der Hör-Sprechvorrichtung außerdem vom Widerstand der Diodenbrücke abhängig ist. Da sich durch die Diodenbrücke der Leitungswiderstand insgesamt erhöht, bleibt der fließende Leitungsstrom unterhalb bestimmter Grenzen, was bei bestimmten Fernsprecheinrichtungen zu Schwierigkeiten führen kann, weil der sogenannte "Anreizstrom", der wichtige Schaltvorgänge in der Zentrale auslösen soll, nicht erreicht wird. Aus diesem Grunde ist beispielsweise von der Deutschen Bundespost vorgeschrieben, daß der Widersand einer Zusatzeinrichtung in der Leitung bei geschlossenem GC/-Kontakt kleiner als 400 Ω sein soll.

Die vorliegende Zusatzerfindung bezweckt eine Verbesserung und weitere Ausbildung der Erfindung nach dem Hauptpatent und die zu lösende Aufgabe bestand darin, eine Wechselschaltvorrichtung nach dem Hauptpatent mit den Merkmalen aus den Oberbegriff des Patentanspruchs 1 so weiterzubilden, daß der Widerstand der Diodenbrücke beim Schließen des Gabelumschaltkontaktes in der Sprechstelle nicht zu einer störenden Verringerung des Leitungsstromes führt.

Die Lösung dieser Aufgabe erfolgt erfindungsgemäß mit den Merkmalen aus dem kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1.

Vorteilhafte Ausführungsformen der erfindungsgemäßen Wechselschaltvorrichtung sind in den Unteran-Sprüchen beschrieben.

Die Merkmale der vorliegenden Erfindung können bei den beiden im Hauptpatent beschriebenen Ausführungsformen einer Wechselschaltvorrichtung, also bei einer Wechselschaltvorrichtung nach Patentanspruch 2 und bei einer Wechselschaltvorrichtung nach Patentanspruch 3 des Hauptpatentes, angewendet werden.

Der Grundgedanke der Zusatzerfindung besteht darin, die Eigenschaften von MOS-Feldeffekttransistoren

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vom Verarmungstyp, nämlich insbesondere die Tatsache, daß auch bei einer Torspannung von 0 V der Feldeffekttransistor leitend bleibt und ein gewisser Mindeststrom fließt, auszunutzen. Die Gegeneinanderschaltung von zwei derartigen Feldeffekttransistoren in dem der Diodenbrücke parallelgeschalteten Zweig dient dazu, die Unabhängigkeit der Schaltung von der Leitungspolung zu erhalten. Wird in einer der Sprechstellen der Gabelumschaltkontakt geschlossen, so fließt auch im Anreizzustand ausreichend hoher Strom über diesen parallelgeschalteten Zweig, bis nach dem Ansprechen der Setzvorrichtung durch den entsprechenden Schaltkontakt des bistabilen Relais die Diodenbrücke überbrückt ist.

Da bei einer derartigen Schaltung unter bestimmten Umständen, beispielsweise wenn zwei Teilnehmer gleichzeitig den Hörer abnehmen, Schwierigkeiten beim Ansprechen des bistabilen Relais auftreten können, ist es vorteilhaft, wenn gemäß Patentanspruch 3 bei mindestens einer der Setzvorrichtungen im Brückenzweig eine Ansprechhilfsschaltung angeordnet ist, die ein sicheres Ansprechen des bistabilen Relais ermöglicht. Wenn nun an zwei Sprechstellen gleichzeitig der Hörer abgenommen wird, hat eine der Setzvorrichtungen den Vorrang und die ihr zugeordnete Sprechstelle wird mit der Fernsprechleitung verbunden.

Im folgenden wird anhand der Zeichnung ein Ausführungsbeispiel für eine Wechselschaltvorrichtung gemäß der Zusatzerfindung näher erläutert.

