DE3610432A1

DE3610432A1 - Quermagnetisierungsaufzeichnungsmedium

Info

Publication number: DE3610432A1
Application number: DE19863610432
Authority: DE
Inventors: Eiichiro Sagamihara Kanagawa Imaoka; Yasuo Ishizaka; Kazuo Yokohama Kanagawa Kimura; Noboru Watanabe
Original assignee: Victor Company of Japan Ltd
Current assignee: Victor Company of Japan Ltd
Priority date: 1985-03-28
Filing date: 1986-03-27
Publication date: 1986-10-02
Also published as: GB2175014B; GB2175014A; US4798765A; DE3610432C2; GB8607871D0

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft Quermagnetisierungsaufzeichnungsmedien. Dabei geht die Erfindung von einem Quermagnetisierungsaufzeichnungsmedium mit den Merkmalen im Oberbegriff 4es Anspruchs 1 aus. Insbesondere betrifft die Erfindung Aufzeichnungsmedien mit senkrechter Magnetisierung oder auch Quermagnetisierung mit zufriedenstellender senkrechter Aufzeichnungs- und Wiedergabecharakteristik .

Wenn ein Signal mit einem Magnetkopf auf einem Aufzeichnungsmedium aufgezeichnet wird oder von diesem mit dem Magnetkopf abgetastet wird, so magnetisiert der Magnetkopf eine Magnetschicht des magnetischen Aufzeichnungsmediums in Längsrichtung des magnetischen Aufzeichnungsmediums (d.h. in einer Schichtebenen-Richtung), wenn aufgezeichnet wird, und nimmt diese Auf zeichnung bei der Wiedergabe wieder auf.Jedoch ist im Zusammenhang mit diesen Längsrichtungsmagnetaufzeicnnungssystemen bekannt, daß das Entmagnetisierungsfeld mit wachsender Aufzeichnungsdichte hoch wird, und das Entmagnetisierungsfeld bewirkt unerwünschte Effekte bei der magnetischen Aufzeichnung mit hoher Dichte.Um diese unerwünschten Effekte bezüglich der Entmagnetisierung zu beseitigen, ist bereits ein Quermagnetisierungsaufzeichnungssystem vorgeschlagen worden,bei dem der Magnetkopf die magnetische Schicht des Aufzeichnungsmediums in einer Richtung senkrecht zur magnetischen Schicht Magnetisiert. Entsprechend dieser Quermagnetisierungsaufzeichnungssysteme wird das Entmagnetisierungsfeld mit wachsender Dichte der magnetischen Aufzeichnung gering, und es ist theoretisch möglich, eine zufriedenstellende magnetische Aufzeichnung hoher Dichte zu rea-

lisieren, in der keine Abnahme der remanenten Magnetisierung auftritt.

Ein gebräuchliches Quermagnetisierungsaufzeichnungsmedium, das in diesen Quermagnetisierungsaufzeichnungssystemen benutzt wird, ist ein Aufzeichnungsmedium, das einen Kobalt-Chrom (Co-Cr)-PiIm aufweist, der mit einem Festkörperzerstäubungs- oder Sputterverfahren auf einem Basisfilm ausgebildet wird . Es ist allgemein bekannt, daß dieser Co-Cr-FiIm außerordentlich geeignet für Quermagnetisierungsaufzeichnungsmedien ist,weil der Co-Cr-FiIm eine relativ hohe Sättigungsmagnetisierung (Ms)aufweist und die Magnetisierung in einer Richtung senkrecht zu dem Co-Cr-FiIm begünstigt (d.h., die Koerzitivfeldstärke in Richtung senkrecht zum Co-Cr-FiIm ist groß, und die Achse der leichten Magnetisierung ist senkrecht zu dem Co-Cr-FiIm).

Jedoch weist wegen der Hinzufügung von Chrom (Cr) Kobalt (Co) eine derartige Orientierung auf, daß die Achse in der leichten Magnetisierung hiervon angenähert senkrecht zu dem Co-Cr-FiIm ist, jedoch keine vollständig senkrechte Achse der leichten Magnetisierung vorliegt. Es ist daher unmöglich, ein extrem starkes senkrechtes anisotropes magnetisches Feld für das Quermatnetisierungsaufzeichnungsmedium mit dem Co-Cr-FiIm zu erzielen. Folglich gibt es ein weiteres Quermagnetisierungsauf zeichnungsmedium, in dem ein drittes Element dem Co-Cr hinzugefügt ist, so daß die Achse der leichten Magnetisierung des Co in ausreichendem Maße senkrecht zum Film ist. Beispielsweise wird Niob (Nb) oder Tantal (Ta) dem Co-Cr als drittes Element hinzugefügt . In diesem Fall ist aufgrund der Hinzufügung von Nb oder Ta die Orientierung des Co so verbessert, daß die Achse der leichten Magnetisierung in ausreichendem Maße senkrecht zum Film ist, jedoch nimmt die Sättigungsmagnetisierung des Quermagnetisierungsaufzeichnungsmediums mit dem Hinzufügen von Cr und Nb (oder Ta) ab, die im Gegensatz zu

Co,welches ein ferromagnetisches Material ist,nichtmagnetische Materialien sind.Infolgedessen ergibt sich der Nachteil,daß wegen der Sättigungsmagnetisierung es nicht möglich ist,ein hohes Wiedergabeausgangssignal zu erzielen.

Aus diesem Grund ist ein Quermagnetisierungsaufzeichnungsmedium mit einer Doppelfilmanordnung vorgeschlagen worden.Entsprechend diesem Aufzeichnungsmedium ist ein Film mit hoher Permeabilität,d.h.ein Film geringer Koerzitivstärke wie beispielsweise ein Nickel-Eisen(Ni-Fe)-Film zwisehen dem Co-Cr-FiIm und dem Basisfilm ausgebildet.Der magnetische Fluß,der innerhalb des Films hoher Permeabilität streut,wird zu dem Magnetpol des Quermagnetisierungskopfes bei einer vorbestimmten magnetischen Aufzeichnungsposition hin konzentriert,um eine starke Magnetisierung zu erzielen, die in der senkrechten Richtung liegt und nicht in die Längsrichtung des Quermagnetisierungsaufzeichnungsmediums streut.Jedoch ist im Fall des Quermagnetisierungsaufzeichnungsmediums mit Doppelfilmanordnung die Koerzitivfeldstärke des Films hoher Permeabilität außerordentlich gering im Vergleich zur Koerzitivfeldstärke des Co-Cr-Films und es ergibt sich der Nachteil,daß Barkhausen-Rauschen erzeugt wird.Beispielsweise beträgt die Koerzitivfeldstärke des Co-Cr-Films mehr als 5,57x10 A/m(700 Oe)und die Koerzitiv -

pe feldstärke des Films hoher Permeabilität beträgt weniger als 795,9 A/m(10 Oe).Um die Entstehung von Barkhausen-Rauschen zu verhindern,muß der Film oder die Schicht hoher Permeabilität eine Koerzitivfeldstärke aufweisen,die zumindest über 795,9 A/m(10 Oe)liegt,jedoch gibt es kein

,Q geeignetes Material,das dieser Forderung genügt und gleichzeitig als Film hoher Permeabilität benutzt werden kann.

Wenn darüber hinaus ein Ringkernkopf als Quermagnetisierungskopf benutzt wird,ergibt sich die Schwierigkeit, daß es unmöglich ist,die Quermagnetisierungsaufzeichnung effektiv und wirksam mit dem zuvor beschriebenen magnetischen Aufzeichnungsmedium durchzuführen,das eine starke Anisotropie nur in der senkrechten Richtung aufweist,weil ein von dem Ringkernkopf erzeugtes Magnetfeld beträchtliche Komponenten in Schichtebene aufweist.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrund«, ausgehend von den Merkmalen im Oberbegriff des Anspruchs 1,ein neues und nützliches Quermagnetisierungsaufzeichnungsmediuin zu schaffen, in dem die zuvor beschriebenen Nachteile und Schwierigkeiten beseitigt sind.Diese Aufgabe wird durch den Gegenstand des Anspruchs 1 gelöst.

Bei der Lösung ist die Tatsache entscheidend,daß beim Überziehen einer Basisschicht mit einem magnetischen Material zur Ausbildung einer Magnetschicht die ausgebildete Magnetschicht aus zwei Schichten besteht, die unterschiedliche Koerzitivfeidstärken aufweisen.Von diesen beiden Schichten wird eine,die eine geringe Koerzitivfeidstärke aufweist,für die Quermagnetisierungsaufzeichnung

15 benutzt.

Durch die erfindungsgemäßen Merkmale wird ein Quermagnetisierungsauf zeichnungsmedium mit einer Basisschicht, einer unteren, auf dieser Basisschicht ausgebildeten Schicht, die Kobalt,Chrom und eine vorbestimmte Menge eines oder mehrerer (von Kobalt und Chrom verschiedener) Elemente aufweist,und einer oberen Schicht geschaffen,die auf der unteren Schicht ausgebildet ist und Kobalt,Chrom und eines oder mehrere (von Kobalt und Chrom verschiedene^ Elemente aufweist,wobei die Menge dieser Elemente geringer ist als die vorbestimmte Menge des einen oder der mehreren der ersten Schicht zugefügten Elemente. Entsprechend dem erfindungsgemäßen Quermagnetisierungsaufzeichnungsmedium ist es möglich, ein hohes Wiedergabeausgangssignal zu erzielen,wobei die Wiedergabeausgangscharakteristik in Abhängigkeit von der Aufzeichnungswellenlänge insbesondere im Bereich kurzer Aufzeichnungswellenlängen zufriedenstellend ist.Darüber hinaus steigt eine Magnetisie rungs-(M-H)-Hystereseschleife in Schichtebene in der gesamten Magnetschicht in der Umgebung ihres Ursprungs markant, steil und anormal an und es tritt der sogenannte Magnetisierungssprung auf.Folglich können die Quermagnetisierungsauf zeichnungs-und -Wiedergabecharakteristiken verbessert werden,indem als Magnetschicht die Schicht benutzt wird,in der der Magnetisierungssprung auftritt.

