DE3612340A1 - Verfahren fuer diamantwachstum - Google Patents
Verfahren fuer diamantwachstumInfo
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Description
Die Herstellung von Diamanten erfolgt heute durch Umwandlung
von Graphit unter hoher Temperatur (ca. 1200°C). Im Ultrahoch
druckverfahren bei ca. 80 000 at. Die Synthese wurde erst bei An
wesenheit von Ni ermöglicht. Die hierzu nötigen Pressen sind auf
wendig und teuer. Die nach diesem Verfahren hergestellten Dia
manten haben nur geringe Abmessungen, besitzen keine einheitli
che Struktur, splittern leicht, ihr Gehalt an Fremdstoffen liegt
bei 15%, ist demnach bedeutend höher als bei Carbonados.
Es wurden vielfach Versuche unternommen, Diamanten auf direk
tem Wege herzustellen. Das heißt aus aliphatischen Kohlenwasserstof
fen, deren Atomradien mit 0,778 Å, dem des Diamanten entsprechen.
Auf diesem Wege stellt J. B. Hannay durch thermische Zersetzung
von Benzin unter Anwesenheit von Li und wechselnden Mengen von
Knochenöl, in auf dunkler Rotglut erhitzten Stahlbomben, Diamant
splitter her. 12 dieser Diamanten wurden dem britischen Museum
zur Prüfung und Aufbewahrung übergeben. Der Kohlenstoffgehalt
dieser Exemplare beträgt 97,85%. Die optische und röntgenolo
gische Untersuchung war positiv. In neuerer Zeit stellte man fest,
daß diese Diamanten dem äußerst seltenen ultraviolettdurchläs
sigen Typ zuzuordnen sind.
Wissenschaftlern der Case Western Reserve University in Cleve
land, Ohio synthesierten Diamanten, indem sie CH4 in einem Vaku
um von 0,001 at. bei einer Temperatur von 1080°C an Diamantkri
stalle anlagerten. Die Keime wuchsen um 0,5% in der Stunde. Auf
Grund der geringen Wachstumsgeschwindigkeit, als Folge der niedri
gen Gaskonzentration, ist dieses Verfahren mit dem obengenannten
nicht konkurrenzfähig.
Dem Professor Boris Derjargin und seinen Mitarbeiter gelang die
Diamantsynthese unter atmosphärischem Druck, in dem sie ein alipha
tisches Kohlenwasserstoffgas in einem Quarzglaskolben den Strah
len einer starken Xenonlampe aussetzen. Unter dem Mikroskop
konnten sie das Wachstum von Diamanten als fadenförmige Äste be
obachten.
In Südafrika findet man Diamanten in Primärlagerstätten, den Pipes,
im verwitterden (MgFe)2 SiO4 Olivin eingeschlossen.
In Fe-Ni-hältigen Meteoriten wurden ebenfalls Diamanten gefun
den.
Demnach sind Li-, Mg-, Fe- und Ni-Ionen als Katalysatoren für
die Diamantsynthese geeignet. Ihre 2S1, 3S2, 4S2 Valenzelektronen
bilden kugelförmige Elektronenwolken, die das angeregte C*-Atom
des Diamanten stabilisieren. Ihre Atomradien von 0,78 Å entspre
chen dem des Diamanten. Olivin kommt als Katalysator deshalb in
Betracht, weil seine SiO4-Anionen eine Tetraederstruktur auf
weisen, in deren Lücken die Li⁺- und/oder Mg2+- und/oder Fe2 + -
und/oder Ni2+-Kationen sitzen. Während die zweiwertigen Jonen
nur die Hälfte der SiO4-Gitterplätze besetzen, schirmen die Li⁺-
Jonen die SiO4 Anionen besonders gut ab, weil sie alle Lücken im
Tetraedergitter ausfüllen. Die Jonisierungsenergie von Li ist
mit 5,4 eV gering. Es besitzt nur 1 Valenzelektron und geht leicht
in den positiv geladenen Zustand über. Die deformierende Wirkung
der Kationen steigt mit wachsender Ladung und abnehmendem Jonen
radius. Die Deformierbarkeit der Anionen mit dem Jonenradius
und der Ladung. Die Wirksamkeit des Katalysators erhöht sich um
ein Vielfaches, wenn der Oliven als Parakristall die Oberflächen
energie erhöht und durch feinste Verteilung der Moleküle zu Clu
ster die Katalysatoroberfläche groß ist, die kohlenstoffabgeben
den Gase über enge, poröse Kanäle im Katalysator mit dem staub
förmigen Katalysator in innige Berührung kommen. Der Kristalli
sator wird durch Spülen mit chemisch reinem CH4 bei stufenweiser
Temperatursteigerung von Fremdgasen wie H2O-Dampf, O2, N2, CO2 etc.
