DE3607414C2 - - Google Patents
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine geregelte Hoch
spannungsversorgungsquelle gemäß der im Oberbegriff
des Patentanspruchs 1 beschriebenen Art und insbesondere
auf eine solche geregelte Hochspannungsversorgungsquel
le, die eine Oszillatorschaltung mit abgestimmtem Kol
lektorkreis zur Lieferung einer stabilisierten Hoch
spannung zur Lieferung einer stabilisierten Hoch
spannung durch Steuerung des Basisstroms eines Schwin
gungstransistors der Oszillatorschaltung enthält.
Eine konventionelle geregelte Hochspannungsquelle der ge
nannten Art ist in Fig. 2 dargestellt und bereits in der
japanischen Patentanmeldung 6 182/1983 bzw. in dem am
30. November 1984 veröffentlichten Patentauszug 1 32 776/
1984 beschrieben worden. Gemäß der Fig. 2 weist die
Hochspannungsversorgungsquelle 10 eine Oszillatorschal
tung 3 mit abgestimmten Kollektorkreis, geerdetem
Emitterkreis sowie einem Rückkopplungskondensator C 2,
einem Schwingungstransistor TR 4 und dgl. und eine Steuer
schaltung 2 zur Steuerung des Basisstroms des Schwin
gungstransistors TR 4 auf. Die Hochspannungsversorgungs
quelle 10 enthält weiterhin eine Widerstandsschaltung
4 zur Lieferung des Basisstromes für den Schwingungs
transistor TR 4 in Abhängigkeit des Ausgangssignals der
Steuerschaltung 2 sowie eine Schutzschaltung 5 mit einem
Schutztransistor TR 3, der zum Teil das Ausgangssignal
von der Widerstandsschaltung 4 empfängt, um das Ausgangs
signal der Steuerschaltung 2 zu dämpfen bzw. zu schwä
chen, wenn der Ausgang im Bereich einer Last RL kurzgeschlossen ist.
Bei Inbetriebnahme der Hochspannungsver
sorgungsquelle liegt an der Eingangsklemme für die ne
gative Phase (-) des Vergleichsverstärkers AMP inner
halb der Schaltung 6 mit negativer Rückkopplung
ein niedriger Eingangssignalpegel. Der Ausgang der
Schaltung 6 mit negativer Rückkopplung steigt
daher in Richtung auf einen hohen Pegel an, so daß die
Ausgangsspannung V a an einem Ausgangspunkt P 1 der Steuer
schaltung 2 ebenfalls ansteigt. Die Anstiegsgeschwindigkeit der
Betriebsspannung Vb an der Verbindung P 2 ist geringer als
die der Ausgangsspannung Va, und zwar aufgrund der Wirkung
eines Verzögerungskondensators C 5.
Ist der Hochspannungsausgang kurzgeschlossen, so wird
die Schwingung soweit geschwächt bzw. gedämpft, daß die
Spannung Vc an einer Verbindung P 3 zwischen dem Rück
kopplungskondensator C 2 und dem Widerstand R 7 zur
Schwingungsstabilisierung ansteigt, wodurch die Betriebs
spannung Vb an der Verbindung P 2 ebenfalls ansteigt.
Das bedeutet, daß der Schutztransistor TR 3 leitend wird,
um die Ausgangsspannung Va der Steuerschaltung 2 zu
vermindern. Die verminderte Ausgangsspannung Va nimmt
einen Wert an, der kleiner als die Zenerspannung Vz der
Zenerdiode ZD ist. Die Zenerdiode ZD wird daher nicht
leitend, so daß kein wesentlicher Basisstrom zum Schwin
gungstransistor TR 4 geliefert wird. Die Schwingung der
Oszillatorschaltung 3 wird somit beendet. Obwohl zu
sätzlich noch ein geringer Basisstrom über den ersten
Widerstandsschaltungsteil 41 zum Schwingungstransistor
TR 4 fließt, wird der Schwigungsvorgang der Oszillator
schaltung trotzdem nicht neu eingeleitet, da der Hochspan
nungsausgang kurzgeschlossen ist. Die Hochspannungsver
sorgungsquelle 10 ist somit bei einem Kurzschluß des
Hochspannungsausgangs wirksam geschützt.
