DE3546208A1 - Monolithisch integrierte steuerschaltung hohen wirkungsgrades fuer die umschaltung von transistoren - Google Patents

Monolithisch integrierte steuerschaltung hohen wirkungsgrades fuer die umschaltung von transistoren

Info

Publication number
DE3546208A1
DE3546208A1 DE19853546208 DE3546208A DE3546208A1 DE 3546208 A1 DE3546208 A1 DE 3546208A1 DE 19853546208 DE19853546208 DE 19853546208 DE 3546208 A DE3546208 A DE 3546208A DE 3546208 A1 DE3546208 A1 DE 3546208A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistor
terminal
connection
control circuit
control
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19853546208
Other languages
English (en)
Other versions
DE3546208C2 (de
Inventor
Carlo Cornaredo Mailand/Milano Cini
Claudio Diazzi
Pietro Mailand/Milano Erratico
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
STMicroelectronics SRL
Original Assignee
SGS Microelettronica SpA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SGS Microelettronica SpA filed Critical SGS Microelettronica SpA
Publication of DE3546208A1 publication Critical patent/DE3546208A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3546208C2 publication Critical patent/DE3546208C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/04—Modifications for accelerating switching
    • H03K17/041—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit
    • H03K17/0412—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
    • H03K17/04126—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in bipolar transistor switches
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/60—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
    • H03K17/66—Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will
    • H03K17/665—Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will connected to one load terminal only

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)