befreit. Als C-abgebendes Gas ist chemisch reines CH4 besonders
geeignet. Das symmetrische Molekülgitter als regelmäßiges Tetra
eder, der Atomradius und der Anregungszustand des C-Atoms entspricht
dem des Diamanten. Durch Zugabe einer geringen Menge von LiCH3
werden Zwischenstufen gebildet und durch Katalyse die Dissozia
tionstemperatur von CH4 herabgesetzt, damit die Lebensdauer der
angeregten C-Atome erhöht. Die auf dem Katalysator aufgelegten
Wachstumsdiamanten werden durch die Spektrallinien des C-Atoms
mittels Kohlebogenlampen allseitig bestrahlt, so daß unmittelbar
an der Oberfläche der Diamanten die C-Atome angeregt und angela
gert werden.
Bl. 1, Abb. 1 stellt einen Längsschnitt eines Ausführungsbeispiels
eines Kristallisators dar. Die Teile sind aus Quarzglas, vorzugs
weise mittels einer Elektrospritzpistole innen dünn mit Li4SiO4
beschichtet. 1 ist die Zuleitung, 2 die Grundplatte, 3 die Vertei
lerscheibe, 4 die Rohrwand, 5 der Deckel, 6 der Katalysator, 7 die
Wachstumsdiamanten.
Abb. 2 zeigt die Verteilerscheibe von unten. Sie hat in der Mitte
eine kreisförmige Vertiefung 8, die über strahlenförmige Kanäle
9 mit den konzentrischen Ringkanälen 10 über die angerauhte Grund
fläche 11 mit den Bohrungen 12 verbunden ist.
Abb. 3 stellt einen vergrößerten Ausschnitt eines Apparates zur
Erzeugung von Cluster dar, der gegenüber einer Kolloidmühle einen
erhöhten Zerteilungsgrad dadurch besitzt, daß die Schlagzahl um
2 Zehnerpotenzen größer ist und statt Festkörper eine Flüssigkeit
zerstäubt. Im Boden 13 des Schmelztiegels befinden sich mehrere
hintereinander angeordnete Spinndüsen 14, aus denen die unter Druck
stehende Li4SiO4-Schmelze 15 durch die darunter liegenden Leit
kanäle 16 fließt. Diese vereinigen sich zu einem schmalen Spalt 17;
so daß die Spinnfäden zu einem dünnen Band geformt, von den beiden
synchron im Ultraschallbereich gegeneinander schwingenden Zungen
18 und 19 fein zerstäubt durch den Längsspalt 20 des Düsenleit
kanals in den expandierten CO2-Strom auf -70°C als Parakristalle
zu Cluster abgeschreckt, mit dem sich bildenden CO2-Schnee ver
mischt, im Auffanggefäß abgesetzt und nachdem der Schnee verdun
stet ist, in den Katalysator schichtweise eingeschüttet wird.