Die in der Zeichnung dargestellte Wechselschaltvorrichtung ist zum Anschluß von zwei Sprechstellen FE1 und FE 2 an eine gemeinsame Fernsprechleitung La-Lb gedacht. Von den Sprechstellen sind in der Zeichnung nur die allernotwendigsten und im Zusammenhang mit der Wechselschaltvorrichtung wichtigen Teile angegeben. Es handelt sich um Sprechstellen mit jeweils drei Anschlüssen. So weist die Sprechstelle FEi eine als ohmscher Widerstand symbolisierte Hör-Sprechvorrichtung HS 1 auf, deren einer Pol über den Gabelumschaltkontakt GU1 und den Kontakt zur Erzeugung von Wählimpulsen nsi 1 mit einem ersten Anschluß a I verbunden ist, während ihr anderer Pol direkt mit einem zweiten Anschluß b 1 verbunden ist. Zwischen dem Kontakt zur Erzeugung von Wählimpulsen nsii und dem Gabelumschaltkontakt GU1 ist ein dritter An-Schluß w\ angeschlossen. Die andere Sprechstelle FE 2 ist analog aufgebaut und die Schaltelemente sind mit dem entsprechenden Index "2" bezeichnet.

Im folgenden wird zunächst der der Sprechstelle FE1 zugeordnete Teil der Wechselschaltvorrichtung be- so schrieben.

Bei dem der ersten Sprechstelle FE1 zugeordneten Teil der Wechselschaltvorrichtung ist der eine Zweig La 1 der Fernsprechleitung La-Lb über einen Wechselkontakt s 2.1 mit dem Eingang der ersten Diodenbrücke B 1.1 verbunden, deren Ausgang direkt mit dem ersten Anschluß a 1 der Sprechstelle verbunden ist. Parallel zur ersten Diodenbrücke B 1.1 liegt einerseits ein Kondensator C 1.1 und andererseits ein Zweig, der zwei Feldeffekttransistoren Tr 1.1 und Tr 1.2 sowie einen ohmschen Widerstand R 1.1 enthält. Die beiden Transistoren sind MOS-Feldeffekttransistoren vom Verarmungstyp und wie aus der Zeichnung abzulesen, ist die Schaltung so ausgebildet, daß die Feldeffekttransistoren Tr 1.1 und Tr 1.2 mit ihren Senken jeweils an die Diodenbrücke B 1.1 angeschlossen sind, während ihre Quellen über den ohmschen Widerstand R 1 miteinander verbunden sind. Das Tor des Feldeffekttransistors Tr 1.1 ist mit der Quelle des Feldeffekttransistors Tr 1.2 verbunden, dessen Tor hinwiederum mit der Quelle des Feldeffekttransistors Tr 1.1 verbunden ist.

Im Brückenzweig der ersten Diodenbrücke B 1.1 liegt die eine Wicklung 5 1.1 eines bistabilen Relais. In Serie zur Relaiswicklung 51.1 liegt ein Thyristor Th 1, dessen Steuerelektrode mit dem Abgriff eines der Relaiswicklung 51.1 parallelgeschalteten Spannungsteilers verbunden ist, der aus den Widerständen R 1.2 und R 1.3 unter Einschaltung einer Zenerdiode D 1.2 aufgebaut ist, wobei der ohmsche Widerstand R 1.3 durch einen Kondensator C 1.3 überbrückt wird.

Die Rücksetzvorrichtung ist mit einer zweiten Diodenbrücke B 1.2 aufgebaut, deren Eingang direkt mit dem dritten Anschluß Wi der Sprechstelle FEi verbunden ist, während ihr Ausgang über einen Wechselkontakt s 1.2 mit dem anderen Zweig Lb der Fernsprechleitung verbindbar ist. Im Brückenzweig der zweiten Diodenbrücke B 1.2 liegt die zweite Relaiswicklung 51.2 des bistabilen Relais, der ein Kondensator C 1.2 parallelgeschaltet ist. In Serie zur Wicklung 51.2 liegt im Brückenzweig noch eine Zenerdiode D 1.1.