Description

Beschreibung
Die Erfindung betrifft eine Steuerschaltung für die Umschaltung von Transistoren und insbesondere eine monolithisch integrierte Steuerschaltung für die Umschaltsteuerung von bipolaren oder auch Feldeffekt-Transistoren, die beispielsweise in Tonaufnahme- oder Tonwiedergabevorrichtungen verwendet werden können.
Steuerschaltungen für die Umschaltung von Leistungstransistoren haben im allgemeinen eine Endstufe, die im Gegentakt arbeitet, um mit hohem Wirkungsgrad der Last einen Stromfluß liefern zu können, der zu unterschiedlichen Zeiten entgegengesetzte Richtungen haben kann. Auf diese Weise kann man hohe Umschaltgeschwindigkeiten erzielen, indem man beispielsweise das Ausschalten der Transistoren mittels Herausziehens der in ihnen gespeicherten Ladungen beschleunigt.
Figur 1 zeigt das bekannte Schaltungsschema dieser Bauart, das allgemein gebräuchlich ist, um sowohl bipolare als auch Feldeffekt - Transistoren zu steuern.
Die Schaltung hat einen ersten bipolaren NPN-Transistor Ql, dessen Basisanschluß über einen ersten Widerstand Rl mit einer Umschal tsignalquel Ie SW verbunden ist.
Der Emitteranschluß dieses Transistors ist an den negativen Pol -V einer Speisespannungsquelle angeschlossen, während der KoI-1ektoranschluß über einen Konstantstromgenerator Al mit dem positiven Pol +V dieser Speisespannungsquelle verbunden ist.
Die Schaltung hat außerdem einen zweiten bipolaren NPN-Transistor Q2 und einen dritten bipolaren NPN-Transistor Q3.
Der Basisanschluß des Transistors Q2 ist mit dem Kollektoranschluß des Transistors Ql verbunden, während der Emitteranschluß von Q2 mit dem Basisanschluß des Transistors Q3 verbunden ist.
Die Kollektoranschlüsse der beiden Transistoren Q2 und Q3 sind beide an den positiven Pol +V angeschlossen.
Mit dem Emitteranschluß des Transistors Q2 ist die Anode und mit dem Basisanschluß von Q2 ist die Kathode einer ersten Diode Dl verbunden.
Mit dem Emitteranschluß des Transistors Q3 ist die Anode und mit dem Basisanschluß von Q3 ist die Kathode einer zweiten Diode D2 verbunden.
Zwischen den Emitteranschluß und den Basisanschluß des Transistors Q3 ist ein zweiter Widerstand R2 eingesetzt. Der Emitteranschluß des Transistors Q3 bildet den Ausgangsanschluß OUT der Schaltung.
Nachstehend wird die Funktion der in Figur 1 gezeigten Schaltung untersucht.
Die von der Umschaltsignalquelle SW gelieferten Umschaltsignale bestimmen übergänge der Spannung Vjn, die über den Widerstand Rl an den Basisanschluß des Transistors Ql angelegt und beispielsweise auf das Potential des negativen Poles ~V'CC bezogen ist, von einem hohen Pegel zu einem niedrigen Pegel und umgekehrt.
Wenn der Pegel der Spannung Vt^ hoch ist, arbeitet der Transistor Ql bei Sättigung und nimmt den gesamten Strom auf, der von dem Generator Al geliefert wird, wodurch der Tranistor Q2 und damit auch der Transistor Q3 gesperrt bleibt, welcher damit keinen Strom an die Last abgibt.
• * ι
Da der Transistor Q3 gesperrt ist, ist der Pegel der Spannung V0UT am Ausgangsanschluß, bezogen auf das Potential des negativen Poles -V , niedrig.
Die Dioden Dl und D2 gestatten während der ausgeschalteten Phase den Abzug von Ladungen von der mit dem Ausgangsanschluß verbundenen und in der Figur nicht gezeigten Last, die insbesondere ein Leistungstransistor sein kann.
Wenn der Pegel der Spannung Vj., aufgrund eines von der Signalquelle SW abgegebenen Umschaltsignales sinkt, wird der Transistor Ql abgeschaltet, so daß der gesamte, von dem Generator Al gelieferte Strom an den Transistor Q2 abgegeben wird, der in den leitenden Zustand eintritt. Auch der von dem Transistor Q2 gesteuerte Transistor Q3 beginnt zu leiten, wodurch er Strom an die Last liefert, die mit dem Ausgangsanschluß OUT verbunden ist. Der Pegel der Spannung VQ|jT am Ausgang steigt, sobald der Transistor Q3 nicht mehr gesperrt ist.
Die Dimensionierung des Konstantstromgenerators Al ist so ausgelegt, daß sich ein Stromfluß einstellt, der nicht nur ausreichend ist, um schnell den leitenden Zustand der zuvor gesperrten Transistoren Q2 und Q3 herbeizuführen, sondern auch, um eine schnelle Umschaltung des Transistors Ql vom Sättigungszustand in den Sperrzustand aufgrund einer schnellen Aufladung der äquivalenten Kapazität zwischen Kollektor und Emitter dieses Transistors zu gestatten.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine monolithisch integrierte Steuerschaltung für die Umschaltung von Leistungstransistoren zu schaffen, deren Gesamtwirkungsgrad größer ist als bei den bekannten Steuerschaltungen.
Diese Aufgabe wird bei der Steuerschaltung der angegebenen Gattung erfindungsgemäß durch das Kennzeichen des Patentanspruchs 1 gelöst.
Vorteilhafte Weiterbildungen ergeben sich aus den Unteransprüchenund aus der folgenden Beschreibung eines Ausführungsbeispiels, das in der Zeichnung dargestellt ist.
Es zeigen:
Figur 1 das Schaltungssehema einer bekannten Steuerschaltung,
die oben bereits beschrieben wurde und zur Umschaltung