In der vorliegenden Anmeldung let eine plötzliche Änderung oder eine steile Neigung der M-H-Hystereseschleife in Schichtebene als Magnetisierungssprung bezeichnet und die Höhe des Magnetisierungssprungs wird als Magnetisierungssprunggröße bezeichnet.

Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen engegeben. Im folgenden wird die Erfindung anhand der Zeichnungen näher erläutert. Dabei zeigen:

F i g . 1 eine M-H-Hystereseschleife in Schichtebene für den Fall, daß eine Magnetschicht entsprechend einem Ausführungsbeispiel für das erfindungsgemäße Quermagnetisierungsaufzeichnungsmedium aus einer Kobalt-Chrom-Niob (Co-Cr-Nb)-Dünnschicht besteht, die eine Dicke von 0,2/um aufweist, wobei ein Magnetfeld von

1,194 χ 10⁵ kA/m (15 kOe) angelegt ist;

F i g . 2 eine M-H-Hystereseschleife in Schicht ebene für den Fall, daß die Magnetschicht entsprechend dem Ausführungsbeispiel für das erfindungsgemäße Quermagnetisierungsaufzeichnungsmedium aus einer Co-Cr-Nb-Dünnsehicht besteht, die eine Dicke von 0,05 /um auf-

25 weist, wobei ein Magnetfeld von 1,194 x 1Cr kA/m (15 kOe) angelegt ist;

F i g . 3 bis 5 jeweils M-H-Hystereeeschleifen in Schichtebene, die dazu dienen, das Auftreten eines Magnetierungssprunges zu erklären;

F i g. 6 eine graphische Darstellung, die eine Koerzitivfeidstärke Hc(//) in Schichtebene, eine senkrechte Koerzitivfeidstärke Hc( I )und eine Magnetisierungssprunggröße G% für Jede Schichtdicke darstellt, wobei die Schichtdicke der dünnen Co-Cr-Nb-Schicht durch Änderung der Sputterzeit gesteuert eingestellt wird;

Fig. 7 eine graphische Darstellung, tiie eine Koerzitivfeldstärke Hc(//) in Schichtebene, eine senkrechte Koerzitivfeldstärke Hc ( J_- ) und eine Magnetisierungssprunggröße 6* j für Jede Schichtdicke anzeigt, wobei die Schichtdicke einer dünnen Schicht aus Kobalt-Chrom- Tantal (Co-Cr-Ta) durch Änderung der Sputterzeit gesteuert eingestellt wird;

F i g . 8A bis 8C graphische Darstellungen jeweils einer Schichtebenen-M-H-Hystereseschleife der dünnen Co-Cr-Nb-Schicht, wobei in diesen Schleifen kein Magnetisierungssprung auftritt;

Fig. 9 eine graphische Darstellung, die die Beziehung des Schwingkurvenhalbwertes (Δ θ cq) der hcp (002) Ebene jeder dünnen Kobalt-Chrom (Co-Cr)-Schicht und dünnen Co-Cr-Nb-Schicht in Abhängigkeit von der jeweiligen Filmdicke zeigt;

F i g . 1OA bis 1OC graphische Darstellungen, die jeweils Drehmomentkurven für die dünnen Co-Cr-Schichten für Schichtdicken von 0,50 , 0,20 und 0,05/um zeigen;

F i g . 11A bis 11C graphische Darstellungen, die jeweils Drehmomentkurven der dünnen Co-Cr-Nb-Schichten für entsprechende Schichtdicken von o,50, 0,18 und o.o5/um zeigen;

Fig. 12 eine graphische Darstellung, die die Beziehung zwischen der Aufzeichnungswellenlänge und dein Wiedergabeausgangssignal für den Fall zeigt,daß die Quermagnetisierungsaufzeichnung- und -wiedergabe bezüglich jedes der Aufzeichnungsmedien aus Tabelle I mit Hilfe eines Ringkernkopfes durchgeführt werden;

Fig. 13 eine graphische Darstellung, die die Beziehung zwischen der Aufzeichnungswellenlänge und dem Wiedergabeausgangssignal für den Fall zeigt, daß

die Quermagnetieierungsaufzeichnungc- und "Wiedergate bezüglich ^edes der Aufzeichnungsmedien aus Tabelle II mit Hilfe eines Ringkernkopfes durchgeführt werden;

F i g . 14 eine graphische Darstellung , die die M-H-Hystereseschleife in Schichtebene eines in Tabelle I aufgeführten DoppelfilmaufZeichnungsmediums darstellt;

F i g . 15 eine graphische Darstellung,die die M-H-Hystereseschleife in Schichtebene eines in Tabelle II aufgeführten Doppelfilmaufzeichnungsmediums darstellt;

F i g . Γ6 eine schematische Darstellung zur Erklärung einer Magnetschleife, die innerhalb des Doppelfilmaufzeichnungsmediums durch den Magnetfluß des Ringkernkopfes ausgebildet wird und

F i g . 17 eine schematische Darstellung zur Erklärung, daß untere Bereiche von remanenten Magnetfeldern in einer Kristallschient grober Körnung über eine Kristallschicht feiner Körnung vereinigt werden.

Das Quermagnetisierungsaufzeichnungsmediuin ( im folgenden der Einfachheit halber als Aufzeichnungsmedium bezeichnet) wird hergestellt, indem auf einer Trägerschicht oder einem Band, das zu einer Basisschicht ausgebildet wird, ein erstes und ein zeites magnetisches Material, die als Target benutzt werden, gesputtert werden. Dabei ist die Trägerschicht oder das Band beispielsweise aus einem Polyimidharz hergestellt, und das erste magnetische , auf die Basisschicht ge sputterte Material enthält Kobalt (Co), Chrom (Cr) und zumindest ein Element, wie beispielsweise Niob(Nb)und ** Tantal(Ta).Das zweite,auf die Schicht des ersten magnetischen Materials gesputterte magnetische Material enthält Co,Cr und zumindest ein Element,wie beispielsweise Nb und Ta. Die Menge des bzw.der zum Co und Cr im zwei-

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ten magnetischen Material hinzugefügten Elemente ist geringer als die Menge des oder der zum Co und Cr des ersten magnetischen Materials hinzugefügten Elements bzw.Elemente.Die dem Co-Cr in den ersten und zweiten magnetischen Materialien hinzugefügten Elemente sind nicht auf Nb und Ta beschränkt.Ferner sind die Elemente bzw.das Element,welches dem Co und Cr im ersten magnetischen Material hinzugefügt iet bzw.sind,nicht notwendigerweise identisch mit dem bzw.den Elementen,die dem Co und Cr in der zweiten magnetischen Schicht zugefügt ist bzw.sind. Darüber hinaus kann Nb dem Co und Cr im ersten magnetischen Material hinzugefügt werden, während beispielsweise Nb und Ta dem Co und Cr im zweiten magnetischen Material hinzugefügt werden.

Wenn ein Metall, beispielsweise eine Co-Cr-Legierung auf eine Basisschicht gesputtert wird, so ist bekannt, daß die bedampfte oder gesputterte Schicht nicht dieselbe Kristallstruktur in senkrechter Richtung zur Schichtfläche aufweist. Aus verschiedensten Experimenten und aus Rasterelektronenmikroskopbildern (SEM), die die Oberfläche darstellen, ist bekannt, daß eine erste Kristallschicht feiner Körnung benachbart zu der Basisschicht über eine außerordentlich kleine Dicke ausgebildet wird und daß eine zweite Kristallschicht grober Körnung auf dieser ersten Kristallschicht erzeugt wird. Beispielsweise wird die Tatsache, daß die erste Kristallschicht im Bodenbereich des gesputterten Filmes keine gut definierte säulenförmige Struktur aufweist, während die zweite Kristallschicht, die auf dieser ersten Kristallschicht ausgebildet ist,eine gut definierte und ausgebildete Säulenstruktur auf weist,von Edward R.Wuori und Professor J.H.Judy im "Initial Layer effects in Co-Cr films" , IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, Vol. MAG-20, No.5, September 1984, Seiten 774-775 und von William G.Haines , "VSM Profiling of CoCr Films: A New Analytical Technique", IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, Vol. MAG-20, No.5, September 1984, Seiten 812-814 beschrieben.

Die Erfinder der vorliegenden Anmeldung schenkten den oben beschriebenen Punkten ihre Aufmerksamkeit und dampften verschiedene Metalle auf,die eine Co-Cr-Legierung als Basisschicht aufwiesen und denen jeweils ein drittes Element zugefügt war.Dann wurden die physikalischen Eigenschaften der ersten Kristallschicht feiner Körnung,die sich im Bodenbereich des aufgedampften Metallfilms gebildet hatte,und die zweite Kristallschicht grober Körnung,die sich auf dieser ersten Kristallschicht gebildet hatte,für jede der verschiedenen aufgedampften Metallfilme und Schichten untersucht.Es ergab sich bei diesen Untersuchungen als Ergebnis,daß bei Hinzufügen von Nb oder Ta als drittes Element zu dem Metall die Koerzitivfeldstärke der ersten Kristallschicht feiner Körnung außerordentlich klein im Vergleich zu der der zweiten Kristallschicht grober Körnung ist und es liegt kein wesentlicher Unterschied zwischen der Koerzitivfeldstärke der ersten Kristallschicht in Schichtebene und der senkrechten Koerzitivfeldstärke der ersten Kristallschicht vor. Die vorliegende Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß diese erste Kristallschicht, die die geringe senkrechte Koerzitivfeldstärke aufweist,welche nicht wesentlich von der Koerzitivfeldstärke dieser Schicht in Schichtebene verschieden ist, als isotrope Schicht benutzt wird, und daß eine Schicht mit einer hohen Sättigungsmagnetisierung auf dieser ersten Kristallschicht ausgebildet wird und als Quermagnetisierungsschicht des Aufzeichnungsmediums benutzt wird. Dabei ist die Schicht mit der hohen Sättigungsmagnetisierung ein Dünnfilm, wie beispielsweise ein Co-Cr-Nb- oder Co-Cr-Ta- Dünnfilm, der eine solche Orientierung aufweist,daß seine Achse der leichten Magnetisierung in Querrichtung oder senkrechter Richtung bezüglich des Films liegt.

Im folgenden werden die experimentellen Ergebnisse, -^ die bei der Messung der Koerzitivfeldstärken von der ersten und zweiten Kristallschicht_fdie sich bei der Besputterung oder Bedampfung der Basisschicht ergaben,beschrieben. Hierzu wurde eine dünne Schicht aus Co-Cr-Nb oder aus Co-Cr-Ta(im folgenden der Einfachheit halber als Dünnschicht

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bezeichnet)durch ein Sputterverfahren aiif einer

schicht unter folgenden Bedingungen" aufgebracht: j

(1) Sputtergerfit: j RF MagnetronBputtergerät, I

(2) Sputterverfehren: j Kontinuierliches Besputtern bei einem anfäng- I liehen Verdichtungsdruck von 1,33 x 10" Pe (1x10 Torr) und Zuführen von Argon (Ar)-Gas, bis der Druck 0,133 Pa (1x10~⁵ Torr) erreicht.

(3) Basisschicht:

Eine Polyimidkunstharzschicht mit einer Dicke von 20/um.

(U) Target:

Ein zusammengesetztes Target, das durch

Plazieren kleiner Stücke von Nb oder Te auf der Co-Cr-Legierung gewonnen wird.

(5) Abstand zwischen Target und Basisschicht: ^: HO mm. ,

Die magnetischen Eigenschaften der dünnen Filme wurden mit Hilfe eines schwingenden Abtastmagnetometers . gemessen, das von Riken Denshi in Japan hergestellt wird, wobei die Zusammensetzung des dünnen Filmes mit Hilfe eines Energieaispersions-Kikroanalysators gemessen wurde, der von KEVEX in den Vereinigten Staaten hergestellt vird. Ferner wurde die Kristallorientierung der dünnen Filme durch einen X-Strahlanalysator gemessen, der von Riga>-j Denki in Japan hergestellt wird.

Die FIG. 1 zeigt eine M-H-Hystereseschleife in Schichtebene oder auch Schichtebenen-fö-H-Hystereseschleife für den Fall, bei dem ein Magnetfeld von 1,194 χ 10* kA/m (15 kOe) an ein Aufzeichnungsmedium gelegt wird, welches hergestellt wird, indem Nb als drittes Element Co-Cr hinzugefügt wird (das gleiche Phänomen ergibt sich, wenn Nb mit einer Verteilung von 2 bis 10 Atomgewichts- ~. prozent hinzugefügt wird) und diese Co-Cr-Nb-Mischung auf der Polyimidkunstharzbasisschicht mit einer Schicht-

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dicke von 0,2/um aufgedampft wird. Wie aus der FlG. ^c\ hervorgeht, steigt die Schichtebanen-M-H-Hysterese-Bchleife eteil und anormal in der Nähe des Ursprungs an, wie dies durch einen Pfeil A angezeigt ist, und es tritt der sogenannte Magnetisierungssprung (im folgenden der Einfachheit halber als Sprung bezeichnet) auf. Geht nan davon aus, daß ein gleichförmiges Kristallwachstum konstantermaßen auftritt, wenn Co-Cr-Nb auf der Basisschicht zur Bildung der Co-Cr-Nb-Dünnschicht aufgedampft wird, so würde der in FIG. 1 gezeigte Sprung nicht auftreten. Es kann folglich hieraus hypothetisch geschlossen werden, daß mehrere Kristallschichten verschiedener magnetischer Eigenschaften innerhalb der Co-Cr-Nb-Dünnschicht nebeneinander vorliegen.

Die FIG. 2 zeigt eine Schichtebenen-M-H-Hystereseschleife für den Fall, bei dem ein Magnetfeld von 1,19^· x 10 kA/m (15 kOe) an ein Aufzeichnungsisediuin gelegt wird, das gewonnen wird, indeiE die Co-Cr-Nb-Mischung auf der Polyimidkunstharzba Eisschicht mit einer Schichtdicke von 0,05 /um bei gleichen Besputterungsbedingungen aufgedampft wird. Entgegen den ir. FIG. 1 gezeigten Fall, tritt in der Hystereseschleife aus FIG. 2 kein Sprang auf. Folglich ergibt sich, άεΡ der Co-Cr-!Cd-Dunn.fi Ie mit einer Dicke in Bereich vcr. 0,05 /um ic wesentlichen durch eine gleichmäßige Kristallschicht gebildet ist. Außerdem kann der FIG. 2 entnommen werden, daß eine Schichtebenen-Koerzitivfeidstärke Hc(//) (im folgenden der Einfachheit halber als Koerzitivfeidstärke Hc(//) bezeichnet, in Fall, bei dem die Filmdicke im Bereich von 0,05/um liegt, außerordentlich klein ist und daher die Schichtebenen-Permeabilität außerordentlich hoch ist. Es ergibt sich hieraus, daß die Koerzitivfeldstärke Hc(//) einer Anfangsschicht, die im Anfangs stadium in unmittelbarer Nähe auf der Basisschicht bei der Bedampfung wächst,

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klein ist, und diese Anfangs schicht kann Βίε die trste Kristall schicht feiner Körnung (im folgenden .der Einfachheit halber als erste Kristall schicht bezeichnet) betrachtet werden, wobei diese Tatsache durch SEM-Bilder bestätigt wird, wie weiter oben erläutert ist. Eine Schicht, die auf dieser Anfangsschicht aufwächst, weist eine Koerzitivfeidstärke Hc(//) auf, die größer als die Koerzitivf eidstärke Hc(//) der Anfangsschicht ist, und diese Schicht kann als die zweite Kristallschicht grober Körnung (im folgenden der Einfachheit halber als zweite Kristall schicht bezeichnet) betrachtet werden, wobei diese Tatsache ebenfalls durch die SEK-Bilder belegt ist.

Im folgenden wird nun an Hand der FIG. 3 bis 5 begründet, warum der Sprung in dem dünnen Co-Cr-Nb-FiIm auftritt, in dem die erste und zveite Kristallschicht koexistieren. Es soll an dieser Stelle darauf hingewiesen werden, daß dieser Sprung nicht für alle Co-Cr-Nb-Dünnfilme der verschiedenen Zusammensetzungen und bei verschiedenen Sputterbedingunger. auftritt, wie weiter unten näher erläutert werden wird. Wird der Co-Cr-Nb-Dünnfilm bei vorbestimmten Sputterbedingungen ausgebildet und die Schichtebeneri-K-H-Rystereseschleife für dieser. Dünnfilm aus der Messung gewonnen, se weist diese Hystereseschleife in der Nähe des Ursprungs einen in FIG. 3 gezeigten steilen Anstieg auf, und der Sprang tritt auf. Eine in FIG. h gezeigte Schichtebenen-K-K-Hystere se schleife für einen Dünnfilm, der nur aus der ersten Kristall schicht besteht, kann aus der Kessung gewonnen werden, indem ein dünner Film mit einer kleinen Filmdicke hergestellt wird. Die zweite Kristallschicht kann als eine Schicht mit gleichmäßiger Kristallstruktur betrachtet werden, und darüber hinaus kann die Schichtebenen-M-H-Hystereseschleife aus FIG. 3 als eine Zusammensetzung der Schichtebenen-M-H-Hystereseschleife der ersten Kristallschicht und einer Schicht-

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ebenen-M-H-Hystereseschleife der tv^i/cen Bchicht engesehen werden· Folglich kann die Schichtebenen-M-H-Hystereseßchleife der zweiten Kristall schicht mit einer glatten, in FIG. 5 gezeigten Hystereseschleife gleichgesetzt werden, wobei in dieser Hystereseschleife die Koerzitivfeldstärke Hc(//) größer ist als die der ersten Kristallschicht und in dieser Hystereseschleife kein Sprung auftritt. Mit anderen Worten zeigt die Existenz des Sprunges in FIG. 3 an, daß beide Schichten, die unterschiedliche magnetische Eigenschaften aufweisen, in demselben Dünnfilm gemeinsam vorliegen. Aus diesem Grund ist es auch verständlich, daß die beiden Schichten mit verschiedenen magnetischen Eigenschaften auch im Fall des Co-Cr-Nb-Dünnfilms gemeinsam vorliegen, der die in FIG. 1 gezeigte Schichtebenen-M-H-Hystereseschleife aufweist. Die Koerzitivfeldstärke der zweiten Kristallschicht kann aus einer Hystereseschleife gewonnen werden, die man erhält, indem man die Schichtebenen-M-H-Hystereseschleife des Co-Cr-Nb-Dünnfilms, der nur aus der ersten Kristal !schicht besteht, von der Schichtebenen-K-H-HystereEeschleife des Co-Cr-Nb-Dürmfilms subtrahiert, in den die erste und die zweite Kristallschicht koexistieren. Die expermi-" mentellen Ergebnisse belegen, dafi zwei Schichten mit

2^ verschiedenen magnetischer. Eigenschaften in den Co-Cr-Nb-Dünnfilm koexistieren, wenn die Schichtebenen-M-H-Kystereseschleife des Co-Cr-Nb-DünnfiIms einer, steilen Anstieg in der Nähe des Ursprungs aufweist und der Sprung auftritt.

