DE3544657A1 - Hochstromelektrode - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Hochstromelektrode aus einem gut wärme- und stromleitenden Material, welches wenigstens an der Oberfläche der Elektrode hochschmelzend ist und eine geringe Elektronen-Austrittsarbeit aufweist, insbesondere zum Einsatz in Plasmabrennern.

Derartige Hochstromelektroden werden außer bei Plasmabrennern beispielsweise bei Hochstrombogen-Lichtquellen, bei Hochstrombogen-Schmelzöfen und bei Schweißverfahren und -geräten eingesetzt, bei denen elektrische Ströme mit Stromstärken von einigen hundert bis einige tausend Ampere zur Gegenelektrode übergehen.

Die Forderungen an solche Elektroden sind gutes Hochtemperaturverhalten, d. h. hoher Schmelzpunkt, hoher Siedepunkt und eine ausreichende Festigkeit bis nahe an den Schmelzpunkt, ferner eine gute elektrische Leitfähigkeit und eine hohe Abbrandfestigkeit. Die hohe Abbrandfestigkeit führt zu einer hohen Lebensdauer der Elektrode.

Wolfram ist wegen seiner hohen Schmelztemperatur (3410°C) und seiner hohen Siedetemperatur (5900°C) ein bevorzugter Elektrodenwerkstoff für derartige Hochstromelektroden.

Es sind Hochstromelektroden der eingangs beschriebenen Art bekannt, die aus Wolfram bestehen und deren Lebensdauer durch Zusätze von ThO₂ verbessert wird. Die ThO₂- Zusätze erleichtern auch das Zünden des Lichtbogens und ergeben einen stabileren, ruhigeren Lichtbogen als Rein- Wolfram-Elektroden. Dies ist auf die niedrige Elektronen- Austrittsarbeit Wa des ThO₂ (1,6 bis 3 eV) zurückzuführen. Die verhältnismäßig hohe Elektronen-Austrittsarbeit Wa von Wolfram (4,5 eV) wird beispielsweise durch einen 2%tigen Zusatz von ThO₂ auf etwa 2,63 bis 2,86 eV verringert.

In der Schweiß- und Plasmatechnik sind ThO₂-Zusätze von 1,5 bis 2% üblich. Höhere Zusätze wären in vielen Anwendungsfällen wünschenswert. Mit zunehmendem ThO₂-Gehalt oder dem Gehalt an anderen Oxid-Zusätzen nehmen jedoch die Verarbeitungsschwierigkeiten von Wolfram erheblich zu. Wolfram wird zu Blöcken gesintert, dann geschmiedet und gehämmert, während dünnere Stäbe und Drähte gezogen werden. Die technische Grenze für den ThO₂-Zusatz einer solchen Wolfram-Elektrode liegt bei etwa 4 Gew.-%.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Hochstromelektrode der eingangs beschriebenen Art zu schaffen, welche durch hohe Abbrandfestigkeit eine erheblich größere Lebensdauer als die bisher bekannten Hochstromelektroden aufweist.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß der Elektrodengrundkörper eine Beschichtung aufweist, welche hochschmelzend ist und eine geringe Elektronen-Austrittsarbeit aufweist. Der Elektrodengrundkörper kann dabei aus Wolfram, Molybdän, Kupfer oder einem anderen gut wärme- und stromleitenden Werkstoff bestehen und darüber hinaus eine gut zu kühlende Hohlform aufweisen. Die Beschichtung ist zweckmäßig im Plasmaspritzverfahren aufgebracht.

Vorteilhaft besteht die Beschichtung aus W und wenigstens 4 Gew.-% ThO₂ oder CeO₂.

In einer bevorzugten Ausführung der erfindungsgemäßen Hochstromelektrode besteht die Beschichtung aus W und etwa 10 Gew.-% ThO₂ oder CeO₂. Die Beschichtung kann jedoch auch aus W und CeO₂ im Verhältnis 1 : 1 bestehen.

In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung besteht die Beschichtung aus W und wenigstens 1 Gew.-% LaB₆ oder Y₂O₃.