von Leistungstransistoren dient,
Figur 2 das Schaltungsschema einer Steuerschaltung gemäß der
Erfindung für die Umschaltung von Leistungstransistoren .
In den Figuren sind für einander entsprechende Bauteile dieselben Bezugszeichen verwendet, die im Fall der erfindungsgemäßen Schaltung mit Strichen versehen sind.
Wie Figur 2 zeigt, hat die Steuerschaltung gemäß der Erfindung einen ersten bipolaren NPN-Transistor Ql', dessen Basisanschluß über einen ersten Widerstand Rl' an eine Umschaltsignalquelle SW' angeschlossen ist.
Die Umschaltsignalquelle SW' kann in einfacher Weise auch ein Schaltungsmittel zur Kopplung mit einem außerhalb der integrierten Schaltung angeordneten Umschaltsignalgenerator sein.
Die Schaltung hat ferner einen zweiten, einen dritten und einen vierten bipolaren NPN-Transistor Q2', Q3' und Q4'.
Die Kollektoranschlüsse der Transistoren Q2' und Q3' sind mit dem positiven Pol +V einer Speisespannungsquelle verbunden, an deren negativen Pol -V der Emitteranschluß des ersten Transistors Ql' angeschlossen ist. Der Basisanschluß des Transistors Q2' ist über einen Stromgenerator Al' an den positiven Pol +V angeschlossen; der Stromgenerator Al* ist außerdem mit dem Kollektoranschluß des Transistors Q4' verbunden. Der Stromgenerator Al* kann auch einfach eine Widerstand sein, der zwischen den positiven Pol +V und den Basisanschluß des Transistors Q2' eingesetzt ist. In idealer Weise kann er schließlich auch ein Konstantstromgenerator sein.
Der Emitteranschluß des Transistors Q2' ist mit dem Basisanschluß des Tranistors Q3' in einem Schaltungsknoten N' verbunden, mit dem über einen zweiten Widerstand R2' auch der Kollektoranschluß des Transistors Ql" und der Emitteranschluß des Transistors Q4' verbunden sind.
Der Kollektoranschluß des Transistors Ql* ist über eine Diode D' und einen dazu parallel geschalteten, dritten Widerstand R3' mit dem Emitteran-schluß des Transistors Q3* verbunden.
Die Anode der Diode D' ist mit dem Emitteranschluß des Transistors Q3" verbunden, während ihre Kathode an den Kollektoranschluß des Transistors Ql' angeschlossen ist.
Der Basisanschluß des Transistors Q4" ist über einen vierten Widerstand R4" im Schaltungsknoten N' mit dem Basisanschluß des Transistors Q3' verbunden.
Der Emitteranschluß des Transistors Q3* bildet einen Ausgangsanschluß OUT' der Schaltung, an den eine nicht gezeigte Last, typischerweise ein Leistungstransistor, angeschlossen wird.
I Jl * * *
- 9 N Ju. h 1 λ "I <} ('Γι ή wird me f urii· Ln'.r, df r f ; ι ■ -. -·-= ·.- r· «^ '- *:,■f- r:-:" " > * , ■ =
dargestellten Steuerschaltung erläutert.
Die von der Umschaltsignalquelle SW' abgegebenen Umschaltsignale bestimmen übergänge der Spannung Vj^, die über den Widerstand Rl' an dem Basisanschluß des Transistors Ql' anliegt und beispielsweise auf das Potential des negativen Poles -V bezogen ist, von einem hohen Pegel auf einen niedrigen Pegel und umgekehrt.
Wenn der Pegel der Spannung V*», hoch ist, arbeitet der Transistor Ql* bei Sättigung und nimmt den gesamten Strom auf, der durch die Transistoren Q2', Q3' und Q4' fließt.
Der von dem Generator Al* gelieferte Strom hält den Transistor Q2', der sowohl den Transistor Q3' als auch den Transistor Q4' an der Basis versorgt, im leitenden Zustand.
Obwohl der Transistor Q4' an der Basis über den Widerstand R4', der in einer praktischen Ausführung der Schaltung einen ziemlich großen Wert haben muß, gespeist wird, überwiegt das Leiten dieses Transistors, weil der Transistor Q3', der in einer Stromspiegelschaltung mit dem Transistor Q4' gekoppelt ist, trotz seiner direkten Versorgung an der Basis durch den Transistor Q2' wegen der von dem Emitterwiderstand R3' und der dazu parallel geschalteten Diode D' aufgeprägten Vorspannungsbedingungen praktisch nicht in der Lage ist zu leiten. Der Transistor Q4' begrenzt den leitenden Zustand des Transistors Q2', indem er einen beträchtlichen Teil des von dem Generator Al' gelieferten Stroms aufnimmt, und reduziert folglich den leitenden Zustand des Transistors Q3 praktisch auf Null.
- 10 BAD ORIGINAL
C ■ Afc!.»
t ' * %■ *
- ίο -
Auf diese Weise wird die unnötige Verlustleistung vermieden, die sonst durch den Speisestrom verursacht wird, der über den Transistor Q3' von dem Transistor Ql* bei Sättigung aufgenommen wird.
Der bei Sättigung arbeitende Transistor Ql' verhindert nicht nur, daß die Last gespeist wird, sondern für den Fall, daß die Last ein Transistor ist, zieht er auch die in diesem Transistor gespeicherten Ladungen ab, wodurch ein sehr schnelles Abschalten erreicht wird. Außerdem ist es im Fall der Umschaltsteuerung eines Leistungstransistors von besonderer Bedeutung, daß der Pegel der Spannung Vgy-j- am Ausgangsanschluß, bezogen auf das Potential des negativen Poles -V1 abfällt, sobald der Transistor Ql' gesättigt ist.
