DE3516973A1 - Verfahren und vorrichtung zum aufloesen eines filmes an einem halbleitersubstrat - Google Patents

Verfahren und vorrichtung zum aufloesen eines filmes an einem halbleitersubstrat

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DE3516973A1
DE3516973A1 DE19853516973 DE3516973A DE3516973A1 DE 3516973 A1 DE3516973 A1 DE 3516973A1 DE 19853516973 DE19853516973 DE 19853516973 DE 3516973 A DE3516973 A DE 3516973A DE 3516973 A1 DE3516973 A1 DE 3516973A1
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Description

HOFFMANiN · EITLE, & PARTNER ο C 1 C η η ο
PATENT- UND RECHTSANWÄLTE ^ ^ ' U s3 /
PATENTANWÄLTE DIPL.-ING. W. EITLE . DR. RER. NAT. K. HOFFMANN · DIPL.-ING. W. LEHN
DIPL.-INQ.K. FOCHSLE · DR. RER. NAT. B. HANSEN . DR. RER. NAT. H-A. BRAUNS · DIPL.-ΙΝβ. K. GORQ
DIPL.-ING. K, KOHLMANN ■ RECHTSANWALT A. NETTE
- 6 - 42 000 Gh/ms
30
Kabüshiki Kaisha Toshiba Kawasaki-shi / Japan
Verfahren und Vorrichtung zum Auflösen eines Filmes an einem Halbleitersubstrat
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Auflösen eines Filmes an einem Halbleitersubstrat, d. h. eines Filmes, insbesondere eines dünnen Filmes, der an einem Halbleitersubstrat gebildet und beispielsweise ein Toroxidfilm oder Gatteroxidfilm ist. Insbesondere betrifft die Erfindung ein Verfahren und eine Vorrichtung, die verbesserte Genauigkeit der Analyse von Spurenverunreinigungen (ultratrace impurities) ermöglichen, die in einem dünnen Film an einem Halbleitersubstrat enthalten sind.
Bekanntlich wird ein dünner Film beispielsweise ein Oxidfilm, zunächst an einem Halbleitersubstrat gebildet, welches bei der Herstellung von Metalloxid-Halbleitern, d. h. MOS-Halbleitern, wie MOSIC oder MOSLSI, Silizium ist. Es werden dann Quellenbereiche und Abflußbereiche in dem Substrat gebildet durch Verunreinigungsdiffusion, wonach an dem Torbereich oder Gatterbereich ein Toroxidfilm bzw. Gatteroxidfilm gebildet wird.
Da der Toroxidfilm ernsthafte Wirkungen hinsichtlich der elektrischen Eigenschaften des erzeugten Elementes ergibt, ist es erforderlich, den Verarbeitungsschritten sowohl vor als auch nach der Bildung des Toroxidfilmes sorgfältige Aufmerksamkeit zuzuwenden. Es ist insbesondere festzustellen,
ARABELLASTRASSE 4 · D-SOOO MÖNCHEN 81 · TELEFON (Όθθ} 911087 ■ TELEXS-SSeISCF1ATHEJ · TELEKOPIERER 918356
daß selbst eine nur geringe Spurenverunreinigung (ultratrace impurity), die in dem Toroxidfilm enthalten ist, beispielsweise Na, K oder Fe, beispielsweise die Durchbruchsspannung des Elementes merkbar verschlechtert. Es ist weiterhin zu bemerken, daß LSI-Vorrichtungen, d. h. Vorrichtungen mit hoher Integration, neuerdings immer mehr verfeinert werden in Übereinstimmung mit der Zunahme des Grades an Integration, was zu einem ernsthaften Bedürfnis hinsichtlich erhöhter Zuverlässigkeit der Durchbruchscharakteristiken des Toroxidfilmes führt. Natürlich ist es auf diesem Gebiet von besonderer Wichtigkeit, die Verunreinigungskonzentration zu verringern, beispielsweise die Konzentration an Metallverunreinigungen eines Filmes oder dünnen Filmes an einem Halbleitersubstrat, beispielsweise eines
15. Toroxidfilmes, und zwar so weit wie möglich, um dadurch die Charakteristiken des Elementes zu verbessern. Weiterhin ist es bei der überwachung des Herstellungsverfahrens von MOS-Vorrichtungen von großer Bedeutung, die in dem dünnen Film an dem Halbleitersubstrat enthaltenen Spurenverunreinigungen genau zu analysieren.