Schließlich kann die Beschichtung vorteilhaft aus W und wenigstens 1 Gew.-% Oxiden, Karbiden, Boriden mit hoher Schmelztemperatur und geringer Elektronen-Austrittsarbeit wie ThC₂, HfC, UC2, SrO₂, BaO, CaO, La₂O₃, LaCrO₃, HfO₂, Yb₂O₃, ZrO₂, Mischoxiden aus dieser Gruppe, BaO·ThO₂, CaO·HfO₂, BaO·ZrO₂, SrO₂·ZrO₂, ThO₂·ZrO₂, CaO·ZrO₂, CeB₆, ThB₆, HfB₆, CeB₆, SrB₆ und CeB₁₂ bestehen.

Entsprechend einer Weiterbildung der Erfindung ist der Elektrodengrundkörper ein im Betrieb innen kühlmittelgekühlter Hohlkörper.

Eine weitere Weiterbildung der erfindungsgemäßen Hochstromelektrode besteht darin, daß die Stoffe der Beschichtung in einer Dicke auf einen Kern aufgespritzt sind, die nach Auflösen bzw. Ausdrehen des Kerns eine freitragende Hochstromelektrode aus dem Spritzwerkstoff ergibt.

Die beiden letzteren Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich unmittelbar aus der Tatsache der Beschichtung der Elektrode mit, den angegebenen Materialien.

Vorteilhaft sind die Stoffe der Beschichtung gradiert aufgebracht, d. h. die Konzentration des Zusatzes zu W ist gezielt verändert, vorzugsweise zur Oberfläche hin erhöht.

Ein Spritzpulvergemisch für die Beschichtung einer Hochstromelektrode im Plasmaspritzverfahren ist dadurch gekennzeichnet, daß es aus W und wenigstens 4 Gew.-% ThO₂ oder CeO₂ besteht. Vorteilhaft kann es aus W und etwa 10 Gew.-% ThO₂ oder CeO₂ bestehen, im Falle von CeO₂ kann das Verhältnis zwischen W und CeO₂ 1 : 1 betragen.

Ein weiteres Spritzpulvergemisch für die Beschichtung einer Hochstromelektrode im Plasmaspritzverfahren ist dadurch gekennzeichnet, daß es aus W und wenigstens 1 Gew.-% LaB₆ oder Y₂O₃ besteht.

Schließlich ist ein weiteres Spritzpulvergemisch für die Beschichtung einer Hochstromelektrode im Plasmaspritzverfahren dadurch gekennzeichnet, daß es aus W und wenigstens 1 Gew.-% Oxiden, Karbiden, Boriden mit hoher Schmelztemperatur und geringer Elektronen-Austrittsarbeit wie
ThC₂, HfC, UC2, SrO₂, BaO, CaO, La₂O₃, LaCrO₃, HfO₂, Yb₂O₃, ZrO₂, Mischoxiden aus dieser Gruppe, BaO·ThO₂, CaO·HfO₂, BaO·ZrO₂, SrO₂·ZrO₂, ThO₂·ZrO₂, CaO·ZrO₂, CeB₆, ThB₆, HfB₆, CeB₆, SrB₆ und CeB₁₂ besteht.

Mit der Erfindung läßt sich die Beschichtung aus W und den genannten Zusätzen, welche die Elektronen-Austrittsarbeit von W erniedrigen, auf Elektrodengrundkörper beispielsweise aus Rein-Wolfram, Kupfer, Molybdän oder dgl. in beliebiger Dicke aufbringen. Die obere Grenze des Zusatzstoffes ist durch die Forderung nach guter elektrischer Leitfähigkeit und durch die Beeinträchtigung des Fließverhaltens des Wolframpulvers durch die Zusätze beim Plasmaspritzen gegeben. Das Fließverhalten ist wiederum abhängig von der Korngröße.

Vorteilhaft ist die Korngröße des Zusatzpulvers zur Korngröße des W-Pulvers so abgestimmt, daß das Flüssigwerden der beiden Komponenten im Plasmastrahl etwa zur gleichen Zeit erfolgt.

Die Korngröße des W-Pulvers beträgt vorteilhaft etwa -44 + 5,6 µm, während die Korngröße des Zusatzpulvers im Bereich der Korngröße des W-Pulvers oder darüber liegt. Die höhere Korngröße des Zusatzpulvers kommt insbesondere für Zusatzpulver mit wesentlich geringerer Schmelztemperatur als die von W in Betracht.