Obwohl bei diesen Bedingungen die Versorgungsstromaufnahme über den Transistor Q3' praktisch Null ist, ist dieser Transistor niemals gesperrt, so daß er in der folgenden Phase sofort hohe Ströme leiten kann. Wenn nämlich der Pegel der Spannung Vjn aufgrund eines von der Signalquelle SW' erzeugten Umschaltsignales abfällt, schaltet sich der Transistor Ql' aus, so daß er den Anstieg des Spannungspegels am Ausgangsanschluß OUT' ermöglicht.
Da der Transistor Ql' nicht mehr leitet, wird der gesamte Strom, der durch die Transistoren Q2', Q3' und Q4' fließen kann, zu der Last geleitet, die mit dem Ausgangsanschluß OUT' verbunden ist.
Wenn daher die Last ein Leistungstransistor ist, der mittels seines Basis- oder Gate-Anschlusses an diesen Ausgangsanschluß der Steuerschaltung gemäß der Erfindung angeschlossen ist, kann er wegen des sofort erhöhten zugeführten Stromflusses sehr schnell aus dem ausgeschalteten Zustand in den leitenden Zustand umschalten.
- 11 BAD ORIGINAL
Der Sperrzustand des Transistors Ql' bewirkt nämlich den Abfluß des Emitterstromes des Transistors Q4' über den Widerstand R3' zur Last; das Emitterpotential des Transistors Q4' wird damit höher als das Emitterpotential des Transistors Q3', weshalb dieser Transistor Q3', der im Gegensatz zu dem Transistor Q4' keinen in Reihe mit seinem eigenen Basisanschluß geschalteten Widerstand hat, unmittelbar in stark leitenden Zustand gelangt, während sich das Ausmaß des Leitens des Transistors Q4' praktisch auf Null verringert.
Der Transistor Q4' nimmt von dem Stromgenerator ΑΓ keinen Strom mehr auf, so daß der Transistor Q2', der an der Basis mit dem gesamten Strom des Generators Al' gespeist wird, den Transistor Q3' in seinen Zustand maximalen Leitens steuern kann.
Wenn der Pegel der Spannung V1n wieder niedrig wird, bewirkt die Sättigung des Transistors Ql' wieder die sofortige Unterbrechung des Stromflusses an der Last.
Die Verringerung der Kollektor-Emitter-Spannung des Transistors Ql* bewirkt bei den anderen Transistoren die zuerst beschriebene Funktion.
Mit einer Steuerschaltung gemäß der Erfindung kann man für einen mit dieser verbundenen Leistungstransistor eine maximale Umschal tfrequenz erreichen, die größer ist als die mit einer eingangs beschriebenen, bekannten Schaltung erreichbare Frequenz; dies ist der Tatsache zu verdanken, daß der Transistor Ql' direkt mit dem Ausgangsanschluß OUT^ verbunden und der Transistor Q3' niemals gesperrt ist.
Wenn nämlich der Transistor Ql' vom Sättigungszustand in den Sperrzustand umschaltet, wird der Strom, der zum Aufladen der äquivalenten Kapazität zwischen Kollektor und Emitter dieses Transistors erforderlich ist, von dem Generator Al' nicht direkt zugeführt, sondern über die Transistoren Q2' und Q3', die
- 12 BAD ORIGINAL
_ i2.:_:. :- ' .s...:." ^^546208
den Strom erheblich verstärken.
Damit ist bei gleichbleibender Dimensionierung des Stromgenerators Al' im Vergleich zum Stromgenerator Al der bekannten Schaltung der Abschaltübergang des Transistors Ql' schneller als der Abschaltübergang des Transistors Ql der bekannten Schaltung, der dort direkt mit dem Generator Al verbunden ist. Daraus ergibt sich eine weitere, vorteilhafte Zunahme der Umschaltgeschwindigkeit zugunsten der Schaltung nach der Erfindung.
Gleichzeitig wird in einer Steuerschaltung gemäß der Erfindung jede unnütze Versorgungsenergieaufnahme innerhalb dieser Schaltung vermieden, denn wenn der Transistor Ql bei Sättigung arbeitet, dann greift der Transistor Q4' automatisch ein, um den leitenden Zustand des Transistors Q3* drastisch zu begrenzen. Auf diese Weise wird, da jede überflüssige Verlustleistung in Form von Wärme vermieden wird, die Zuverlässigkeit der Vorrichtung verbessert, in die die Schaltung eingebaut ist, wobei außerdem wirtschaftlichere Systeme zur Wärmeableitung eingesetzt werden können.
Bei einer Schaltung gemäß der Erfindung ist der Gesamtwirkungsgrad, unter dem die Kombination aus dem Energiewirkungsgrad, der Zuverlässigkeit und der maximal erreichbaren Umschal tfre.-quenz verstanden wird, höher als bei bekannten Schaltungen.
Es muß daher festgehalten werden, daß man, um die Eigenschaften der Umschaltgeschwindigkeit beizubehalten, wenn MOS- (Metal-Oxide-Semiconductor) Feldeffekt-Leistungstransistoren mit einer sehr hohen Gate-Kapazität gesteuert werden sollen, die Größen der Widerstände R2', R3' und R4' sehr genau so auslegen muß, daß während des Umschaltüberganges des an die Schaltung angeschlossenen Leistungstransistors in den leitenden Zustand der Transistor Q4' dazu neigt, sich abzuschalten, wodurch man zuläßt, daß die Ladung dieser Kapazität nur von der Gesamtverstärkung der Transistoren Q2' und Q3' geregelt wird.
- 13 -
über das beschriebene und dargestellte Ausführungsbeispiel der Erfindung hinaus sind selbstverständlich Abänderungen möglich, ohne dadurch den Erfindungsgedanken zu verlassen. So kann beispielsweise in der Schaltung der Figur 2 der bipolare Transistor Ql" ohne weitere Änderungen der Schaltung durch einen Feldeffekttransistor ersetzt werden.
Al
- Leerseite