Bisher war es üblich, ein Dampfphasenzersetzungsverfahren, welches eine Art Ätztechnik ist, zum Analysieren der Spurenverunreinigungen anzuwenden. Insbesondere wird ein Oxidfilm an einem Halbleiterplättchen in einem Heizofen oder in einer Oxidbildevorrichtung gebildet, die einer Vorrichtung ähnlich ist, die bei der gewöhnlichen Herstellung von Halbleitervorrichtungen verwendet wird. Das einen an ihm gebildeten Oxidfilm aufweisende Plättchen wird danach in ein hermetisch abgeschlossenes Gefäß überführt, und ein Fluorkohlenwasserstoff säuredampf extrem hoher Reinheit wird an den Oxidfilm des Plättchen innerhalb des Gefäßes derart angelegt, daß der Oxidfilm zersetzt und eine Lösung des Zersetzten Oxidfilmes wiedergewonnen wird. Die wiedergewonnene Lösung wird gerührt und danach gewogen, wonach die Lösung
einer bekannten rahmenlosen Atomabsorptionsanalyse unterworfen wird, um quantitative und qualitative Analyse der in dem Oxidfilm enthaltenen Spurenverunreinigungen durchzuführen. Genauer gesagt, wird die wiedergewonnene Lösung in einen Graphitofen mit einer Mikropipette gegossen bzw. gebracht und dann elektrisch erhitzt, um die zersetzten Materialien in den atomischen Zustand zu dissoziieren. Weiter wird ein resonanter Emissionsstrahl des zu messenden Elementes mit einer hohlen Kathodenlampe auf den erhaltenen atomischen Dampf projiziert, und die Absorptionsintensität wird gemessen, um dadurch die Verunreinigungskonzentration zu bestimmen.
Bei der oben erläuterten üblichen Analyse ist es möglich, die zersetzte Lösung des Oxidfilmes zu kondensieren bzw. zu verdichten, was zu einer hohen Empfindlichkeit und einer hohen Genauigkeit der Analyse führt.
Jedoch besteht bei der oben beschriebenen üblichen Arbeitsweise der Nachteil, daß eine Verunreinigung des Plättchens während des Schrittes der Bildung des Oxidfilmes an. dem Halbleitersubstrat hervorgerufen wird, d. h. vor dem Arbeitsschritt der Analyse. Weiterhin besteht für das Halbleiterplättchen und das hermetisch abgeschlossene Gefäß das Bestreben, während des Arbeitsschrittes der Überführung des den Oxidfilm tragenden Halbleiterplättchens in das hermetisch abzuschließende Gefäß verunreinigt zu werden. Daraus ergibt sich, daß die wiedergewonnene Lösung des Oxidfilmes Verunreinigungen enthält, die Sekundärverunreinigungen dar-0 stellen, was zu einem Versagen hinsichtlich der genauen Analyse der Spurenverunreinigungen führt, die in dem Oxidfilm bzw. dem betreffenden Film an dem Halbleitersubstrat selbst enthalten sind.
Genauer gesagt beträgt die Genauigkeit der Verunreinigungsanalyse gemäß der oben beschriebenen üblichen Arbeitsweise etwa +_ 20 - 30 %, wodurch die hohe Genauigkeit von beispielsweise _+1 % für Na und +2 % für Fe nicht erreicht wird, die von der Vorrichtung für rahmenlose Atomabsorptionsanalyse erzielt wird. In anderen Worten ausgedrückt versagt die oben beschriebene übliche Arbeitsweise hinsichtlich einer wirksamen Kontrolle der Verunreinigungskonzentration eines Toroxidfilmes bei der Herstellung von MOS-Vorrichtungen, was zu geringer Zuverlässigkeit der Charakteristiken des Elementes führt.