Ist der Kurzschluß am Hochspannungsausgang aufgehoben
worden, so treten zunächst in der Oszillatorschaltung 3
kleine Schwingungen auf, und zwar aufgrund des kleinen
Basisstromes, der durch den ersten Widerstandsschaltungs
teil 41 fließt. Dadurch wird die Spannung Vc am Rückkopp
lungskondensator C 2 abgesenkt, so daß der Schutztransistor
TR 3 in seinen nichtleitenden Zustand überführt
wird. Da die Anstiegsgeschwindigkeit der Betriebsspannung Vb an der
Verbindung P 2 geringer ist als die der Ausgangsspannung
Va der Steuerschaltung 2, wie bereits beschrieben,
wird der Schutztransistor TR 3 nicht in seinen Betriebszu
stand überführt, während die Zenerdiode ZD ihren leitenden
Zustand einnimmt. Das bedeutet, daß der Schwingungstran
sistor TR 4 wieder mit dem erforderlichen Basisstrom
versorgt wird, so daß die Oszillatorschaltung 3 mit
glattem Übergang wieder zu schwingen beginnen kann.
Die Hochspannungsversorgungsquelle 10 kann daher wieder
einen Zustand einnehmen, bei dem an ihrem Ausgang eine
vorbestimmte Hochspannung anliegt.
Im nachfolgenden wird der Einsatz der Hochspannungsver
sorgungsquelle beispeilsweise in einem elektrofotogra
fischen Kopiergerät näher beschrieben, bei dem der Hoch
spannungsausgang der Hochspannungsversorgungsquelle 10
mit einer Ladestation verbunden ist und entladen wird,
um die Oberfläche einer fotoempfindlichen Trommel aufzula
den.
Ist beispielsweise das Kopierpapier in dem Kopiergerät
eingeklemmt, so kann es passieren, daß statt der normalen
Koronaentladung eine Funkenentladung auftritt. Bei einer
derartigen Funkenentladung wird der Schutztransistor TR 3
in einem Zustand leitend, der dem zuvor erwähnten Zustand
entspricht, in dem der Ausgang der Hochspannungsversor
gungsquelle im Bereich der Last RL kurzgeschlossen ist
und der zur Oszillatorschaltung 3 gelieferte Strom zum
größten Teil abgeschnitten wird, so daß die Schwin
gung der Oszillatorschaltung 3 beendet und die Entladung
des Hochspannungsausgangs unterbrochen wird.
Solange allerdings die Funkenentladung andauert, wird
der Ausgang der Hochspannungsversorgungsquelle in kur
zen Zeitabständen kurzgeschlossen, so daß insbesondere
der Schutztransistor TR 3 in kurzen Zeitperioden von sei
nem leitenden Zustand in seinen nichtleitenden Zustand
überführt wird, da die gespeicherte Ladungsmenge im Ver
zögerungskondensator C 5 relativ klein ist. Der leitende
Schutztransistor TR 3 wird also sofort nichtleitend, so
daß erneut Strom zur Oszillatorschaltung 3 geführt wird,
die daraufhin zu schwingen beginnt, was eine erneute
Funkenentladung zur Folge hat. Ein derartiger inter
mittierender Betrieb wird innerhalb einer kurzen Zeitperio
de mehrmals wiederholt, so daß die Entladungsenergie
pro Zeiteinheit ansteigt, was zum Durchbrennen des Ko
pierpapiers führt und damit die Feuergefahr erhöht.
Durch derart starke Entladungen besteht darüber hinaus die
Gefahr, daß in der Nähe der Hochspannungsversorgungsquel
le 10 angeordnete Schaltungen beschädigt werden, bei
spielsweise zerbrechen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Hoch
spannungsversorgungsquelle der eingangs genannten Art
so weiterzubilden, daß bei Entladung ihres Hochspan
nungsausgangs die Entladungsenergie pro Zeiteinheit herab
gesetzt wird.
Die Lösung der gestellten Aufgabe ist im kennzeichnenden
Teil des Patentanspruchs angegeben.
Durch die Erfindung wird somit erreicht, daß der Schwin
gungsbeginn der Oszillatorschaltung sofort nach Besei
tigung des Kurzschlusses der Last zunächst verzögert
wird. Bei Einsatz der Hochspannungsversorgungsquelle in
nerhalb eines elektrofotografischen Kopiergerätes kann
somit die Entladungsenergie pro Zeiteinheit am Hoch
spannungsausgang im Fall einer Funkenentladung erheblich
reduziert werden, so daß das elektrofotografische Ko
piergerät im Falle eingeklemmten Papiers gegen Entflam
mung des Papiers geschützt ist.