Claims (8)

  1. Patentansprüche
    rL·, Monolithisch integrierte Steuerschaltung für die Umschaltung von Transistoren, die einen ersten Transistor (Ql'), einen zweiten Transistor (Q2') und einen dritten Transistor (Q3') aufweist, von denen jeder einen ersten Anschluß, einen zweiten Anschluß und einen Steueranschluß hat, wobei der Steueranschluß des ersten Transistors (Ql') mit einer Umschaltsignalquelle (SW) verbunden ist, der Steueranschluß des zweiten Transistors (Q2') über einen Stromgenerator (AT) an einen ersten Anschluß (+V ) einer Speisespannungsquelle angeschlossen ist, der Steueranschluß des dritten Transistors (Q3') mit dem ersten Anschluß des zweiten Transistors (Q2') verbunden ist, der zweite Anschluß des zweiten Transistors (Q2') und der zweite Anschluß des dritten Transistors (Q3') beide mit dem ersten Anschluß (+V ) der Speisespannungsquelle verbunden sind, der zweite Anschluß des ersten Transistors (QT) mit dem ersten Anschluß des dritten Transistors (Q3') verbunden ist, der einen Ausgangsanschluß der Schaltung bildet, und der erste Anschluß des ersten Transistors (QT) an den zweiten Anschluß (-V) der Speisespannungsquelle angeschlossen ist, gekennzei chnet
    durch einen vierten Transistor (Q4') mit einem ersten Anschluß, einem zweiten Anschluß und einem Steueranschluß, welche mit dem
    zweiten Anschluß des ersten Transistors (Ql'), dem Steueranschluß des zweiten Transistors (Q2') bzw. - über einen ersten Widerstand (R4) - mit dem Steueranschluß des dritten Transistors (Q3') verbunden sind, wobei der zweite Anschluß des ersten Transistors (Ql*) über einen zweiten Widerstand (R2*) an den Steueranschluß des dritten Transistors (Q3') sowie über eine Widerstandseinrichtung (D', R3') an den ersten Anschluß des dritten Transistors (Q3*) angeschlossen ist.
  2. 2. Steuerschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstandseinrichtung eine Diode (D') ist.
  3. 3. Steuerschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstandseinrichtung ein dritter Widerstand (R3') ist.
  4. 4. Steuerschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstandseinrichtung eine Diode (D') und einen parallel dazu geschalteten, dritten Widerstand (R3) aufweist.
  5. 5. Steuerschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Transistor (Ql'), der zweite Transistor (Q2'), der dritte Transistor (Q3") und der vierte Transistor (Q4') bipolare NPN-Transistören sind, von denen der erste Anschluß, der Steueranschluß und der zweite Anschluß jeweils der Emitter, die Basis bzw. der Kollektor sind.
  6. 6. Steuerschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Transistor (Ql') ein Feldeffektransistor ist, dessen erster Anschluß, Steueranschluß und zweiter Anschluß Source, Gate bzw. Drain sind.
  7. 7. Steuerschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Stromgenerator (Al*) ein Widerstand ist.
  8. 8. Monolithisch integrierte Schaltung, dadurch gekennzeichnet, daß sie eine Steuerschaltung nach einem der Ansprüche 1-7 aufweist.
DE3546208A 1984-12-28 1985-12-27 Monolithisch integrierte Steuerschaltung hohen Wirkungsgrades für die Umschaltung von Transistoren Expired - Fee Related DE3546208C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
IT24275/84A IT1221009B (it) 1984-12-28 1984-12-28 Circuito di comando ad alto rendimento,integrato monoliticamente,per la commutazione di transistori

