DE3428594C2 - - Google Patents
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- DE3428594C2 DE3428594C2 DE19843428594 DE3428594A DE3428594C2 DE 3428594 C2 DE3428594 C2 DE 3428594C2 DE 19843428594 DE19843428594 DE 19843428594 DE 3428594 A DE3428594 A DE 3428594A DE 3428594 C2 DE3428594 C2 DE 3428594C2
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B9/00—Generation of oscillations using transit-time effects
- H03B9/12—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices
- H03B9/14—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices and elements comprising distributed inductance and capacitance
- H03B9/145—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices and elements comprising distributed inductance and capacitance the frequency being determined by a cavity resonator, e.g. a hollow waveguide cavity or a coaxial cavity
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- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B9/00—Generation of oscillations using transit-time effects
- H03B9/12—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices
- H03B2009/126—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices using impact ionization avalanche transit time [IMPATT] diodes
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- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2201/00—Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
- H03B2201/01—Varying the frequency of the oscillations by manual means
- H03B2201/014—Varying the frequency of the oscillations by manual means the means being associated with an element comprising distributed inductances and capacitances
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
Die Erfindung bezieht sich auf einen Oszillator mit einer Diode,
die im Arbeitsbereich einen negativen Widerstand zeigt und am
kurzgeschlossenen Ende eines Koaxialleitungsabschnitts als Fort
setzung von dessen Innenleiter angeordnet ist, der Durchmesser
sprünge aufweist und dadurch als besonders ausgebildetes Trans
formationsstück wirkt und über den sowohl die Zuführung des
Gleichstroms für die Diode wie auch die Ableitung der erzeugten
Hochfrequenzsignale erfolgt.
Ein solcher Oszillator ist durch die DE-AS 26 32 144 bekannt.
Dabei ist der leitungsseitige Anschluß der Diode über ein Kon
taktfederelement auf eine tellerförmige Elektrode geführt, die
über eine dielektrische Schicht kapazitiv mit dem Innenleiter
ende eines Transformationsstückes etwa gleichen Außendurch
messers wie die tellerförmige Elektrode verbunden ist. Die
dielektrische Schicht ist unterteilt in ein mechanisch festes
Plättchen mit einem Ausschnitt und ein bewegliches Plättchen
gleicher Stärke, das in radialer Richtung im Ausschnitt des
festen Plättchens zur Bildung einer abstimmbaren Zusatzkapazi
tät zu dem im wesentlichen aus der Diode und den sie umgebenden
Teilen der Koaxialleitung bestehenden Resonanzkreis verschiebbar
ist. Im Innenleiterende des Transformationsstückes ist eine
koaxiale Bohrung angebracht, die eine λ /4-Leitung enthält,
deren Innenleiter durch die dielektrische Schicht hindurchver
laufend mit dem Teller verbunden ist und die Gleichstromzulei
tung zur Diode bewirkt. Das Transformationsstück führt auf einen
gleichstromentkoppelten Ausgang für die Oszillatorschwingung.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen solchen Oszilla
tor niedriger Güte zu schaffen, der im Verstärker-Betrieb als
synchronisierter Oszillator arbeitet und über einen weiten Be
reich kontinuierlich abstimmbar ist und dabei in seinem mecha
nischen Aufbau sehr einfach ist.
Diese Aufgabe wird bei einem Oszillator der eingangs beschrie
benen Art gemäß der Erfindung in der Weise gelöst, daß der
Innenleiter am leitungsseitigen Anschluß der Diode ein in einer
zentrischen Bohrung axial bewegliches Innenleiterteil aufweist
und daß mittels einer im Innenleiter angeordneten vorgespannten
Feder das Innenleiterteil gegen die Diode und der in einer
Bohrung des Außenleiters beweglich geführte Innenleiter mit
einer äußeren Abstufung gegen einen Anschlag gedrückt ist, der
mittels eines in einer zweiten Bohrung parallel zur Koaxialleitung an
geordneten Abstimmelements in der axialen Lage verschiebbar ist.
Der erfindungsgemäße Oszillator ist mechanisch von außen in der
Frequenz über einen Bereich von f < 25% kontinuierlich ohne Um
bauten am Oszillator selbst auch während des Betriebs einstell
bar. Dabei bleibt die niedrige Güte des Schwingkreises über dem
Abstimmbereich erhalten. Von Vorteil ist dabei ferner die hohe
Einstellgenauigkeit der Frequenz. Der Aufbau ist so gestaltet,
daß alle Funktionsbaugruppen, wie Diode, Bias, Innenleiterteile
und der Abstimmechanismus unabhängig voneinander als Komplett-
Baugruppe steckbar sind. Dies bedeutet eine Vereinfachung der
Montage/Prüfung und gewährleistet eine erhöhte mechanische Sta
bilität.
Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen des Erfindungs
gegenstandes sind in den Unteransprüchen angegeben.
Nachstehend wird die Erfindung anhand eines in der Zeichnung
dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert.
Es zeigt
Fig. 1 das Schaltbild eines Diodenoszillators und
Fig. 2 den mechanischen Aufbau des Diodenoszillators.
Der in Fig. 2 schematisch dargestellte Oszillator besteht
zum einen aus dem aktiven Element (Impatt- oder Gunn-
Diode) mit dem im Arbeitsfrequenzbereich vorhandenen nega
tiven Widerstand R D , der Diodenkapazität C D und den Ge
häuseparametern L P und C P und zum anderen aus dem Last
schaltkreis mit den Resonanzelementen L, C und der Last R L .
Von den Resonanzelementen ist die Induktivität L variabel,
was in der Zeichnung durch den Pfeil dargestellt ist.
Im koaxialen Schaltkreis in Fig. 2 wird die reelle Impe
danz der Last von 50 Ohm zunächst in die reelle Impedanz
von ungefähr 2 Ohm mittels eines zweistufigen Breitband
transformators übersetzt und dann durch ein Netzschalt
element, das als konzentrierte Induktivität wirkt, ergänzt.
Damit wird die komplexe Diodenimpedanz (Z D ≈2 Ohm - j 20
Ohm) durch einen konjugierten, komplexen Wert der Last
angepaßt, um die Schwingbedingung zu erfüllen.
Fig. 1 zeigt den Aufbau des Diodenoszillators an einem
Ausführungsbeispiel. In dieser koaxialen Anordnung ist die
Diode, z. B. eine Impatt- oder Gunn-Diode mit 1 bezeichnet,
die am kurzgeschlossenen Ende eines koaxialen Leitungs
schaltkreises mit dem Außenleiter 5 liegt. Durch den Innen
leiter des koaxialen Leitungsschaltkreises wird der Gleich
strom der Diode 1 zugeführt und gleichzeitig die RF-
Leistung abgeführt. Die Diode 1 ist mit ihrem masseseitigen
Ende in die axiale Bohrung eines Halteelementes 15 einge
setzt. Der Innenleiter 3 der koaxialen Anordnung wirkt
als zweistufiger λ/4-Transformator (λ = mittlere
Wellenlänge der Oszillatorfrequenz) und ist in seinem
Längsbereich zur Last hin in seinem Außendurchmesser zwei
fach abgestuft. Am leitungsseitigen Anschluß der Diode 1
ist in einer zentrischen Bohrung des Innenleiters 3 ein
axial bewegliches Innenleiterteil 2 angeordnet, das mit
der Länge seines aus dem Innenleiter 3 herausragenden Teiles
die Frequenz des Oszillators bestimmt. Das Innenleiterteil
2 wird isoliert durch dielektrische Passungen im Innen
leiter 3 spielfrei, aber beweglich geführt. Es ist in
drei Leitungssegmente von je ungefähr λ/4-Länge unter
teilt, die am Ort seines Austritts aus dem Innenleiter 3
einen RF-mäßigen Kurzschluß bewirken. Dies erfolgt in der
Weise, daß die einzelnen Leitungsabschnitte abwechselnd
nieder- und hochohmig sind und dadurch als Tiefpaß wirken.
Das bewegliche Innenleiterteil 2 liegt auf dem gleichen
elektrischen Potential wie der Innenleiter 3, erfordert
aber im RF-wirksamen Bereich keine galvanischen Gleitkon
takte. Das Innenleiterteil 2 wird mittels einer Feder 4 ,
die auch den Gleichstrom überträgt, an die Diode 1 gedrückt.
Die Feder 4, die im dritten, hohlzylindrisch ausgebildeten
Leitungssegment des Innenleiterteiles 2 unter Vorspannung
angeordnet ist, drückt zugleich den Innenleiter 3 mit
seiner Anschlagfläche im Bereich der zweiten Abstufung
gegen einen Anschlag 11, der durch einen Keramikzapfen der
Frequenzabstimmung gebildet wird. Der Keramikzapfen 11
ragt durch einen Schlitz 16 im Außenleiter 5 der Koaxial-
Leitung soweit in den Zwischenraum der Koaxial-Leitung,
daß die erste Stufe des Innenleiters 3 sich an ihm abstützt.
Der Keramikzapfen 11 ist in einem Abstimmelement 12 einge
setzt, das in einer zweiten Bohrung parallel zur Koaxial-Leitung
über einen Gewindestift 10 geführt und zur Frequenzabstimmung
in axialer Richtung bewegt wird. Hierbei gleitet das Innen
leiterteil 2 verschieden weit aus dem Innenleiter 3 heraus.
Der herausragende Teil wirkt als konzentrierte Serieninduk
tivität und zieht die Frequenz mit zunehmender Länge zu
tieferen Werten. Das Abstimmelement 12 ist hierfür mittels
einer an einer Abdeckung 14 anliegenden Feder 13 abgestützt
und von der anderen Seite her beispielsweise mittels eines
Schraubenziehers verschiebbar.