Bl. 2 stellt ein 2. Beispiel für den Kolloidkatalysator dar. Im Zy
linder 1 ist eine stöchiometrische Mischung von auf ca. 200°C ge
haltenem flüssigem Li und suspendiertem, feinstzerteiltem Si und/
oder SiO2 2, die mittels des Plungers 3 durch die Düse 4 gepreßt,
mit den durch die Spiralnuten 5 und der Ringdüse 6 strömenden O2-
Wirbel 7 zu Li4SiO4-Staub sich verbindet. Der unmittelbar im Reak
tionsraum 8 durch den im Behälter 9 befindlichen auf ca. -200°C
gehaltenen flüssigen O2 10 zu Parakristallen als Cluster abge
schreckt, über das Regelventil 11 im elektrostatischen Filter 12
abgeschieden und schichtweise in den Kristallisator Bl. 1, Abb. 1
geschüttet wird. Jede Schicht erhält durch Laserimpulse unter Ein
wirkung eines stark abgekühlten He-Gasstroms, eine Vielzahl von
feinen, porösen lotrechten Kanälen 6, die mit dem angrenzenden
Katalysatorstaub eine große Berührungsoberfläche für die durch
strömenden kohlenstoffabgebenden Gase bilden. Auf der obersten
Schicht liegen die mechanisch und chemisch gereinigten Wachstums
diamanten 7. Während der in Intervallen stattfindenden Aufheizpha
sen wird mit chemisch reinem CH4 so lange gespült, bis alle Fremd
gase und Dämpfe ausgetrieben sind. Bei Erreichen der Dissoziations
temperatur wird dem CH4 eine geringe Menge eines Lythiumalkyls
vorzugsweise LiCH3 beigemischt. Seitlich über dem Kristallisator
sind in einer Ebene mehrere z. B. 8 Kohlebogenlampen zentripedal
angeordnet, (nicht dargestellt) deren Dochte aus Li-Draht bestehen.
Die allseitig auf die Wachstumsdiamanten gerichteten Spektrallinien
der Kohleflammbögen regen unmittelbar an der Oberfläche der Wachs
tumsdiamanten die C-Atome an und lagern sie, bevor sie in den Grund
stand zurückkehren können, an. Der Katalysator setzt die Disoziations
temperatur herab und verlängert die Lebensdauer der angeregten
C-Atome. Das überschüssige CH4 strömt durch den gerieften oberen
Konus der Rohrwand 4 in den über dem Kristallisator gestülpten
Quarzglasbecher (nicht dargestellt) zur Wiederverwendung ab. In das
den Kristallisator umhüllende Reflexionsgefäß wird oben He oder CH4
geleitet, das die Kohlenbogenflammen von der Gefäßwand fernhält. Wird
CH4 verwendet, so reagieren die C-Atome der Flammenbögen und es ent
steht C2H2, wodurch Rußbildung vermieden wird. Unten wird es abgesaugt
über einen Kühler und Filter mittels des Umwälzgebläses wieder zu
geführt.
Auf Bl. 3 ist ein Kristallisator als Teil einer Fabrikationsanlage
dargestellt.
1 ist die Zuleitung, 2 das Unterteil, 3 die Verteilerscheibe, 4 das
Oberteil, 5 der geriefte Auslaß, 6 der Katalysator, 7 die Wachstums
diamanten.
Mehrere dieser Kristallisatoren sind abwechselnd mit den Kohlen
bogenlampen übereinander angeordnet und mit der Steigleitung ver
bunden. Sie werden durch eine abnehmbare Haube über die Bodendich
tung gasdicht abgedeckt. Durch die Bodenplatte sind die Elektro
leitungen für die Kohlebogenlampen, die Leitungen für die Tempera
turfühler, die Leitungen für das Umwälzgebläse und für die Gaszu
führung gasdicht hindurchgeführt.
Anmerkung. Dünne Molekülschichten von Li4 SiO4 werden auf SiO2-Kerne
als Cluster in Form von Parakristallen nach Beispiel 2 Bl. 2 erzeugt,
wenn die Düse 4 und die Ringdüse 6 klein, der Li-Anteil gering, die
O2-Zufuhr auf die benötigte Menge gedrosselt wird, sowie der Reak
tionsraum auf ca. 5 mm3 begrenzt und das Si nach W. Machot als reak
tiver Staub hergestellt wird.