Die oben beschriebenen Probleme bleiben auch hinsichtlich der Analyse von Spurenverunreinigungen ungelöst, die in anderen Filmen an einem Halbleitersubstrat als Oxidfilmen vorhanden sind, beispielsweise die Spurenverunreinigungen, die in einem Nitridfilm enthalten sind.
Ein Zweck der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein neues und verbessertes Verfahren und- verbesser" te Vorrichtung zu schaffen zum Auflösen eines Films, insbesondere eines dünnen Filmes, an einem Halbleitersubstrat. Gemäß der Erfindung sind Sekundärverunreinigungen in dem aufgelösten Material nicht enthalten, so daß es möglich ist, die in dem Film an dem Halbleitersubstrat enthaltenen Spurenverunreinigungen mit hoher Genauigkeit zu analysieren. Es ist wichtig, festzustellen, daß die Bildung und die Auflösung des Filmes an dem Halbleitersubstrat gemäß der Erfindung in einem ein-0 ζigen Gefäß erhalten werden können.
Gemäß der Erfindung ist ein Verfahren geschaffen zum Auflösen eines insbesondere dünnen Filmes an einem Halbleitersubstrat. Das Verfahren umfaßt folgende Schritte: 35
einen ersten Schritt der Bildung eines gewünschten dünnen Filmes an einem Halbleitersubstrat, welches in einem Behandlungsgefäß aufgenommen ist, und
einen zweiten Schritt des Auflösens des an dem Substrat im Behandlungsgefäß gebildeten dünnen Filmes zu einer Flüssigkeit und des darauffolgenden Wiedergewinnens des aufgelösten flüssigen Materials.
Weiterhin ist gemäß der Erfindung eine.Vorrichtung zum Auflösen eines Filmes an einem Halbleitersubstrat geschaffen, und diese Vorrichtung umfaßt folgende Merkmale:
ein Behandlungsgefäß, welches ein Halbleitersubstrat aufnimmt,
eine Einrichtung, um in das Behandlungsgefäß Medien einzuführen zum Bilden eines gewünschten insbesondere dünnen Filmes an dem in dem Behandlungsgefäß aufgenommenen 0 Halbleitersubstrat,
eine Einrichtung, um in das Behandlungsgefäß ein Medium einzuführen zum Auflösen des an dem Substrat gebildeten Filmes zu Flüssigkeit, und
25
eine Einrichtung zum Wiedergewinnen der aufgelösten Flüssigkeit des Filmes an dem Halbleitersubstrat.
Die Erfindung wird nachstehend anhand der Zeichnung beispielsweise erläutert.
Fig. 1 zeigt schematisch eine Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung,
Fig. 2 zeigt schematisch eine Vorrichtung gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung.
In Fig. 1 zeigt eine. Vorrichtung 40 gemäß der Erfindung zum Auflösen eines insbesondere dünnen Filmes an einem Halbleitersubstrat (nachstehend der Einfachheit halber lediglich als "Film" bezeichnet). Es ist ersichtlich, daß die Vorrichtung 40 ein geschlossenes Behandlungsgefäß 20 enthält, welches einen kastenartigen Gefäßkörper 21, der beispielsweise aus Fluorkunststoff gebildet ist, und einen Deckel 22 aus dem gleichen Material aufweist, mit welchem die obere öffnung des Gefäßkörpers 21 geschlossen werden kann. Ein Halter 24 für ein Halbleiterplättchen, der beispielsweise aus Fluorkunststoff gebildet ist, ist in dem mittleren Teil des Bodens des Gefäßes 20 angeordnet. Ein Plättchen 23, d. h. ein Halbleitersubstrat, welches beispielsweise aus Silizium gebildet ist, ist durch den HaI-ter 24 aufrechtgehalten. Ein Trog 25 zum Aufnehmen der aufgelösten Flüssigkeit eines an dem. Halbleitersubstrat befindlichen 'Filmes ist an dem Plättchenhalter 24 derart abnehmbar angebracht, daß der Trog 25, wenn er an dem Halter 24 angebracht ist, gerade unter dem von dem Halter 24 gehaltenen Plättchen 23 angeordnet ist.