Die Korngröße des CeO₂-Pulvers kann vorteilhaft etwa -105 + 44 µm betragen.

Die Dicke der Beschichtung richtet sich nach der elektrischen Belastung und den thermischen Verhältnissen der Hochstromelektrode. Für wassergekühlte Plasmabrennerkathoden, die bei mittleren Stromstärken von z. B. 500 A eingesetzt werden, genügen Dicken von 0,5 mm, vorzugsweise werden jedoch Dicken von 1 bis 2 mm aufgebracht.

Kathoden gemäß der Erfindung sind bei gleichen Ausgangsbedingungen, d. h. gleicher Außenkontur, gleicher Gasströmung und gleicher Kühlung in der Stromstärke wesentlich höher belastbar als herkömmliche Kathoden, wobei beispielsweise bei 1000 A praktisch kein Materialverlust und somit keine Abnahme der Elektrodenlänge auftritt.

Die Erfindung ist im folgenden an Ausführungsbeispielen und anhand der Zeichnungen näher beschrieben. In den Zeichnungen zeigen

Fig. 1 eine erfindungsgemäß beschichtete Hochstromelektrode,

Fig. 2 herkömmliche Sinterwolframelektroden vor dem Einsatz und nach dem Einsatz in einem Plasmabrenner, und

Fig. 3 Ausführungsformen der erfindungsgemäß beschichteten Hochstromelektroden vor dem Einsatz und nach dem Einsatz in einem Plasmabrenner.

Fig. 1 zeigt einen Querschnitt durch eine Ausführungsform einer erfindungsgemäß beschichteten Hochstromelektrode 1. Die Elektrode 1 besteht aus einem hohlen Elektrodengrundkörper 2, der aus Wolfram, Molybdän, Kupfer oder einem anderen gut wärme- und stromleitenden Werkstoff besteht. An ihrem vorderen Ende weist sei eine Beschichtung 3 aus Wolfram und einem im folgenden näher beschriebenen Zusatzstoff auf, die im Plasmaspritzverfahren aufgebracht ist. Bei dieser Elektrode kann Kühlmittel wie durch den Pfeil K angedeutet zugeführt werden. Die Stoffe der Beschichtung können im Bedarfsfall gradiert aufgebracht, d. h. die Konzentration des Zusatzes zu W kann gezielt verändert, vorzugsweise zur Oberfläche hin erhöht sein.

Fig. 2 zeigt herkömmliche Stabelektroden 1, wobei Fig. 2a die Ausgangsform einer Sinterwolframelektrode darstellt. In Fig. 2b ist eine Rein-Wolfram-Elektrode nach Belastung mit 500 A dargestellt. Hier ist deutlich ein insbesondere für die Plasmaspritztechnik nicht brauchbarer Abbrand einschließlich Verformung der Elektrode zu erkennen. Fig. 2c zeigt eine gesinterte Elektrode, deren Elektrodenkörper aus W + 2 Gew.-% ThO₂ besteht, und zwar nach Betrieb mit 1000 A. Auch hier ist ein erheblicher Elektrodenabbrand zu erkennen.

In Fig. 3 sind mehrere Hochstromelektroden mit erfindungsgemäßer Beschichtung dargestellt. So zeigt Fig. 3a die Ausgangsform einer Hochstromelektrode 1 mit Wolframkern in Form eines Elektrodengrundkörpers 2 und an der Vorderseite der Elektrode aufgebrachter Beschichtung 3.

Fig. 3b zeigt eine derartige Elektrode mit einer Beschichtung 3 aus W + 10 Gew.-% ThO₂ nach einem Betrieb mit 1000 A. Der Abbrand ist geringfügig und tolerierbar.

In Fig. 3c ist eine derartige Elektrode 1 mit Beschichtung 3 aus W + 10 Gew.-% CeO₂ nach einem Betrieb mit 1000 A dargestellt. Hier ist der Abbrand der Elektrode 1 kaum zu erkennen.

Fig. 3d zeigt die Ausgangsform einer Hochstromelektrode 1 mit hohlem, wassergekühlten Kupferkern als Elektrodengrundkörper 2 und mit einer Beschichtung 3 aus W + 10 Gew.-% CeO₂. In Fig. 3e ist dieselbe Elektrode 1 nach einer Belastung mit 1000 A dargestellt. Es ist deutlich zu erkennen, daß hier praktisch überhaupt kein Elektrodenabbrand auftritt.