Der zur zweiten Sprechstelle FE 2 gehörende Teil der Wechselschaltvorrichtung ist analog aufgebaut wie sich aus der Zeichnung mit entsprechend geänderten Indizes ablesen läßt. Ein Unterschied besteht lediglich darin, daß hier in der Setzvorrichtung keine Ansprechhilfsschaltung für das bistabile Relais vorhanden ist. Es fehlen also der der Relaiswicklung in Serie geschaltete Thyristor sowie der der Relaiswicklung parallelgeschaltete Spannungsteiler.

Im Ruhezustand der dargestellten Wechselschaltvorrichtung befinden sich die Kontakte s2.i, s 1.1, s 2.2 und s 1.2 in der dargestellten Stellung. Wird nun in der Sprechstelle FE1 durch Schließen des Gabelumschaltkontaktes GUi ein Gespräch eingeleitet, so fließt aus dem einen Zweig La der Fernsprechleitung über den Wechselkontakt 5 2.1, die erste Diodenbrücke Bi.i sowie ihren Parallelzweig mit den Transistoren Tr 1.1 und Tr 1.2, die Hör-Sprechvorrichtung HSi sowie den Wechselkontakt s2.2 ein Strom zurück zum anderen Zweig Lb der Fernsprechleitung. Durch den Parallelzweig zur ersten Diodenbrücke B 1.1 wird dabei ein erfoderlicher Mindestleitungsstrom sichergestellt Außerdem wird nach dem Zünden des Thyristors Th 1 die Relaiswicklung 51.1 aktiviert und die Schaltstellung der Kontakte s 1.1 und s 1.2 wechselt. Wie aus dem Schaltbild unmittelbar ablesbar, hat dies zur Folge, daß die erste Diodenbrücke B 1.1 durch den Kontakt s 1.1 überbrückt ist und die zweite Diodenbrücke B 1.2 über den Kontakt s 1.2 an den anderen Zweig Lb der Fernsprechleitung angeschlossen ist. Es kann nun ein Gespräch geführt werden, das von der zweiten Sprechstelle FE 2 weder abhörbar noch trennbar ist.

Nach Beendigung des Gespräches wird der Hörer auf die Gabel gelegt und damit der Gabelumschaltkontakt GUi geöffnet. Es fließt nun kein Strom mehr durch die Hör-Sprechvorrichtung HSl, was zur Folge hat, daß auf dem Leitungszweig La 1 und damit auch am dritten Anschluß Wi die Spannung ansteigt. Aufgrund der besonderen Wahl der Durchbruchsspannung der Zenerdiode D1 schaltet in diesem Augenblick die Zenerdiode D1 durch und es fließt ein Strom durch die Relaiswicklung 51.2 der Rüksetzvorrichtung. Die Kontakte 51.1 und s 1.2 werden in ihrer Ausgangsstellung zurückgesetzt und der Ruhezustand der Schaltung ist wieder hergestellt.

Ein analoger Vorgang läuft ab, wenn ein Gespräch

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von der Sprechstelle FE 2 ausgeführt werden soll. Durch die Kondensatoren C 1.2 und C2.2 ist sichergestellt, daß die Spannung an den Relaiswicklungen S 1.2 und S 2.2 solange gehalten wird, bis die Kontakte geschaltet haben.

Ankommende Rufsignale werden über die Kondensatoren C 1.1 und C 2.1 bis zu der entsprechenden Sprechstelle durchgelassen und lösen dort in nicht eigens dargestellter Weise den Ruf aus.