Die Zeichnung stellt neben dem Stand der Technik ein Aus
führungsbeispiel der Erfindung dar. Es zeigt
Fig. 1 ein elektrisches Schaltdiagramm einer Hochspan
nungsversorgungsquelle nach der Erfindung, und
Fig. 2 ein elektrisches Schaltdiagramm einer bekannten
stabilisierten Hochspannungsversorgungsquel
le.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird
nachfolgend anhand der Fig. 1 näher beschrieben. Die Fig. 1
zeigt dabei den elektrischen Schaltungsaufbau der
Hochspannungsversorgungsquelle, wobei gleiche Elemente
wie in Fig. 2 mit gleichen Bezugszeichen versehen sind.
Eine Hochspannungsversorgungsquelle 100 umfaßt eine Os
zillatorschaltung 3 mit abgestimmtem Kollektorkreis,
geerdetem Emitterkreis, einem Rückkopplungskondensator
C 2 und einem Schwingungstransistor TF 4, sowie
eine Steuerschaltung 2 zur Steuerung des Basisstromes
der Oszillatorschaltung 3. Die Hochspannungsversorgungs
quelle 100 enthält ferner eine Widerstandsschaltung 4
zur Lieferung des Basisstromes zum Schwingungstransistor
TR 4 in Abhängigkeit des Ausgangssignals der Steuer
schaltung 2, eine Schutzschaltung 5 mit einem Schutz
transistor TR 3, der zum Teil das Ausgangssignal von der
Widerstandsschaltung 4 zur Schwächung des Ausgangssigna
les der Steuerschaltung 2 empfängt, wenn ein Kurzschluß
im Bereich einer Last RL auftritt, eine Schaltung 51 zur
Bildung einer Zeitkonstanten, die Kondensatoren C 51, C 52,
Widerstände R 51, R 52 und eine Diode D 51 umfaßt, eine
Schaltung 6 mit negativer Rückkopplung, sowie
eine Ausgangsschaltung 7.
Die Widerstandsschaltung 4 enthält einen ersten Wider
standsschaltungsteil 41 mit hohem Widerstandswert, und
einen zweiten Widerstandsschaltungsteil 42 mit einer
Zenerdiode ZD. Der erste Widerstandsschaltungsteil 41
wird durch eine Mehrzahl von in Reihe geschalteten Wider
ständen R 3 und R 4 gebildet, wobei die Verbindung P 2 zwi
schen den Widerständen R 3 und R 4 mit der Anode der Diode
D 51 der Zeitkonstantenschaltung 51 verbunden ist, wie
nachfolgend noch genauer beschrieben wird. Die
Schaltung 6 mit negativer Rückkopplung dient zur Rück
führung des Ausgangs vom Widerstand R 9 der Ausgangsschal
tung 7 über eine Leitung, die in Fig. 1 mit dem Pfeil A
bezeichnet ist, um auf diese Weise den Betrieb der Steuer
schaltung 2 zu beeinflussen. Die Ausgangsschaltung 7 er
zeugt ein Hochspannungs
ausgangssignal,
welches der Last RL zugeführt wird. Eine
Eingangsklemme V ein liegt an einer
Gleichspannungsquelle, die nicht dargestellt
ist. Die Hochspannung liegt ausgangsseitig an einer Aus
gangsklemme V aus an, mit der die Last RL verbunden ist.
Die Oszillatorschaltung 3 enthält einen Schwingungstran
sistor TR 4, einen Rückkopplungskondensator C 2, einen
Widerstand R 7 zur Schwingungsstabilisierung, eine Wick
lung L 3 zur positiven Rückkopplung, einen Abstimm
kondensator C 3 und eine niederspannunsseitige Primär
wicklung L 1 eines Hochspannungstransformators T. Der er
ste Widerstandsschaltungsteil 41 in der Widerstandsschal
tung 4 dient nicht in erster Linie zur Lieferung des Ba
sisstromes zum Schwingungstransistor TR 4 der Oszillator
schaltung 3, sondern zur Bildung einer Kurzschlußdetek
torschaltung, mit deren Hilfe festgestellt werden kann,
ob der Hochspannungsausgang der Hochspannungsversorgungs
quelle kurzgeschlossen ist oder nicht. Die Widerstände
R 3 und R 4 weisen daher relativ hohe Widerstandswerte auf.