Die mittleren Teile von zwei einander zugewandten Seitenwänden des Gefäßes 20 sind aus transparentem Material gebildet, so daß zwei Fenster 28 geschaffen sind. Das transparente Material sollte in einer Lösungsflüssigkeit 2 7 unlösbar sein. Beispielsweise sind die Fenster 28 aus Saphir gebildet.
Wie aus der Zeichnung ersichtlich, ist eine andere Seitenwand des Gefäßes 20 mit Gaseinlaßteilen 32A, 32B versehen, und eine Gasauslaßöffnung 33 ist in derjenigen Seitenwand vorgesehen, die der Seitenwand gegenüberliegt, welche mit den Gaseinlaßöffnungen 32A, 32B versehen ist. Die Gaseinlaßöffnungen 32A, 32B sind mit einer Sauerstoffgasquelle bzw. einer Chlorgasquelle (nicht dargestellt) verbunden.
Die Gasauslaßöffnung 33 ist mit einer nichtdargestellten Gasverarbeitungsvorrichtung verbunden.
Zwei Laseroszillatoren 30 sind in einem vorbestimmten Abstand von den Fenstern 28 vorgesehen, wobei zwei konvexe Linsen bzw. Sammellinsen 29 vorgesehen sind, von denen je eine zwischen dem betreffenden Oszillator 30 und dem zugehörigen Fenster 28 angeordnet ist. Der Laseroszillator 30 emittiert beispielsweise einen Edelgas-Excimerlaserstrahl' oder einen Edelgas-Halogenoid- bzw. Kalogenid-Heteroexcimerlaserstrahl.
Es ist zu bemerken, daß ein Behälter 31 für Lösungsflüssigkeit in das Behandlungsgefäß 20 eingesetzt ist, beispielsweise durch eine nichtdargestellte kleine Tür hindurch, die in einer Seitenwand des Gefäßes 2 0 gebildet ist. Der Behälter 31 hat beispielsweise Bechergestalt und enthält die Lösungsflüssigkeit 27, die bei Raumtemperatur verdampfen kann, beispielsweise Fluorwasserstoffsäure sehr hoher Reinheit.
Bei der Benutzung der Vorrichtung 40 wird Sauerstoffgas hoher Reinheit durch die Gaseinlaßöffnung 32A hindurch in das Behandlungsgefäß 2 0 eingeführt, wobei die Gasauslaßöffnung 33 offen gelassen wird, so daß das Gefäß 20 mit dem Sauerstoffgas hoher Reinheit gefüllt wird. Ein Chlorgas hoher Reinheit kann ebenfalls, falls es gewünscht wird, durch die Gaseinlaßöffnung 32B hindurch in das Gefäß 20 eingeführt werden, so daß das Gefäß 20 0 in diesem Fall mit einem Gemisch aus Sauerstoffgas und Chlorgas hoher Reinheit gefüllt ist. Dann wird das HaIbleiterplättchen 23 an dem Plättchenhalter 24 angebracht. Hiernach v/erden Laserstrahlen 34 von den Laseroszillatoren 3 0 ausgesendet, welche das Plättchen 23 über die Sammellinsen 29 und die Fenster 28 erreichen. Daraus ergibt
es sich, daß beide Flächen des Plättchens 23 wahlweise mit den Laserstrahlen 34 angestrahlt werden, so daß dünne Halbleiterfilme 26, d. h. Oxidfilme, wahlweise an beiden Flächen des Plättchens 23 gebildet werden. 5
Die auf die beschriebene Weise gebildeten Oxidfilme werden mittels eines Dampfphasenzersetzungsverfahrens oder Dampfphasenauflösungsverfahrens zersetzt bzw. aufgelöst, welches eine Art Ätztechnik darstellt. Insbesondere wird der die Lösungsflüssigkeit 37 enthaltende Behälter 31 in das Behandlungsgefäß 2 0 eingesetzt, um es zu ermöglichen, daß der Dampf der Lösungsflüssigkeit oder Auflösungsflüssigkeit 27 auf die Oxidfilme 26 einwirkt und diese schmilzt. Das geschmolzene Material fließt entlang der Flächen des Plättchens 23 nach unten und wird von dem Trog 25 aufgenommen. Das auf diese Weise wieder gewonnene geschmolzene Material wird der Analyse auf Spurenverunreinigungen unterworfen, die in den dünnen Halbleiterfilmen 26 enthalten sind, und zwar unter Verwendung einer rahmenlosen Atomabsorptions-Analysevorrichtung gemäß vorstehender Beschreibung.