Die Kathoden bzw. Elektroden 1 gemäß der Erfindung, wie in den Fig. 1 und 3 dargestellt, sind bei gleichen Ausgangsbedingungen, d. h. gleicher Außenkontur, gleicher Gasströmung und gleicher Kühlung wesentlich höher in der Stromstärke belastbar als herkömmliche Kathoden wie in Fig. 2 dargestellt. So wurden Hochstromelektroden 1, die mit einer Beschichtung aus beispielsweise W + 10 Gew.-&% ThO₂, W + 10 Gew.-% CeO₂, W + 5 Gew.-% Y₂O₃ oder W + 5 Gew.-% LaB₆ versehen waren, mit Stromstärken über 1000 A belastet, ohne daß ein rasches Abbrennen der Elektrode eintrat. Bei herkömmlichen Standardelektroden aus W + 2 Gew.-% ThO₂ trat bei 1000 A bereits ein starker Materialverlust einschließlich Wolframtröpfchen im Plasmastrahl des Plasmabrenners und eine rasche Abnahme der Elektrodenlänge auf (vgl. Fig. 2c). Rein-Wolfram-Elektroden der gleichen Abmessungen (vgl. Fig. 2b) schmelzen schon bei Stromstärken um 500 A derart schnell ab, daß sie als nicht brauchbar anzusehen sind.

In den Fig. 2 und 3 sind die Abbrandverhältnisse der herkömmlichen Elektroden und der Hochstromelektroden gemäß der Erfindung miteinander verglichen. Maßgebend für das Elektrodenverhalten ist die Richardson'sche Gleichung

Dabei ist S die Emissionsstromdichte, Wa die Elektronen- Austrittsarbeit, A _R eine Materialkonstante, T die absolute Temperatur im Emissionsbereich und k die Boltzmann- Konstante. Bei gegebener Stromstärke wirkt sich die Verminderung der Elektronen-Austrittsarbeit des Elektrodenwerkstoffs in einer Verminderung der Elektrodentemperatur aus; andererseits steigt bei einer Emissionstemperatur von beispielsweise ca. 3700°K bei W bei einer Wa-Erniedrigung von 5 eV auf zwei eV die Emissionsstromdichte S um den Faktor 2,5.

Dies ist der physikalische Hintergrund, daß bei den Hochstromelektroden gemäß der Erfindung weniger Elektrodenmaterial abschmilzt und abdampft. Damit erhöht sich die Belastbarkeit, bzw. bei einer gegebenen Strombelastung die Standzeit der Elektroden, was in mehrfacher Weise Vorteile bringt, z. B. geringere Kosten und geringere Totzeiten. Weitere Vorteile der erfindungsgemäßen Elektroden beim Einsatz in Plasmabrennern sind verbesserte Schichteigenschaften der plasmagespritzten Überzüge, z. B. bei gespritzten keramischen Isolierschichten, wo sich ein verminderter Einbau von Elektrodenpartikeln in die Schicht, beispielsweise aus Al₂O₃, in einer höheren Isolierfestigkeit und Durchschlagsfestigkeit auswirkt; bei manchen Korrosionsschutzschichten ist ein möglichst geringer Fremdanteil in Form von Einschlüssen wichtig. Auch bei Umspritzungen von Implantaten zu deren besseren Einwachsen sollten keine Fremdpartikel miteingespritzt werden.

Die Beschichtung 3 der im Zusammenhang mit Fig. 1 und 3 beschriebenen Hochstromelektroden 1 wurde im Plasmaspritzverfahren aufgebracht. Dabei bestand das Spritzpulver aus Wolfram mit den nachfolgend erläuterten Zusätzen, welche die Elektronen-Austrittsarbeit von Wolfram erniedrigen.

Die Elektrodengrundkörper bestanden beispielsweise aus Rein-Wolfram, Kupfer, Molybdän und dgl., wobei die Beschichtung 3 im bevorzugten Plasmaspritzverfahren in beliebiger Dicke aufzubringen ist.