Bl. 4 zeigt 2 weitere Beispiele zur Erzeugung von Li4SiO4-Clu
ster in Form von Parakristallen.
In Abb. 1 sind dargestellt:
1 der Kolben, 2 der SiO2-, Li2O- und der kreaktive Si-Staub <10 µm, 3 die tangential gerichtete Düse, 4 das He zur Wirbel bildung, 5 der Primärwirbel, 6 der Mischwirbel, 7 die Wirbelsenke, 8 die Primärdüse zum Ausstoßen der 98%igen angereicherten Mischung, 9 z. B. die Zündung mit Laserstrahlen, 10 der Reaktionsraum zur Bil dung von Li4SiO4-Cluster als Parakristalle, 11 die Abschreckzone der Reaktionsprodukte im flüssigen O2, 12 die Zentraldüse zur Ab leitung des He-Überschusses, 13 das Innenrohr, 14 der Rückfluß von He, 15 die Zufuhr von flüssigem O2, 16 der Rücklauf von He und O2-Gas.
1 der Kolben, 2 der SiO2-, Li2O- und der kreaktive Si-Staub <10 µm, 3 die tangential gerichtete Düse, 4 das He zur Wirbel bildung, 5 der Primärwirbel, 6 der Mischwirbel, 7 die Wirbelsenke, 8 die Primärdüse zum Ausstoßen der 98%igen angereicherten Mischung, 9 z. B. die Zündung mit Laserstrahlen, 10 der Reaktionsraum zur Bil dung von Li4SiO4-Cluster als Parakristalle, 11 die Abschreckzone der Reaktionsprodukte im flüssigen O2, 12 die Zentraldüse zur Ab leitung des He-Überschusses, 13 das Innenrohr, 14 der Rückfluß von He, 15 die Zufuhr von flüssigem O2, 16 der Rücklauf von He und O2-Gas.
Abb. 2 zeigt einen Elektroflammbogen im flüssigen O2.
1 die nach Berührung der aus Si, Li und SiO2 gepreßten Elektroden, die nach Abbrand auf ca. 3 mm Abstand laufend nachgestellt werden, 2 die Führungsrohre, 3 der Elektroflammbogen zur Zerstäubung und Verdampfung der Elektroden, 4 die Abschreckzone der Reaktionspro dukte unter Bildung von Li4SiO4-Cluster als Parakristalle auf SiO2, 5 die Zufuhr von flüssigem O2, 6 die Rückführung von O2-Gas.
1 die nach Berührung der aus Si, Li und SiO2 gepreßten Elektroden, die nach Abbrand auf ca. 3 mm Abstand laufend nachgestellt werden, 2 die Führungsrohre, 3 der Elektroflammbogen zur Zerstäubung und Verdampfung der Elektroden, 4 die Abschreckzone der Reaktionspro dukte unter Bildung von Li4SiO4-Cluster als Parakristalle auf SiO2, 5 die Zufuhr von flüssigem O2, 6 die Rückführung von O2-Gas.