Bei der oben beschriebenen Ausführungsform werden die dünnen Filme 26 innerhalb des Behandlungsgefäßes 20 gebildet und aufgelöst, ohne daß das Plättchen 23 überführt wird, wodurch es möglich ist, die beim Stand der Technik vorhandene Sekundärverunreinigung zu verhindern. Als Ergebnis kann die Genauigkeit der Analyse der Spurenverunreinigungen in den Filmen 26 erhöht werden auf etwa _+10 %, was im Gegensatz steht zu +_20 bis 30 % beim Stand der Technik. Daraus ergibt es sich, daß es mit der Erfindung möglich ist, die Verunreinigungskonzentration des Toroxidfilmes bei der Herstellung von MOS-Vorrichtungen wirksam zu kontrollieren oder zu steuern, was zu verbesserter Zuverlässigkeit der Elementcharakteristiken führt.
Fig. 2 zeigt eine andere Ausführungsform der Erfindung. Diejenigen Bezugszeichen, die die gleichen sind wie bei der Darstellung gemäß Fig. 1, bezeichnen gleiche Teile, wobei deren Beschreibung fortgelassen ist. Bei der Ausführungsform gemäß Fig. 2 sind reflektierende Platten 41 zwischen den konvexen Linsen oder Sammellinsen 29 und den Fenstern 28 angeordnet. Wie ersichtlich, ist jede reflektierende Platte 41 mit Bezug auf den zugehörigen Laserstrahl 3 4 schräg angeordnet. Es ist hier zu bemerken, daß die Schräglage der reflektierenden Platte 41 durch einen nichtdargestellten zweckentsprechenden Mechanismus in geeigneter Weise gesteuert werden kann. Daraus ergibt es sich, daß der gesamte Bereich der Flächen des Plättchens 23 mit den Laserstrahlen 34 bestrahlt werden kann durch zweckentsprechendes kontinuierliches Ändern der Schräglage der reflektierenden Platten 41, wodurch erreicht wird, daß die dünnen Halbleiterfilme 26 den gesamten Bereich der Flächen des Plättchens 23 bedecken. Natürlich ist die Menge wiedergewonnenen geschmolzenen Materials in diesem Falle größer.
Wenn das Behandlungsgefäß 20 zuvor mit einem Gemisch aus Sauerstoffgas und Chlorgas gefüllt wird, kann die Temperatur, bei welcher der Film oder die Filme 26 gebildet werden, erniedrigt werden. Zusätzlich kann die Zeit für das Bilden der Filme 26 verkürzt werden.
Im Rahmen der Erfindung sind verschiedene Änderungen möglich. Beispielsweise können bei dem Arbeitsschritt des 0 Bildens der dünnen Halbleiterfilme Ultraviolettstrahlen anstelle von Laserstrahlen verwendet werden, obwohl es in diesem Fall etwas längere Zeit erfordert, um die dünnen Filme zu bilden. Weiterhin ist es möglich, die technische Idee der vorliegenden Erfindung anzuwenden auf das Zersetzen bzw. Auflösen von Nitridfilmen, obwohl es erfor-
derlich ist, die Techniken zum Bilden und zum Zersetzen oder Auflösen der Nitridfilme etwas zu modifizieren. Kurz gesagt, können die Arbeitsschritte des Bildens und Zersetzens oder Auflösens von dünnen Halbleiterfilmen wie
beispielsweise Oxidfilmen und Nitridfilmen ausgeführt
werden in einem einzigen Behandlungsgefäß, wenn die Erfindung angewendet wird, wodurch es möglich ist, Sekundärverunreinigung der dünnen Halbleiterfilme zu verhindern.