Es wird ein Pulvergemisch bestehend aus jeweils Wolfram + x Gew.-% Zusatzstoff aufgespritzt. Die Zusatzstoffe sind bevorzugt ThO₂ oder CeO₂ mit jeweils x ≦λτ 4 und x ≈ 10. Eine Mischung aus W und CeO₂ im Verhältnis 1 : 1 für die Beschichtung 3 ist ebenfalls eine zweckmäßige Ausführungsform. Bei einer Beschichtung 3 aus W und LaB₆ oder Y₂O₃ ist x ≦λτ 1.

Für weitere Gemische aus W und Oxiden, Karbiden, Boriden mit hoher Schmelztemperatur und geringer Elektronen-Austrittsarbeit wie ThC₂, HfC, UC₂, SrO₂, BaO, CaO, La₂O₃, LaCrO₃, HfO₂, Yb₂O₃, ZrO₂, Mischoxiden aus dieser Gruppe, BaO·ThO₂, CaO·HfO₂, BaO·ZrO₂, SrO₂·ZrO₂, ThO₂·ZrO₂, CaO·ZrO₂ sowie CeB₆, ThB₆, HfB₆, CeB₆, SrB₆ und CeB₁₂ ist x ≦λτ 1.

Die Korngröße des Zusatzpulvers zur Korngröße des W-Pulvers ist zweckmäßig so abgestimmt, daß das Flüssigwerden der beiden Komponenten im Plasmastrahl etwa zur gleichen Zeit erfolgt.

Die obere Grenze von x ist durch die Forderung nach guter elektrischer Leitfähigkeit und durch die Beeinträchtigung des Fließverhaltens des Wolframpulvers durch die Zusätze gegeben; letzteres ist wiederum abhängig von der Korngröße des Spritzpulvers. Vorzugsweise wird die Korngröße des Zusatzpulvers im Bereich der Korngröße des Wolframpulvers gewählt. Gut geeignet erwiesen sich Pulver mit der Körnung -44 + 5,6 µm, wobei Zusatzpulver mit wesentlich niedererer Schmelztemperatur als Wolfram eher gröber als das Wolframpulver sein sollen. Eine gut geeignete Korngröße für CeO₂- Pulver liegt bei etwa -105 + 44 µm.

Die Dicke der Beschichtung 3 richtet sich nach der elektrischen Belastung und den thermischen Verhältnissen der Hochstromelektrode 1. Für wassergekühlte Plasmabrennerkathoden, die bei mittleren Stromstärken, z. B. 500 A, eingesetzt werden, genügen Dicken von 0,5 mm, vorzugsweise werden Dicken von 1 bis 2 mm aufgebracht.

Eine weitere Grenze, die durch zu raschen Elektrodenverschleiß gegeben ist, betrifft den Wasserstoffzusatz zum Plasma beim Plasmaspritzen. Wegen der höheren Wärmeleitfähigkeit des Wasserstoffplasmas und des extremen Spannungsanstiegs bei Wasserstoffzusatz muß der Anteil bei Argon/ Wasserstoffgemischen unter 25% gehalten werden.

Mit einer erfindungsgemäßen Hochstromelektrode, die mit einem W + CeO₂-Gemisch im Verhältnis 1 : 1 plasmabeschichtet war, ließ sich ein Argon-Wasserstoffgemisch 20 l/min Ar + 19,9 l/min H₂ über etwa 10 Minuten fahren und danach lediglich ein minimaler Abbrand von etwa 0,9 mm feststellen.

Mit den beschriebenen Hochstromelektroden lassen sich bisher schwer spritzbare Stoffe - entweder vom Schmelzverhalten oder von der Korngröße her, wesentlich leichter spritzen.

Claims (18)

1. Hochstromelektrode aus einem gut wärme- und stromleitenden Material, welches wenigstens an der Oberfläche der Elektrode hochschmelzend ist und eine geringe Elektronen- Austrittsarbeit aufweist, insbesondere zum Einsatz in Plasmabrennern, dadurch gekennzeichnet, daß der Elektrodengrundkörper (2) eine Beschichtung (3) aufweist, welche hochschmelzend ist und eine geringe Elektronen- Austrittsarbeit aufweist.

2. Hochstromelektrode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Beschichtung (3) nach einem Verfahren des thermischen Spritzens, vorzugsweise im Plasmaspritzverfahren an Luft oder im Vakuum aufgebracht ist.