Ie folgenden werden die magnetischen Eigenschaften der beiden Schichten beschrieben, die den Co-Cr-Nb-Dünnfilm bilden, welcher auf die Basisschicht gesputtert ist, wobei die Beschreibung der magnetischen Eigenschaften in Abhängigkeit von der Filmdicke an Hand der FIG. näher erläutert wird. FIG. 6 ist eine graphische Darstel-

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lung, die die Koerzitivfeidstärke Hc(//)_f eine senkrechte Koerzitivfeidstarke Hc( J_- ) (in folgenden der Eirihachheit halber als Koerzitivfeidstärke HcC I ) bezeichnet) und eine Magnetisierungssprunggröße ( im folgenden der Einfachheit halber als Sprunggröße be zeichnet)er ή für alle Filmdicken angibt, die durch gesteuerte Variation der Sputterzeiten des Co-Cr-Nb-Dünnfilms eingestellt werden.

Dabei ist die Koerzitivfeidstärke Hc(//) kleiner als 1,433 x 10⁴ A/m (180 Oe) und für Schichtdicken unter 0,15 /um außerordentlich klein und es kann davon ausgegangen werden, daß die Schichtebenen-Permeabilität groß ist.Darüber hinaus ist eine Differenz zwischen den Ko erzitivf eidstärken HcC I ) und Hc(//) in der Umgebung der Filmdicke, bei der der Sprung auftritt, relativ klein, und es kann geschlossen werden, daß der Co-Cr-Nb-Dünnfilm eine isotrope Schicht ist, Weiterhin ist aus der FIG. 6 entnehmbar, daß die Koerzitivf eidstärke Hc(//) sich auch dann nicht merklich ändert, wenn die Filmdicke vergrößert wird. Demgegenüber steigt die Sprunggröße^_Λ

bei einer Filmdicke von angenähert 0,075/um steil an und beschreibt für Dicken über o,o5/um eine nach oben hin offene Parabel. Weiterhin steigt die Koerzitiv feldstärke Hc(I) bei Filmdicken von o,o5 bis o,15/Ui£ von 180 Oe steil an und beträgt bei Filmdicken über o,15/um mehr als 7,163 x 10 A/m (900 Oe). Aus den obigen Ergebnissen resultiert, daß zwischen der ersten und zweiten Kristallschicht bei einer Dilmdicke von angenähert 0,05 bis 0,15/um eine Grenze vorliegt. Die Koerzitivfeidstärken Hc(//) und Hc( j ) der ersten Kristallschicht sind beide unterhalb 1,433 x 10 A/m (180 Oe) und klein und die erste Kristallschicht ist eine isotrope Schicht, in der die Differenz zwischen den Koerzitivf eidstärken Hc(//) und Hc (_[_) klein ist. Bei solchen Filmdicken, bei denen dieser Sprung nicht auftritt, betragen die Koerzitivfeidstärken Hc(//) und

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Hc(__L) beide weniger als 1,433 x 1O^A A/m (180 Oe) und sind gering. Jedoch nimmt bei einer derart großen Filmdicke, bei der der Sprung-auftritt, die Koerzitiv-

feidstärke Hc(J ) stark zu. Folglich zeigt auch die-

ser Gesichtspunkt, daß die Co-Cr-Nb-Dünnfilmschicht aus zwei Schichten mit verschiedenen magnetischen Eigenschaften besteht, wenn der Sprung auftritt. Entsprechend den von den vorliegenden Erfindern ausgeführten Experimenten ergab sich, wenn die Zusammensetzung und/oder die Sputterbedingungen geringfügig geändert wurden,daß eine geringfügige Änderung in der Filmdicke, bei der die Sprunggröße C. und die Koerzitivfeidstärke Hc ( I ) jeweils steil ansteigen, auftritt. Diese geringfügige Änderung in dieser Filmdicke tritt innerhalb des Bereiches von 0,05 bis 0,15/um auf. Ferner ergeben sich geringfügige Änderungen in den Koerzitivfeldstärken Hc(//) und Hc ( | ) _t wenn die obigen Bedingungen geändert werden, und der Wert der Feldstärke Hc(//) ändert sich in einem Bereich von angenähert 795,9 bis 1,75 χ A/m (10 bis 220 Oe).Folglich tritt der Sprung dann auf, wenn die erste Kristallschicht eine Dicke im Bereich von 0,05 bis 0,15/um aufweist und die Koerzitivfeidstärke im Bereich von angenähert 10 bis 220 Oe liegt.

Ini folgenden werden die Ergebnisse, die in FIG. 7 dargestellt sind, näher erläutert, die ähnliche Experimente zeigen, die für den Fall durchgeführt wurden,daß Tantal (Ta) dem Co-Cr als drittes Element hinzugefügt wurde. (Dabei traten die gleichen Phänomene auf,wenn das Ta in einem Bereich von 2 bis 10 at% hinzugefügt wurde). Wiederum wurde die Co-Cr-Ta-Mischung mit ver schiedenen Filmdicken auf der Polyimidkunstharzbasisschicht aufgedampft. Die FIG. 7 zeigt eine graphische Darstellung, in der die Koerzitivfeidstärke Hc(//), die senkrechte Koerzitivf eidstärke Hc ( j ) und die Sprunggröße ^T . für alle Filmdicken dargestellt sind, die durch eine gesteuerte Änderung der Besputterungszeit für die Ca-Cr-Ta-Schicht eingestellt wurden. Es ergaben

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eich bei dem Hinzufügen des Ta zu dem Co-Cr ähnliche Ergebnisse wie im Fall» bei dem das Nb zu dem Co-Cr hinzugefügt wurde. Aus der FIG.7 geht hervor,daß die Grenze zwischen der ersten und zweiten Kristallschicht bei Filmdicken von 0,05 bis 0,15 /um vorkommt. Die Koerzitivf eidstärke Hc(//) und HcC_-L) ^der ersten Kristallschicht sind beide unterhalb 1,353 x 10⁴ A/m (170 Oe) und klein, und die erste Kristallschicht ist eine isotrope Schicht,in der die Differenz zwischen den Koerzitivf eidstärken Hc(//) und Hc(J_-) klein ist.

Zu den zuvor beschriebenen Experimenten muß erwähnt werden, daß der Sprung nicht auftritt,wenn die Sputterbedingung und die Menge des hinzugefügten Nb oder Ta (2 bis 10 Atomgesichtsprozent im Fall des Nb und 1 bis 10 Atomgewichtsprozent im Fall des Ta) von den zuvor erwähnten Werten abweichen. Jedoch werden die erste und zweite Kristallschicht innerhalb des Co-Cr-Nb-Dünnfilms, des Co-Cr-Ta-Dünnfilms und des Co-Cr-Dünnfilms_fin dem kein Sprung auftritt, auch ausgebildet, wie insbesondere aus den am Anfang der Figurenbeschreibung zitierten Schriften hervorgeht.Ein Beispiel für eine Schichtebenen M-H-Hystereseschleife des Co-Cr-Nb-Dünnfilms,in dem kein Sprung auftritt,wird anhand der FIG.8A bis 8C erläutert.Die FIG.8A zeigt eine Schichtebenen-M-H-Hystereseschleife sowohl für die erste

els auch für die zweite Schicht, die FIG. 8B zeigt eine Schichtebenen M-H-Hystereseschleife nur für die erste KriBtallBchicht und die FIG. 8C zeigt eine Schichtebenen M-H-Hystereseschleife nur für die zweite Kristallschicht. Aus den FIG. 8A bis BC geht hervor, daß die remanente Magnetisierung in Schichtebene Mr_ß(//) der ersten Kristallschicht größer als die remanente Magnetisierung in Schichtebene Mr_cder zweiten Kristallschicht ist. Ferner ist die remanente Magnetisierung in Schichtebene Mr*(//) von beiden zusammen, der ersten und der zweiten Kristallschicht, im Vergleich zu der remanenten Magnetisierung in Schichtebene ßr_c(//) der zweiten Kristallschicht ungünstig, bo daß die anisotrope magnetische Feldstärke Mk klein ist. Darüber hinaus ist bekannt, daß die Orientierung der ersten Kristallschicht schlecht ist (derΔ ©CQ-Wert ist groß), und die erste Kristallschicht ist für die senkrechte MagnetisierungE-aufzeichnung oder die Quermagnetisierungsaufzeichnung

ungeeignet. 20

FlG. 9 zeigt eine graphische Darstellung, die die Beziehung des Schwingkurvenhalbwerts, d.h. der Halbwertsbreite der voE Analysator gelieferter: Kurve, (4©c#~.) der hcp (002)-Ebene (hexagonal closed peeked) jeweils für einen Kobalt-Chrom (Co-Cr)-Dünnfilm (Zusammensetzung vor. COg₁Cr₁Q at?Q und den Co-Cr-Nb-Dünnfilm in Abhängigkeit von den Filmdicken darstellt. Der Co-Cr-Dünnfilm ist, abgesehen von der unter (A) beschriebenen Bedingong, bei denselben Sputterbedingungen hergestellt, wie diese weiter oben beschrieben wurden. In diesem Fall wurde die Co-Cr-Legierung allein als Target benutzt. Aus der FIG. 9 geht hervor, daß die Orientierung des Co-Cr-Nb-Dünnfilms im Anfangsstadium der Filmformation außerordentlich schlecht ist, während die Orientierung des Co-Cr-Dünnfilms im Anfangsstadium der Filmformation zufriedenstellend ist. Jedoch verbessert sich die Orientierung des Co-Cr-Nb-Dünnfilms rapide mit zunehmender FiIm-