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Claims (3)

Patentansprüche OS 36 41 763

1. Wechselschaltvorrichtung für eine Fernsprecheinrichtung zum Anschluß mehrerer Sprechstellen an eine gemeinsame Fernsprechleitung, wobei die Sprechstellen jeweils drei Anschlüsse aufweisen, nämlich einen ersten Anschluß (a), der über den Kontakt (nsi) zur Erzeugung von Wahlimpulsen sowie den Gabelumschaltkontakt (GU) mit einem Pol der Hör-Sprechvorrichtung verbunden und an den einen Zweig der Fernsprechleitung anschließbar ist und einen zweiten Anschluß (b), der direkt mit dem anderen Pol der Hör-Sprechvorrichtung verbunden und an den anderen Zweig der Fernsprechleitung anschließbar ist, sowie einen dritten Anschluß (w), der nur über den Gabelumschaltkontakt mit der Hör-Sprechvorrichtung verbunden ist und jeweils beim Schließen des Gabelumschaltkontaktes in einer der Sprechstellen dieses an die Fernsprechleitung angeschlossen und die anderen Sprechstellen abgeschaltet werden, mit einem bistabilen Relais pro Sprechstelle, in dessen beiden Schaltzuständen jeweils eine Setzvorrichtung oder eine Rücksetzvorrichtung aktiviert sind, wobei die der Setzvorrichtung zugeordnete Relaiswicklung im Brückenzweig einer, an den einen Zweig der Fernsprechleitung angeschlossenen ersten Diodenbrükke angeordnet ist, während die der Rücksetzvorrichtung zugeordnete Relaiswicklung, im Brückenzweig einer zweiten Diodenbrücke angeordnet ist, die über einen bei Aktivierung der Setzvorrichtung schließenden Anschluß-Relaiskontakt zwischen den zweiten und den dritten Anschluß der Sprechstelle geschaltet ist und bei der mindestens in einem der jeweils zu einer Sprechstelle führenden Zweige der Fernsprechleitung mindestens ein, bei Aktivierung der Setzvorrichtung einer anderen Sprechstelle öffnender Relaiskontakt angeordnet ist und bei der die erste Diodenbrücke in Serie zur Hör-Sprechvorrichtung in dem einen Zweig der Fernsprechleitung liegt und parallel zur ersten Diodenbrücke jeweils ein Kondensator zur Weiterleitung des Rufsignals sowie ein bei Aktivierung der Relaiswicklung der Setzvorrichtung schließender Überbrückungs-Relaiskontakt geschaltet sind und in Serie zu der Relaiswicklung der Rücksetzvorrichtung eine Zenerdiode geschaltet ist, deren Durchbruchsspannung so gewählt ist, daß die Summe aus der an der Relaiswicklung abfallenden Spannung und der Durchbruchsspannung kleiner ist als die Spannung am dritten Anschluß der Sprechstelle unmittelbar nach dem Öffnen des Gabelumschaltkontaktes dieser Sprechstelle nach Patent (P 36 33 562.2), dadurch gekennzeichnet, daß parallel zur ersten Diodenbrücke (B 1.1) zusätzlich ein Zweig geschaltet ist, der zwei MOS-Feldeffekttransistoren (Tr 1.1, Tr 2) vom Verarmungstyp enthält, die derart in Serie geschaltet sind, daß jeweils ihre Quellen über einen ohmschen Widerstand (R 1.1) miteinander verbunden sind, während jeweils das Tor des einen Feldeffekttransistors (TrXA bzw. Tr 1.2) mit der Quelle des anderen Feldeffekttransistors (Tr 1.2 bzw. Tr 1.1) verbunden ist.

2. Wechselschaltvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der differentielle Widerstand des parallel zur ersten Diodenbrücke (B 1.1) geschalteten zusätzlichen Zweiges einen

Wert besitzt, der kleiner als 400 Ω ist.

3. Wechselschaltvorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß bei mindestens einer der Setzvorrichtungen im Brückenzweig der ersten Diodenbrücke (BlA) eine Ansprechhilfsschaitung für das bistabile Relais angeordnet ist, mit einem in Serie zur Relaiswicklung (SiA) geschalteten Thyristor (Th 1), dessen Steuerelektrode mit dem Abgriff eines parallel zur Relaiswicklung (S 1.1) geschalteten, eine Zenerdiode (D 1.2) enthaltenden Spannungsteiler (R1.2—Ri3) verbunden ist.