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3546208A1 true DE3546208A1 (de) 1986-07-03
DE3546208C2 DE3546208C2 (de) 1994-10-20

Family

ID=11212884

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE3546208A Expired - Fee Related DE3546208C2 (de) 1984-12-28 1985-12-27 Monolithisch integrierte Steuerschaltung hohen Wirkungsgrades für die Umschaltung von Transistoren

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4698519A (de)
DE (1) DE3546208C2 (de)
IT (1) IT1221009B (de)
NL (1) NL8503551A (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3631957A1 (de) * 1986-09-19 1988-03-31 Siemens Ag Schaltungsanordnung zum ausschalten von transistoren in darlington-schaltung
DE3919951A1 (de) * 1989-06-19 1990-12-20 Telefunken Electronic Gmbh Spannungsgesteuerte halbleiterschalteranordnung

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4829197A (en) * 1988-03-25 1989-05-09 Motorola, Inc. Driver circuit with boost and feedback portions for improving output risetime and reducing propagation delay
DE3919950C1 (en) * 1989-06-19 1990-10-31 Telefunken Electronic Gmbh, 7100 Heilbronn, De Circuit for central and current monitoring - has collector-emitter path of transistor and loud coupled across DC supply
US5159213A (en) * 1990-06-07 1992-10-27 North American Philips Corporation Logic gate circuit with limited transient bounce in potential of the internal voltage supply lines
JPH07235868A (ja) * 1994-02-23 1995-09-05 Nec Corp 電流バッファ回路
US5886563A (en) * 1996-03-25 1999-03-23 Nasila; Mikko J. Interlocked half-bridge circuit