Der zweite Widerstandsschaltungsteil 42 der Widerstands
schaltung 4 dient im wesentlichen dazu, den zuvor erwähn
ten Basisstrom zur Verfügung zu stellen, wobei der Wi
derstand R 5 einen relativ niedrigen Widerstandswert auf
weist. Die Schaltung 6 mit negativer Rückkopplung
enthält einen Vergleichsverstärker AMP. Die Eingangsklem
me für die negative Phase (-) des Vergleichsverstärkers
AMP ist mit dem Ausgang des Detektorwiderstandes R 9 über
die Leitung A verbunden, während die Eingangsklemme für
die positive Phase (+) des Vergleichsverstärkers AMP mit
dem Ausgang einer Referenzspannungsquelle E 1 verbunden
ist. Die Ausgangsschaltung 7 enthält eine hochspannungs
seitige Sekundärwicklung L 2 des Hochspannungstransforma
tors T, eine Gleichrichterdiode D 1, einen Glättungskon
densator C 4 und einen Widerstand R 8 zur Verhinderung
einer Funkenentladung. Zusätzlich ist zwischen der Ver
bindung P 2 zwischen den Widerständen R 3 und R 4, die den
ersten Widerstandsschaltungsteil 41 bilden, und einem
geerdeten Punkt P 4 ein erster Verzögerungskondensator
C 5 vorhanden, so daß die Anstiegszeit der Betriebsspannung
Vb für den Schutztransistor TR 3 an der Verbindung P 2 im
Vergleich zur Anstiegszeit der Ausgangsspannung Va der
Steuerschaltung 2 verzögert wird.
Insoweit entspricht der Aufbau dem in Fig. 2 dargestellten
Schaltungsaufbau, während zusätzlich die Spannungsver
sorgungsquelle nach Fig. 1 bzw. nach der Erfindung zwi
schen der Verbindung P 2 zwischen den Widerständen R 3 und
R 4 zur Bildung des ersten Widerstandsschaltungsteils 41
und dem Schutztransistor TR 3 eine Rückstrom- Unterdrüc
kungsdiode D 51 zur Lieferung eines Vorwärtsstromes zur
Basis des Schutztransistors TR 3 sowie der Zeitkonstanten
schaltung enthält, die durch einen zweiten Verzögerungs
kondensator C 51 zur Verzögerung der Zeit, zu der der
Schutztransistor TR 3 ausgehend von seinem leitenden Zu
stand in seinen nichtleitenden Zustand übergeht, einen
Überbrückungs- bzw. Nebenschlußkondensator C 52 zur Um
leitung induzierten Rauschens des Hochspannungstrans
formators T usw., und durch Entladewiderstände R 51 und
R 52 zur Bildung von Entladungswegen für die im zweiten
Verzögerungskondensator C 51 gespeicherte Ladung aufge
baut ist.
Im nachfolgenden wird die Wirkungsweise der in Fig. 1
dargestellten Hochspannungsversorgungsquelle näher be
schrieben. Wird die Hochspannungsversorgungsquelle 100
eingeschaltet, so sinkt der Eingangspegel bzw. Eingangs
signalpegel an der Eingangsklemme für die negative Phase
(-) des Vergleichsverstärkers AMP der Schaltung 6
mit negativer Rückkopplung ab. Das hat zur Folge,
daß der Ausgang der Schaltung 6 mit negativer
Rückkopplung in Richtung auf einen hohen Signal
pegel ansteigt, so daß die Ausgangsspannung Va am aus
gangsseitigen Punkt P 1 der Steuerschaltung 2 ebenfalls
ansteigt. Die Anstiegsgeschwindigkeit der Ausgangsspannung
Va ist größer als die der Betriebsspannung Vb an der Ver
bindung P 2. Dies liegt daran, daß der erste Verzögerungs
kondensator C 5 zwischen der Verbindung P 2 und dem geer
deten Potentialpunkt P 4 liegt. Die Ausgangsspannung Va
an der Verbindung P 1 wird daher auf einen Pegel ange
hoben, der ausreicht, die Zenerdiode ZD in ihren leiten
den bzw. durchgeschalteten Zustand zu bringen, und
zwar bevor die Betriebsspannung Vb an der Verbindung P 2
auf einen vorbestimmten Wert angestiegen ist, um den
Schutztransistor TR 3 in seinen leitenden Zustand zu brin
gen bzw. durchzuschalten. Im Ergebnis bedeutet dies,
daß die Basis des Schwingungstransistors TR 4 mit dem
Basisstrom versorgt wird, so daß die Oszillatorschaltung
3 ihren Schwingungszustand einnehmen kann. Nimmt die
Oszillatorschaltung 3 ihren normalen Schwingungszustand
ein, so befindet sich die Ausgangsspannung Va am Ausgangs
punkt P 1 der Steuerschaltung 2 auf einem Wert, der höher
ist als die Zenerspannung der Zenerdiode ZD, so daß der
Basisstrom kontinuierlich zum Schwingungstransistor TR 4
geliefert wird. Ferner befindet sich dann die Betriebs
spannung Vb an der Verbindung P 2 auf einem Wert, der
unterhalb der Basisspannung im leitenden Zustand des
Schutztransistors TR 3 ist, so daß der Schutztransistor
TR 3 sich nicht im leitenden Zustand befindet bzw. ausge
schaltet ist.