BAD ORIGiNAL

* -dicke. Kit anderen Worten ißt die Orientierung des Co-Cr-Nb-Dünnfilmes in Anfangs stadium der Filmfonaation schlecht, d.h. vBhrend der Ausbildung der ersten Kri-Etallschicht, jedoch verbessern eich die Orientierungen des Co-Cr-Nb-Dünnfiljnes schlagartig, wenn die Filmdicke über 0,15/um zunimmt, d.h., wenn die zweite Kristallschicht gebildet wird. Polglich ist verständlich, daß in dem Fall des Co-Cr-Nb-Dünnfilmes zwei Schichten mit verschiedenen magnetischen Eigenschaften in AbhSngigkeit von der Filmdicke gebildet werden, und daß die Orientierung der zweiten Kristall schicht zufriedenstellender und besser als die des Co-Cr-Dünnfilmes ist.

Im folgenden wird der Co-Cr-Nb-Dunnfiln: im Hinblick auf die magnetische Anisotropie untersucht. Die FIG. 10A bis 1OC zeigen graphische Darstellungen, in dener. jeweils Drehinomentkurven des Co-Cr-Dünnfilmes ir. Abhängigkeit von Filmdieker. 0,50, 0,20 und 0,05 /ur gezeigt sind. Die FIG. 11A bis 11C zeiger, graphische Darstellungen, in denen Drehmomentkurveri des Cc—Cr-Kb-DunniilBes jeweils entsprechend für Filmiicken vor. 0,50, 0,16 und 0,05/UE gezeigt sind. In der. graphischer. Dar-Stellungen der FIG. 10 und 11 ist auf der Abszisse jeweils der Winkel © abgetragen, der zwischen der FiImoberilechennormalen und dec angelegten magnetischen Feld vorliegt. Auf der Ordinate ist das Drehmoment abgetragen und das an den Dünnfilir. angelegte Magnetfeld beträgt 795,9 Wm (10 kOe). Darüber hinaus weisen die Co-Cr-Dünnfilme und die Co-Cr-Nb-Dünnfilme jeweils die Zusammensetzung von entsprechend COg₁Cr-Jg etjt und Co-,-, _qCt*c rxNb/- λ etjt sowie die S'ättigungsmagnetisie-

I i t)s ID, U D, I c

rung Ms von 400 emu/cc und 350 emu/cc (4,0 χ 10 A/m und 3,5 x 10⁵ A/m) auf.

BAD ORIGINAL''

Im Fall des in FIG. 10/ bis 1OC dargestellten Co-Cr-Dünnfilms ist die Polarität der Brehmomentkurven für alle drei Filme dieselbe, und die Achse der leichten Magnetisierung ist senkrecht zur FiIm-5 oberfläche. Im Fall des Co-Cr-Nb-Dünnfilms in den FIG. 11A und 11B mit den jeweiligen Filmdicken 0,50 und 0,18/um ist die Polarität der Drehmonientkurven dieselbe für diese beiden Dünnfilme, und die Achse der leichten Magnetisierung ist senkrecht zu der Filmoberfläche. Jedoch ist im Fell des Co-Cr-Nb-Dünnfilms mit der Filmdicke von 0,05/Uic (FIG. 11C) die Polarität der Drehmomentkurve zu der Polarität der Drehmomentkurven der anderen beiden Filmdicken entgegengesetzt, und die Achse der leichten Magnetisie- rung ist in Schichtebene des Dünnfilmes. Wie weiter oben schon beschrieben wurde, kann davon ausgegangen werden, daß nur die erste Kristallschicht ausgebildet ist, wenn der Co-Cr-Nb-DünnfiIm mit einer Filmdicke von 0,05 /um hergestellt wird. Dabei ist die Achse der leichten Kagnetisierung der ersten Kristallschicht in Schichtebene dieser ersten Kristallschicht.Ferner sei erwähnt, daß in den DrehEomentkurveri des Co-Cr-Kb-Dunnfilmes mit den Filmdicken von mehr als 0,05/Ue anormale Bereiche auftreten, die in den FIG. 11A und 11B durch die Pfeile B angezeigt sind. Es kann davon ausgegangen werden, daß diese anormalen Bereiche in den Drehmomentkurven aufgrund der magnetischen Eigenschaften der ersten Kris tall schicht auftreten. Des bedeutet, daß bei anwachsender Dicke des dünnen Films über einen vorbestimmten Vert die zweite Kristallschicht, die eine Achse der leichten Magnetisierung senkrecht zu

BAD ORIGINAL

der Filmoberfläche aufweist, auf der ersten Kristallschicht gebildet wird,welche eine leichte Magnetisierungsachee in Schichtebene der ersten Kristallschicht aufweist.Es kann hieraus geschlossen werden,daß die erste und zweite Kristallschicht mit den verschiedenen magnetischen Eigenschaften sich gegenseitig beeinflussen, so daß die anormalen Bereiche in den Drehmomentkurven des als ganzes gemessenen Dünnfilms auftreten. Somit ist auch anhand der Drehmomentkurven belegt, daß in dem einzigen Co-Cr-Nb-Dünnfilm zwei Schichten mit verschiedenen magnetischen Eigenschaften koexistieren.

Werden der Co-Cr-Nb- oder Co-Cr-Ta-Dünnfilm,der durch

,.c die erste und zweite Kristallschicht gebildet ist,als magnetische Schicht des Quermagnetisierungsaufzeichnungsmediums benutzt und wird versucht, den gesamten dünnen Film in Richtung senkrecht zur Filmoberfläche entsprechend des üblichen Konzept zu magnetisieren,so wurde üblicherweise davon ausgegangen,daß die Existenz der ersten Kristallschicht ein außerordentlich ungünstiger primärer Faktor für die senkrechte Magnetisierung ist. Dabei wurde die Existenz der ersten Kristallschicht für beide Fälle,d.h.für Anordnungen mit und ohne Sprung,als ein ungünstiger primärer Faktor angesehen.Tritt der oben beschriebene Sprung auf,so sind die Koerzitivfeidstärken Hc(//) und Hc( I ) der ersten Kristallschicht außerordentlich klein, und es kann davon ausgegangen werden, daß in der ersten Kristallschicht scheinbar keine senkrechte Magnetisierung vorhanden ist. Tritt auf der anderen Seite kein Sprung auf,so ist die Koerzitiv feldstärke Hc(//) der ersten Kristallschicht größer als im Fall, bei dem der Sprung auftritt,jedoch ist die Koersitivfeidstärke Hc( ( ) der ersten Kristallschicht unzureichend für die Realisierung einer senkrechten Magnetisierungsaufzeichnung. Folglich

BAD ORIGINAL¹

muß geschlossen werden, daß es unmöglich ist, eine zufriedenstellende senkrechte Magnetisierungsaufzeichnung auszuführen. Entsprechend kann euch bei Durchführung der Magnetisierung in der senkrechten Richtung zur Filmoberfläche scheinbar keine senkrechte Magnetisierung oder Quermagnetisierung in der ersten Kristallschicht auftreten.Infolgedessen ist die Wirksamkeit und Effizienz der senkrechten Magnetisierung der dünnen Schicht insgesamt verschlechtert.Eine solehe Verschlechterung in der Effizienz der Quermagnetisierung ist insbesondere bei Benutzung von Magnetköpfen, wie beispielsweise dem Ringkernmagnetkopf, zu beobachten, der ein Magnetfeld erzeugt, das beträchtliche Komponenten in der Schichtebenenrichtung einschließt.

Jedoch weist die erste Kristallschicht des erfindungsgemäßen Aufzeichnungsmediums solche Eigenschaften auf, daß die Koerzitivfeldstärke Hc(//) klein ist, d.h.die erste Kristallschicht besitzt eine relativ hohe Permeabilität und isotrope magnetische Eigenschaften. Die Eigenschaften der ersten Kristallschicht sind daher ähnlich denen der Schicht hoher Permeabilität des gebräuchlichen Auf zeichnungsinediums, welche zwischen der Basisschicht und dem Co-Cr-FiIm vorgesehen ist. Folglich kann davon ausgegangen werden, daß in den Co-Cr-Nb - oder Co-Cr-Ta-Dünnfilm die erste Kristall schicht mit der geringen Koerzitivenfeidstärke Hc(//) als Schicht hoher Permeabilität des Aufzeichnungsmediuits benutzt werden kann.