Zur Zuführung des Gleichstroms an die Diode ist eine
λ /4-Stichleitung 9 rechtwinklig zur Koaxial-Leitung
federnd an dem Innenleiter 3 angesetzt, deren dem Innen
leiter abgekehrtes Ende eine als RF-Kurzschluß wirkende,
punktsymmetrische Radialleitung 7, 8 (Durchführungskonden
sator) bildet. Die Radialleitung wird durch eine kreis
förmige Metallscheibe 7 mit einer dielektrischen Folie 8
gegen Masse gebildet, wobei die Folie 8 auf dem Absatz
einer stufenförmig abgesetzten Bohrung im Außenleiter 5
der Koaxial-Leitung aufliegt. Mit 17 ist dabei die Anschluß
klemme zur Zuführung der Gleichspannung bezeichnet.
Zur Abblockung des Gleichstromes an die Last wirkt eine
λ/4-Sackleitung 6 im 50 Ohm-Innenleiter, also dem der
Diode abgekehrten Endbereich des Innenleiters 3. Die
wirksame Länge von ungefähr λ/4 dieser Sackleitung 6
bleibt beim Verschieben des Innenleiters 3 innerhalb der
Bohrung des Außenleiters 5 erhalten. Die Anschlußklemme
zur Entnahme des Hochfrequenzsignals ist mit 18 bezeichnet.
Claims (6)
1. Oszillator mit einer Diode, die im Arbeitsbereich einen
negativen Widerstand zeigt und am kurzgeschlossenen Ende
eines Koaxialleitungsabschnitts als Fortsetzung von dessen
Innenleiter angeordnet ist, der Durchmesservorsprünge aufweist und dadurch als
Transformationsstück wirkt und über den sowohl die Zu
führung des Gleichstroms für die Diode wie auch die Ablei
tung der erzeugten Hochfrequenzsignale erfolgt,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Innenleiter (3) am leitungsseitigen Anschluß der
Diode (1) ein in einer zentrischen Bohrung axial beweg
liches Innenleiterteil (2) aufweist und daß mittels einer
im Innenleiter (3) angeordneten vorgespannten Feder (4)
das Innenleiterteil (2) gegen die Diode (1) und der in
einer Bohrung des Außenleiters (5) beweglich geführte
Innenleiter (3) mit einer äußeren Abstufung gegen einen An
schlag (11) gedrückt ist, der mittels eines in einer zweiten
Bohrung parallel zur Koaxialleitung angeordneten Abstimmelements
(12) in der axialen Lage verschiebbar ist.
2. Oszillator nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Innenleiterteil (2) aus einzelnen Elementen ca.
λ/4-langer koaxialer Leitungen besteht, die abwechselnd
nieder- und hochohmig sind, wobei λ die mittlere Wellenlänge
der Oszillatorfrequenz ist.
3. Oszillator nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß der als dielektrischer Zapfen ausgebildete Anschlag
(11) im Abstimmelement (12) eingesetzt ist, das an einem
Ende der zweiten Bohrung federnd abgestützt ist und von der ande
ren Seite her mittels eines Gewindestiftes (10) verschieb
bar ist.
4. Oszillator nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Gleichstromzuführung zur Diode (1) über eine
λ/4-lange, hochohmige Stichleitung (9) erfolgt, die
federnd an den Innenleiter (3) angesetzt ist und deren
dem Innenleiter abgekehrtes Ende eine als RF-Kurzschluß
wirkende, punktsymmetrische Radialleitung (7, 8) bildet.
5. Oszillator nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Radialleitung durch eine kreisförmige Metall
scheibe (7) mit einer dielektrischen Folie (8) gegen
Masse gebildet ist.
6. Oszillator nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Gleichstromtrennung und Ableitung der RF-Leistung
zum Verbraucher über eine λ/4-lange Sackleitung (6) im
Innenleiter (3) in dem der Diode abgewendeten Endbereich
erfolgen.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19843428594 DE3428594A1 (de) | 1984-08-02 | 1984-08-02 | Abstimmbarer diodenoszillator |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19843428594 DE3428594A1 (de) | 1984-08-02 | 1984-08-02 | Abstimmbarer diodenoszillator |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3428594A1 DE3428594A1 (de) | 1986-02-20 |
DE3428594C2 true DE3428594C2 (de) | 1987-07-30 |
Family
ID=6242247
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19843428594 Granted DE3428594A1 (de) | 1984-08-02 | 1984-08-02 | Abstimmbarer diodenoszillator |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3428594A1 (de) |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2632144C3 (de) * | 1976-07-16 | 1979-03-29 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Abstimmbarer Diodenoszillator |
-
1984
- 1984-08-02 DE DE19843428594 patent/DE3428594A1/de active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3428594A1 (de) | 1986-02-20 |
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