Claims (1)
- Verfahren für Diamantwachstum unter annähernd atmosphärischem Druck, durch Überleiten von CH4 über Diamanten, dadurch gekenn zeichnet, daß
- 1. als Katalysator SiO4-Anionen mit Mg2 +- und/oder Fe2 +- und/ oder Ni2 +- vorzugsweise Li⁺-Kationen im Kristallisator ange ordnet sind;
- 2. die Innenwand des Kristallisators dünn mit Li4SiO4 beschichtet ist;
- 3. der Katalysator in Form von Parakristallen im Kristallisator eingesetzt ist;
- 4. der Katalysator in Form eines feinen Pulvers als Cluster im Kristallisator eingesetzt ist;
- 5. als Katalysator eine Li4SiO4-Schmelze durch Spinndüsen ge preßt, in Leitkanälen zu einem dünnen Band geformt, durch im Ultraschallbereich synchron gegeneinander schwingende Zungen zerstäubt und in einem expandierten CO2-Strom abgeschreckt wird;
- 6. eine stöchiometrische Mischung von flüssigem Li und feinstem Si- und/oder SiO2-Pulver in einem O2-Wirbel zu Li4SiO4 reagiert und in flüssigem O2 abgeschreckt wird;
- 7. die Cluster in Schichten in den Kristallisator eingefüllt und jeweils durch Laserimpulse zu einer mit feinen Kanälen ver sehenen porösen Masse gebacken werden;
- 8. während der Aufheizphasen der Kristallisator mit chemisch reinem CH4 gespült wird;
- 9. bei Erreichen der Dissoziationstemperatur dem CH4 eine geringe Menge eines Lithiumalkyls, vorzugsweise LiCH3 beigemischt ist;
- 10. die mit geringem Überdruck unten in den Kristallisator ein strömenden Gase durch einen Verteiler, durch den Katalysator an die auf ihm liegenden Diamanten, über die obere geriffelte Stirnfläche der Rohrwand in den darüber gestülpten Becher und dessen untere Platte zur Wiederverwendung abgesaugt werden;
- 11. die auf dem Katalysator liegenden Wachstumsdiamanten von Kohle bogenlampen allseitig bestrahlt werden;
- 12. axial in den Kohleelektroden ein Li-Draht angeordnet ist;
- 13. ein Gebläse oben in das Hüllgefäß des Kristallisators He oder CH4 bläst, unten über einen Kühler und Filter absaugt;
- 14. mehrere Kristallisatoren abwechselnd mit den Kohlebogen lampen übereinander über eine Bodenplatte angeordnet, an eine Stegleitung angeschlossen und mittels einer Haube und einer Dichtung auf der Bodenplatte gasdicht abgedeckt sind, wobei alle Leitungen durch die Bodenplatte gasdicht hindurchgeführt sind;
- 15. in einem Zyklon mittels eines tangential einströmenden He- Gasstroms Staubteilchen von Si, SiO2, Li2O in der Primärdüse hoch angereichert mit O2 zu Li4SiO4 reagieren und als Cluster in Form von Parakristallen im flüssigen O2 abgeschreckt wer den;
- 16. nachstellbare Elektroden aus einer gepreßten Mischung von Li2O, SiO2 und Li als Bindemittel durch Berührung gezündet, auf wenige mm Abstand gehalten, verdampfen und im flüssigen O2 unter Bildung von Li4SiO4-Cluster als Parakristalle auf SiO2 niedergeschlagen und abgeschreckt werden.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19863612340 DE3612340A1 (de) | 1986-04-11 | 1986-04-11 | Verfahren fuer diamantwachstum |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19863612340 DE3612340A1 (de) | 1986-04-11 | 1986-04-11 | Verfahren fuer diamantwachstum |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3612340A1 true DE3612340A1 (de) | 1987-10-15 |
Family
ID=6298538
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19863612340 Withdrawn DE3612340A1 (de) | 1986-04-11 | 1986-04-11 | Verfahren fuer diamantwachstum |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3612340A1 (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0324538A1 (de) * | 1988-01-14 | 1989-07-19 | Yoichi Hirose | Dampf-Phasen-Verfahren zur Herstellung eines Diamanten |
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WO2004046032A1 (fr) * | 2002-11-15 | 2004-06-03 | University Of Science And Technology Of China | Procede de production de diamant, de graphite ou d'un melange de diamant et de graphite |
CN100493691C (zh) * | 2006-08-07 | 2009-06-03 | 山东大学 | 一种用于合成超硬微纳米材料的溶剂热液态相变方法 |
-
1986
- 1986-04-11 DE DE19863612340 patent/DE3612340A1/de not_active Withdrawn
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