Entsprechend kann man in Betracht ziehen, die erste Kristallschicht als die Schicht hoher Permeabilität zu benutzen, wobei die einzige Schicht des Co-Cr-Nb- oder Co-Cr-Ta-Dunnfilmeε gesputtert wird, und die zweite Kristallschicht als die Quermagnetisierungsschicht oder senkrechte Magnetisierungsschicht zu benutzen. Jedoch ist in dieser einzigen Schicht des Co-Cr-Nb- oder Co-Cr-Ta-Dünnfilms die Menge des zu dec Co-Cr hinzugefügten

BAD ORIGINAL

ο ■--".·■/ ο -> - 25 -

Nb oder Ta auf eine vorbestimmte Menge, bei der der Sprung auftritt,beschränkt. Wird weiterhin Nb oder Ta,welches nichtmagnetische Materialien sind, zum Co, welches ein ferromagnetisches Material ist,hinzugefügt, so wird die Sättigungsmagnetisierung Ms im Vergleich zu der des Co-Cr-Düimfilms klein und es ist unmöglich, eine Quermagnetisierungsaufzeichnung und-wiedergabe mit einem hohen Wiedergabeausgangssignal durchzuführen.
>jQ Beim erfindungsgemäßen Medium hingegen wird

zunächst eine erste Kristallschicht feiner Körnung aus einem Co-Cr-Nb- oder Co-Cr-Ta-Dünnfilm auf einer Basisschicht bei Bedingungen ausgebildet, die zu dem zuvor beschriebenen Sprung führen würden, wenn die

„Ε Dicke der ersten Kristallschicht über einem vorbestimmten Wert läge. Daraufhin wird eine zweite Kristallschicht grober Körnung aus einem Co-Cr-Nb- oder Co-Cr-Ta-Dünnfilm mit einer hohen Sättigungsmagnetisierung Ms auf der Kristallschicht ausgebildet, wobei in dieser zweiten Schicht die Menge des hinzugefügten Nb oder Ta geringer ist als die hinzugefügte Menge , bei der der Sprung auftreten würde. Die zweite Kristallschicht wird als Schicht benutzt, die zur Quermagnetisierungsaufzeichnung und -wiedergabe beiträgt.

Die Tabelle I zeigt verschiedene magnetische Eigenschaften eines Aufzeichnungsmediums I mit einem einzigen Film, welches einen einzigen Dünnfilm aus Co-Cr-Nb aufweist, in dem der Sprung auftritt, von einem Aufzeichnungsmedium II mit einem einzigen Film, welches einen einzigen Dünnfilm aus Co-Cr-Nb aufweist, in welchem die hinzugefügte Menge von Nb gering ist und der Sprung nicht auftritt, und von einem Doppelfilmaufzeichnungsmediurn III, welches die zuvor beschriebene Anordnung aufweist, in der die erste Kristallschicht aus einem Co-Cr-Nb-Dünnfilm aufgebaut ist, der unter solchen Bedingungen ausgebildet wird, daß der Sprung auftreten würde, wenn die Dicke der Kristallschicht über einem vorbe -

BAD ORIGINAL

stimmten Wert läge, und bei dem die zweite Kristall schicht aus einem Co-Cr-Nb-Dünnfilm besteht, der unter solchen Bedingungen gebildet wird, daß der Sprung auch dann nicht auftritt, wenn die Dicke der zweiten Kristallschicht über einem vorbestimmten Wert liegen würde. In dem Doppelfilmaufzeichnungsmedium III ist die hinzugefügte Menge von Nb in der zweiten Kristallschicht geringer als die hinzugefügte Menge von Nb in der ersten Kristallschicht. Die Beziehungen zwischen der Aufzeichnungswellenlänge und dem Wiedergabeausgangssignal für die Ausführung einer Quermagnetisierungsaufzeichnung und -wiedergabe mittels eines Ringkernkopfes aus Sendust (eingetragenes Warenzeichen) sind für jedes der Aufzeichnungsmedien in Tabelle I in FIG.12 dargestellt.

Die Tabelle II zeigt verschiedene magnetische Eigenschaften eines Aufzeichnungsmediums IV eines einzigen Films, welches einen einzigen Dünnfilm aus Co-Cr-Ta aufweist, in dem der Sprung auftritt, eines Aufzeichnungsmediums V mit einem einzigen Film, welches einen einzi gen Dünnfilm aus Co-Cr-Ta aufweist, in welchem die zugefügte Menge des Nb gering ist und der Sprung nicht auftritt, und eines Doppelfilmaufzeichnungsmediums VI,welches den zuvor beschriebenen Aufbau aufweist, in dem die erste Kristallschicht aus einem Co-Cr-Ta-Dünnfilm besteht, der unter solchen Bedingungen gebildet wird, daß der Sprung auftreten würde, wenn die Dicke der Kristallschicht über einem vorbestimmten Wert liegt, und in dem die zweite Kristallschicht aus einem Co-Cr-Ta-Dünnfilm besteht, der unter solchen Bedingungen gebildet wird, daß der Sprung auch dann nicht auftritt, wenn die Dicke der zweiten Kristallschicht über einem vorbestimmten Wert liegt. In dem Doppelfilmaufzeichnungsmedium VI ist die hinzugefügte Menge des Ta in der zweiten Kristallschicht geringer als die hinzugefügte Menge des Ta in der ersten Kristallschicht. Die Beziehungen zwischen der Aufzeichnungswellenlänge und dem Wiedergabeausgangssignal für die Durchführung der Quermagnetisie-

BAD ORIGINAL

rungsaufzeichnung und -wiedergabe mit Hilfe eines Ringkernkopfes aus Sendust(eingetragenes Warenzeichen) sind für jedes der Aufzeichnungsmedien aus Tabelle II in FIG. 13 dargestellt.

In den Tabellen I und II bezeichnen U und L je -

weils die oberen und unteren (ersten und zweiten) Kristallschichten des DoppelfilmaufZeichnungsmediums, Z die Filmdicke , Ms die Sättigungsmagnetisierung, ^HcLJL) ^die senkrechte Koerzitivkraft, Hc(//) die Koerzitivfeidstärke in Schichtebene, Mr (//) /Ms das Rechteckigkeitsverhältnis in Schichtebene , Mr(//) die remanente Magnetisierung in Schichtebene, Δ Oc₀ den Schwingkurvenhalbwert , d.h. die Halbwertsbreite der vom Analysator gelieferten Kurve der hep (hexagonal closed packed oo2- Ebene, und "JA" und "NEIN" in der Spalte "Sprung" geben an, ob der Sprung auftritt oder nicht. In den FIG. 12 und 13 sind dieselben Bezeichnungen und Zeichen benutzt wie in den Tabellen I und II , um die entsprechende^Wiedergabeausgangscharakteristiken in Abhängigkeit von der Aufzeichnungs wellenlänge der Aufzeichnungsmedien I bis VI anzuzeigen.

Wie aus der Tabelle I (siehe nächste Seite) hervorgeht, ist die Sättigungsmagnetisierung Ms des Doppelfilmaufzeichnungsmediums III größer als die Sätti gungsmagnetisierung Ms des Aufzeichnungsmediums I mit einem einzigen Film, welches den Co-Cr-Nb-Dünnfilm aufweist, in welchem der Sprung auftritt. In ähnlicher Weise ist die Sättigungsmagnetisierung Ms des Doppelfilmaufzeichnungsmediums VI größer als die Sättigungsmagnetisierung Ms des Aufzeichnungsmediums IV mit einem einzigen Film, welches den Co-Cr-Ta-Dünnfilm aufweist, in dem der Sprung auftritt. Darüber hinaus sind die Koerzitivfeidstärken Hc( I ) der Doppelfilmaufzeichnungsmedien III und VI ausreichend hoch und die

BAD ORIGINAL Tabelle I

Zusammensetzung

U

^Co83,o^Cri6,7^Nbo,3

Cum)

I

MS

893

Hc(//)

vtrun

3,66.10⁴

ΛΘ50

Sprung

I

(atjfi)

L

^Co84,1^Cr13,2^Nb2,7

o,19

II

(emu/cc)

720

Ue)

Ms

1,74.10⁴

(Grad)

Ja

II

w O ft** TJT^

o,19

II]

448

816

177

0,24

8,7

Nein

III

^Co83,o^Cri6,7^Nbo,3

Umrechnung in
SI-Einheiten

o,11

518

460

0,18

8,8

Ja

o,11

503

Hc( I )

219

0,21

8,3

7,11.10^

Ms
(A/m)

5,73.1o^A

4,48.10⁵

5,18.10⁵

: 5,03.io⁵

CO K)

tv» 00

Tabelle II

Zusammensetzung (at%)	(/um)	Ms (emu/cc)	1275	Ho(//) (0e)	Mr(//) Ms	Δ θ 50 (Grad)	Sprung
^{IV Co}84,8^Cr13,4^Ta1,8	0,20	464	1080	231	0,23	8,4	Ja
^{v C}°83,0^Cri6,7^Tao,3	0,19	520	1080	570	o,22	9,1	Netn
„, ^{U Co}83.o^Cri6.7^Tao.3	0.09	477	122	0,28	«MN	Ja
^{L Co}84,8^Cr13,4^Nb1,8	0,11

CD -P-GO K)

Umrechnung auf
SI-Einheiten

	(Mfm)	(A/ST	?A/m)
IV	4,64.10⁵	1,o15.10⁵	1,84.10⁴
V	5,20.10⁵	8,59 .1O⁴	4,54.10⁴
IV	4,77.10⁵	8,59.10⁴	0,971.10⁴

magnetischen Eigenschaften der Doppelfilmaufzeichnungsmedien HI und VI eignen sich für die Quermagnetisierungsaufzeichnung und -wiedergabe.

c Entsprechend den vom Erfinder durchgeführten Experimenten wies das Rechteckigkeitsverhältnis Mr(//)/Ms in Sohichtebene des unter den zuvor beschriebenen Bedingungen hergestellten Doppelfilmaufzeichnungsmediums einen Wert auf, der gleich oder größer als ein Minimalwert von 0,21 war.