Wird jedoch der Hochspannungsausgang der Ausgangsschal
tung 7 kurzgeschlossen, so wird die Schwingung der Os
zillatorschaltung 3 gedämpft bzw. geschwächt, wodurch
die Spannung Vc an der Verbindung P 3 zwischen dem Rück
kopplungskondensator C 2 und dem Widerstand R 7 zur
Schwingungsstabilisierung ansteigt, was zur Folge hat,
daß auch die Betriebsspannung Vb an der Verbindung P 2
ansteigt. In diesem Fall fließt ein Strom zur Diode D 51
der Zeitkonstantenschaltung 51, so daß der Schutztran
sistor TR 3 seinen leitenden Zustand einnimmt, um die
Ausgangsspannung Va der Steuerschaltung 2 zu vermin
dern. Die verminderte Ausgangsspannung Va nimmt dann einen
Wert an, der kleiner als die Zenerspannung Vz der Zener
diode ZD ist. Die Zenerdiode ZD nimmt daher ihren nicht
leitenden Zustand ein, so daß praktisch kein Basisstrom
mehr zum Schwingungstransistor TR 4 geliefert wird und
die Oszillatorschaltung 3 aufhört zu schwingen. Auf diese
Weise wird die Stromversorgungsquelle 100 gegen Kurz
schlüsse ihres Hochspannungsausgangs geschützt.
Ist der Kurzschluß am Hochspannungsausgang der Hoch
spannungsversorgungsquelle 100 beseitigt, so erzeugt die
Oszillatorschaltung 3 erneut kleine Schwingungen auf
grund des geringen Basisstroms, der durch den ersten Wi
derstandsschaltungsteil 41 hindurchfließt. Hierdurch
wird die Spannung Vc des Rückkopplungskondensators C 2
vermindert. Entsprechend wird das Potential an der Ver
bindung P 2 ebenfalls vermindert, so daß die Diode D 51
ihren nichtleitenden Zustand einnimmt. Da jedoch die Zeit
konstantenschaltung 51 eine bestimmte Entladungszeitkon
stante aufweist, die durch den zweiten Verzögerungs
kondensator C 51 und die Entladungswiderstände R 51 und
R 52 bestimmt ist, wird aus diesem Grunde der Schutztran
sistor TR 3 nicht sofort in seinen nichtleitenen Zustand
überführt, nachdem das Potential an der Verbindung P 2
abgenommen hat. Mit anderen Worten wird der Schutztran
sistor TR 3 nicht in seinen nichtleitenden Zustand überführt,
bis die gespeicherte Ladung im zweiten Verzöge
rungskondensator C 51 über die Entladungswiderstände R 51
und R 52 entladen ist und die Basisspannung bzw. das Ba
sispotential des Schutztransistors TR 3 auf einen bestimm
ten, dem nichtleitenden Zustand entsprechenden Pegel
zurückgekehrt ist.
Die Diode D 51 dient dabei zur Verhinderung eines Rück
wärtsstromes zur Verbindung P 2 bei der Entladung des
zweiten Verzögerungskondensators C 51. Der Kondensator
C 51 soll also nicht über die Verbindung P 2 entladen wer
den. Der erste Verzögerungskondensator C 5 hat aber die
Aufgabe, die Betriebsspannung Vb an der Verbindung P 2 zu
glätten, so daß auf diese Weise der Betrieb des Schutz
transistors TR 3 stabilisiert wird.