3. Hochstromelektrode nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Beschichtung (3) aus W und wenigstens 4 Gew.-% ThO₂ oder CeO₂ besteht.

4. Hochstromelektrode nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Beschichtung 3) aus W und etwa 10 Gew.-% ThO₂ oder CeO₂ besteht.

5. Hochstromelektrode nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Beschichtung (3) aus W und CeO₂ im Verhältnis 1 : 1 besteht.

6. Hochstromelektrode nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Beschichtung (3) aus W und wenigstens 1 Gew.-% LaB₆ oder Y₂O₃ besteht.

7. Hochstromelektrode nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Beschichtung (3) aus W und wenigstens 1 Gew.-% Oxiden, Karbiden, Boriden mit hoher Schmelztemperatur und geringer Elektroden-Austrittsarbeit wie ThC₂, HfC, UC₂, SrO₂, BaO, CaO, La₂O₃, LaCrO₃, HfO₂, Yb₂O₃, ZrO₂,Mischoxiden aus dieser Gruppe,BaO·ThO₂, CaO·HfO₂, BaO·ZrO₂, SrO₂·ZrO₂, ThO₂·ZrO₂, CaO·ZrO₂,CeB₆, ThB₆, HfB₆, CeB₆, SrB₆ und CeB₁₂besteht.

8. Hochstromelektrode nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Elektrodengrundkörper (2) ein im Betrieb innen kühlmittelgekühlter Hohlkörper ist.

9. Hochstromelektrode nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Stoffe der Beschichtung (3) in einer Dicke auf einen Kern aufgespritzt sind, die nach Auflösen bzw. Ausdrehen des Kerns eine freitragende Hochstromelektrode aus dem Spritzwerkstoff ergibt.

10. Hochstromelektrode nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Stoffe der Beschichtung (3) gradiert aufgebracht sind, d. h. daß die Konzentration des Zusatzes zu W gezielt verändert, vorzugsweise zur Oberfläche hin erhöht ist.

11. Spritzpulvergemisch für die Beschichtung einer Hochstromelektrode im Plasmaspritzverfahren, dadurch gekennzeichnet, daß es aus W und wenigstens 4 Gew.-% ThO₂ oder CeO₂ besteht.

12. Spritzpulvergemisch nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß es aus W und etwa 10 Gew.-% ThO₂ oder CeO₂ besteht.

13. Spritzpulvergemisch nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß es aus W und CeO₂ im Verhältnis 1 : 1 besteht.

14. Spritzpulvergemisch für die Beschichtung einer Hochstromelektrode im Plasmaspritzverfahren, dadurch gekennzeichnet, daß es aus W und wenigstens 1 Gew.-% LaB₆ oder Y₂O₃ besteht.

15. Spritzpulvergemisch für die Beschichtung einer Hochstromelektrode im Plasmaspritzverfahren, dadurch gekennzeichnet, daß es aus W und wenigstens 1 Gew.-% Oxiden, Karbiden, Boriden mit hoher Schmelztemperatur und geringer Elektronen- Austrittsarbeit wie
ThC₂, HfC, UC₂, SrO₂, BaO, CaO, La₂O₃, LaCrO₃, HfO₂, Yb₂O₃, ZrO₂, Mischoxiden aus dieser Gruppe, BaO·ThO₂, CaO·HfO₂, BaO·ZrO₂, SrO₂·ZrO₂, ThO₂·ZrO₂, CaO·ZrO₂, CeB₆, ThB₆, HfB₆, CeB₆, SrB₆ und CeB₁₂
besteht.

16. Spritzpulvergemisch nach einem der Ansprüche 11 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Korngröße des Zusatzpulvers zur Korngröße des W-Pulvers so abgestimmt ist, daß das Flüssigwerden der beiden Komponenten im Plasmastrahl etwa zur gleichen Zeit erfolgt.

17. Spritzpulvergemisch nach einem der Ansprüche 11 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Korngröße des W-Pulvers etwa -44 + 5,6 µm beträgt und die Korngröße des Zusatzpulvers im Bereich der Korngröße des W-Pulvers oder darüber liegt.

18. Spritzpulvergemisch nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß die Korngröße des CeO₂-Pulvers etwa -105 + 44 µm beträgt.