Andererseits ist, wie aus der Wiedergabecharakteristik in Abhängigkeit von der Wellenlänge aus FIG.12 hervorgeht, das Wiedergabeausgangssignal , das mit dem Doppelfilmaufzeichnungsmedium III erhalten wird, höher als die Wiedergabeausgangssignale, die mit den Aufzeichnungsmedien I und II mit einem einzigen Film über den gesamten Aufzeichnungswellenlängenbereich erzielt werden. Insbesondere nehmen die Wiedergabeausgangssignale dieser Aufzeichnungsmedien I und II mit einem einzigen Film zwar im Bereich von 1 bis 0,2/um kurzerAufZeichnungswellenlängen zu,jedoch nimmt das Wiedergabeausgangssignal des Doppelfilmaufzeichnungsmediums III mit einer wesentlich größeren Rate zu.

Entsprechend wird deutlich, daß das Doppelfilmauf zeicnnungsmedium III insbesondere für die Quermagnetisierungsaufzeichnung und -wiedergabe im Bereich kurzer Aufzeichnungswellenlängen geeignet ist.

Ähnliche Ergebnisse wie die Ergebnisse aus FIG.12 werden für die Doppelfilmanordnung VI erzielt, wie dies aus FIG.13 hervorgeht.

Die FIG.14 und 15 zeigen jeweils M-H-Hystereseschleifen in Schichtebene der Doppelfilmaufζeichnungsmedien III und VI aus Tabellen I und II für den Fall, daß ein Magnetfeld von 1194 kA/m (15 kOe) an die Doppelfilmauf zeichnungsmedien III und VI angelegt wird.Wie

BAD ORiGiNAL

Wie aus den FIG. 14 und 15 hervorgeht, weisen jeweils die M-H-Hystereseschleifen in Schichtebene dieser Doppelfilmanordnungen III und VI einen steilen Anstieg in der Umgebung ihres Ursprungs auf, d.h. der sogenannte Sprung tritt auf. Die Sprunggröße des Doppelfilmaufzeichnungsmediums III ist größer als die Sprunggröße des Aufzeichnungsmediums I mit einem einzigen Film, welches die in FIG. 1 gezeigte M-H-Hystereseschleife in Schichtebene aufweist. In ähnlicher Weise ist die Sprunggröße des Doppelfilmaufzeichnungsmediums VI größer als die Sprunggröße des Aufzeichnungsmediums IV mit einem einzigen Film. Mit anderen Worten weiten die M-H-Hystereseschleifen in Schichtebene der Doppelfilmaufzeichnungsmedien III und VI im Vergleich zu den M-H-Hystereseschleifen in Schichtebene der übrigen Aufzeichnungsmedien mit nur einem Film jeweils in der Umgebung ihres Ursprungs einen steilen Anstieg auf und aus den FIG. 12 und 13 geht hervor, daß die Quermagnetisierungsaufzeichnungs- und -Wiedergabecharakteristiken dieser Aufzeichnungsmedien III und VI im Vergleich zu denen der Auf zeichnungsmedien mit nur einem Film außerordentlich effizient sind.

₂- Die Gründe für das Auftreten des oben beschriebenen Phänomens werden im folgenden anhand der FIG.16 näher erläutert. Wird Co-Cr-Nb oder Co-Cr-Ta (im folgenden der Einfachheit halber als Co-Cr-Nb(Ta) bezeichnet), auf eine Basisschicht 11 aus Polyimidkunstharz oder

,Q ähnlichen Kunstharzen bis auf eine Filmdicke von

angenähert 0,1 /um unter Bedingungen gesputtert, bei denen der Sprung aufträte , wenn das Co-Cr-Nb(Ta) mit einer Filmdicke über einem vorbestimmten Wert aufgesputtert würde, so kann davon ausgegangen werden,daß eine Kristallschicht 12 feiner Körnung über angenähert den gesamten Co-Cr-Nb(Ta)-Dünnfilm ausgebildet wird. Die Koerzitivfeidstärke Hc(//) dieser Kristallschicht 12 ist gering. Aus diesem Grunde ist es möglich, die

BAD ORIGINAL

Kristallschicht 12 als sogenannte Schicht hoher Permeabilität des Aufzeichnungsmediums zu benutzen, so daß die Kristallschicht 12 ähnlich der Schicht hoher Permeabilität wirkt.

Co-Cr-Nb(Ta) , das eine hinzugefügte Menge von Nb

(Ta) aufweist, die geringer als die zugefügte Menge von Nb(Ta) in der ersten Kristallschicht 12 ist, wird auf die Kristallschicht 12 auf eine Filmdicke von angenähert 0,1/um gesputtert, um eine Kristallschicht 13 grober Körnung zu bilden. Die hinzugefügte Menge von Nb (Ta) in der Kristallschicht 13 ist geringer als die hinzugefügte Menge , bei der Sprung aufträte, wenn die Co-Cr-Nb(Ta) -Schicht auf eine Filmdicke über einen vorbestimmten Wert gesputtert würde. Wird Co-Cr-Nb(Ta), welches eine geringere Menge von Nb(Ta) aufweist, als das Co-Cr-Nb(Ta), welches die erste Kristallschicht bildet, auf die Kristallschicht 12 gesputtert , so wird eine Kristallschicht feiner Körnung von Co-Cr-Nb (Ta) , die diese geringere hinzugefügte Menge von Nb (Ta) aufweist, im wesentlichen nicht in einem Grenzbereich zwischen dem die Kristallschicht 12 ausbildenden Co-Cr-Nb(Ta) und dem die Kristallschicht 13 ausbildenden Co-Cr-Nb(Ta) ausgebildet, weil das Co-Cr-Nb (Ta) ,welches sowohl die Kristallschicht 12 als auch die Kristallschicht 13 bildet, für beide Schichten bezüglich der Zusammensetzung und der Kristallstruktur ähnlich ist. Auch wenn die Kristallschicht feiner Körnung von Co-Cr-Nb(Ta) , die diese geringere hinzugefügte Menge von Nb(Ta) enthält, an dieser Grenze ausgebildet werden sollte, so kann doch davon ausgegangen werden, daß diese Kristallschicht nicht eine solche Filmdicke erreicht, daß Quermagnetisierungsaufzeichnungs- und -Wiedergabeeigenschaften beeinträchtigt würden.

Infolgedessen kann davon ausgegangen werden, daß die Kristallschicht 13 grober Körnung aus Co-Cr-Nb(Ta) unmittelbar auf der Kristallschicht 12 feiner Körnung aus Co-Cr-Nb(Ta) ausgebildet ist. Wie zuvor beschrieben

BAD ORIGINAL

wurde, weist die Kristallschicht 13 eine hohe Sättigungsmagnetisierung Ms und außerdem eine hohe Koerzitivfeidstärke Hc( I ) auf.

Darüber hinaus kann in dem Co-Cr-Nb(Ta), das die Kristallschicht 13 bildet, die hinzugefügte Menge von Nb (Ta) beliebig ausgewählt werden, ohne durch die Bedingungen eingeschränkt zu sein, mit denen der Sprung auftreten würde, wenn die Kristallschicht 13 auf FiImdicken über einem vorbestimmten Wert ausgebildet würde. Wie weiter oben beschrieben wurde, nimmt die Sättigungsmagnetisierung Ms des Co aufgrund des hinzugefügten Nb(Ta) ab, jedoch ist die Achse der leichten Magnetisierung von Co ausreichend senkrecht bezüglich des Films. Infolgedessen ist es durch eine geeignete Auswahl der zugefügten Menge von Nb(Ta) zum Co-Cr möglich, zu bewirken, daß das Co eine derartige Orientierung ' aufweist, daß die Achse der leichten Magnetisierung in ausreichendem Maße senkrecht liegt,während gleichzeitig eine hohe Sättigungsmagnetisierung Ms aufrecht erhalten wird.

Wird entsprechend eine Quermagnetisierungsaufzeichnung mittels eines Ringkernkopfes 15 bezüglich eines

_?t- Doppelfilmauf Zeichnungsmediums 14 durchgeführt, so durchdringen die Feldlinien des magnetischen Flußes vom Ringkernkopf 15 die Kristeilschicht 13 und erreichen die Kristallschicht 12. Es kann davon ausgegangen werden, daß die Lirien der magnetischen Flußes innerhalb der Kristallschicht 12, die eine isotrope Schicht geringer Koezitivfeldstärke ist, in Schichtebenenrichtung fortschreiten und sich daraufhin durch die Kristallschicht 13 in senkrechter Richtung zum Magnetpolbereich des Ringkernkopfes 15 ausbreiten, um die Kr is tall schicht 13 in senkrechter Richtung oder in Querrichtung zu magnetisieren. Auf diese Weise wird

3613432 .34-

vom magnetischen Fluß eine Magnetschleife erzeugt,die im wesentlichen U-förmig ist, wie dies in FIG.16 dargestellt ist. Entsprechend dieser Quermegnetisierungsaufzeichnung verbleibt eine große remanence Magpetisierung innerhalb der Kristallschicht 13, ca der magnetische Fluß bei einer vorbestimmten Position , an der die Quermagnetisierung ausgeführt wird, konzentriert ist und die Kristallschicht 13 mit der hohen Sätti gungsmagnetisierung Ms senkrecht durchdringt. Mit anderen Worten ist es möglich, obwohl das vom Ringkernkopf 15 erzeugte Magnetfeld beträchtliche Komponenten in Schichtebene aufweist, die Quermagnetisierungsaufzeichnung so durchzuführen, daß die remanente Magnetisierung groß ist. Es ist folglich möglich, die Effizienz der Quermagnetisierungsaufzeichnung und -wiedergabe zu verbessern.