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Claims (4)

  1. HOFFMANN-"· EITLE a'PARTNER 3516973
    PATENT- UND RECHTSANWÄLTE ^
    PATENTANWÄLTE DIPL.-ING. W. EITLE · DR. RER. NAT. K. HOFFMANN · piPU-ING. W. LEHN
    DIPL.-INa. K. FÜCHSLE · DR. RER. NAT. B. HANSEN · DR. RER. NAT. H-A. BRAUNS . DIPL.-ING. K. GDRG
    DIPL.-ING. K. KOHLMANN · RECHTSANWALT A. NETTE
    42 000 Gh/ms
    Kabushiki Kaisha Toshiba Kawasaki-shi / Japan
    Verfahren und Vorrichtung zum Auflösen eines Filmes an einem Halbleitersubstrat
    Patentansprüche
    1jl Verfahren zum Auflösen eines Filmes an einem Halbleitersubstrat, insbesondere eines dünnen Filmes, dadurch gekennzeichnet , daß
    in einem ersten Arbeitsschritt ein gewünschter dünner Halbleiterfilm (26) an einem Halbleitersubstrat (23) gebildet wird, welches in einem Behandlungsgefäß (20) aufgenommen ist, und daß
    in einem zweiten Arbeitsschritt der an dem Substrat
    (23) in dem Behandlungsgefäß (20) gebildete Film (26) zu einer Flüssigkeit aufgelöst wird, wonach das aufgelöste flüssige Material wiedergewonnen wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß ein Halbleitersubstrat (23) aus Silizium verwendet wird.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch g e k e η η zeichnet, daß das Behandlungsgefäß (20) vor
    dem ersten Arbeitsschritt mit einer vorbestimmten Gasatmosphäre gefüllt wird.
    BAD ORiG1NAL
    ARABELLASTRASSE 4 . D-BOOO MÜNCHEN 81 · TELEFON COS93 911Ο87 · TELEX 5-29619 CPATHE^ · TELEKOPIERER 918356
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet , daß eine Gasatmosphäre aus Sauerstoffgas allein oder aus einem Gemisch aus. Sauerstoff gas und Chlorgas angewendet wird.
    5. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet , daß in dem ersten Arbeitsschritt das Siliziumsubstrat (23) mit einem Laserstrahl (34) bestrahlt wird, um einen Oxidfilm (26), d. h. einen dünnen Halbleiterfilm, an der Fläche des Substrats (23) zu bilden.
    6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet , daß in dem zweiten Arbeitsschritt des Auflösens des Filmes (26) eine Ätztechnik angewendet wird.
    7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet , daß als Ätztechnik ein Dampfphasen- zersetzungsverfahren bzw. ein Dampfphasenauflösungsverfahren angewendet wird.
    8. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet , daß zum Zersetzen oder Auflösen des Oxidfilms (26) ein Fluorwasserstoffsäuredampf hoher Reinheit auf den Oxidfilm (26) einwirken gelassen wird.
    9. Vorrichtung zum Auflösen eines Filmes an einem Halblei-0 tersubstrat, gekennzeichnet durch
    ein Behandlungsgefäß (20), welches ein Halbleitersubstrat (23) aufnimmt,
    eine Einrichtung (30, 32A, 32B), um in das Behandlungs-
    gefäß (20) Medien (34) einzuführen, um an dem in dem. Behandlungsgefäß aufgenommenen Halbleitersubstrat (23) einen gewünschten Film, insbesondere einen dünnen Halbleiterfilm (26) zu bilden, 5
    eine Einrichtung (31), um in das Behandlungsgefäß (20) ein Medium (27) einzuführen zum Zersetzen oder Auflösen des an dem Substrat (23) gebildeten Filmes (2.6) zu Flüssigkeit, und
    eine Einrichtung (25) zum Wiedergewinnen der aufgelösten Flüssigkeit des Filmes (26).