Hat der Schutztransistor TR 3 seinen nichtleitenden Zu
stand angenommen, so wird der bereits zuvor beschriebene
Betrieb durchgeführt. Wie bereits erwähnt, ist die An
stiegsgeschwindigkeit der Betriebsspannung Vb an der Ver
bindung P 2 geringer als diejenige der Ausgangsspannung
Va der Steuerschaltung 2, so daß daher der Schutztransi
stor TR 3 nicht in Betrieb bzw. ausgeschaltet ist und
die Zenerdiode ZD ihren leitenden Zustand einnimmt. Dem
zufolge wird der Basisstrom wieder zum Schwingungstran
sistor TR 4 geleitet, so daß die Oszillatorschaltung 3
bei gleichmäßigem Übergang wieder ihren Schwingungsbetrieb
aufnehmen kann.
Der Detektorwiderstand R 9 im vorhandenen Ausführungsbei
spiel kann durch eine Detektorspule ersetzt werden, die
magnetisch mit der entsprechenden Wicklung des Hochspan
nungstransformators T gekoppelt ist, um eine Steuerschal
tung mit negativer Rückkopplung für ein magnetisches
Regelsystem zu bilden. Ferner kann die Konstantspannungs
quelle durch eine Konstantstromquelle oder durch eine
AC- bzw. Wechselstromquelle mit ausgangsseitiger Hoch
spannung ersetzt werden. Befindet sich die Zeitkonstanten
schaltung 51 im beschriebenen Ausführungsbeispiel an
einer Position, die hinreichend weit von einem Bereich
entfernt liegt, in dem durch den Hochspannungstransfor
mator T usw. verursachte Induktionserscheinungen auf
treten, so kann der Überbrückungs- bzw. Nebenschluß
kondensator C 52 auch fortgelassen werden, da dann die
Zeitkonstantenschaltung 51 keinem magnetischen Einfluß
bzw. keiner Induktion mehr unterworfen ist. Darüber
hinaus kann die Gleichrichterdiode D 1 der Augangsschal
tung 7 auch in umgekehrter Richtung wie in Fig. 1 darge
stellt geschaltet sein, um einen negativen DC- bzw. Gleich
spannungsausgang zu liefern.
Claims (2)
- Schaltungsanordnung zur Erzeugung einer geregelten Hochspannung
- - mit einem Meißner-Transistoroszillator mit induktiv ausgekoppelter, gleichgerichteter und geglätteter Ausgangsspannung,
- - wobei die Regelung durch Beeinflussung des RC-Gliedes im Basiskreis des Oszillatortransistors erfolgt, dessen Emitter mit dem Kondensator des RC-Gliedes und mit Masse verbunden ist,
- - wobei der ohmsche Teil des RC-Gliedes aus der Parallelschaltung eines hochohmigen Spannungsteilers und einer mit einem niederohmigen Widerstand in Reihe liegender Zenerdioden besteht, zu der ein steuerbarer Widerstand in Reihe an der Eingangsspannung liegt,
- - wobei der Wert des steuerbaren Widerstandes abhängig ist vom Ausgangssignal eines den Soll- und Istwert der Ausgangsspannung vergleichenden Komparatorverstärkers,
- - mit einem ersten Verzögerungskondensator, der zwischen einem Abgriff des hochohmigen Spannungsteilers und Masse liegt,
- - und dessen Spannung einen Schutztransistor steuert, dessen Kollektor mit dem Steueranschluß des steuerbaren Widerstandes verbunden ist, so daß abhängig von der Spannung am Verzögerungskondensator ein Teil des dem steuerbaren Widerstand zugeführten Steuersignals abgeleitet wird,
- dadurch gekennzeichnet, daß
- - zwischen dem ersten Verzögerungskondensator (C 5) und der Basis des Schutztransistors (TR 3) eine Zeitkonstantenschaltung (51) angeordnet ist, die eine Diode aufweist, der ein zweiter Verzögerungskondensator (C 51) nachgeschaltet ist, zu dem zwei serielle Entladewiderstände (R 51, R 52) parallel liegen, deren Mittelabgriff mit der Basis des Schutztransistors (TR 3) verbunden sind.
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