Andererseits ist es bekannt, daß der thermische Expansionskoeffizient des Aufzeichnungsmediums ein-

PQ gestellt werden kann, indem ein oder mehrere Elemente (das sind beispielsweise Nb und/oder Ta) dem Co-Cr hinzugefügt werden. Infolgedessen kann der thermische Expansionskoeffizient des erfindungsgein^ßen Aufzeichnungsmediums eingestellt werden, da die hinzugefügte Menge des einen oder der mehreren zum Co-Cr hinzugefügten Elemente , wie zuvor beschrieben wurde, in geeigneter Weise ausgewählt werden kann, und es ist möglich, wirbelfreie Aufzeichnungsmedien einfach herzustellen.

Da ferner die Koerzitivfeldstärke Hc(//) der

Kristallschicht 12 im Vergleich zur Koerzitivfeldstärke

Hc( [__) der Kristallschicht 13 nicht außerordentlich

klein ist, wie aus den FIG. 6 und 7 hervorgeht, so wird das Barkhausen-Rauschen nicht erzeugt und es ist möglich,eine zufriednestellende Quermagnetisierungsauf zeichnung und -wiedergabe zu erzielen. Da darüber hinaus die Koerzitivfeldstärke Hc(//) der Kristallschicht 12 nicht NULL ist,sondern stattdessen im

BAD ORIGINAL

Bereich von 10 bis 220 Oe liegt, ist es möglich, eine dieser Koerzitivfeidstärke Hc(//) entsprechende Magnetisierung durchzuführen.

Wird die Quermagnetisierungsaufzeichnung bezüglich des DoppelfilmaufZeichnungsmediums 14 durchgeführt, so werden in der Kristallschicht 13, wie in der FIG. 17 dargestellt ist, eine Vielzahl von Magneten mit umgekehrten Magnetisierungsrichtungen in Übereinstimmung mit einem vorbestimmten Bitintervall erzeugt, wobei die Pfeile dieser Zeichnung die Richtungen der Magnetisierung anzeigen. Da die Kristallschicht 12 eine Koerzitivfeidstärke im Bereich von 10 bis 220 Oe aufweist, wird ein magnetischer Fluß erzeugt, der die unteren Bereiche von aneinander angrenzenden Magneten verbindet, in der Kristallschicht 12 ausgebildet, wie dies durch die Pfeile in FIG.17 angezeigt wird. Infolgedessen tritt zwischen den jeweils zueinander benachbarten Magneten in der Kristallschicht 13 kein Entmagnetisierungsphänomen auf, weil aneinandergrenzende Magnete magnetisch aneinandergekoppelt sind, und dieses Phänomen ist insbesondere zu beobachten, wenn die Dichte zwischen aneinandergrenzenden Magneten hoch ist. Infolgedessen ist es möglich,

25 ein hohes Wiedergabeausgangssignal zu erzielen.

Andererseits kann die Dicke des Aufzeichnungs mediums 14 außerordentlich klein gestaltet werden, da die Filmdicke der Kristallschicht 12 in der Größen-Ordnung von o,15/um liegt und damit außerordentlich klein ist. Infolgedessen ist die Biegsamkeit der magnetischen Schicht des Aufzeichnungsmediums 14 außerordentlich zufriedenstellend und es ist möglich,einen zufriedenstellenden Kontakt zwischen dem Ringkernkopf 15 und dem Aufzeichnungsmedium 14 (d.h.der Kristallschicht 13) herzustellen.

Darüber hinaus ist die erforderliche Sputterzeit zur Aufzeichnung des Aufzeichnungsmediums 14 wegen der außerordentlich geringen Dicke des Aufzeichnungs mediums 14 kurz und das Aufzeichnungsmedium 14 kann mit einer hohen Produktivität und unter geringen Kosten hergestellt werden.

Das Aufzeichnungsmedium der vorliegenden Erfindung ist nicht auf die zuvor beschriebenen Ausführungsbeispiele beschränkt und es können mehr als ein Element zum Co-Cr in der oberen und auch in der unteren Kristallschicht, die auf der Basisschicht ausgebildet ist, hinzugefügt werden. Jedoch muß die Menge des oder der Elemente , die dem Co und Cr in der unteren Kristallschicht hinzugefügt werden, geringer sein als die Menge des oder der dem Co-Cr in der unteren Kristallschicht hinzugefügten Elements bzw. Elemente. Die dem Co und Cr in den Materialien , die die obere und die untere Kristallschicht bilden, hinzugefügt werden, sind nicht auf Nb oder Ta beschränkt, und das Element bzw. die Elemente, die den: Co und Cr in der unteren Schicht hinzugefügt wird bzw. werden, sind nicht notwendigerweise identisch mit dem bzw. den zum Co und Cr in der oberen Kristallschicht hinzugefügten Element bzw. Elementen, Darüber hinaus kann auch beispielsweise Nb dem Co und Cr in der unteren Kristallschicht hinzugefügt werden, während Nb und Ta dem Co und Cr in der oberen Kristallschicht hinzugefügt werden.

Die vorliegende Erfindung,d.h.das erfindungsgemäße Quermagnetisierungsaufzeichnungsmedium ist nicht auf die beschriebenen Ausführungsbeispiele beschränkt, sondern es sind stattdessen zahlreiche Abwandlungen

,c und Änderungen denkbar,ohne von der Erfindungsidee abzuweichen oder den Schutzumfang der vorliegenden Erfindung zu verlassen.

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Claims

Patentansprüche

1. Quermagnetisierungsanfzeichnungsmedium, auf dem ein Signal aufgezeichnet ist und von dem das Signal mit einem Magnetkopf wiedergegeben wird, wobei das Quermagnetisierungsaufzeichnungsmedium eine Aufzeichnungsmediumbasisschicht, eine untere Schicht, die auf dieser Aufzeichnungsmediumbasisschicht ausgebildet ist, und eine obere Schicht aufweist, die auf dieser unteren Schicht ausgebildet ist, dadurch gekenn ze ichnet, daß die untere Schicht (12) aus einem ersten Material hergestellt ist, das Kobalt, Chrom und ein oder mehrere von Kobalt und Chrom verschiedene Elemente aufweist, daß die obere Schicht (13) aus einem zweiten .Material hergestellt ist, das Kobalt,Chrom und eines oder mehrere von Kobalt und Chrom verschiedene Elemente aufweist, und daß die Menge des einen oder der mehreren Elemente , die dem Kobalt und Chrom, welche dieses zweite Material bilden, hinzugefügt ist bzw. sind, geringer als die Menge des einen oder der mehreren

20 Elemente ist, die dem das erste Material bildenden Kobalt und Chrom hinzugefügt sind.

2. Quermagnetisierungsaufzeichnungsmedium nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß dieses eine oder diese mehreren Elemente, die dem Kobalt und dem Chrom hinzugefügt wird, welche Jedes Material, das erste und zweite Material, bilden, zumindest ein Element von Niob und Tantal aufweist bzw. aufweisen.

3. Quermagnetisierungsaufzeichnungsmedium nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Material Kobalt,Chrom und Niob enthält, welches mit einer Menge im Bereich von 2 bis 10 at% hinzugefügt ist.

4.Quermagnetisierungsaufzeichnungsmedium nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Material Kobalt,Chrom und Tantal aufweist, welches mit einer Menge im Bereich von 1 bis 10 at% hinzugefügt ist.

5.Quermagnetisierungsaufzeichnungsmedium nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die untere Schicht (12) eine Koerzitivfeidstärke in Schichtebene in einem Bereich von 79,58 bis 1,75 x10 A/m (10 bis 220 Oe) und eine Dicke von o,15/um oder weniger aufweist.

6.Quermagnetisierungsaufzeichnungsmedium nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die untere Schicht (12) eine Koerzitivfeidstärke in Schichtebene in einem Bereich von 79,58 bis 1,75x10 A/m (10 bis 220 Oe) aufweist und daß ein Rechteckig keitsverhältnis in Schichtebene einer M-H-Hysteresekennlinie in Schichtebene der unteren und oberen Schichten (13,12) insgesamt 0,21 oder mehr beträgt.

7.Quermagnetisierungsaufzeichnungsmedium nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die obere und untere Schicht (13,12) eine magnetische Schicht des Quermagnetisierungsaufzeichnungsmediums bilden und daß diese magnetische Schicht eine M-H Hystereseschleife in Schichtebene aufweist, die in der Umgebung ihres Ursprungs einen steilen Anstieg aufweist.

8.Quermagnetisierungsaufzeichnungsmedium nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Magnetkopf ein Ringkernkopf (15) ist.

9.Quermagnetisierungsaufzeichnungsmedium nach Anspruch 8» dadurch gekennzeichnet, daß dieser Ringkernkopf (15) aus einem magnetischen Metallsystemmaterial, wie beispielsweise Sendust gefertigt ist.

10.Quermagnetisierungsaufzeichnungsmedium nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die obere und die untere Schicht (13»12) eine magnetische Schicht des Quermagnetisierungsaufzeichnungsmediums bilden und daß diese magnetische Schicht eine Dicke von o,3/um oder weniger aufweist.

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