    10. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch g e k e η η zeichnet , daß das Halbleitersubstrat (23) aus Silizium besteht.
    11. Vorrichtung nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet , daß das Behandlungsgefäß
    (20) einen Tragteil (24) aufweist, um das Halbleitersubstrat (23) in aufrechter Lage zu halten.
    12. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 11, dadurch gekennzeichnet , daß die Ein<« richtung zum Einführen von filmbildenden Medien Mittel (32A, 32B) zum Einführen eines vorbestimmten Gases in das Behandlungsgefäß (20) aufweist, welches als eines der filmbildenden Medien wirkt.
    13. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 11, dadurch gekennzeichnet , daß die Einrichtung zum Einführen der filmbildenden Medien Mittel (28, 29, 30) aufweist zum Einführen eines als eines der filmbildenden Medien wirkenden vorbestimmten Laserstrahles (34) in das Behandlungsgefäß (20).
    14. Vorrichtung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet , daß die den Laserstrahl einführenden Mittel (28, 29, 30) einen Laseroszillator (30), eine Linse (29), um den von dem Oszillator emittierten Laserstrahl (34) zu sammeln, und ein Fenster
    (28) 'aufweisen, welches in einer Seitenwand des Behandlungsgefäßes (20) gebildet ist, um den von der konvexen Linse oder Sammellinse (29) gesammelten Laserstrahl (34) auf das in dem Behandlungsgefäß gehaltene Halbleitersubstrat (23) zu führen, und daß das Fenster (28) aus lichtdurchlässigem Material gebildet ist, welches in dem Zersetzungs-. bzw. Auflösungsmedium (27) unlöslich ist.
    15. Vorrichtung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet , daß der Laseroszillator (30) einen Edelgas-Excimerlaserstrahl emittiert.
    16. Vorrichtung nach Anspruch 14, dadurch g e k e η η zeichnet, daß der Laseroszillator (30) einen Edelgas-Halogenoid- bzw. Halogenid-Heteroexcimerlaserstrahl emittiert.
    17. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 14 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß das das Fenster (28) bildende transparente oder lichtdurchlässige Material Saphir ist.
    18. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 14 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß die den Laserstrahl
    einführenden Mittel (28, 29, 30) eine Abtasteinrichtung (41) aufweisen, um zu ermöglichen, daß das Halbleitersubstrat (23) über seinen gesamten Oberflächenbereich mit dem Laserstrahl (34) bestrahlt werden kann. 35
    19. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet , daß die Mittel zum Einführen des Auflösungsmediums eine Einrichtung (31) zum Aufnehmen einer als ein Auflösungsmedium (27) wirkenden Auflösungsflüssigkeit und eine Einrichtung (22) aufvjeisen zum Einführen der die Auflösungsflüssigkeit aufnehmenden Einrichtung (31) in das Behandlungsgefäß , (20) .
    20. Vorrichtung nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet , daß die Auflösungsflüssigkeit (27) eine Fluorwasserstoffsäure hoher Reinheit ist.
    21. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch g e k e η η zeich net , daß die Einrichtung (25) zum Wiedergewinnen der aufgelösten Flüssigkeit ein Behälter (25) ist, der unter dem Halbleitersubstrat (23) angeordnet ist, welches in dem Behandlungsgefäß (20) gehalten ist.
    20
    2.2, Vorrichtung nach einem der Ansprüche 18 bis 21, dadurch gekennzeichnet , daß die Abtasteinrichtung (41) eine reflektierende Fläche (41) aufweist, die zwischen dem Laserstrahloszillator (30) und dem Substrat (23) einstellbar angeordnet ist.
DE19853516973 1984-06-22 1985-05-10 Verfahren und vorrichtung zum aufloesen eines filmes an einem halbleitersubstrat Ceased DE3516973A1 (de)

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