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3539379A1 (de) * 1984-11-07 1986-05-15 Sgs Microelettronica S.P.A., Catania Monolithisch integrierte steuerschaltung fuer die umschaltung von transistoren

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5746513A (en) * 1980-09-05 1982-03-17 Toshiba Corp Darlington complementary output circuit
US4603268A (en) * 1983-12-14 1986-07-29 National Semiconductor Corporation Totem pole output circuit with reduced current spikes

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3539379A1 (de) * 1984-11-07 1986-05-15 Sgs Microelettronica S.P.A., Catania Monolithisch integrierte steuerschaltung fuer die umschaltung von transistoren

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3631957A1 (de) * 1986-09-19 1988-03-31 Siemens Ag Schaltungsanordnung zum ausschalten von transistoren in darlington-schaltung
DE3919951A1 (de) * 1989-06-19 1990-12-20 Telefunken Electronic Gmbh Spannungsgesteuerte halbleiterschalteranordnung

Also Published As

Publication number Publication date
DE3546208C2 (de) 1994-10-20
US4698519A (en) 1987-10-06
IT8424275A0 (it) 1984-12-28
IT1221009B (it) 1990-06-21
NL8503551A (nl) 1986-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0108283B1 (de) Elektronischer Schalter
DE68925163T2 (de) Treiberschaltung für Transistor mit isoliertem Gate; und deren Verwendung in einem Schalterkreis, einer Stromschalteinrichtung, und einem Induktionsmotorsystem
DE3126525C2 (de) &#34;Spannungsgesteuerter Halbleiterschalter und damit versehene Spannungswandlerschaltung&#34;
EP0017802B1 (de) Monolithisch integrierbarer Rechteckimpulsgenerator
EP0639308B1 (de) Schaltungsanordnung zum ansteuern eines mos-feldeffekttransistors
DE1588247A1 (de) Impulsbreitenmoduliertes Schalt-Servoverstaerkersystem
DE2809439A1 (de) Schaltungseinrichtung zur steuerung des basisstromes eines als schalttransistor betriebenen leistungstransistors
DE2704532A1 (de) Inverterschaltung
DE2814021C3 (de) Schaltungsanordnung für einen steuerbaren Gleichrichter, der über seine Steuerelektrode abschaltbar ist
DE10328782B4 (de) Steuerschaltung für einen MOSFET zur Synchrongleichrichtung
DE3237141C1 (de) Steuervorrichtung für einen Schalttransistor
DE2906961C2 (de) Schaltungsanordnung mit einem feldgesteuerten Thyristor
DE3446399A1 (de) Monolithisch integrierbare schaltung mit einer darlington-endstufe zur umschaltsteuerung von induktiven lasten
DE3546208C2 (de) Monolithisch integrierte Steuerschaltung hohen Wirkungsgrades für die Umschaltung von Transistoren
DE2719001A1 (de) Ablenkschaltung
DE2938122A1 (de) Transistorschaltkreis und verfahren zu dessen betrieb
DE2555168C2 (de) Schaltungsanordnung für einen Schalttransistor
EP0314013B1 (de) Verfahren zur Basisstromregelung eines Schalttransistors und Schaltungsanordnung zur Durchführung des Verfahrens
DE3539379C2 (de) Monolithisch integrierte Steuerschaltung für die Umschaltung von Transistoren
EP0171125B1 (de) Schaltungsanordnung zum Übertragen von binären Signalen
DE69532061T2 (de) Verstärkerschaltung und Verfahren
DE3037319A1 (de) Steuerschaltung fuer einen bewegungslosen transistorschalter fuer gleichstromlasten mit hohem einschaltstrom
DE2753915B2 (de) Schaltungsanordnung mit einem Hochspannungsleistungstransistor
DE2547352A1 (de) Stabilisiertes stromversorgungsgeraet
DE2621541A1 (de) Schnelle halbleiterleistungsschalteinrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee